S-57P1 Sシリーズ 車載用 www.sii-ic.com 150°C動作 高耐圧 高速 交番検知型 ホールIC Rev.1.1_01 © SII Semiconductor Corporation, 2015 S-57P1 Sシリーズは、CMOS技術を使用して開発した、高温、高耐圧動作が可能な高精度ホールICです。 磁束密度の強弱および極性変化を検知して、出力電圧が変化します。磁石と組み合わせることで、さまざまな機器の回転 検出が可能です。 逆接続保護回路、出力電流制限回路を内蔵しています。 小型のSOT-23-3Sパッケージを採用しているため、高密度実装が可能です。 高精度磁気特性のため、機構の動作ばらつきを小さくすることが可能です。 注意 本製品は、車両機器、車載機器へのご使用が可能です。これらの用途でご使用をお考えの際は、必ず弊社窓口までご 相談ください。 特長 ・極検知 *1 ・磁気検出論理 ・出力形態 *1 ・磁気感度 ・駆動周期 ・電源電圧範囲 ・レギュレータ内蔵 ・逆接続保護回路内蔵 ・出力電流制限回路内蔵 ・動作温度範囲 ・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー *2 ・AEC-Q100進行中 *1. *2. : 交番検知 : S極検知時VOUT = "L" S極検知時VOUT = "H" : Nch オープンドレイン出力 : BOP = 0.5 mT typ. BOP = 1.5 mT typ. BOP = 2.2 mT typ. BOP = 3.0 mT typ. : tCYCLE = 8.0 s typ. : VDD = 2.7 V ~ 26.0 V : Ta = 40°C ~ 150°C オプション選択が可能。 詳細は、弊社営業部までお問い合わせください。 用途 ・自動車搭載機器 ・家庭用電気製品 ・DCブラシレスモータ ・住宅設備機器 ・産業機器 パッケージ ・SOT-23-3S 1 車載用 150°C動作 S-57P1 Sシリーズ 高耐圧 高速 交番検知型 ホールIC Rev.1.1_01 ブロック図 VDD 逆接続 保護回路 OUT レギュレータ *1 チョッパ アンプ 出力電流制限回路 VSS *1. 寄生ダイオード 図1 2 150°C動作 車載用 高耐圧 高速 Rev.1.1_01 交番検知型 ホールIC S-57P1 Sシリーズ AEC-Q100進行中 AEC-Q100の信頼性試験の詳細については、弊社営業部までお問い合わせください。 品目コードの構成 1. 製品名 S-57P1 N B x x S - M3T4 U 環境コード U : 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー *1 パッケージ略号とICの梱包仕様 M3T4 : SOT-23-3S、テープ品 動作温度 S : Ta = 40°C ~ 150°C 磁気感度 9 : BOP = 0.5 mT typ. 0 : BOP = 1.5 mT typ. 8 : BOP = 2.2 mT typ. 1 : BOP = 3.0 mT typ. 磁気検出論理 L : S極検知時VOUT = "L" H : S極検知時VOUT = "H" 極検知 B : 交番検知 出力形態 N : Nchオープンドレイン出力 *1. 2. テープ図面を参照してください。 パッケージ 表1 パッケージ名 SOT-23-3S 3. パッケージ図面コード 外形寸法図面 テープ図面 リール図面 MP003-D-P-SD MP003-D-C-SD MP003-D-R-SD 製品名リスト 表2 製品名 出力形態 極検知 磁気検出論理 S極検知時VOUT = "L" S-57P1NBL9S-M3T4U Nchオープンドレイン出力 交番検知 S極検知時VOUT = "L" S-57P1NBL0S-M3T4U Nchオープンドレイン出力 交番検知 Nchオープンドレイン出力 交番検知 S極検知時VOUT = "L" S-57P1NBL8S-M3T4U S極検知時VOUT = "L" S-57P1NBL1S-M3T4U Nchオープンドレイン出力 交番検知 S極検知時VOUT = "H" S-57P1NBH9S-M3T4U Nchオープンドレイン出力 交番検知 S極検知時VOUT = "H" S-57P1NBH0S-M3T4U Nchオープンドレイン出力 交番検知 備考 上記以外の製品をご希望のときは、弊社営業部までお問い合わせください。 磁気感度 (BOP) 0.5 mT typ. 1.5 mT typ. 2.2 mT typ. 3.0 mT typ. 0.5 mT typ. 1.5 mT typ. 3 車載用 150°C動作 S-57P1 Sシリーズ 高耐圧 高速 交番検知型 ホールIC Rev.1.1_01 ピン配置図 1. SOT-23-3S Top view 表3 1 端子番号 端子記号 1 2 3 2 端子内容 GND端子 電源端子 出力端子 VSS VDD OUT 3 図2 絶対最大定格 表4 項目 (特記なき場合 : Ta = 25°C) 絶対最大定格 単位 記号 電源電圧 VDD VSS 28.0 ~ VSS 28.0 V 出力電流 20 mA IOUT 出力電圧 VOUT VSS 0.3 ~ VSS 28.0 V ジャンクション温度 Tj 40 ~ 170 °C 動作周囲温度 Topr 40 ~ 150 °C 保存温度 Tstg 40 ~ 170 °C 注意 絶対最大定格とは、どのような条件下でも越えてはならない定格値です。万一この定格値を越えると、 製品の劣化などの物理的な損傷を与える可能性があります。 熱抵抗値 表5 項目 ジャンクション温度 周囲温度間 *1 熱抵抗値 記号 ja 条件 SOT-23-3S 基板1 基板2 Min. Typ. 200 165 *1. 測定環境 : JEDEC STANDARD JESD51-2A準拠 備考 許容損失、測定基板の詳細については、" パッケージ熱特性" を参照してください。 4 Max. 単位 C/W C/W 車載用 150°C動作 高耐圧 高速 Rev.1.1_01 交番検知型 ホールIC S-57P1 Sシリーズ 電気的特性 表6 (特記なき場合 : Ta = 25°C, VDD = 12.0 V, VSS = 0 V) 項目 記号 電源電圧 消費電流 逆接続時消費電流 出力電圧 リーク電流 駆動周期 駆動周波数 出力制限電流 スタートアップ時間 VDD IDD IDDREV VOUT ILEAK tCYCLE fCYCLE IOM tPON 条件 Min. Typ. Max. 単位 測定 回路 2.7 0.1 22 12.0 3.0 8.0 125 20 26.0 4.0 0.4 1 70 V mA mA V A s kHz mA s 1 1 2 3 3 平均値 VDD = 26.0 V IOUT = 10 mA 出力トランジスタNch, VOUT = 26.0 V VOUT = 12.0 V 5 車載用 150°C動作 S-57P1 Sシリーズ 高耐圧 高速 交番検知型 ホールIC Rev.1.1_01 磁気的特性 1. BOP = 0.5 mT typ.品 表7 項目 *1 動作点 *2 復帰点 *3 ヒステリシス幅 2. 記号 S極 N極 BOP BRP BHYS 条件 (特記なき場合 : Ta = 25°C, VDD = 12.0 V, VSS = 0 V) 単位 測定回路 Min. Typ. Max. BHYS = BOP BRP 0.5 1.5 0.5 0.5 1.0 1.5 0.5 mT mT mT 4 4 4 BOP = 1.5 mT typ.品 表8 項目 *1 動作点 *2 復帰点 *3 ヒステリシス幅 記号 S極 N極 BOP BRP BHYS 条件 (特記なき場合 : Ta = 25°C, VDD = 12.0 V, VSS = 0 V) 単位 測定回路 Min. Typ. Max. BHYS = BOP BRP 0.5 2.5 1.5 1.5 3.0 2.5 0.5 mT mT mT 4 4 4 BOP = 2.2 mT typ.品 3. 表9 (特記なき場合 : Ta = 25°C, VDD = 12.0 V, VSS = 0 V) 項目 *1 動作点 *2 復帰点 *3 ヒステリシス幅 記号 S極 N極 BOP BRP BHYS 条件 Min. 1.2 3.2 BHYS = BOP BRP Typ. 2.2 2.2 4.4 Max. 3.2 1.2 単位 測定回路 mT mT mT 4 4 4 BOP = 3.0 mT typ.品 4. 表10 項目 *1 動作点 *2 復帰点 *3 ヒステリシス幅 *1. *2. *3. 備考 6 記号 S極 N極 BOP BRP BHYS 条件 (特記なき場合 : Ta = 25°C, VDD = 12.0 V, VSS = 0 V) 単位 測定回路 Min. Typ. Max. BHYS = BOP BRP 2.0 4.0 3.0 3.0 6.0 4.0 2.0 mT mT mT 4 4 4 BOP : 動作点 磁石 (S極) からS-57P1 Sシリーズが受ける磁束密度を大きくした (磁石を近づけた) とき、出力電圧 (VOUT) が 切り換わる時点の磁束密度の値を指します。 BRPより大きいN極の磁束密度が印加されるまで、VOUTは状態を保持します。 BRP : 復帰点 磁石 (N極) からS-57P1 Sシリーズが受ける磁束密度を大きくした (磁石を近づけた) とき、出力電圧 (VOUT) が 切り換わる時点の磁束密度の値を指します。 BOPより大きいS極の磁束密度が印加されるまで、VOUTは状態を保持します。 BHYS : ヒステリシス幅 BOPとBRPの磁束密度の差を指します。 磁束密度の単位mTは、1 mT = 10 Gauss換算となります。 車載用 Rev.1.1_01 150°C動作 高耐圧 高速 交番検知型 ホールIC S-57P1 Sシリーズ 測定回路 A R 820 VDD S-57P1 OUT Sシリーズ VSS 図3 測定回路1 VDD S-57P1 OUT Sシリーズ VSS 図4 A V 測定回路2 VDD S-57P1 OUT Sシリーズ VSS 図5 A V 測定回路3 R 820 VDD S-57P1 OUT Sシリーズ VSS 図6 V 測定回路4 7 車載用 150°C動作 S-57P1 Sシリーズ 高耐圧 高速 交番検知型 ホールIC Rev.1.1_01 標準回路 VDD CIN 0.1 F R 820 S-57P1 OUT Sシリーズ VSS 図7 注意 8 上記接続図および定数は、動作を保証するものではありません。実際のアプリケーションで十分な評価の上、 定数を設定してください。 150°C動作 車載用 高耐圧 高速 Rev.1.1_01 交番検知型 ホールIC S-57P1 Sシリーズ 動作説明 1. 磁束印加方向 S-57P1 Sシリーズは、マーキング面に対して垂直方向の磁束密度を検出します。 図8に、磁束印加方向を示します。 N S マーキング面 図8 2. ホールセンサ位置 図9に、ホールセンサの位置を示します。 ホールセンサの中心は、下図に示すようにパッケージ中央の丸印で示した領域に位置します。 また、パッケージのマーキング面からチップ表面までの距離 (typ.値) も示します。 Top view ホールセンサの中心 (0.3 mm 内) 1 2 3 0.315 mm (typ.) 図9 9 車載用 150°C動作 S-57P1 Sシリーズ 3. 高耐圧 高速 交番検知型 ホールIC Rev.1.1_01 基本動作 S-57P1 Sシリーズは、磁石などから受ける磁束密度 (N極またはS極) の強弱および極性変化により出力電圧 (VOUT) レベルを切り換えます。 磁界の判定は、" 電気的特性" の駆動周期に示す時間ごとに行っています。 3. 1 S極検知時VOUT = "L" 品 磁石のS極がS-57P1 Sシリーズのマーキング面に近づき、マーキング面に対し垂直方向のS極の磁束密度が動作点 (BOP) より大きくなると、VOUTは "H" から "L" に切り換わります。また、磁石のN極がS-57P1 Sシリーズのマー キング面に近づき、N極の磁束密度が復帰点 (BRP) より大きくなると、VOUTは "L" から "H" に切り換わります。 BRP＜B＜BOPのとき、VOUTは状態を保持します。 図10に磁束密度とVOUTの関係を示します。 VOUT BHYS H L N極 BRP 0 BOP S極 磁束密度 (B) 図10 3. 2 S極検知時VOUT = "H" 品 磁石のS極がS-57P1 Sシリーズのマーキング面に近づき、マーキング面に対し垂直方向のS極の磁束密度がBOPよ り大きくなると、VOUTは "L" から "H" に切り換わります。また、磁石のN極がS-57P1 Sシリーズのマーキング面 に近づき、N極の磁束密度がBRPより大きくなると、VOUTは "H" から "L" に切り換わります。BRP＜B＜BOPのとき、 VOUTは状態を保持します。 図11に磁束密度とVOUTの関係を示します。 VOUT BHYS H L N極 BRP 0 磁束密度 (B) 図11 10 BOP S極 車載用 Rev.1.1_01 150°C動作 高耐圧 高速 交番検知型 ホールIC S-57P1 Sシリーズ 注意事項 ・電源のインピーダンスが高い場合、貫通電流などを原因とした電源電圧降下によって、ICが誤動作する可能性が あります。電源のインピーダンスが低くなるように十分注意してパターン配線してください。 ・電源電圧が急峻に変化すると、ICが誤動作する可能性がありますので注意してください。電源電圧が急峻に変化 する環境下で使用する場合には本ICの出力電圧を複数回読み込んで判定を行う等の対策を推奨いたします。 ・本ICは静電気に対する保護回路が内蔵されていますが、保護回路の性能を越える過大静電気がICに印加されない ようにしてください。 ・本ICは出力電流制限回路を内蔵していますが、絶対最大定格を越える環境条件下では製品の劣化などの物理的な損 傷が起こる可能性があります。 ・本ICは逆接続保護回路を内蔵していますが、絶対最大定格を越える環境条件下では製品の劣化などの物理的な損 傷が起こる可能性があります。 ・IC内での損失がパッケージの許容損失を越えないように、電源電圧、プルアップ電圧、プルアップ抵抗の使用条 件に注意してください。 ・本ICに大きな応力が加わると、磁気的特性が変化することがあります。基板に実装する際の基板の曲がりや歪み、 実装後の取り扱いなどによりICに大きな応力が加わらないように注意してください。 ・弊社ICを使用して製品を作る場合には、その製品での当ICの使い方や製品の仕様、出荷先の国などによって当IC を含めた製品が特許に抵触した場合、その責任は負いかねます。 11 車載用 150°C動作 S-57P1 Sシリーズ 高耐圧 高速 交番検知型 ホールIC Rev.1.1_01 パッケージ熱特性 1. SOT-23-3S Tj = 170C max. 1.0 基板2 0.88 W 許容損失 (PD) [W] 0.8 基板1 0.73 W 0.6 0.4 0.2 0 0 50 図12 100 周囲温度 (Ta) [C] 150 パッケージ許容損失 (基板実装時) *1 1. 1 基板1 76.2 mm 表11 114.3 mm 項目 仕様 熱抵抗値 (ja) サイズ 材料 銅箔層数 1 2 3 4 銅箔層 サーマルビア 200C/W 114.3 mm 76.2 mm t1.6 mm FR-4 2 ランドパターンおよび測定用配線 : t0.070 mm 74.2 mm 74.2 mm t0.070 mm 図13 *1 1. 2 基板2 76.2 mm 表12 114.3 mm 項目 銅箔層 サーマルビア 図14 *1. 12 仕様 熱抵抗値 (ja) サイズ 材料 銅箔層数 基板はSOT-23-3、SOT-23-5、SOT-23-6で同一です。 1 2 3 4 165C/W 114.3 mm 76.2 mm t1.6 mm FR-4 4 ランドパターンおよび測定用配線 : t0.070 mm 74.2 mm 74.2 mm t0.035 mm 74.2 mm 74.2 mm t0.035 mm 74.2 mm 74.2 mm t0.070 mm 2.9±0.2 1 2 3 +0.1 0.16 -0.06 0.95±0.1 1.9±0.2 0.4±0.1 No. MP003-D-P-SD-1.1 TITLE SOT233S-A-PKG Dimensions No. MP003-D-P-SD-1.1 ANGLE UNIT mm SII Semiconductor Corporation +0.1 ø1.5 -0 4.0±0.1 2.0±0.1 +0.25 ø1.0 -0 0.23±0.1 4.0±0.1 1.4±0.2 3.2±0.2 1 2 3 Feed direction No. MP003-D-C-SD-1.0 TITLE SOT233S-A-Carrier Tape No. MP003-D-C-SD-1.0 ANGLE UNIT mm SII Semiconductor Corporation +1.0 9.0 - 0.0 11.4±1.0 Enlarged drawing in the central part ø13±0.2 (60°) (60°) No. MP003-D-R-SD-1.0 TITLE SOT233S-A-Reel No. MP003-D-R-SD-1.0 ANGLE QTY. UNIT 3,000 mm SII Semiconductor Corporation 免責事項 (取り扱い上の注意) 1. 本資料に記載のすべての情報 (製品データ、仕様、図、表、プログラム、アルゴリズム、応用回路例等) は本資料発 行時点のものであり、予告なく変更することがあります。 2. 本資料に記載の回路例、使用方法は参考情報であり、量産設計を保証するものではありません。 本資料に記載の情報を使用したことによる、製品に起因しない損害や第三者の知的財産権等の権利に対する侵害に関 し、弊社はその責任を負いません。 3. 本資料に記載の内容に記述の誤りがあり、それに起因する損害が生じた場合において、弊社はその責任を負いません。 4. 本資料に記載の範囲内の条件、特に絶対最大定格、動作電圧範囲、電気的特性等に注意して製品を使用してください。 本資料に記載の範囲外の条件での使用による故障や事故等に関する損害等について、弊社はその責任を負いません。 5. 本資料に記載の製品の使用にあたっては、用途および使用する地域、国に対応する法規制、および用途への適合性、 安全性等を確認、試験してください。 6. 本資料に記載の製品を輸出する場合は、外国為替および外国貿易法、その他輸出関連法令を遵守し、関連する必要な 手続きを行ってください。 7. 本資料に記載の製品を大量破壊兵器の開発や軍事利用の目的で使用および、提供 (輸出) することは固くお断りしま す。核兵器、生物兵器、化学兵器およびミサイルの開発、製造、使用もしくは貯蔵、またはその他の軍事用途を目的 とする者へ提供 (輸出) した場合、弊社はその責任を負いません。 8. 本資料に記載の製品は、身体、生命および財産に損害を及ぼすおそれのある機器または装置の部品 (医療機器、防災 機器、防犯機器、燃焼制御機器、インフラ制御機器、車両機器、交通機器、車載機器、航空機器、宇宙機器、および 原子力機器等) として設計されたものではありません。ただし、弊社が車載用等の用途を指定する場合を除きます。 弊社の書面による許可なくして使用しないでください。 特に、生命維持装置、人体に埋め込んで使用する機器等、直接人命に影響を与える機器には使用できません。 これらの用途への利用を検討の際には、必ず事前に弊社営業部にご相談ください。 また、弊社指定の用途以外に使用されたことにより発生した損害等について、弊社はその責任を負いません。 9. 半導体製品はある確率で故障、誤動作する場合があります。 弊社製品の故障や誤動作が生じた場合でも人身事故、火災、社会的損害等発生しないように、お客様の責任において 冗長設計、延焼対策、誤動作防止等の安全設計をしてください。 また、システム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。 10. 本資料に記載の製品は、耐放射線設計しておりません。お客様の用途に応じて、お客様の製品設計において放射線対 策を行ってください。 11. 本資料に記載の製品は、通常使用における健康への影響はありませんが、化学物質、重金属を含有しているため、口 中には入れないようにしてください。また、ウエハ、チップの破断面は鋭利な場合がありますので、素手で接触の際 は怪我等に注意してください。 12. 本資料に記載の製品を廃棄する場合には、使用する地域、国に対応する法令を遵守し、適切に処理してください。 13. 本資料は、弊社の著作権、ノウハウに係わる内容も含まれております。 本資料中の記載内容について、弊社または第三者の知的財産権、その他の権利の実施、使用を許諾または保証するも のではありません。これら著作物の一部を弊社の許可なく転載、複製し、第三者に開示することは固くお断りします。 14. 本資料の内容の詳細については、弊社営業部までお問い合わせください。 1.0-2016.01 www.sii-ic.com