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品名略号
Type No.
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P2B60H2F
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10.0
④
(例)
ロット管理番号
Date Control No.
2.3
2.3
D(②④)
① ② ③
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伝達特性
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TYP
VGS=10V
8V
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2
1.5
VGS=5V
1
0.5
2.5
2
1.5
Tc=150℃
Tc=100℃
Tc=25℃
Tc= −55℃
1
10
15
0
0
20
Static Drain-Source On-state Resistance vs Case Temperature
1
VGS=10V
TYP
0.5
−55
0
100
50
Case Temperature Tc〔℃〕
6
4.5
3.5
3
2.5
2
VDS=10V
ID=1mA
TYP
0
キャパシタンス特性
Trancient Thermal Impedance θjc〔℃/W〕
Capacitance Ciss Coss Crss〔pF〕
10
1
0.1
10-3
10-2
10-1
100
Crs
s
ID=2A
TYP
VDS
VGS
VDD= 400V
200V
100V
300
20
16
12
200
8
100
4
2
4
6
Gate・Source Voltage VGS〔V〕
500
8
10
Total Gate Charge Qg〔nC〕
0
12
400
500
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
100μs
Power Dissipation
Limited
0.
1
0.
01
1
Tc=25℃
Single pulse
10
DC
100
10ms
6001000
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
60
0
0
600
80
60
40
20
50
1
20
100
0
0
2
10μs
(at VGS=10V)
1ms
Tc=25℃
f=1MHz
TYP
Single Avalanche Energy Derating vs Channel Temperature
Single Avalanche Energy Derating〔%〕
Gate Charge Characteristics
10
8
6
4 RDS(ON)Limited
Impedance
40
単発アバランシェエネルギー減少率−チャネル温度
ゲートチャージ特性
4
80
10
300
1
100
Cos
s
200
0.1
Drain Current ID〔A〕
Power Derating - Case Temperature
100
100
1
0.01
20
Ci
s
s
1
0
101
VGS=10V
Tc=25℃
TYP
Safe Operating Area
100
Starting Channel Temperature Tch〔℃〕
150
25
50
75
100
125
Case Temperature Tc〔 ℃〕
150
単発アバランシェ電流 −インダクタンス
Single Avalanche Current vs Inductive Load
5
Single Avalanche Current IAS〔 A〕
10-4
Pulse measurement
全損失減少率 −ケース温度
1000
Time t〔s〕
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
150
Case Temperature Tc〔℃〕
Capacitance Characteristics
0
0
100
50
10
安全動作領域
Pulse measurement
Transient Thermal Impedance
400
10
4
1.5
−55
150
過渡熱抵抗
0.01 -5
10
8
Gate Threshold Voltage vs Case Temperature
Gate Threshold Voltage VTH〔V〕
ID=1A
4
ゲートしきい値電圧 −ケース温度
Pulse measurement
10
2
Gate・Source Voltage VGS〔V〕
Drain Current ID〔A〕
5
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
ドレイン・ソース間オン抵抗 −ケース温度
Static Drain-Source On-state Resistance RDS(ON)〔Ω〕
3
0.5
Pulse measurement
0
0
50
Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current
Pulse measurement
Power Derating〔%〕
Drain Current ID〔A〕
3.5
4
TC=25℃
TYP
Drain Current ID〔A〕
4
ドレイン・ソース間オン抵抗 −ドレイン電流
Transfer Characteristics
Typical Output Characteristics
Static Drain-Source On-state Resistance RDS(ON)〔Ω〕
出力特性
IAS=2A
EAS=30mJ
EAR=3mJ
1
VDD=100V
VGS=15V, −0V
Rg=25Ω
0.1
0.1
1
10
Inductance L〔mH〕
100
ˎ 4J
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ご 注 意
1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。
2. 本資料に記載されている当社製品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。
その製品の故障や誤動作が直接生命や人体に影響を及ぼすような極めて高い品質、信頼度を要求される特
別、特定用途の機器、装置にご使用の場合には必ず事前に当社へご連絡の上、確認を得て下さい。 当社の
製品の品質水準は以下のように分類しております。
【標準用途】
コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、
工作機器、パーソナル機器、産業用機器等
【特別用途】
輸送機器(車載、船舶等)、基幹用通信機器、交通信号機器、防災/防犯機器、各種安全機器、医療
機器等
【特定用途】
原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生命維持のための装置、システム
等
3. 当社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、必要に応じ、安全性を考慮した冗長設計、延焼防止
設計、誤動作防止設計等の手段により結果として人身事故、火災事故、社会的な損害等が防止できるようご
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