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SM8142B
EL ドライバ IC
■概要
SM8142B はトランスレス化を実現した EL(Electro Luminescence)用ドライバ IC です。30cm2 程度の EL シ
ートをドライブすることができます。出力回路の工夫により高効率駆動を実現したため、消費電力をおさえる
ことができます。さらに、超小型の 8 ピン SON(Small Outline Non-leaded)パッケージ* を採用したことにより、
小型・薄型・省電力のドライバユニットの実現が可能となります。
* : SM8142BD
■特長
■外形寸法図 (Unit : mm)
・EL シート専用の駆動機能
● 8-pin SON
・ノイズのない滑らかな駆動波形
・出力回路改善により高効率化を実現
・スタンバイ機能付き
・安定した温度特性によりバラツキを低減
・超小型パッケージ
・電源電圧
: 1.6 ～ 5.5V
・消費電流
: 0.3mA typ. (at VDD=3.0V)
（コイル電流を除く）
・最大 EL 駆動電圧 : 200VP-P
・EL 駆動周波数可変範囲 : 31 ～ 1000Hz
・使用インダクタ : 220H ～
■オーダーインフォメーション
Device
Package
SM8142BD
8 pin SON
SM8142BV
8 pin VSOP
● 8-pin VSOP
SEIKO NPC CORPORATION - 1
SM8142B
■端子配置(Top view)
■ブロック図
●8-pin SON
EL sheet
VSS
1
8 LDR
OSC
2
7 CHV
VDD
ENA 3
6 OUT1
VDD 4
5 OUT2
LDR
CHV
OUT1
OUT2
High Voltage
Switching Circuit
Dividing Circuit
●8-pin VSOP
CHV 1
8
OUT1
LDR
2
7
OUT2
VSS
3
6
VDD
OSC
4
5
ENA
Dividing Circuit
Oscillator for
Boosting Voltage and EL Driving
VSS
OSC
ENA
■端子説明
端子番号
端子名
I/O
7
CHV
I
高電圧 DC 端子
2
8
LDR
O
昇圧コイル駆動端子
3
1
VSS
-
GND 端子
4
2
OSC
I
VSOP-8
SON-8
1
5
3
ENA
6
4
7
8
*1
機 能
コイルおよび EL 駆動用発振端子
（外付け抵抗により発振周波数可変可能）
I
イネーブル端子（˝H˝ : イネーブル、˝L˝ : ディセーブル）
VDD
-
電源端子
5
OUT2
O
出力端子 2
6
OUT1
O
出力端子 1
*1. プルダウン抵抗内蔵
SEIKO NPC CORPORATION - 2
SM8142B
■電気的特性
●絶対最大定格
項 目
記号
電源電圧
VDD
入力電圧
VIN
条 件
全入力端子
定 格
単位
-0.3 ～ 7.0
V
VSS-0.3 ～ VDD+0.3
V
出力電圧(CHV)
VCHV
CHV 端子
0.5 ～ 120
V
出力電圧(LDR)
VLDR
LDR 端子
0.5 ～ 120
V
OUT1/2 端子
0.5 ～ 120
V
100
mW
-55 ～ +125
℃
出力電圧(OUT1/2)
VOUT1/2
消費電力
PD
保存温度
TSTG
Ta85℃
注）いずれかの項目のうち、ひとつでも絶対最大定格値を超えた場合、デバイス破壊または、劣化の恐れがあります。
●推奨動作条件
項 目
記号
規 格
条 件
TYP
MAX
3.0
5.5
V
85
℃
電源電圧範囲
VDD2
1.6
動作温度
TOPR
-40
動作電流
IDD2
RCHV
60
コイル電流を含む、VDD=5.0V
36*1
VDD4.0V
0
VDD>4.0V
20
ROUT
VDD>4.0V
インダクタ値
LLDR
*1
コイル電流を含む、VDD=3.0V
VDD4.0V
電流制限抵抗
EL 面積30cm2
EL 面積>30cm
fLDR=64kHz
0
1.0
2
0
1.0
1.0*2
1.0*2
EL 面積>30cm2
mA
kΩ
2
EL 面積30cm
単位
MIN
470
kΩ
H
*1. 設計時にはバラツキを含め、この値を超えないようにして下さい。
*2. 1.0kΩの固定値として下さい。
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SM8142B
●電気的特性
特記なき場合、VDD=3.0V,Ta=25℃
項 目
電源電圧
出力電圧
出力抵抗
発振周波数
端子
記号
VDD
出力周波数 *1
可変範囲
L 駆動周波数 *1
可変範囲
TYP
MAX
VDD
1.6
3.0
5.5
CHV
VCHV
0.5
OUT1/2
VOUTH
100
OUT1/2
VOUTL
0.5
LDR
RLDR
ILDR=50mA
fOSC1
ROSC=180kΩ
fOSC2
OUT1/2
fOUT1
fLDR1
LDR
VENAL
入力電流
ROSC=180kΩ
8.0
12.0
256
307
200
1024
250
31
ROSC=180kΩ
fLDR2
ENA
205
ENA=˝H˝
VDD=1.6 to 5.5V
ENA=˝L˝
VDD=1.6 to 5.5V
51
単位
V
100
32
fOUT2
VENAH
入力電圧
規 格
MIN
OSC
可変範囲
条 件
300
1000
64
77
V
Ω
kHz
Hz
kHz
8
256
VDD-0.5
VDD+0.3
V
VSS-0.3
VSS+0.5
V
6.0
A
ENA
IENAH
VENAH=VDD=3.0V
ENA
tENA
VENAL→VENAH
100
ms
動作電流
VDD
IDD1
コイル電流を除く
0.5
mA
スタンバイ電流
VDD
ISTB
ENA=”L”
1.0
A
立ち上り時間
*2
2.0
4.0
*1. 出力周波数=(1/256)×L 駆動周波数
*2. tENA を次のように規定します。
VDD-0.5V
ENA
VSS+0.5V
tENA
SEIKO NPC CORPORATION - 4
SM8142B
■アプリケーション回路例
(1) EL sheet size : 20～30cm2
Current consumption : 20mA
Cbypass
0.01μF
470μH
VSS
LDR
OSC
CHV
180kΩ
ENA
OUT1
VDD
OUT2
EL sheet*1
0.1μF
100V
3.0V
Diode:TOSHIBA 1SS403
Coil :MURATA LQH4N471K04M00
(2) EL sheet size : 30～50cm2 *2
Current consumption : 40mA
220μH
VSS
LDR
OSC
CHV
Cbypass
0.01μF
180kΩ
1.0kΩ
ENA
OUT1
VDD
OUT2
EL sheet*1
0.1μF
100V
3.0V
Diode:TOSHIBA 1SS403
Coil :MURATA LQH4N221K04M00
SEIKO NPC CORPORATION - 5
SM8142B
(3) EL sheet size : 10～15cm2
Current consumption : 20mA
220μH
VSS
LDR
OSC
CHV
Cbypass
0.01μF
180kΩ
1.5V
ENA
OUT1
VDD
OUT2
EL sheet*1
0.1μF
100V
3.0V
Diode:TOSHIBA 1SS403
Coil :MURATA LQH4N221K04M00
(4) EL sheet size : 10～20cm2
Current consumption : 26mA
470μH
VSS
Cbypass
0.01μF
LDR
120kΩ
20kΩ
OSC
CHV
ENA
OUT1
VDD
OUT2
EL sheet*1
0.1μF
100V
5.0V*3
Diode:TOSHIBA 1SS403
Coil :MURATA LQH4N471K04M00
SEIKO NPC CORPORATION - 6
SM8142B
(5) EL sheet size : 30～50cm2 *2
Current consumption : 34mA
470μH
VSS
LDR
120kΩ
20kΩ
OSC
CHV
1.0kΩ
5.0V
Cbypass
0.01μF
ENA
OUT1
VDD
OUT2
EL sheet*1
0.1μF
100V
*3
Diode:TOSHIBA 1SS403
Coil :MURATA LQH4N471K04M00
*1. EL シートを付けない状態(OUT1,OUT2 が無負荷)で、IC を動作させるのは避けて下さい。IC が破損する
可能性があります。
*2. EL シート面積が 30cm2 を超える場合には、OUT1 端子に電流制限用の抵抗(1.0kΩ)を挿入して下さい。
*3. IC の電源電圧が 4.0V 以上となる場合には、CHV 端子に電流制限用の抵抗(20kΩ)を挿入して下さい。
また、OUT1 端子の抵抗は 1.0kΩ(EL シート面積>30cm2)または 1.0kΩ以下(EL シート面積30cm2)にして
下さい。
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SM8142B
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ND11013-J-00 2011.10
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