56

NTE56
Silicon NPN Transistor
High Gain Switch and Pass Regulator
TO−220 Full Pack
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25C unless otherwise specified)
Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V
Collector−Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Emitter−Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
Collector Power Dissipation (TC = +25C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25W
Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55 to +150C
Electrical Characteristics: (TA = +25C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB = 100V
−
−
10
A
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB = 6V
−
−
100
A
Collector−Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO IC = 25mA
80
−
−
V
DC Current Gain
Collector−Emitter Saturation Voltage
Current Gain−Bandwidth Product
Capacitance
hFE
VCE = 4V, IC = 0.5A
500
−
−
VCE(sat)
IC = 2A, IB = 50mA
−
−
0.5
V
fT
VCE = 12V, IE = −0.2A
−
15
−
MHz
COB
VCB = 10V, f = 1MHz
−
50
−
pF
Rev. 6−15
.165 (4.2)
.398 (10.1)
.331
(8.4)
.110 (2.8)
.157
(4.0)
Isol
.665
(16.9)
B
C
E
.154
(3.9)
.512
(13.0)
Min
.100 (2.54)
.094 (2.4)