VSMB2000X01, VSMB2020X01 Datasheet - - Japanese

VSMB2000X01, VSMB2020X01
Vishay Semiconductors
高速赤外線 940 nm 発光ダイオード、GaAIAs、二重ヘテロ (DH)
VSMB2000X01
特徴
VSMB2020X01
パッケージタイプ：表面実装
パッケージ形式：GW、RGW
寸法 ( 奥行 x 幅 x 高さ mm)：2.3 x 2.3 x 2.8
AEC-Q101 準拠
ピーク波長：p = 940 nm
高信頼性
高い放射力
高放射強度
指向半値角： = ± 12°
低順電圧
高パルス電流での動作に適合
端子構成：ガルウイングまたは逆ガルウイング
パッケージは検出器 VEMD2000X01 シリーズにマッチし
ます。
• フロアライフ：4 週間、MSL 2a、J-STD-020 に準拠
• RoHS 指令 2002/95/EC および WEEE 2002/96/EC に準拠
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
21725-4
製品紹介
VSMB2000X01 シリーズは、高い放射力と高速を実現する
GaAlAs 二重ヘテロ（DH）技術を用いた、表面実装（SMD）
用の透明、無着色プラスチックパッケージ ( レンズ付き ) に
組み込まれた、赤外線 940 nm 発光ダイオードです。
用途
•
•
•
•
•
•
IrDA 互換データ伝送
超小型光バリア
光遮断器
光スイッチ
制御と駆動回路
シャフトエンコーダ
製品概要
型名
VSMB2000X01
Ie (mW/sr)
 (deg)
p (nm)
tr (ns)
40
± 12
940
15
VSMB2020X01
40
± 12
940
15
試験条件は、
「基本特性」の表を参照してください。
オーダー情報
オーダーコード
VSMB2000X01
パッケージ
備考
パッケージ形式
テープ / リール
MOQ：6000 個、6000 個 / リール
逆ガルウイング
VSMB2020X01
テープ / リール
MOQ：6000 個、6000 個 / リール
ガルウイング
MOQ：最小発注量
絶対最大定格 ( 特に指定がない限り、Tamb = 25 °C)
パラメータ
記号
値
逆電圧
試験条件
VR
5
単位
V
順方向電流
IF
100
mA
ピーク順方向電流
tp/T = 0.5, tp  100 µs
IFM
tp = 100 µs
IFSM
200
1
mA
順方向サージ電流
PV
160
mW
許容損失
ジャンクション温度
使用温度範囲
保存温度範囲
はんだ付け温度
熱抵抗ジャンクション / 周囲
A
Tj
100
°C
Tamb
- 40 ∼ + 85
°C
Tstg
Tsd
- 40 ∼ + 100
260
°C
t5s
J-STD-051、リード線 7 mm、
PCB にはんだ付け
RthJA
250
K/W
°C
** 「Vishay Material Category Policy (www.vishay.com/doc?99902)」を参照してください。
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Rev. 1.5, 23-Aug-11
For technical questions, contact: [email protected]
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本文書は、予告なしに変更される場合があります。ここに記載された製品および本文書は、ビシェイ社の免責条項に基づいています。詳細はビシェイ社の
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VSMB2000X01, VSMB2020X01
高速赤外線 940 nm 発光ダイオード、
GaAIAs、二重ヘテロ (DH)
Vishay Semiconductors
120
160
IF - Forward Current (mA)
PV - Power Dissipation (mW)
180
140
120
100
RthJA = 250 K/W
80
60
40
100
80
60
RthJA = 250 K/W
40
20
20
0
0
0
10
20 30
40
50
60
70 80
90
21344
Tamb - Ambient Temperature (°C)
21343
0
100
図 1 - 許容損失限界 対 周囲温度
10
20 30 40
50 60 70 80
90 100
Tamb - Ambient Temperature (°C)
図 2 - 順方向電流限界 対 周囲温度
基本特性 ( 特に指定がない限り、Tamb = 25 °C)
パラメータ
順電圧
VF の温度係数
逆方向電流
ジャンクション静電容量
放射強度
放射力
放射力の温度係数
試験条件
記号
MIN.
TYPICAL
MAX.
単位
IF = 100 mA、tp = 20 ms
VF
1.15
1.35
1.6
V
IF = 1 A、tp = 100 μs
VF
2.2
V
IF = 1 mA
TKVF
- 1.8
mV/K
IF = 100 mA
TKVF
- 1.1
VR = 5 V
IR
VR = 0 V、f = 1 MHz、E = 0 mW/cm2
CJ
IF = 100 mA、tp = 20 ms
Ie
IF = 1 A、tp = 100 μs
Ie
mV/K
10
70
20
40
µA
pF
60
330
mW/sr
mW/sr
IF = 100 mA、tp = 20 ms
e
40
mW
IF = 1 mA
TKe
- 1.1
%/K
IF = 100 mA
TKe
- 0.51
%/K

± 12
指向半値角
deg
ピーク波長
IF = 30 mA
p
スペクトルバンド幅
IF = 30 mA

25
nm
p の温度係数
920
940
960
nm
IF = 30 mA
TKp
0.25
nm/K
立ち上がり時間
IF = 100 mA、20 % ∼ 80 %
tr
15
ns
立ち下がり時間
IF = 100 mA、20 % ∼ 80 %
tf
15
ns
IDC = 70 mA、IAC = 30 mA pp
fc
23
MHz
d
1.5
mm
カットオフ周波数
仮想光源直径
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高速赤外線 940 nm 発光ダイオード、
GaAIAs、二重ヘテロ (DH)
Vishay Semiconductors
基本特性 ( 特に指定がない限り、TAMB = 25 °C)
180
Ie rel - Relative Radiant Intensity (%)
100
10
tp = 100 µs
tp/T= 0.001
IF = 1 mA
160
140
120
IF = 100 mA
100
80
60
tp = 20 ms
1
40
0
1
2
3
VF - Forward Voltage (V)
21534
- 60 - 40 - 20
110
40
60
80
100
106
104
102
IF = 100 mA
100
IF = 10 mA
98
tp = 20 ms
96
94
IF = 1 mA
92
Φe rel - Relative Radiant Power (%)
100
108
90
- 40
- 20
0
20
40
60
80
70
60
50
40
30
20
10
0
840
100
Tamb - Ambient Temperature (°C)
21443
IF = 30 mA
80
90
880
920
960
1000
1040
λ - Wavelength (nm)
21445
図 7 - 相対放射力 対 波長
図 4 - 相対順電圧 対 周囲温度
0°
1000
10°
20°
30°
tp = 100 µs
tp/T= 0.001
Ie rel - Relative Radiant Intensity
Ie - Radiant Intensity (mW/sr)
20
図 6 - 相対放射強度 VS. 周囲温度
図 3 - 順方向電流 対 順電圧
VF, rel - Relative Forward Voltage (%)
0
Tamb - Ambient Temperature (°C)
21444
100
10
1
40°
1.0
50°
0.9
60°
0.8
70°
ϕ - Angular Displacement
IF - Forward Current (mA)
1000
80°
0.7
0.1
10
1
100
IF - Forward Current (mA)
図 5 - 放射強度 対 順方向電流
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1000
0.6
0.4
0.2
0
21550
図 8 - 相対放射強度 対 角変位
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高速赤外線 940 nm 発光ダイオード、
GaAIAs、二重ヘテロ (DH)
Vishay Semiconductors
はんだ付けプロファイル
ドライパック
輸送や保存中に、デバイスが吸湿するのを防止するために、
デバイスは防湿バッグ (MBB) にパックされます。各バッグ
には乾燥剤が含まれています。
300
Temperature (°C)
max. 260 °C
245 °C
255 °C
240 °C
217 °C
250
フロアライフ
フロアライフ（MBB から取り出してからはんだ付けまでの
時間）は，MBB ラベルに示す時間を超えてはなりません。
フロアライフ：4 週間
条件：Tamb < 30 °C、RH < 60 %
MSL 2a、J-STD-020 に準拠
200
max. 30 s
150
max. 100 s
max. 120 s
100
乾燥
max. ramp up 3 °C/s max. ramp down 6 °C/s
50
水分が吸収されている場合は、はんだ付けを行う前にデバ
イスを加熱し乾燥させてください。条件は、J-STD-020 ま
たはラベルを参照してください。リールに巻かれたデバイ
スについては、推奨条件 192 時間、40 °C (+ 5 °C)、RH <
5 % で乾燥させてください。
0
0
50
100
19841
150
200
250
300
Time (s)
図 9 -J-STD-020 に準拠した鉛フリーのリフローはんだ付けプロ
ファイル
パッケージ寸法ミリメートル：VSMB2000
0.3
Ø 1.8 ± 0.1
Z
1.6
0.19
2.77 ± 0.2
0.05 ± 0.1
0.4
2.2
2.2
5.8 ± 0.2
Z 20:1
1.1 ± 0.1
0.4
0.5
2.3 ± 0.2
0.254
exposed copper
2.3 ± 0.2
Cathode
Pin ID
1.7
Anode
technical drawings
according to DIN
specifications
0.75
Solder pad proposal
acc. IPC 7351
Not indicated tolerances ± 0.1
Ø 2.3 ± 0.1
6.7
Drawing-No.: 6.544-5391.02-4
Issue: 2; 18.03.10
21517
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高速赤外線 940 nm 発光ダイオード、
GaAIAs、二重ヘテロ (DH)
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パッケージ寸法ミリメートル：VSMB2020
Ø 1.8
2.77 ± 0.2
0.3
0.4
0.19
0.05
1.6
X
2.2
2.2
4.2 ± 0.2
X 20:1
exposed copper
0.6
Cathode
0.254
2.3 ± 0.2
0.4
0.5
2.3 ± 0.2
Anode
Pin ID
technical drawings
according to DIN
specifications
0.75
Solder pad proposal
acc. IPC 7351
Not indicated tolerances ± 0.1
2.45
5.15
Drawing-No.: 6.544-5383.02-4
Issue: 4; 18.03.10
21488
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高速赤外線 940 nm 発光ダイオード、
GaAIAs、二重ヘテロ (DH)
Vishay Semiconductors
テープ / リールの寸法ミリメートル：VSMB2000
Unreel direction
X
2.
Ø 62 ± 0.5
Reel
Ø
13
±
0.5
Ø 330 ± 1
0.5
5±
Tape position
coming out from reel
6000 pcs/reel
Label posted here
Technical drawings
according to DIN
specifications
12.4 ± 1.5
Leader and trailer tape:
Empty (160 mm min.)
Parts mounted
Direction of pulling out
Devicce
Lead I
Lead II
Collector
Emitter
Cathode
Anode
Anode
Cathode
Ø 1.55 ± 0.05
I
VEMT2000
VEMT2500
4 ± 0.1
2 ± 0.05
X 2:1
VEMD2000
5.5 ± 0.05
VEMD2500
VSMB2000
VSMG2000
VSMY2850RG
3.05 ± 0.1
II
12 ± 0.3
Terminal position in tape
1.75 ± 0.1
Empty (400 mm min.)
4 ± 0.1
Drawing-No.: 9.800-5100.01-4
Issue: 2; 18.03.10
21572
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高速赤外線 940 nm 発光ダイオード、
GaAIAs、二重ヘテロ (DH)
Vishay Semiconductors
テープ / リールの寸法ミリメートル：VSMB2020
Reel
X
Unreel direction
5±
Ø 62 ± 0.5
2.
Ø
13
±
0.5
Ø 330 ± 1
0.5
Tape position
coming out from reel
6000 pcs/reel
technical drawings
according to DIN
specifications
Label posted here
12.4 ± 1.5
Leader and trailer tape:
Empty (160 mm min.)
Parts mounted
Direction of pulling out
Ø 1.55 ± 0.05
Devicce
Lead I
Lead II
Collector
Emitter
Cathode
Anode
Anode
Cathode
I
VEMT2020
VEMT2520
4 ± 0.1
2 ± 0.05
X 2:1
VSMB2020
VEMD2020
VEMD2520
VSMY2850G
3.05 ± 0.1
II
4 ± 0.1
5.5 ± 0.05
VSMG2020
12 ± 0.3
Terminal position in tape
1.75 ± 0.1
Empty (400 mm min.)
Drawing-No.: 9.800-5091.01-4
Issue: 3; 18.03.09
21571
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れ以外のあらゆる損害を含む一切の責任、(iii) 特定目的への適合性の黙示保証、非侵害の黙示保証、商品性の黙示保証を含む
一切の黙示保証を、法律により許される最大限の範囲において拒否します。
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要件に基づくものです。これらの記述は、特定用途向けの製品の適合性に関して何ら拘束力はありません。製品仕様書に使用
権に関する記載がある特定の製品について、特定用途での使用が適しているかどうかの実証は、お客様の責任で行うものとし
ます。データシートまたは仕様書に記載されているパラメータは、違う用途では異なることが有り、性能は時間の経過と共に
変化する可能性があります。一般的なパラメータを含むすべての動作パラメータは、お客様が用途ごとに検証する必要があり
ます。契約に示された保証の内容を含め、またそれ以外のあらゆる内容を含め、ビシェイとの購入契約における契約諸条件の
内容が製品の仕様によって拡大または修正されることはありません。
ビシェイ製品は、別途明示的な記載がある場合を除き、医療用、救命用、生命維持用や、ビシェイ製品の不良が身体への損傷
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条件を入手したい場合は、ビシェイの正式な担当者にご連絡ください。
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使用が許諾されることはありません。本書に示された製品名や表示は、その所有者の商標である場合があります。
欧州指令に つ い て
ビシェイ・インターテクノロジー社は、RoHS に準拠するすべての製品は、電気・電子機器（EEE）における特定の有害物質
の使用を規制する欧州議会及び理事会による新指令（Directive 2011/65/EU of The European Parliament and of the Council
of June 8, 2011）に適合することをここに証明します。ただし、準拠しないと明記されている場合を除きます。
ビシェイ社の資料によっては、RoHS 指令 2002/95/EC に適合と記述するものがあります。指令 2002/95/EC に適合するすべ
ての製品は、指令 2011/65/EU にも適合することをここに証明します。
ビシェイインターテクノロジー社は、同社の製品すべてが JEDEC JS709A に準拠するハロゲンフリーであることをこの書面
にて証明します。ビシェイ社製品の文献の中には、IEC 61249-2-21 の定義が残るものもありますが、これら製品はすべて
JEDEC JS709A に準拠します。
Revision: 02-Oct-12
1
Document Number: 99900