216

NTE216
Silicon NPN Transistor
High Speed Switch, Core Driver
Absolute Maximum Ratings:
Collector−Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V
Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
Emitter−Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5A
Power Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2W
Maximum Operating Temperature, Topr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
μA
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB = 60V
−
−
1.7
DC Current Gain
hFE
IC = 10mA, VCE = 1V
30
−
−
IC = 150mA, VCE = 1V
60
−
150
IC = 300mA, VCE = 1V
40
−
−
IC = 500mA, VCE = 1V
35
−
−
IC = 800mA, VCE = 2V
20
−
−
IC = 1A, VCE = 5V
25
−
−
Collector−Emitter Saturation Voltage
VCE(sat) IC = 10mA
−
−
0.25
V
Base−Emitter Saturation Voltage
VBE(sat) IC = 10mA
−
−
0.76
V
−
−
10
pF
−
−
60
ns
Capacitance
Cob
Turn−Off Time
toff
VCC = 30V, IC = 500mA,
IB1 = IB2 = 50mA
.200 (5.08)
.180 (4.57)
.100 (2.54)
E B C
.180
(4.57)
.594
(15.09)
.018 (0.46)
.015 (0.38)
3.050 (1.27)
.050 (1.27)
.050 (1.27)
.140
(3.55)
.090 (2.28) R
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