WS3215 Product Description 内置 MOS 管 1A 大功率 LED 恒流驱动器 特点 概述 极少的外部元器件 很宽的输入电压范围：从6 V到30 V 源，用于驱动一颗或多颗串联 LED。WS3215 输入电压 最大输出1A的电流 范围从 6V 到 30 V，输出电流可调，最大可达 1A。根据 复用DIM引脚进行LED开关、模拟调光和PWM调光 不同的输入电压和外部器件，WS3215 可以驱动高达数 5%的输出电流精度 十瓦的 LED。 WS3215 内置功率开关，采用高端电流采 高达97%的效率 样设置 LED 平均电流，通过 DIM 引脚可以接受模拟调光 输出可调的恒流控制方法 和很宽范围的 PWM 调光。当 DIM 的电压低于 0.3 V 时， WS3215 是一款连续电感电流导通模式的降压恒流 功率开关关断，WS3215 进入极低工作电流的待机状态。 应用领域 低压 LED 射灯代替卤素灯 车载 LED 灯 LED 备用灯 LED 信号灯 典型应用图 WINSEMI MICROELECTRONICS WINSEMI MICROELECTRONICS Copyright@Winsemi Microelectronics Co., Ltd., All right reserved. WINSEMI MICROELECTRONICS WINSEMI MICROELECTRONICS WINSEMI MICROELECTRONICS 0105 WS3215 Product Description 引脚定义与器件标识 WS3215 提供了 SOT89-5 和 SOT23-5 封装，顶层如下图所示： 3215：Product Code X：产品编码 YM：生产日期 XX：内部品质管控代码 3215：Product Code X：产品编码 YM：生产日期 XX：内部品质管控代码 引脚功能说明 引脚号 符号 功能说明 1 SW 功率开关的漏端 2 GND 信号和功率地 3 DIM 开关使能、模拟和PWM调光端 4 CSN 电流采样端，采样电阻接在 CSN 和 VIN 端之间 5 VIN 电源输入端，必须就近接旁路电容 电路内部结构框图 WINSEMI MICROELECTRONICS www.winsemi.com WINSEMI MICROELECTRONICS Tel : +86-755-8250 6288 WINSEMI MICROELECTRONICS Fax : +86-755-8250 6299 WINSEMI MICROELECTRONICS WINSEMI MICROELECTRONICS 2/8 WS3215 Product Description 订购信息 封装形式 芯片表面标识 采购器件名称 SOT89-5 Pb-free 3215 WS3215KP SOT23-5 Pb-free 3215 WS3215YP 极限参数（注1,2） 符号 参数 范围 单位 VIN 电源电压 -0.3~34 V SW 功率开关漏端 -0.3~34 V CSN 电流采样端（相对 VIN） 0.3~-6.0 V DIM 开关使能、模拟和 PWM 调光端 -0.3~6.0 V PDMAX 功耗（注 2） 1.5 W 热阻，SOT89-5（θJA） 45 ℃/W 热阻，SOT23-5（θJA） 220 ℃/W TJ 工作结温范围 -40 to 150 ℃ TSTG 储存温度范围 -55 to 150 ℃ TOPT 工作温度 -25 to 85 ℃ PTR 注1： “最大额定值”是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。 “电气参数”定义了器件在工作范 围内并且在保证特定性能指标的测 试条件下的直流和交流电参数规范。对于未给定上下限值的参数，其典型值合理反映了器件性能。 注2：温度升高最大功耗会减小，这是由最大结温TJMAX、θJA和环境温度 TA 所决定的。最大允许功耗为 PDMAX = (TJMAX −TA) / θJA 或“最大额定值”中给出的数字（较低） 。 WINSEMI MICROELECTRONICS www.winsemi.com WINSEMI MICROELECTRONICS Tel : +86-755-8250 6288 WINSEMI MICROELECTRONICS Fax : +86-755-8250 6299 WINSEMI MICROELECTRONICS WINSEMI MICROELECTRONICS 3/8 WS3215 Product Description 电气特性参数 条件：VIN=12V,T=25℃.(除非特别注明) 符号 参数 条件 最小 典型 最大 单位 VIN 输入电压 - 6 30 V VUVLO 欠压保护 VIN 下降 5 V VUVLO,HYS 欠压保护迟滞 VIN 上升 500 mV FSW 最大工作频率 1 MHz 105 mV 电流采样 VCSN 平均采样电压 VCSN_hys 采样电压迟滞 ICSN CSN管脚输入电流 VIN-VCSN 95 100 ±15 % VIN-VCSN=50mV 8 uA 关断电流 VDIM<0.3V 60 uA VDIM 内部电路工作电压 DIM 浮空 5 V VDIM_H DIM输入高电平 VDIM_L DIM输入低电平 VDIM_DC 模拟调光电压范围 fDIM 最大PWM调光频率 fOSC=500kHz 低频PWM调光占空比范围 fDIM =100Hz 关断电流 IOFF DIM 输入 DPWM_LF 2.5 0.7 0.02% 0.3 V 2.5 V 50 kHz 1 5000：1 低频PWM调光比 fDIM =20KHz 高频PWM调光占空比范围 DPWM_HF V 4% 1 低频PWM调光比 25：1 RDIM DIM对内部工作电压上拉电阻 500 kΩ IDIM_L DIM接地漏电流 VDIM= 0 10 uA RSW SW导通电阻 VIN =12V 0.7 Ω ISWmean SW连续电流 ILEAK SW漏电流 0.5 TSD 过热保护温度 160 ℃ TSD_hys 过热保护迟滞 20 ℃ 功率开关 1 A 5 uA 过热保护 WINSEMI MICROELECTRONICS www.winsemi.com WINSEMI MICROELECTRONICS Tel : +86-755-8250 6288 WINSEMI MICROELECTRONICS Fax : +86-755-8250 6299 WINSEMI MICROELECTRONICS WINSEMI MICROELECTRONICS 4/8 WS3215 Product Description 功能描述 WS3215 和电感（L） 、电流采样电阻（RS）形成一个自 DIM 管脚也可以通过外加直流电压（VDIM）调小 LED 振荡的连续电感电流模式的降压型恒流 LED 控制器。VIN 电流（模拟调光），最大LED 电流由采样电阻RS决定。直流 上电时，电感（L）和电流采样电阻（RS）的初始电流为零， 电压（VDIM）的有效的调光范围是0.7V到2.5 V。当直流电压 LED 输出电流也为零。这时候，CS比较器的输出为高，内部 （VDIM）高于2.5 V，输出LED电流保持恒定，并由（0.1 / RS） 功率开关导通，SW 的电位为低。电流通过电感（L） 、 电流 设定。LED电流还可以通过DIM到地之间接一个电阻进行调 采样电阻（RS）、LED和内部功率开关从 VIN 流到地，电流 节，内部有一个上拉电阻（典型 500kΩ）接在内部稳压电压 上升的斜率由 VIN、电感（L）和 LED 压降决定，在 RS 上 5V上，DIM 管脚的电压由内部和外部的电阻分压决定。 产生一个压差 VCSN 。当（VIN − VCSN ）＞115 mV 时， DIM 管脚在正常工作时可以浮空。当加在DIM上的电压 CS 比较器的输出变低，内部功率开关关断，电流以另一种斜 低于0.3 V时，内部功率开关关断，LED电流也降为零。关断 率流过电感（L）、电流采样电阻（RS）、LED 和肖特基二极 期间，内部稳压电路保持待机工作，静态电流仅为60 µA。 管（D）。当（VIN − VCSN）＜85 mV 时，功率开关重新打 开，这样使得在LED上的平均电流为： Iout 此外，为了保证可靠性，WS3215 内部包含过热保护功 能（TSD），封装含有散热PAD。过热保护功能在芯片过热（160 0.085 0.115 0.1 Rs 2 Rs ℃）时保护芯片和系统，外部的散热PAD增强了芯片功耗，于 是，WS3215 能够安全地输出较大电流。WS3215 还可以通 高端电流采样结构使得外部元器件数量很少，采用1%精 度的采样电阻，LED输出电流控制在±5 %的精度。 过 DIM管脚外接热敏电阻（NTC）到LED附近，检测温度动 态调节LED电流保护LED。 WS3215 可以在DIM管脚加PWM信号进行调光，DIM 管 脚电压低于0.3 V关断 LED 电流，高于2.5 V全部打开LED电 流，PWM 调光的频率范围从100 Hz到 20 kHz 以上。当高 电平在0.7 V到2.5 V之间，也可以调光。 WINSEMI MICROELECTRONICS www.winsemi.com WINSEMI MICROELECTRONICS Tel : +86-755-8250 6288 WINSEMI MICROELECTRONICS Fax : +86-755-8250 6299 WINSEMI MICROELECTRONICS WINSEMI MICROELECTRONICS 5/8 WS3215 Product Description 封装信息 SOT89-5 封装外观图 A2 D1 5 4 E1 E L1 B 1 B A 2A B a e e 3B c a a1 b b1 D d1 d BASE METAL c1 c BASE METAL WITH PLATING WITH PLATING SECT ION A-A SECT ION B-B Winsemi Dimensions In Millimeters Symbol Dimensions in Inches Min Max Min Max A2 1.40 1.60 0.055 0.063 b 0.38 0.47 0.015 0.019 b1 0.37 0.43 0.015 0.017 c 0.36 0.46 0.014 0.018 c1 0.35 0.41 0.014 0.016 a 0.46 0.56 0.018 0.022 a1 0.45 0.51 0.018 0.020 d 0.36 0.46 0.014 0.018 d1 0.35 0.41 0.014 0.016 D 4.30 4.70 0.169 0.185 D1 1.70REF 0.067REF E 4.00 4.40 0.158 0.173 E1 2.30 2.70 0.091 0.106 e 1.50BSC L1 WINSEMI 0.80 MICROELECTRONICS www.winsemi.com WINSEMI 0.059BSC 1.20 MICROELECTRONICS Tel : +86-755-8250 6288 WINSEMI MICROELECTRONICS Fax : +86-755-8250 6299 0.032 WINSEMI MICROELECTRONICS 0.047 WINSEMI MICROELECTRONICS 6/8 WS3215 Product Description SOT23-5封装外观图 Winsemi Dimensions in Millimeters Symbol WINSEMI MICROELECTRONICS www.winsemi.com Min Max A - 1.45 A1 0 0.15 A2 0.90 1.30 A3 0.60 0.70 b 0.39 0.49 b1 0.35 0.45 c 0.08 0.22 c1 0.08 0.20 D 2.80 3.00 E 2.60 3.00 E1 1.50 1.70 e 0.85 1.05 e1 1.80 2.00 L 0.35 0.60 L1 0.60REF L2 0.25BSC R 0.10 - R1 0.10 0.25 θ 0° 8° θ1 7° 11° θ2 8° 12° WINSEMI MICROELECTRONICS Tel : +86-755-8250 6288 WINSEMI MICROELECTRONICS Fax : +86-755-8250 6299 WINSEMI MICROELECTRONICS WINSEMI MICROELECTRONICS 7/8 WS3215 Product Description 注意事项 1.购买时请认清公司商标，如有疑问请与公司本部联系。 2.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额定值，否则会影响整机的可靠性。 3.本说明书如有版本变更不另外告知。 联系方式 深圳市稳先微电子有限公司 公司地址：深圳市福田区车公庙天安数码城创新科技广场二期东座1002 邮编： 518040 总机：+86-755-8250 6288 传真：+86-755-8250 6299 网址：www.winsemi.com WINSEMI MICROELECTRONICS www.winsemi.com WINSEMI MICROELECTRONICS Tel : +86-755-8250 6288 WINSEMI MICROELECTRONICS Fax : +86-755-8250 6299 WINSEMI MICROELECTRONICS WINSEMI MICROELECTRONICS 8/8