http://datasheet.sii-ic.com/jp/battery_protection/S8259A_J.pdf

S-8259Aシリーズ
1セル用バッテリー監視IC
www.sii-ic.com
Rev.1.0_02
© SII Semiconductor Corporation, 2015
S-8259Aシリーズは、高精度電圧検出回路と遅延回路を内蔵したICです。
1セルリチウムイオン / リチウムポリマー二次電池パックの過充電、過放電の監視に最適なICです。
 特長
・高精度電圧検出回路
過充電検出電圧
3.5 V ~ 4.6 V (5 mVステップ)
精度20 mV
過充電解除電圧
3.1 V ~ 4.6 V*1
精度50 mV
過放電検出電圧
2.0 V ~ 3.4 V (10 mVステップ)
精度50 mV
過放電解除電圧
2.0 V ~ 3.4 V*2
精度100 mV
・各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要)
・広動作温度範囲
: Ta = 40°C ~ 85°C
・低消費電流
動作時
: 1.5 A typ., 3.0 A max. (Ta = 25°C)
過放電時
: 2.0 A max. (Ta = 25°C)
・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1.
過充電解除電圧 = 過充電検出電圧過充電ヒステリシス電圧
(過充電ヒステリシス電圧は、0 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能)
*2.
過放電解除電圧 = 過放電検出電圧過放電ヒステリシス電圧
(過放電ヒステリシス電圧は、0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能)
 用途
・リチウムイオン二次電池パック
・リチウムポリマー二次電池パック
 パッケージ
・SOT-23-6
1
1セル用バッテリー監視IC
S-8259Aシリーズ
Rev.1.0_02
 ブロック図
VDD
過放電検出
コンパレータ
DO
過充電検出
コンパレータ
制御ロジック
VSS
遅延回路
発振回路
CO
VM
図1
2
1セル用バッテリー監視IC
S-8259Aシリーズ
Rev.1.0_02
 品目コードの構成
1.
製品名
S-8259A xx
-
M6T1
U
環境コード
U
: 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
パッケージ略号とICの梱包仕様*1
M6T1
: SOT-23-6、テープ品
追番*2
AA ~ ZZまで順次設定
*1.
*2.
2.
テープ図面を参照してください。
"3. 製品名リスト" を参照してください。
パッケージ
表1
パッケージ名
SOT-23-6
3.
パッケージ図面コード
外形寸法図面
テープ図面
リール図面
MP006-A-P-SD
MP006-A-C-SD
MP006-A-R-SD
製品名リスト
表2
過充電
過充電
過放電
過放電
過充電検出
過充電解除
過放電検出
検出電圧
解除電圧
検出電圧
解除電圧
[VCU]
[VCL]
[VDL]
[VDU]
遅延時間
[tCU]
遅延時間
[tCL]
遅延時間
[tDL]
S-8259AAA-M6T1U
4.275 V
4.175 V
2.300 V
2.600 V
1.0 s
32 ms
128 ms
S-8259AAB-M6T1U
4.250 V
4.100 V
2.500 V
3.000 V
1.0 s
128 ms
256 ms
製品名
S-8259AAC-M6T1U
3.900 V
3.800 V
2.000 V
2.300 V
1.0 s
32 ms
128 ms
S-8259AAD-M6T1U
4.200 V
4.100 V
2.500 V
3.000 V
256 ms
2.0 s
32 ms
S-8259AAE-M6T1U
4.200 V
4.200 V
2.800 V
3.000 V
1.0 s
4.0 s
256 ms
備考 1. 上記検出電圧値以外の製品をご希望の場合は、弊社営業部までお問い合わせください。
2. 下記範囲内で遅延時間の変更も可能です。弊社営業部までお問い合わせください。
表3
遅延時間
記号
選択範囲
備考
過充電検出遅延時間
tCU
128 ms
256 ms
512 ms
1.0 s
2.0 s
4.0 s
左記から選択
過充電解除遅延時間
tCL
32 ms
64 ms
128 ms
1.0 s
2.0 s
4.0 s
左記から選択
過放電検出遅延時間
tDL
32 ms
64 ms
128 ms
256 ms


左記から選択
3
1セル用バッテリー監視IC
S-8259Aシリーズ
Rev.1.0_02
 ピン配置図
1.
SOT-23-6
表4
Top view
端子番号
6 5 4
1
DO
2
VM
3
CO
4
NC*1
無接続
5
VDD
正電源入力端子
6
VSS
負電源入力端子
1 2 3
図2
端子記号
端子内容
過放電検出出力端子
(CMOS出力)
CO端子負電源入力端子
過充電検出出力端子
(CMOS出力)
*1. NCは電気的にオープンを示します。
そのため、VDD端子またはVSS端子に接続しても問題ありません。
4
1セル用バッテリー監視IC
S-8259Aシリーズ
Rev.1.0_02
 絶対最大定格
表5
(特記なき場合 : Ta = 25°C)
項目
記号
適用端子
絶対最大定格
単位
VSS0.3 ~ VSS6
V
VDD端子VSS端子間入力電圧
VDS
VDD
VM入力端子電圧
VVM
VM
VDD28 ~ VDD0.3
V
DO出力端子電圧
VDO
DO
VSS0.3 ~ VDD0.3
V
CO出力端子電圧
VCO
CO
VVM0.3 ~ VDD0.3
V
mW
許容損失
PD

650*1
動作周囲温度
Topr

40 ~ 85
°C
保存温度
Tstg

55 ~ 125
°C
*1.
基板実装時
[実装基板]
(1) 基板サイズ : 114.3 mm  76.2 mm  t1.6 mm
(2) 名称
絶対最大定格とは、どのような条件下でも越えてはならない定格値です。万一この定格値を越えると、製品の劣
化などの物理的な損傷を与える可能性があります。
700
600
許容損失 (PD) [mW]
注意
: JEDEC STANDARD51-7
500
400
300
200
100
0
0
50
100
150
周囲温度 (Ta) [C]
図3
パッケージ許容損失 (基板実装時)
5
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 電気的特性
1.
Ta = 25°C
表6
項目
記号
(特記なき場合 : Ta = 25°C)
測定
Max.
単位
回路
条件
Min.
Typ.

VCU0.020
VCU0.025
VCU
VCU
VCU0.020
VCU0.025
V
V
1
1
VCL0.050
VCL
VCL0.050
V
1

VCL0.025
VDL0.050
VDU0.100
VCL
VDL
VDU
VCL0.020
VDL0.050
VDU0.100
V
V
V
1
2
2

1.5

6.0
V



1.5

3.0
2.0
A
A
3
3



5
5
5
10
10
10
20
20
20
k
k
k
4
4
4
4
検出電圧
過充電検出電圧
VCU
過充電解除電圧
VCL
過放電検出電圧
過放電解除電圧
入力電圧
VDD端子VSS端子間
動作電圧
入力電流
動作時消費電流
過放電時消費電流
出力抵抗
CO端子抵抗 "H" 1
CO端子抵抗 "L"
DO端子抵抗 "H"
DO端子抵抗 "L"
VDL
VDU
RDOL

5
10
20
CO端子抵抗 "H" 2
遅延時間
RCOH2

1
4

k
M
過充電検出遅延時間
tCU

tCU0.7
tCU
tCU1.3

5
過充電解除遅延時間
tCL

tCL0.7
tCL
tCL1.3

5
過放電検出遅延時間
tDL

tDL0.7
tDL
tDL1.3

5
*1.
6
VDSOP
IOPE
IOPED
RCOH1
RCOL
RDOH
Ta = 10°C ~ 60°C*1
VCL  VCU
VCL = VCU
VDL  VDU
VDD = 3.4 V, VVM = 0 V
VDD = 1.5 V, VVM = 0 V
高温および低温での選別はしておりませんので、この温度範囲での規格は設計保証とします。
4
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S-8259Aシリーズ
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2.
Ta = 40°C ~ 85°C*1
表7
項目
検出電圧
過充電検出電圧
記号
VCU
過充電解除電圧
VCL
過放電検出電圧
過放電解除電圧
入力電圧
VDD端子VSS端子間
動作電圧
入力電流
動作時消費電流
過放電時消費電流
出力抵抗
CO端子抵抗 "H" 1
CO端子抵抗 "L"
DO端子抵抗 "H"
DO端子抵抗 "L"
VDL
VDU
CO端子抵抗 "H" 2
遅延時間
RCOH2
過充電検出遅延時間
過充電解除遅延時間
過放電検出遅延時間
*1.
VDSOP
IOPE
IOPED
(特記なき場合 : Ta = 40°C ~ 85°C*1)
測定
Typ.
Max.
単位
回路
条件
Min.

VCU0.045
VCL0.080
VCU
VCL
VCU0.030
VCL0.060
V
V
1
1

VCL0.050
VDL0.080
VDU0.130
VCL
VDL
VDU
VCL0.030
VDL0.060
VDU0.110
V
V
V
1
2
2

1.5

6.0
V



1.5

4.0
3.0
A
A
3
3
4
4
4
4
VCL  VCU
VCL = VCU
VDL  VDU
VDD = 3.4 V, VVM = 0 V
VDD = VVM = 1.5 V
RCOH1
RCOL
RDOH



2.5
2.5
2.5
10
10
10
30
30
30
k
k
k
RDOL


2.5
10
30
0.5
4

k
M
4
tCU

tCU0.5
tCU
tCU2.5

5
tCL

tCL0.5
tCL
tCL2.5

5
tDL

tDL0.5
tDL
tDL2.5

5
高温および低温での選別はしておりませんので、この温度範囲での規格は設計保証とします。
7
1セル用バッテリー監視IC
S-8259Aシリーズ
Rev.1.0_02
 測定回路
特に記述していない場合のCO端子の出力電圧（VCO）の "H", "L の判定は、VVM1.0 Vとし、DO端子の出力電
注意
圧（VDO）の "H", "L" の判定はVSS1.0 Vとします。このとき、CO端子はVVM基準、DO端子はVSS基準で判定
してください。
1.
過充電検出電圧、過充電解除電圧
(測定回路1)
V1 = 3.4 Vに設定した状態からV1を徐々に上げ、VCO = "H"  "L" となるV1の電圧を過充電検出電圧 (VCU) としま
す。その後、V1を徐々に下げ、VCO = "L"  "H" となるV1の電圧を過充電解除電圧 (VCL) とします。VCUとVCLと
の差を過充電ヒステリシス電圧 (VHC) とします。
2.
過放電検出電圧、過放電解除電圧
(測定回路2)
V1 = 3.4 Vに設定した状態からV1を徐々に下げ、VDO = "H"  "L" となるV1の電圧を過放電検出電圧 (VDL) としま
す。その後、V1を徐々に上げ、VDO = "L"  "H" となるV1の電圧を過放電解除電圧 (VDU) とします。VDUとVDLと
の差を過放電ヒステリシス電圧 (VHD) とします。
3.
動作時消費電流
(測定回路3)
V1 = 3.4 Vに設定した状態において、VDD端子に流れる電流 (IDD) を動作時消費電流 (IOPE) とします。
4.
過放電時消費電流
(測定回路3)
V1 = 1.5 Vに設定した状態において、IDDを過放電時消費電流 (IOPED) とします。
5.
CO端子抵抗 "H" 1
(測定回路4)
V1 = 3.4 V, V3 = 3.0 Vに設定した状態において、VDD端子CO端子間抵抗をCO端子抵抗 "H" 1 (RCOH1) とします。
6.
CO端子抵抗 "L"
(測定回路4)
V1 = 4.7 V, V3 = 0.4 Vに設定した状態において、VM端子CO端子間抵抗をCO端子抵抗 "L" (RCOL) とします。
7.
DO端子抵抗 "H"
(測定回路4)
V1 = 3.4 V, V4 = 3.0 Vに設定した状態において、VDD端子DO端子間抵抗をDO端子抵抗 "H" (RDOH) とします。
8.
DO端子抵抗 "L"
(測定回路4)
V1 = 1.8 V, V4 = 0.4 Vに設定した状態において、VSS端子DO端子間抵抗をDO端子抵抗 "L" (RDOL) とします。
9.
CO端子抵抗 "H" 2
(測定回路4)
V1 = 4.7 V, V3 = 0 Vに設定した状態において、VDD端子CO端子間抵抗をCO端子抵抗 "H" 2 (RCOH2) とします。
8
Rev.1.0_02
10.
1セル用バッテリー監視IC
S-8259Aシリーズ
過充電検出遅延時間
(測定回路5)
V1 = 3.4 Vに設定した状態からV1を上昇させ、V1がVCUを上回ってからVCO = "L" となるまでの時間を過充電検出
遅延時間 (tCU) とします。
11.
過充電解除遅延時間
(測定回路5)
V1 = 4.7 Vに設定した状態からV1を下降させ、V1がVCLを下回ってからVCO = "H" となるまでの時間を過充電解除
遅延時間 (tCL) とします。
12.
過放電検出遅延時間
(測定回路5)
V1 = 3.4 Vに設定した状態からV1を下降させ、V1がVDLを下回ってからVDO = "L" となるまでの時間を過放電検出
遅延時間 (tDL) とします。
9
1セル用バッテリー監視IC
S-8259Aシリーズ
Rev.1.0_02
R1 = 330 
VDD
VDD
V1
S-8259Aシリーズ
V1
C1
= 0.1 F
VSS
CO
V VDO
V VCO
V VCO
COM
COM
図4
測定回路1
図5
測定回路2
VDD
VDD
V1
V1
S-8259Aシリーズ
S-8259Aシリーズ
VSS
VSS
VM
DO
VM
CO
DO
CO
A IDO
A ICO
V4
V3
COM
COM
図6
測定回路3
図7
VDD
V1
S-8259Aシリーズ
VSS
VM
DO
CO
オシロスコープ オシロスコープ
COM
図8
10
VM
DO
CO
V VDO
IDD
A
VSS
VM
DO
S-8259Aシリーズ
測定回路5
測定回路4
V2
Rev.1.0_02
1セル用バッテリー監視IC
S-8259Aシリーズ
 動作説明
備考 " 接続例" を参照してください。
1. 通常状態
S-8259Aシリーズは、VDD端子VSS端子間に接続された電池電圧を監視し、充電と放電を制御します。電池電圧
が過放電検出電圧 (VDL) 以上かつ過充電検出電圧 (VCU) 以下の範囲内である場合、CO端子、DO端子はともにVDD
端子電位を出力します。この状態を通常状態と言います。
2. 過充電状態
通常状態の電池電圧が充電中にVCUを越え、その状態を過充電検出遅延時間 (tCU) 以上保持した場合、CO端子はVM
端子電位を出力します。この状態を過充電状態と言います。
電池電圧が過充電解除電圧 (VCL) を下回り、その状態を過充電解除遅延時間 (tCL) 以上保持した場合、過充電状態
を解除します。
3.
過放電状態
通常状態の電池電圧が放電中にVDLを下回り、その状態を過放電検出遅延時間 (tDL) 以上保持した場合、DO端子は
VSS端子電位を出力します。この状態を過放電状態といいます。
電池電圧が過放電解除電圧 (VDU) 以上になると過放電状態を解除します。
11
1セル用バッテリー監視IC
S-8259Aシリーズ
Rev.1.0_02
 タイミングチャート
1.
過充電検出、過放電検出
VCU
VCL
電池電圧
VDU
VDL
VDD
DO端子電圧
VSS
VDD
CO端子電圧
VVM
過充電解除遅延時間 (tCL)
過放電検出遅延時間 (tDL)
過充電検出遅延時間 (tCU)
状態
*1
(1)
(2)
(1)
*1. (1) : 通常状態
(2) : 過充電状態
(3) : 過放電状態
図9
12
(3)
(1)
1セル用バッテリー監視IC
S-8259Aシリーズ
Rev.1.0_02
 接続例
R1
VDD
電池
C1
DO
S-8259Aシリーズ
CO
VSS
VM
図10
表8
記号
部品
R1
抵抗
C1
容量
注意 1.
2.
目的
ESD対策、
電源変動対策
電源変動対策
外付け部品定数
Min.
Typ.
Max.
備考
150 
330 
1 k

0.068 F 0.1 F 1.0 F

上記定数は予告なく変更することがあります。
上記接続例以外の回路においては、動作確認されていません。また、上記接続例および定数は、動作を保証する
ものではありません。実際のアプリケーションで十分な評価の上、定数を設定してください。
13
1セル用バッテリー監視IC
S-8259Aシリーズ
Rev.1.0_02
 注意事項
・IC内での損失がパッケージの許容損失を越えないように、入出力電圧、負荷電流の使用条件に注意してください。
・本ICは静電気に対する保護回路が内蔵されていますが、保護回路の性能を越える過大静電気がICに印加されないよう
にしてください。
・弊社ICを使用して製品を作る場合には、その製品での当ICの使い方や製品の仕様また、出荷先の国などによって当IC
を含めた製品が特許に抵触した場合、その責任は負いかねます。
14
1セル用バッテリー監視IC
S-8259Aシリーズ
Rev.1.0_02
 諸特性データ (Typicalデータ)
1.
消費電流
1. 1
IOPETa
4.0
IOPE [A]
3.0
2.0
1.0
0.0
0
25
Ta [C]
50
75 85
検出電圧
VCUTa
2. 2
4.24
4.29
4.21
4.27
4.25
4.23
2. 3
VCLTa
4.31
VCL [V]
VCU [V]
2. 1
40 25
4.15
4.09
0
25
Ta [C]
50
75 85
VDLTa
2.38
2. 4
40 25
0
25
Ta [C]
50
75 85
0
25
Ta [C]
50
75 85
VDUTa
2.80
VDU [V]
2.70
2.30
2.26
2.22
4.18
4.12
2.34
VDL [V]
2.
40 25
2.60
2.50
40 25
2.40
0
25
Ta [C]
50
75 85
40 25
15
1セル用バッテリー監視IC
S-8259Aシリーズ
3.
Rev.1.0_02
遅延時間
3. 1
tCUTa
3. 2
2.6
80
64
1.8
tCL [ms]
tCU [s]
2.2
1.4
1.0
3. 3
48
32
0.6
0.2
tCLTa
16
40 25
0
25
Ta [C]
50
75 85
0
25
Ta [C]
50
75 85
40 25
0
25
Ta [C]
50
75 85
tDLTa
320
tDL [ms]
256
192
128
64
出力抵抗
RCOH1 [k]
4. 1
RCOH1VCO
4. 2
30
20
20
10
0
2
3
VCO [V]
4
5
RDOHVDO
0
4. 4
30
20
20
10
1
2
3
VCO [V]
4
5
1
2
3
VDO [V]
4
5
RDOLVDO
30
RDOL [k]
RDOH [k]
1
0
10
0
0
16
10
0
0
4. 3
RCOLVCO
30
RCOL [k]
4.
40 25
1
2
3
VDO [V]
4
5
0
1セル用バッテリー監視IC
S-8259Aシリーズ
Rev.1.0_02
 マーキング仕様
1.
SOT-23-6
Top view
6
5
4
(1) ~ (3)
: 製品略号 (製品名と製品略号の対照表を参照)
(4)
: ロットナンバー
(1) (2) (3) (4)
1
2
3
製品名と製品略号の対照表
(1)
製品略号
(2)
(3)
S-8259AAA-M6T1U
H
5
A
S-8259AAB-M6T1U
H
5
B
S-8259AAC-M6T1U
H
5
C
S-8259AAD-M6T1U
H
5
D
S-8259AAE-M6T1U
H
5
E
製品名
17
2.9±0.2
1.9±0.2
6
0.95
5
1
4
2
3
+0.1
0.15 -0.05
0.95
0.35±0.15
No. MP006-A-P-SD-2.0
TITLE
SOT236-A-PKG Dimensions
No.
MP006-A-P-SD-2.0
SCALE
UNIT
mm
SII Semiconductor Corporation
4.0±0.1(10 pitches:40.0±0.2)
+0.1
ø1.5 -0
2.0±0.05
+0.2
ø1.0 -0
0.25±0.1
4.0±0.1
1.4±0.2
3.2±0.2
3 2 1
4 5 6
Feed direction
No. MP006-A-C-SD-3.1
TITLE
SOT236-A-Carrier Tape
MP006-A-C-SD-3.1
No.
SCALE
UNIT
mm
SII Semiconductor Corporation
12.5max.
9.0±0.3
Enlarged drawing in the central part
ø13±0.2
(60°)
(60°)
No. MP006-A-R-SD-2.1
SOT236-A-Reel
TITLE
MP006-A-R-SD-2.1
No.
SCALE
UNIT
QTY
3,000
mm
SII Semiconductor Corporation
免責事項 (取り扱い上の注意)
1.
本資料に記載のすべての情報 (製品データ、仕様、図、表、プログラム、アルゴリズム、応用回路例等) は本資料発
行時点のものであり、予告なく変更することがあります。
2.
本資料に記載の回路例、使用方法は参考情報であり、量産設計を保証するものではありません。
本資料に記載の情報を使用したことによる、製品に起因しない損害や第三者の知的財産権等の権利に対する侵害に関
し、弊社はその責任を負いません。
3.
本資料に記載の内容に記述の誤りがあり、それに起因する損害が生じた場合において、弊社はその責任を負いません。
4.
本資料に記載の範囲内の条件、特に絶対最大定格、動作電圧範囲、電気的特性等に注意して製品を使用してください。
本資料に記載の範囲外の条件での使用による故障や事故等に関する損害等について、弊社はその責任を負いません。
5.
本資料に記載の製品の使用にあたっては、用途および使用する地域、国に対応する法規制、および用途への適合性、
安全性等を確認、試験してください。
6.
本資料に記載の製品を輸出する場合は、外国為替および外国貿易法、その他輸出関連法令を遵守し、関連する必要な
手続きを行ってください。
7.
本資料に記載の製品を大量破壊兵器の開発や軍事利用の目的で使用および、提供 (輸出) することは固くお断りしま
す。核兵器、生物兵器、化学兵器およびミサイルの開発、製造、使用もしくは貯蔵、またはその他の軍事用途を目的
とする者へ提供 (輸出) した場合、弊社はその責任を負いません。
8.
本資料に記載の製品は、身体、生命および財産に損害を及ぼすおそれのある機器または装置の部品 (医療機器、防災
機器、防犯機器、燃焼制御機器、インフラ制御機器、車両機器、交通機器、車載機器、航空機器、宇宙機器、および
原子力機器等) として設計されたものではありません。ただし、弊社が車載用等の用途を指定する場合を除きます。
弊社の書面による許可なくして使用しないでください。
特に、生命維持装置、人体に埋め込んで使用する機器等、直接人命に影響を与える機器には使用できません。
これらの用途への利用を検討の際には、必ず事前に弊社営業部にご相談ください。
また、弊社指定の用途以外に使用されたことにより発生した損害等について、弊社はその責任を負いません。
9.
半導体製品はある確率で故障、誤動作する場合があります。
弊社製品の故障や誤動作が生じた場合でも人身事故、火災、社会的損害等発生しないように、お客様の責任において
冗長設計、延焼対策、誤動作防止等の安全設計をしてください。
また、システム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。
10. 本資料に記載の製品は、耐放射線設計しておりません。お客様の用途に応じて、お客様の製品設計において放射線対
策を行ってください。
11. 本資料に記載の製品は、通常使用における健康への影響はありませんが、化学物質、重金属を含有しているため、口
中には入れないようにしてください。また、ウエハ、チップの破断面は鋭利な場合がありますので、素手で接触の際
は怪我等に注意してください。
12. 本資料に記載の製品を廃棄する場合には、使用する地域、国に対応する法令を遵守し、適切に処理してください。
13. 本資料は、弊社の著作権、ノウハウに係わる内容も含まれております。
本資料中の記載内容について、弊社または第三者の知的財産権、その他の権利の実施、使用を許諾または保証するも
のではありません。これら著作物の一部を弊社の許可なく転載、複製し、第三者に開示することは固くお断りします。
14. 本資料の内容の詳細については、弊社営業部までお問い合わせください。
1.0-2016.01
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