5052H_ND12015J00

5052H series
小型水晶発振モジュール用 IC
■概要
5052H series は、発振周波数 20~80MHz 基本波発振、+125℃動作対応の小型水晶発振器向けの水晶発振モジュー
ル用 IC です。発振回路部を定電圧駆動にしたことにより、従来品と比べ、消費電流と水晶電流を大幅に低減するとともに、
発振特性の電源電圧依存性も大幅に低減しました。PAD 配置は、パッケージ構造、実装方法に合わせて 3 種類のタイプ
から選択できますので小型発振器に最適です。
■特長
・幅広い動作電源電圧範囲: 1.60~3.63V
・分周回路内蔵
バージョンにより出力周波数を fOSC,fOSC/2,fOSC/4,
・定電圧駆動の発振回路により、消費電流と
fOSC/8, fOSC/16 から選択
水晶電流を低減
・小型水晶振動子に最適な低水晶電流の発振特性
・出力駆動能力:±4mA
・実装方法に合わせて 3 種類の PAD 配置を選択可
・動作温度範囲: -40℃~+125℃
5052HAx : Flip Chip Bonding 向け
・スタンバイ機能内蔵
5052HBx : Wire Bonding 向け TypeⅠ
スタンバイ時発振停止、出力 Hi-Z
5052HCx : Wire Bonding 向け TypeⅡ
・出力 DUTY レベル: CMOS(1/2VDD)
・推奨発振周波数範囲(基本波発振): 20~60MHz(Hx1~Hx5 ver.)
・出力 DUTY: 50±5%
40~80MHz(HxP~HxT ver.) ・出力負荷駆動能力: 15pF
・多段分周により低周波出力が可能: 1.25MHz(Hx1~Hx5 ver.)
・ウェハフォーム(WF5052Hxx)
2.5MHz(HxP~HxT ver.)
・チップフォーム(CF5052Hxx)
■アプリケーション
・3.2 x 2.5 , 2.5 x 2.0 , 2.0 x 1.6 小型水晶発振器
■シリーズ構成
動作電源
電圧範囲[V]
PAD 配置
範囲*1[MHz]
fOSC
fOSC/2
fOSC/4
fOSC/8
fOSC/16
20~60
5052HA1
5052HA2
5052HA3
5052HA4
5052HA5
40~80
5052HAP
5052HAQ
5052HAR
5052HAS
5052HAT
Wire Bonding
20~60
5052HB1
5052HB2
5052HB3
5052HB4
5052HB5
TypeⅠ
40~80
5052HBP
-
-
-
-
Wire Bonding
20~60
5052HC1
5052HC2
5052HC3
5052HC4
5052HC5
TypeⅡ
40~80
5052HCP
-
-
-
-
Flip Chip Bonding
1.60~3.63
出力周波数とバージョン名*2
推奨発振周波数
*1.推奨発振周波数は、NPC 特性確認用水晶からの目安であり、発振周波数帯を保証するものではありません。水晶振動子の特性や実装条件に
より特性が大幅に変動しますので発振特性の十分な評価のもとご使用下さい。
*2.ウェハフォームの場合 WF5052Hxx、チップフォームの場合 CF5052Hxx となります。
■オーダーインフォメーション
Device
Package
WF5052Hxx-5
Wafer form
CF5052Hxx-5
Chip form
バージョン名称
WF5052H□□-5
形態 WF:Wafer form
CF:Chip(Die) form
発振周波数範囲・分周機能
PAD 配置 A:Flip Chip Bonding 向け
B:Wire Bonding 向け TypeⅠ
C:Wire Bonding 向け TypeⅡ
SEIKO NPC CORPORATION - 1
5052H series
■PAD 配置図
●WF5052HAx
●CF5052HBx
(Flip Chip Bonding 向け)
●CF5052HCx
(Wire Bonding 向け TypeⅠ)
(300,285)
VSS
Y
INHN
5
4
(0,0)
6
(-300,-285)
3
1
2
XT
XTN
(Wire Bonding 向け TypeⅡ)
(300,285)
(300,285)
5
Q
Q
VDD
Y
VDD
4
(0,0)
6
(-300,-285)
3
1
2
XTN
XT
INHN
5
VDD
VSS
Y
INHN
4
(0,0)
6
(-300,-285)
1
2
XT
XTN
X
X
3
Q
VSS
X
チップサイズ: 0.60x0.57mm
チップサイズ: 0.60x0.57mm
チップサイズ: 0.60x0.57mm
チップ厚: 100m
チップ厚: 100m
チップ厚: 100m
PAD 開口部: 80m
PAD 開口部: 80m
PAD 開口部: 80m
チップ裏面: VSS レベル
チップ裏面: VSS レベル
チップ裏面: VSS レベル
・チップセンターの座標を(0,0)とします。
■PAD 座標
■端子説明
PAD
PAD 座標 [m]
PAD 番号
番号
X
Y
5052HAx
5052HBx
5052HCx
1
-145.2
-193.5
1
2
1
XT
水晶振動子接続端子
2
145.2
-193.5
2
1
2
XTN
XT,XTN の間に水晶振動子を接続
3
208.5
-1.1
3
6
5
VDD
(+)電源端子
4
208.5
193.5
4
5
4
Q
5
-208.5
193.5
5
4
3
VSS
6
-208.5
-1.1
6
3
6
INHN
端子名
機能
fOSC,fOSC/2,fOSC/4,fOSC/8,fOSC/16 一波を出力
(-)電源端子
出力状態制御入力端子(Low で発振停止)
パワーセーブプルアップ抵抗内蔵
■ブロックダイアグラム
INHN
VRG
XT
RF
1
N
RD
CG
N=1,2,4,8,16
CD
CMOS
Q
VDD
VSS
XTN
SEIKO NPC CORPORATION - 2
5052H series
■絶対最大定格
VSS=0V
項目
電源電圧範囲*1
記号
条件
定格
単位
-0.3~+4.0
V
VDD
VDD-VSS 間
*1*2
VIN
入力端子
-0.3~VDD+0.3
V
*1*2
VOUT
出力端子
-0.3~VDD+0.3
V
IOUT
Q 端子
±20
mA
150
℃
-65~+150
℃
入力電圧範囲
出力電圧範囲
*3
出力電流
*3
接合温度
Tj
*4
保存温度範囲
TSTG
チップ、ウェハ単体
*1.一瞬たりとも超えてはならない値です。万が一、定格を超えた場合は、電気的特性、信頼性などに影響を与える恐れがあります。
*2.定格に記載の”VDD”は、推奨動作条件に定める動作電源電圧(VDD)の規格値を示します。
*3.超えないようにご使用ください。万一超えた場合は、特性劣化、信頼性低下の懸念があります。
*4.N2 または真空雰囲気で、梱包材を含まない単体保存の場合です。
■推奨動作条件
VSS=0V
項目
記号
規格
条件
MIN
発振周波数*1
fOSC
出力周波数
fOUT
動作電源電圧
VDD
入力電圧
VIN
動作温度
Ta
出力負荷容量
CLOUT
TYP
単位
MAX
5052Hx1~Hx5 ver.
20
60
5052HxP~HxT ver.
40
80
VDD=1.60~3.63V
5052Hx1~Hx5 ver.
1.25
60
CLOUT≤15pF
5052HxP~HxT ver.
2.5
80
VDD-VSS 端子間*2
1.60
3.63
V
入力端子
VSS
VDD
V
-40
+125
℃
15
pF
VDD=1.60~3.63V
Q 端子
MHz
MHz
*1.発振周波数は、NPC 特性確認用水晶からの目安であり、発振周波数帯を保証するものではありません。水晶振動子の特性や実
装条件により特性が大幅に変動しますので発振特性の十分な評価のもとご使用下さい。
*2.5052H series を安定に動作させるため、VDD-VSS 間には 0.01F 以上のセラミックチップコンデンサを IC の直近(3mm 以内程度)
に実装して下さい。また IC からコンデンサまでの配線パターンは、できるだけ太い配線パターンでご使用下さい。
Note. 推奨動作条件範囲外で使用すると信頼性に影響を与える場合がありますので、この範囲内で使用して下さい。
SEIKO NPC CORPORATION - 3
5052H series
■電気的特性
●DC 特性(Hx1~Hx5 version)
特記なき場合、VDD=1.60~3.63V,VSS=0V,Ta=-40~+125℃
項
目
記号
Q 端子
“High”レベル出力電圧
Q 端子
“Low”レベル出力電圧
INHN 端子
“High”レベル入力電圧
INHN 端子
“Low”レベル入力電圧
Q 端子
出力リーク電流
発振部帰還抵抗
発振部容量
MAX
単位
VDD-0.4
VDD
V
VOL
測定回路 3,IOL=4mA
0
0.4
V
VIH
測定回路 4
VIL
測定回路 4
IST
INHN 端子
プルアップ抵抗
TYP
測定回路 3,IOH=-4mA
IDD
スタンバイ電 流
MIN
VOH
IZ
消 費 電 流*1
条件
0.7VDD
V
0.3VDD
測定回路 5,
INHN=“Low”
Q=VDD
5052Hx1(fOSC),測定回路 1,
無負荷,INHN=“OPEN”,
fOSC=48MHz,fOUT=48MHz
VDD=3.3V
1.4
2.8
VDD=2.5V
0.9
1.8
VDD=1.8V
0.7
1.4
5052Hx2(fOSC/2),測定回路 1,
無負荷,INHN=“OPEN”,
fOSC=48MHz,fOUT=24MHz
VDD=3.3V
1.2
2.4
VDD=2.5V
0.8
1.6
VDD=1.8V
0.6
1.2
5052Hx3(fOSC/4),測定回路 1,
無負荷,INHN=“OPEN”,
fOSC=48MHz,fOUT=12MHz
VDD=3.3V
1.0
2.0
VDD=2.5V
0.7
1.4
VDD=1.8V
0.5
1.0
5052Hx4(fOSC/8),測定回路 1,
無負荷,INHN=“OPEN”,
fOSC=48MHz,fOUT=6MHz
VDD=3.3V
1.0
2.0
VDD=2.5V
0.6
1.2
VDD=1.8V
0.5
1.0
5052Hx5(fOSC/16),測定回路 1,
無負荷,INHN=“OPEN”,
fOSC=48MHz,fOUT=3MHz
VDD=3.3V
0.9
1.8
VDD=2.5V
0.6
1.2
VDD=1.8V
0.4
0.8
測定回路 1,INHN=“Low”
Q=VSS
10
-10
Ta=-40~+85℃
10
Ta=-40~+125℃
20
V
A
mA
mA
mA
mA
mA
A
RPU1
測定回路 6
0.8
3
24
M
RPU2
測定回路 6
30
70
150
k
50
100
200
k
Rf
CG
CD
ウェハ内モニターパターンにて確認。
設計値。寄生容量は除く。
4.0
5.0
6.0
6.4
8.0
9.6
pF
*1.Q端子に容量(CLOUT)を負荷した場合の消費電流IDD(CLOUT)は、無負荷時の消費電流(IDD)、出力周波数(fOUT)と次式で算出することが出来ます。
IDD(CLOUT)[mA] = IDD[mA]+CLOUT[pF]×VDD[V]×fOUT[MHz]・10-3
SEIKO NPC CORPORATION - 4
5052H series
●DC 特性(HxP~HxT version)
特記なき場合、VDD=1.60~3.63V,VSS=0V,Ta=-40~+125℃
項
目
記号
Q 端子
“High”レベル出力電圧
Q 端子
“Low”レベル出力電圧
INHN 端子
“High”レベル入力電圧
INHN 端子
“Low”レベル入力電圧
Q 端子
出力リーク電流
消 費 電 流
発振部帰還抵抗
発振部容量
MAX
単位
VDD-0.4
VDD
V
VOL
測定回路 3,IOL=4mA
0
0.4
V
VIH
測定回路 4
VIL
測定回路 4
IST
INHN 端子
プルアップ抵抗
TYP
測定回路 3,IOH=-4mA
IDD
スタンバイ電 流
MIN
VOH
IZ
*1
条件
0.7VDD
V
0.3VDD
測定回路 5,
INHN=“Low”
Q=VDD
5052HxP(fOSC),測定回路 1,
無負荷,INHN=“OPEN”,
fOSC=80MHz,fOUT=80MHz
VDD=3.3V
2.4
4.8
VDD=2.5V
1.7
3.4
VDD=1.8V
1.3
2.6
5052HxQ(fOSC/2),測定回路 1,
無負荷,INHN=“OPEN”,
fOSC=80MHz,fOUT=40MHz
VDD=3.3V
2.0
4.0
VDD=2.5V
1.3
2.6
VDD=1.8V
0.9
1.8
5052HxR(fOSC/4),測定回路 1,
無負荷,INHN=“OPEN”,
fOSC=80MHz,fOUT=20MHz
VDD=3.3V
1.7
3.4
VDD=2.5V
1.1
2.2
VDD=1.8V
0.8
1.6
5052HxS(fOSC/8),測定回路 1,
無負荷,INHN=“OPEN”,
fOSC=80MHz,fOUT=10MHz
VDD=3.3V
1.5
3.0
VDD=2.5V
0.9
1.8
VDD=1.8V
0.7
1.4
5052HxT(fOSC/16),測定回路 1,
無負荷,INHN=“OPEN”,
fOSC=80MHz,fOUT=5MHz
VDD=3.3V
1.4
2.8
VDD=2.5V
0.9
1.8
VDD=1.8V
0.7
1.4
測定回路 1,INHN=“Low”
Q=VSS
10
-10
Ta=-40~+85℃
10
Ta=-40~+125℃
20
V
A
mA
mA
mA
mA
mA
A
RPU1
測定回路 6
0.8
3
24
M
RPU2
測定回路 6
30
70
150
k
50
100
200
k
1.6
2.0
2.4
2.4
3.0
3.6
Rf
CG
CD
ウェハ内モニターパターンにて確認。
設計値。寄生容量は除く。
pF
*1.Q端子に容量(CLOUT)を負荷した場合の消費電流IDD(CLOUT)は、無負荷時の消費電流(IDD)、出力周波数(fOUT)と次式で算出することが出来ます。
IDD(CLOUT)[mA] = IDD[mA]+CLOUT[pF]×VDD[V]×fOUT[MHz]・10-3
SEIKO NPC CORPORATION - 5
5052H series
●AC 特性(Hx1~Hx5 version)
特記なき場合、VDD=1.60~3.63V,VSS=0V,Ta=-40~+125℃
項
目
Q 端子
出力立ち上がり時間
Q 端子
出力立ち下がり時間
Q 端子
出力 DUTY サイクル
Q 端子
出力ディスエーブル遅延時間
記号
条
件
MIN
TYP
MAX
単位
tr1
測定回路 1, CLOUT=15pF
0.1VDD→0.9VDD,VDD=2.25~3.63V
1.5
5.0
tr2
測定回路 1, CLOUT=15pF
0.1VDD→0.9VDD,VDD=1.60~2.25V
2.0
6.0
tf1
測定回路 1, CLOUT=15pF
0.9VDD→0.1VDD, VDD=2.25~3.63V
1.5
5.0
tf2
測定回路 1, CLOUT=15pF
0.9VDD→0.1VDD, VDD=1.60~2.25V
2.0
6.0
50
55
%
200
ns
DUTY
tOD
測定回路 1, Ta=25℃,
CLOUT=15pF,VDD=1.60~3.63V
ns
ns
45
測定回路 2, Ta=25℃,CLOUT15pF
●AC 特性(HxP~HxT version)
特記なき場合、VDD=1.60~3.63V,VSS=0V,Ta=-40~+125℃
項
目
Q 端子
出力立ち上がり時間
Q 端子
出力立ち下がり時間
Q 端子
出力 DUTY サイクル
Q 端子
出力ディスエーブル遅延時間
記号
条
件
MIN
TYP
MAX
単位
tr1
測定回路 1, CLOUT=15pF
0.1VDD→0.9VDD,VDD=2.25~3.63V
1.0
3.5
tr2
測定回路 1, CLOUT=15pF
0.1VDD→0.9VDD,VDD=1.60~2.25V
1.5
5.0
tf1
測定回路 1, CLOUT=15pF
0.9VDD→0.1VDD, VDD=2.25~3.63V
1.0
3.5
tf2
測定回路 1, CLOUT=15pF
0.9VDD→0.1VDD, VDD=1.60~2.25V
1.5
5.0
50
55
%
200
ns
DUTY
tOD
測定回路 1, Ta=25℃,
CLOUT=15pF,VDD=1.60~3.63V
測定回路 2, Ta=25℃,CLOUT15pF
ns
ns
45
SEIKO NPC CORPORATION - 6
5052H series
●タイミングチャート
0.9VD D
0.9VDD
Q
0.1VD D
DUTY measurement
voltage 0.5VDD
0.1VDD
Tw
DUTY = Tw/T×100 (%)
T
tr
tf
図 1. 出力スイッチング波形
VDD
VIH
INHN
VIL
VSS
tOD
VDD
0.1V
Q
0.5VDD
VSS
0.1V
fOUT
Hi-Z
Low
fOUT
・INHN 端子 High→Low の場合:Q 端子出力はハイ・インピーダンスになります。
・INHN 端子 Low→High の場合:Q 端子は一度 Low となり、発振信号を検出した後、クロック信号出力状態に移行します。
図 2. 出力ディスエーブル時間、発振開始時間・タイミングチャート
SEIKO NPC CORPORATION - 7
5052H series
■機能説明
●INHN 端子の機能
INHN 端子を Low レベルにすることにより Q 端子出力を停止させてハイ・インピーダンスにして、IC の動作をディスエー
ブル状態にすることができます。
INHN 端子
Q 端子
発振部
High or Open
fOUT
動作
Low
Hi-Z
停止
●パワーセーブプルアップ抵抗
INHN 端子のプルアップ抵抗は入力レベル(High or Low)に応じて RPU1 または RPU2 に切り換わります。
INHN 端子を Low レベルに固定にしたときは INHN 端子に内蔵しているプルアップ抵抗値が大きくなり(RPU1)、ディスエ
ーブル時にプルアップ抵抗で消費する電流を小さくすることができます。
INHN 端子を High または Open で使うときはプルアップ抵抗値が小さくなり(RPU2)、外来ノイズによる影響を受けにくくなり
ます。これにより、INHN 端子内部は High レベルに固定された状態となりますので、不意に出力が停止するといった問題
を回避できます。
●発振検出機能
本製品には発振検出回路が搭載されています。
発振検出回路は水晶振動が起動し、安定するまでは出力回路がディスエーブル状態となる機能です。この機能により、
電源投入時や INHN 端子による発振再起動時における異常発振の危険性を軽減することができます。
SEIKO NPC CORPORATION - 8
5052H series
■測定回路
●測定回路 1
測定項目:IDD,IST,DUTY,tr,tf
A
*AC characteristics observed on the Q pin
using an oscilloscope.
IDD,IST
VDD
0.1μF
SW1
XT
X'tal
Q
測定項目
SW1
SW2
IDD
OFF
OFF
IST
ON or OFF
ON
DUTY,tr,tf
ON
OFF
XTN
INHN
VSS
C LOUT
(Including probe capacitance)
SW2
●測定回路 2
測定項目:tOD
Input signal : 1Vp-p,sine wave
0.1μF
VDD
0.001μF
Signal
Generator
RL1=1kΩ
XTN
Q
50Ω
INHN
CLOUT
VSS
RL2=1kΩ
Input signal :VDD→VSS
Function
Generator
(Including probe capacitance)
50Ω
●測定回路 3
測定項目:VOH,VOL
0.1μF
VDD
Input signal : 1Vp-p,sine wave
50Ω
Q
0.001μF
Signal
Generator
XTN
50Ω
Q
ΔV
VS adjusted so that ΔV=50×IOH
VOH
VOL
VSS
VOH
VS
Q
0.1μF
V
ΔV
VS
VS
VOL
VS adjusted so that ΔV=50×IOL
SEIKO NPC CORPORATION - 9
5052H series
●測定回路 4
測定項目:VIH,VIL
VDD
0.1μF
XT
Q
X'tal
XTN
VSS
INHN
VIH,
VIL
V
VIH: VSS→VDD voltage that changes output state
VIL: VDD→VSS voltage that changes output state
●測定回路 5
測定項目:IZ
VDD
0.1μF
Q
IZ
VSS
INHN
VDD
or
VSS
A
●測定回路 6
測定項目:RPU1,RPU2
VDD
0.1μF
VSS
INHN
VIN
V
A
IPU
RPU1 =
RPU2 =
VDD
(VIN = 0V)
IPU
VDD
0.7VDD
IPU
(VIN = 0.7VDD)
SEIKO NPC CORPORATION - 10
5052H series
■参考特性例
以下の特性は、下記の水晶振動子を使用した時の数値です。使用する水晶振動子や測定環境により、特性は異なりま
すのでご注意下さい。
使用水晶振動子
振動子パラメータ
Parameter
40MHz
48MHz
80MHz
C0(pF)
1.4
1.8
3.2
R1(Ω)
8
7
13
L1
C1
R1
C0
4.0
4.0
3.5
3.5
3.0
3.0
2.5
2.5
IDD [mA]
IDD [mA]
●消費電流
2.0
1.5
2.0
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0.0
0.0
1.5
2.0
2.5
VDD [V]
3.0
3.5
4.0
1.5
5052Hx1, fOSC=48MHz, Ta=25℃,無負荷
2.0
2.5
VDD [V]
3.0
3.5
4.0
5052HxP,fOSC=80MHz,Ta=25℃,無負荷
●負性抵抗
0
Negative Resistance [Ω]
Negative Resistance [Ω]
0
-500
-1000
C0: 2pF
C0: 1pF
-1500
-500
-1000
C0: 2pF
-1500
C0: 1pF
C0: none
-2000
C0: none
-2000
10
20
30
40
Frequency [MHz]
50
60
5052Hx1, VDD=3.3V, Ta=25℃
20
30
40
50
60
Frequency [MHz]
70
80
5052HxP, VDD=3.3V, Ta=25℃
使用測定器:Impedance Analyzer Agilent 4396B
凡例は、水晶振動子の C0 相当の容量を 5052 の XT-XTN 間に並列に接続して測定した結果です。
弊社治具を用いて、Agilent 社製 4396B で測定した結果です。測定治具、測定環境で変動する場合があります。
SEIKO NPC CORPORATION - 11
5052H series
●周波数電源電圧偏差
1.0
Frequency deviation [ppm]]
Frequency deviation [ppm]]
1.0
0.5
0.0
-0.5
-1.0
0.5
0.0
-0.5
-1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
VDD[V]
3.5
4.0
1.5
5052Hx1, fOSC=40MHz, Ta=25℃, 2.5V std.
2.0
2.5
3.0
VDD[V]
3.5
4.0
5052HxP, fOSC=80MHz, Ta=25℃, 2.5V std.
●ドライブレベル
80
80
Drive Level [μW]]
100
Drive Level [μW]]
100
60
40
20
0
60
40
20
0
1.5
2.0
2.5
3.0
VDD [V]
3.5
4.0
1.5
5052Hx1, fOSC=40MHz, Ta=25℃
2.0
2.5
3.0
VDD [V]
3.5
4.0
5052HxP, fOSC=80MHz, Ta=25℃
-60
-60
-80
-80
-100
-100
-120
-140
-160
-180
1.0E+01 1.0E+02 1.0E+03 1.0E+04 1.0E+05 1.0E+06 1.0E+07 1.0E+08
Offset Frequency [Hz]
5052Hx1, fOSC=40MHz, VDD=3.3V, Ta=25℃
Phase Noise [dBc/Hz]]
Phase Noise [dBc/Hz]]
●位相ノイズ
-120
-140
-160
-180
1.0E+01 1.0E+02 1.0E+03 1.0E+04 1.0E+05 1.0E+06 1.0E+07 1.0E+08
Offset Frequency [Hz]
5052HxP, fOSC=80MHz, VDD=3.3V, Ta=25℃
使用測定器:Signal Source Analyzer Agilent E5052B
SEIKO NPC CORPORATION - 12
5052H series
●出力波形
550mV
5.00ns
5052Hx1 version, VDD=3.3V, fOUT=40MHz, CLOUT=15pF, Ta: Room temperature
550mV
2.50ns
5052HxP version, VDD=3.3V, fOUT=80MHz, CLOUT=15pF, Ta: Room temperature
使用測定器:Oscilloscope Agilent DSO80604B
SEIKO NPC CORPORATION - 13
5052H series
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