J534 LN1F60

Rect
i
f
i
erDi
ode
Si
ngl
e
■外観図
LN1F60
OUTLI
NE
Package：1F
t
：mm
Uni
①
特 長
煙高耐圧
煙低ノイズ
品名略号
Type No.
②
（例）
ロット記号
Date code
２.５
600V1.
1A
F6
00
00
カソードマーク
Cathode mark
①
②
（例）
管理番号
Control No.
５.０
Feat
ur
e
２.０
煙 Hi
ghVol
t
age
煙 LowNoi
s
e
外形図については新電元 We
bサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordet
ai
l
soft
heout
l
i
nedi
mens
i
ons
,r
ef
ert
oourweb s
i
t
e.Asf
ort
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ki
ng,r
ef
ert
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peci
f
i
cat
i
on"
Mar
ki
ng,T
er
mi
nalConnect
i
on"
.
■定格表
RATI
NGS
●絶対最大定格
項
Abs
ol
ut
eMaxi
mum Rat
i
ngs
（指定のない場合は Tl
＝2
5
℃/
unl
e
s
so
t
he
r
wi
s
es
pe
c
i
f
i
e
d）
目
I
t
em
記号
Sy
mbol
保存温度
St
or
ageT
emper
at
ur
e
接合部温度
Oper
at
i
ngJunct
i
onT
emper
at
ur
e
せん頭逆電圧
Maxi
mum Rev
er
s
eVol
t
age
●電気的・熱的特性
順電圧
For
war
dVol
t
age
規格値
Rat
i
ngs
単位
Uni
t
Ts
t
g
－5
5～1
5
0
℃
Tj
1
5
0
℃
6
0
0
V
VRM
出力電流
Av
er
ageRect
i
f
i
edFor
war
dCur
r
ent
せん頭サージ順電流
PeakSur
geFor
war
dCur
r
ent
条 件
Condi
t
i
ons
I
o
アルミナ基板実装
Onal
umi
nas
ubs
t
r
at
e
1
.
1
5
0
Hz正弦波，抵抗負荷，Ta
＝2
5
℃
50Hzs
i
newav
e,Res
i
s
t
ancel
oad,T
a=25C̊ プリント基板実装
Ongl
assepoxysubst
r
at
e
0
.
8
I
FSM
5
0
Hz正弦波，非繰り返し 1サイクルせん頭値，Tj
＝2
5
℃
50Hzs
i
newav
e,Nonr
epet
i
t
i
v
e1cy
cl
epeakv
al
ue,Tj
=25C̊
2
5
I
FSM1
t
p＝1
ms
,
Tj
＝2
5
℃，非繰り返し
t
p=1ms
,Tj
=25C̊, Nonr
epet
i
t
i
v
e
8
0
VF
I
.
8
A,
F＝0
パルス測定
Pul
s
emeas
ur
ement
MAX 1
.
0
5
パルス測定
Pul
s
emeas
ur
ement
MAX
1
0
μA
μs
I
R
VR＝6
0
0
V,
逆回復時間
Rev
er
s
eRecov
er
yTi
me
t
r
r
I
.
1A,
I
.
1
A
F＝0
R＝0
MAX
3
.
5
θj
l
接合部・リード間
Junct
i
ont
ol
ead
MAX
2
3
接合部・周囲間，
アルミナ基板実装
Junct
i
ont
oambi
ent
,Onal
umi
nas
ubs
t
r
at
e
MAX
1
0
8
接合部・周囲間，
プリント基板実装
Junct
i
ont
oambi
ent
,Ongl
as
s
epoxys
ubs
t
r
at
e
MAX
1
5
7
534p
（J
〈2012.06〉）
A
El
ect
r
i
calChar
act
er
i
s
t
i
cs
（指定のない場合は Tl
＝2
5
℃/
unl
e
s
so
t
he
r
wi
s
es
pe
c
i
f
i
e
d）
逆電流
Rev
er
s
eCur
r
ent
熱抵抗
Ther
malRes
i
s
t
ance
A
θj
a
www.
s
hi
ndengen.
c
o.
j
p/
pr
oduc
t
/
s
emi
/
V
℃/
W
LN1F60
■特性図 CHARACTERI
STI
C DI
AGRAMS
順方向特性
逆方向特性
順電力損失曲線
Forward Voltage
Reverse Current
Forward Power Dissipation
0.01
Tl ＝150℃
（TYP）
１０
Tl ＝125℃
（TYP）
Tl ＝100℃
（TYP）
１
Tl ＝75℃
（TYP）
０.１
Tl ＝50℃
（TYP）
Tl ＝２５℃
（TYP）
０.0１
Pulse measurement
０．
２
０．
４
０．
６
０．
８
1
１.２
Forward Voltage VF〔V〕
Pulse measurement
１.４
１.６
ディレーティングカーブ Ta-Io
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
Derating Curve Ta-Io
DC
１
０.８
VR
DC VR＝VRM
tp
D＝tp/T
T
On glass-epoxy substrate
D＝０．
８
０．
５
SIN
Soldering land ２mm□
Conductor layer 35μm
０．
３
２
０.６ ０．
０.４
R-load
free in air
０．
１
０．
０５
０.２
０
０
２０
４０
６０
８０
１００
２００
３００
４００
５００
Reverse Voltage VR〔V〕
１００
１２０ １４０
Ambient Temperature Ta〔℃〕
１６０
Derating Curve Ta-Io
１.６
DC
VR
１.４
１.２
tp
SIN
１ ０．
３
Soldering land ２mm□
Conductor layer 20μm
Substrate thickness 0.64t
２
０.８ ０．
R-load
free in air
０.６ ０．
１
０.４
VR＝VRM
D＝tp/T
T
On alumina substrate
０．
５
０．
０５
０.２
０
０
２０
４０
６０
８０
SIN
０．
５
０．
３
０．
２
１
０．
０５
０．
１
Tj＝１５０℃
０.５
IO
０
tp
０
０
０.５
１
１５
.
４０
Sine wave
３５
１０ms １０ms
１cycle
３０
Non-repetitive
Tj＝２５℃
２５
２０
１５
１０
５
０
１
１００ １２０ １４０ １６０
Ambient Temperature Ta〔℃〕
１０
Transient Thermal Impedance
Tj ＝２５℃
Tj＝２
５℃
６０
４０
２０
０
１
２
５
１０
Pulse Width tp〔ms〕
８０
１００
On glass-epoxy substrate
θja
Soldering land ２mm□
Conductor layer 35μm
Substrate thickness
θjl
１０
６０
４０
１
０１
.
２０
０
０
１０００
Tranｓient Thermal Impedance θja 〔℃/W〕
θjl
I（ｔｐ）FSM
Peak Surge Forward Current IFSM1〔A〕
tp
Non-repetitive
８０
Peak Surge Forward Current Derating〔%〕
過渡熱抵抗
Peak Surge Forward Current Derating vs Junction Temperature
１００
１００
Number of Cycles 〔cycle〕
せん頭サージ順電流減少率─接合部温度
１００
２
Peak Surge Forward Current Capability
Peak Surge Forward Current Capability
Sine wave
D＝tp/T
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
せん頭サージ順電流耐量
１２０
T
せん頭サージ順電流耐量
IO
０
０
D＝０．
８
１.５
６００
ディレーティングカーブ Ta-Io
IO
０
０
１.２
０.００１
０
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
０.００１
０
DC
D
D＝０
＝０．
８
IFSM
（MAX）
Tl ＝１５０℃
Tl ＝１５０℃
（TYP）
Tl ＝ ２５℃
（MAX）
Tl ＝ ２５℃
（TYP）
Forward Power Dissipation PF〔W〕
0.1
２
Peak Surge Forward Current IFSM〔A〕
Forward Current IF〔A〕
１
Reverse Current I〔
R μA〕
１００
１０
２５
５０
７５
１００
１２５
Junction Temperature Tj〔℃〕
１５０
０.０
１
１０−4
１０−3
１０−2
１０−1
１０0
Time t〔s〕
１０1
１０2
１０3
過渡熱抵抗
Transient Thermal Impedance
Tranｓient Thermal Impedance θja 〔℃/W〕
θjl
１０００
On alumina substrate
１００
θja
Soldering land ２mm□
Conductor layer 20μm
Substrate thickness 0.64t
θjl
１０
１
０.１
０.０１
１０−1
１０−３
１０−２
１０−1
１０0
Time t〔s〕
１０1
１０2
１０3
＊ Si
newa
veは 5
0
Hzで測定しています。
＊ 50Hzs
i
newav
ei
sus
edf
ormeas
ur
ement
s
.
www.
s
hi
ndengen.
c
o.
j
p/
pr
oduc
t
/
s
emi
/
534p
（J
〈2012.06〉
）
ご 注 意
1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。
2. 本資料に記載されている当社製品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。
その製品の故障や誤動作が直接生命や人体に影響を及ぼすような極めて高い品質、信頼度を要求される特
別、特定用途の機器、装置にご使用の場合には必ず事前に当社へご連絡の上、確認を得て下さい。 当社の
製品の品質水準は以下のように分類しております。
【標準用途】
コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、
工作機器、パーソナル機器、産業用機器等
【特別用途】
輸送機器（車載、船舶等）、基幹用通信機器、交通信号機器、防災/防犯機器、各種安全機器、医療
機器等
【特定用途】
原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生命維持のための装置、システム
等
3. 当社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、必要に応じ、安全性を考慮した冗長設計、延焼防止
設計、誤動作防止設計等の手段により結果として人身事故、火災事故、社会的な損害等が防止できるようご
検討下さい。
4. 本資料に記載されている内容は、製品改良などのためお断りなしに変更することがありますのでご了承下さ
い。製品のご購入に際しましては事前に当社または特約店へ最新の情報をご確認下さい。
5. 本資料の使用によって起因する損害または特許権その他権利の侵害に関しては、当社は一切その責任を負
いません。
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into the following three applications according the quality grade.
【Standard applications】
Computers, office automation and other office equipment, communication terminals, test and
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machine tools, personal electronic equipment, industrial equipment, etc.
【Special applications】
Transportation equipment (vehicles, ships, etc.), trunk-line communication equipment, traffic signal
control systems, anti-disaster/crime systems, safety equipment, medical equipment, etc.
【Specific applications】
Nuclear reactor control systems, aircraft, aerospace equipment, submarine repeaters, life support
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