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品名略号
Type No.
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4.0
7.0
①
②
②
ロット記号(例) 管理番号(例)
Control No.
Date code
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2.8
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Tl=25℃
(TYP)
1
1.
5
IO
0
0
Derating Curve
tp
8
DC
VR
T
VR=VRM
D=tp/T
D=0.8
6
0.5
SIN
4 0.3
0.2
0.1
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1
0
0
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40
60
80
3
DC
D=0.8
2.5
IO
tp
VR
T
VR=VRM
D=tp/T
On almina substrate
D=0.5
Soldering land 2mm
Conductor layer 20μm
Substrate thickness 0.64mm
SIN
0.3
1.5 0.2
100
200
300
400
500
0
0
Derating Curve
10
IO
tp
VR
VR=VRM
D=tp/T
T
8 DC
D=0.8
6 0.5
SIN
0.3
4 0.2
0.1
2
0.05
0
0
20
40
60
80
Peak Surge Forward Capability
Non-repetitive
Tj=25℃
200
150
0.1
0.05
100
0.5
20
40
60
80
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1
100 120 140 160
0.05
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1
10
DC
20
0
0
25
50
75
100
125
Junction Temperature Tj〔℃〕
150
θja
θjl
10
1
On glass-epoxi substrate
Soldering land 2mm
Conductor layer 35μm
Substrate thickness 1.0mm
10-2
10-1
100
Time t〔s〕
8
IO
tp
T
On glass-epoxi substrate
1.5 SIN
Soldering land 2mm
Conductor layer 35μm
Substrate thickness 1.0mm
0.3
1
VR
VR=VRM
D=tp/T
0.2
0.1
0.5
0.05
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
Ambient Temperature
Ta〔 ℃〕
Sine wave
800
tp
Non-repetitive
Tj=25℃
600
400
200
0
1
2
5
10
Pulse Width tp〔ms〕
1000
1000
0.01 -4
10 10-3
7
Transient Thermal Impedance
Transient Thermal Impedance
0.1
6
0
0
D=0.8
D=0.5
Transient Thermal Impedance θja, θjl 〔℃/W〕
40
5
2
100
Number of Cycles〔cycle〕
100
60
4
Derating Curve
過渡熱抵抗
80
3
ディレーティングカーブ
過渡熱抵抗
100
2
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
せん頭サージ順電流減少率−接合部温度
Peak Surge Forward Current Derating vs Junction Temperature
0.1
1
Transient Thermal Impedance θja, θjl 〔℃/W〕
Ta〔℃〕
0.2
3
Peak Surge Forward Current Derating〔%〕
Ambient Temperature
0.5
SIN
1000
10ms10ms
1cycle
250
0.3
Peak Surge Forward Capability
Sine wave
300
D=0.8
せん頭サージ順電流耐量
せん頭サージ順電流耐量
350
T
Tj=150℃
4
Tl 〔℃〕
400
DC
D=tp/T
5
100 120 140 160
Lead Temperature
IO
tp
6
600
Reverse Voltage VR〔V〕
ディレーティングカーブ
100 120 140 160
0
0
Derating Curve
0
0
0.001
0
Lead Temperature Tl 〔℃〕
ディレーティングカーブ
Pulse measurement
IFSM
0.
5
Forward Voltage VF〔V〕
ディレーティングカーブ
Average Rectified Forward Current Io〔A〕
Tl=50℃
(TYP)
Average Rectified Forward Current Io〔A〕
0.
001
0
Average Rectified Forward Current Io〔 A〕
Tl=75℃
(TYP)
1
0.01
Pulse measurement
1
Tl=100℃
(TYP)
7
IFSM1
Reverse Current IR〔μA〕
0.
01
2
10
Peak Surge Forward Current IFSM〔A〕
Forward Current IF〔A〕
Tl=150℃
(MAX)
Tl=150℃
(TYP)
Tl=25℃
(MAX)
Tl=25℃
(TYP)
0.
1
2
Forward Power Dissipation PF〔W〕
Tl=125℃
(TYP)
1
3
8
Tl=150℃
(TYP)
Average Rectified Forward Current Io〔 A〕
100
10
5
Forward Power Dissipation
Reverse Current
50
7
順電力損失曲線
逆方向特性
Forward Voltage
Peak Surge Forward Current IFSM1〔A〕
順方向特性
101
102
103
θja
100
θjl
10
1
On almina substrate
0.1
0.01 -4
10 10-3
Soldering land 2mm
Conductor layer 20μm
Substrate thickness 0.64mm
10-2
10-1
100
Time t〔s〕
101
102
103
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ご 注 意
1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。
2. 本資料に記載されている当社製品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。
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別、特定用途の機器、装置にご使用の場合には必ず事前に当社へご連絡の上、確認を得て下さい。 当社の
製品の品質水準は以下のように分類しております。
【標準用途】
コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、
工作機器、パーソナル機器、産業用機器等
【特別用途】
輸送機器(車載、船舶等)、基幹用通信機器、交通信号機器、防災/防犯機器、各種安全機器、医療
機器等
【特定用途】
原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生命維持のための装置、システム
等
3. 当社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、必要に応じ、安全性を考慮した冗長設計、延焼防止
設計、誤動作防止設計等の手段により結果として人身事故、火災事故、社会的な損害等が防止できるようご
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