VSMB1940X01 Datasheet - - Japanese

VSMB1940X01
Vishay Semiconductors
高速赤外線 940 nm 発光ダイオード、GaAIAs 二重ヘテロ（DH）
特徴
• パッケージタイプ：表面実装
• パッケージ形態：0805
• 寸法（長さ × 幅 × 高さ 単位：mm）
：2 x 1.25
x 0.85
• AEC-Q101 準拠
• ピーク波長：p = 940 nm
• 高い信頼性
• 高い放射力
• 高い放射強度
• 高速
• 指向半値角： = ± 60°
• 低順電圧
• 高パルス電流での動作に最適
• 0805 標準型表面実装可能パッケージ
• フロアライフ：168 時間、MSL 3、J-STD-020 に対応
• 鉛フリーリフローはんだ付け
• RoHS 指令 2002/95/EC および WEEE 2002/96/EC に準拠
21531
製品紹介
VSMB1940X01 は、高い放射力と速度を実現する GaAlAs 二
重ヘテロ（DH）技術を用いた赤外線 940 nm 発光ダイオー
ドを表面実装（SMD）用 透過無色 0805 サイズのプラスチッ
ク製パッケージに組み込みました。
用途
• 高速 IR データ転送
• 省スペース用途の高電力エミッタ
• 高性能の透過または反射センサ
製品概要
型名
VSMB1940X01
 (deg)
Ie (mW/sr)
6
p (nm)
940
± 60
tr (ns)
15
注：
試験条件については、「基本特性」の表を参照してください。
オーダー情報
オーダーコード
VSMB1940X01
パッケージ
備考
テープおよびリール
MOQ：3000 個、3000 個 / リール
パッケージ形態
0805
注：
MOQ：最小発注量
絶対最大定格（特に指定がない限り Tamb = 25 °C）
パラメータ
逆電圧
順方向電流
ピーク順方向電流
順方向サージ電流
許容損失
ジャンクション温度
使用温度範囲
保存温度範囲
はんだ付け温度
熱抵抗ジャンクション / 雰囲気
試験条件
tp/T = 0.1、tp = 100 μs
tp = 100 μs
t  5 s、ケースから 2 mm
J-STD-051、リードを 7mmPCB 上にはんだ付
SYMBOL
VR
IF
IFM
IFSM
PV
Tj
Tamb
Tstg
Tsd
RthJA
値
5
100
200
1
160
100
- 40 ∼ + 85
- 40 ∼ + 100
260
270
単位
V
mA
mA
A
mW
?C
?C
?C
?C
K/W
** 「Vishay Material Category Policy (www.vishay.com/doc?99902)」を参照してください。
Document Number: 81994
Rev. 1.3, 23-Aug-11
For technical questions, contact: [email protected]
www.vishay.com
1
本文書は、予告なしに変更される場合があります。ここに記載された製品および本文書は、ビシェイ社の免責条項に基づいています。詳細はビシェイ社の
ウェブサイト（www.vishay.com/doc?99900）をご参照ください。
VSMB1940X01
高速赤外線 940 nm 発光ダイオード、
Vishay Semiconductors
GaAIAs 二重ヘテロ（DH）
120
160
IF - Forward Current (mA)
PV - Power Dissipation (mW)
180
140
120
100
RthJA = 270 K/W
80
60
40
100
20
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
60
RthJA = 270 K/W
40
20
0
90 100
Tamb - Ambient Temperature (°C)
21532
80
21533
図 1 - 許容損失限界 VS. 周囲温度
0
20
40
60
80
100
Tamb - Ambient Temperature (°C)
図 2 - 順電流限界 VS. 周囲温度
基本特性（特に指定がない限り Tamb = 25 °C）
パラメータ
順電圧
VF の温度係数
逆方向電流
ジャンクション静電容量
放射強度
放射力
放射力の温度係数
試験条件
SYMBOL
MIN.
TYPICAL
MAX.
IF = 100 mA、tp = 20 ms
VF
1.15
1.35
1.6
IF = 1 A、tp = 100 μs
VF
2.2
V
mV/K
IF = 1 mA
TKVF
- 1.5
IF = 100 mA
TKVF
- 1.1
VR = 5 V
IR
VR = 0 V、f = 1 MHz、
E = 0 mW/cm2
CJ
単位
V
mV/K
10
70
ｵA
pF
IF = 100 mA、tp = 20 ms
Ie
IF = 1 A、tp = 100 μs
Ie
60
IF = 100 mA、tp = 20 ms
e
40
mW/sr
mW
IF = 1 mA
TKe
- 1.1
%/K
IF = 100 mA
TKe
- 0.51

%/K
deg
指向半値角
3
6
12
mW/sr
ピーク波長
IF = 30 mA
p
± 60
940
スペクトルバンド幅
IF = 30 mA

25
nm
p の温度係数
IF = 30 mA
TKp
nm
立ち上がり時間
IF = 100 mA、20 % ∼ 80 %
tr
0.25
15
立ち下がり時間
IF = 100 mA、20 % ∼ 80 %
仮想光源の直径
www.vishay.com
2
tf
d
For technical questions, contact: [email protected]
nm
ns
15
ns
0.5
mm
Document Number: 81994
Rev. 1.3, 23-Aug-11
本文書は、予告なしに変更される場合があります。ここに記載された製品および本文書は、ビシェイ社の免責条項に基づいています。詳細はビシェイ社の
ウェブサイト（www.vishay.com/doc?99900）をご参照ください。
VSMB1940X01
高速赤外線 940 nm 発光ダイオード、
Vishay Semiconductors
GaAIAs 二重ヘテロ（DH）
基本特性（特に指定がない限り Tamb = 25 °C）
180
Ie rel - Relative Radiant Intensity (%)
100
10
tp = 100 µs
tp/T= 0.001
IF = 1 mA
160
140
120
IF = 100 mA
100
80
60
tp = 20 ms
1
40
0
1
2
3
VF - Forward Voltage (V)
21534
- 60 - 40 - 20
110
104
102
IF = 100 mA
100
IF = 10 mA
98
tp = 20 ms
96
94
IF = 1 mA
92
Φe rel - Relative Radiant Power (%)
106
90
- 40
- 20
0
20
40
60
80
60
80
100
90
IF = 30 mA
80
70
60
50
40
30
20
10
0
840
100
Tamb - Ambient Temperature (°C)
21443
880
920
960
1000
1040
λ - Wavelength (nm)
21445
図 7 - 相対放射力 VS. 波長
図 4 - 相対順電圧 VS. 周囲温度
0°
100
10°
20°
30°
Ie, rel - Relative Radiant Intensity
Ie - Radiant Intensity (mW/sr)
40
100
108
10
tp = 1 µs
1
0.1
40°
1.0
0.9
50°
0.8
60°
1
10
100
IF - Forward Pulse Current (mA)
図 5 - 放射強度 VS. 順電流
Document Number: 81994
Rev. 1.3, 23-Aug-11
1000
70°
0.7
0.01
20921
20
図 6 - 相対放射強度 VS. 周囲温度
図 3 - 順電流 VS. 順電圧
VF, rel - Relative Forward Voltage (%)
0
Tamb - Ambient Temperature (°C)
21444
ϕ - Angular Displacement
IF - Forward Current (mA)
1000
80°
0.6
0.4
0.2
0
94 8013
図 8 - 相対放射強度 VS. 角変位
For technical questions, contact: [email protected]
www.vishay.com
3
本文書は、予告なしに変更される場合があります。ここに記載された製品および本文書は、ビシェイ社の免責条項に基づいています。詳細はビシェイ社の
ウェブサイト（www.vishay.com/doc?99900）をご参照ください。
VSMB1940X01
高速赤外線 940 nm 発光ダイオード、
Vishay Semiconductors
GaAIAs 二重ヘテロ（DH）
リフローはんだ付けプロファイル
ドライパック
300
Temperature (°C)
max. 260 °C
245 °C
255 °C
240 °C
217 °C
250
max. 30 s
150
max. 100 s
100
max. ramp up 3 °C/s max. ramp down 6 °C/s
50
0
0
50
100
19841
150
200
250
フロアライフ
MBB
から取り出してからはんだ付けまでの時間は、
J-STD-020 に示される時間を超えてはなりません。
MSL：レベル 3
フロアライフ：168 時間
条件：Tamb < 30 °C、RH < 60 %
200
max. 120 s
水分の吸収を防止するため、デバイスは水分遮断バッグ
（MBB）に詰めて輸送および保管されています。それぞれの
バッグには乾燥剤が同封されています。
300
Time (s)
図 9 - 鉛フリーリフローはんだ付けプロファイル、
J-STD-020 に準拠
乾燥
水分が吸収されている場合は、はんだ付けを行う前にデバ
イ ス を 加 熱 し 乾 燥 さ せ て く だ さ い。条 件 に つ い て は、
J-STD-020 またはラベルを参照してください。リールに巻
かれたデバイスについては、推奨条件 192 時 間、40 °C
(+ 5 °C)、RH < 5 % で乾燥させてください。
パッケージ寸法単位：ミリメートル［mm］
20018
www.vishay.com
4
For technical questions, contact: [email protected]
Document Number: 81994
Rev. 1.3, 23-Aug-11
本文書は、予告なしに変更される場合があります。ここに記載された製品および本文書は、ビシェイ社の免責条項に基づいています。詳細はビシェイ社の
ウェブサイト（www.vishay.com/doc?99900）をご参照ください。
VSMB1940X01
高速赤外線 940 nm 発光ダイオード、
Vishay Semiconductors
GaAIAs 二重ヘテロ（DH）
ブリスタテープの寸法単位：ミリメートル［mm］
21501
Document Number: 81994
Rev. 1.3, 23-Aug-11
For technical questions, contact: [email protected]
www.vishay.com
5
本文書は、予告なしに変更される場合があります。ここに記載された製品および本文書は、ビシェイ社の免責条項に基づいています。詳細はビシェイ社の
ウェブサイト（www.vishay.com/doc?99900）をご参照ください。
VSMB1940X01
Vishay Semiconductors
高速赤外線 940 nm 発光ダイオード、
GaAIAs 二重ヘテロ（DH）
リール寸法単位：ミリメートル［mm］
20875
www.vishay.com
6
For technical questions, contact: [email protected]
Document Number: 81994
Rev. 1.3, 23-Aug-11
本文書は、予告なしに変更される場合があります。ここに記載された製品および本文書は、ビシェイ社の免責条項に基づいています。詳細はビシェイ社の
ウェブサイト（www.vishay.com/doc?99900）をご参照ください。
Legal Disclaimer Notice
www.vishay.com
Vishay
免責条項
すべての製品、製品の仕様及びデータは、信頼性、機能、設計等の改良に伴い、予告なしに変更される場合があります。
この文書に含まれる内容、または何らかの製品に関係する開示物に誤り、不正確な記述、あるいは不完全な記述があった場合
でも、ビシェイ・インターテクノロジー社及びその関連会社、代理店、従業員、または同社のために行動するすべての者（以
下、総称して「ビシェイ」と呼びます）は一切その責任を負わず、何らかの賠償責任を負うこともありません。
ビシェイは、いかなる特定目的への製品の適合性やいかなる製品の継続生産に関して、保証も表明も約束もしていません。ビ
シェイは、(i) 製品の利用や応用により発生する可能性のある一切の責任、(ii) 特別な損害、間接的または付属的損害、またそ
れ以外のあらゆる損害を含む一切の責任、(iii) 特定目的への適合性の黙示保証、非侵害の黙示保証、商品性の黙示保証を含む
一切の黙示保証を、法律により許される最大限の範囲において拒否します。
ある種の用途向け製品の適合性に関する記述は、一般的な用途でビシェイ製品を使用した場合のビシェイが知りうる典型的な
要件に基づくものです。これらの記述は、特定用途向けの製品の適合性に関して何ら拘束力はありません。製品仕様書に使用
権に関する記載がある特定の製品について、特定用途での使用が適しているかどうかの実証は、お客様の責任で行うものとし
ます。データシートまたは仕様書に記載されているパラメータは、違う用途では異なることが有り、性能は時間の経過と共に
変化する可能性があります。一般的なパラメータを含むすべての動作パラメータは、お客様が用途ごとに検証する必要があり
ます。契約に示された保証の内容を含め、またそれ以外のあらゆる内容を含め、ビシェイとの購入契約における契約諸条件の
内容が製品の仕様によって拡大または修正されることはありません。
ビシェイ製品は、別途明示的な記載がある場合を除き、医療用、救命用、生命維持用や、ビシェイ製品の不良が身体への損傷
や致死を招く可能性のあるどんな用途向けには設計されていません。これらの製品を、その明示された用途以外に使用または
販売する顧客は、その行為は自己責任によるものとします。そのような用途向けに設計された製品に関する文書による契約諸
条件を入手したい場合は、ビシェイの正式な担当者にご連絡ください。
明示的にも暗黙的にも、また禁反言か否かに関わらず、本文書またはビシェイの何らかの行為によって何らかの知的所有権の
使用が許諾されることはありません。本書に示された製品名や表示は、その所有者の商標である場合があります。
欧州指令に つ い て
ビシェイ・インターテクノロジー社は、RoHS に準拠するすべての製品は、電気・電子機器（EEE）における特定の有害物質
の使用を規制する欧州議会及び理事会による新指令（Directive 2011/65/EU of The European Parliament and of the Council
of June 8, 2011）に適合することをここに証明します。ただし、準拠しないと明記されている場合を除きます。
ビシェイ社の資料によっては、RoHS 指令 2002/95/EC に適合と記述するものがあります。指令 2002/95/EC に適合するすべ
ての製品は、指令 2011/65/EU にも適合することをここに証明します。
ビシェイインターテクノロジー社は、同社の製品すべてが JEDEC JS709A に準拠するハロゲンフリーであることをこの書面
にて証明します。ビシェイ社製品の文献の中には、IEC 61249-2-21 の定義が残るものもありますが、これら製品はすべて
JEDEC JS709A に準拠します。
Revision: 02-Oct-12
1
Document Number: 99900