NJM2675 シングルＨブリッジドライバ ■概要 ■ 外形 NJM２６７５は、６０V 耐圧の汎用Ｈブリッジドライバです。 基 本回路として高出力 H ブリッジとサーマルシャットダウン回路で 構成されています。信号入力部は TTL 互換ロジック方式のマイ コン等の外部制御系との組み合わせにより、単相 DC モータを ドライブできます。 パッケージは面実装タイプのＥＭＰを用意しています。 ■特徴 ● 広範囲電源電圧 ４∼５５V ● 広範囲出力電流範囲 ５∼１３００ｍＡ ● サーマルシャットダウン回路内蔵（アラーム出力付） ● H ブリッジ貫通電流防止用デッドバンド ● パッケージ EMP16 NJM2675E2 ■端子配列 GND 1 16 NC TSD_ARM 2 15 OUT1 VCC 3 14 VMM NC 4 13 NC IN1 5 12 GND IN2 6 11 SENSE ENABLE 7 10 OUT2 GND 8 9 NC ‘Ver.2012-07-30 NJM 2675E2 -1- NJM2675 ■ブロック図 VS IN1 IN2 OUT1 OUT2 SENSE ENABLE VCC Thermal Shut Down TSD_ARM GND ■端子説明 端子番号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 -2- 端子名 GND TSD_ARM VCC NC IN1 IN2 ENABLE GND NC OUT2 SENSE GND NC VMM OUT1 NC 説明 接地端子（端子 8、12 と接続する必要があります） サーマルシャットダウン機能動作時アラーム出力 ロジック部電源電圧 未接続 ロジック部制御信号入力端子 ロジック部制御信号入力端子 出力 ON/OFF 制御端子 接地端子（端子 1、12 と接続する必要があります） 未接続 モータ出力 2 電流検出端子 接地端子（端子 1、8 と接続する必要があります） 未接続 モータ電源電圧 モータ出力 1 未接続 NJM2675 ■絶対最大定格 (Ta=25°C) 項目 モータ電源電圧 ロジック部電源電圧 ロジック部入力電圧 出力電流 消費電力（ＥＭＰﾊﾟｯｹｰｼﾞ） 動作温度 保存温度 記号 定格値 単位 VMM VCC VIN IOUT PD Topr Tstg 60 7 -0.3 ∼ 7 1.5 1.3（注） -40 ∼ 85 -55 ∼ 150 V V V A W ℃ ℃ (注)：消費電力は EIA／JEDEC 仕様基板(76.2×114.3×1.6mm、2 層、FR4)実装時。 ■推奨動作条件 (Ta=25°C) 項目 モータ電源電圧 ロジック部電源電圧 出力電流 動作温度(接合部) 記号 条件 VMM VCC IOUT Tj 最小 標準 最大 単位 4 4.75 − -20 − 5.00 − − 55 5.25 1.3 +125 V V A ℃ 最小 標準 最大 単位 - 20 - ■電気的特性 (Ta=25°C, VCC=5V, VMM=48V) 項目 記号 消費電流 サーマルシャットダウン温度 サーマルアラームリーク電流 サーマルアラーム出力飽和電圧 デッドタイム ロジック部 L レベル入力電圧 H レベル入力電圧 H レベル入力電流 L レベル入力電流 出力部 Icc Ttsd Itsd- LEAK Vtsd td 条件 全体 上側トランジスタ飽和電圧 下側トランジスタ飽和電圧 上側ダイオード順方向電圧 降下 下側ダイオード順方向電圧 降下 出力リーク電流 上側ダイオード逆回復時間 下側ダイオード逆回復時間 ViL ViH IiH IiL VOU1 VOU2 VOL1 VOL2 VfU1 VfU2 VfL1 VfL2 Io-LEAK TrrU TrrL Enable=H,IN1=L,IN2=H TSD ARM=5V Io=5mA - Vi=2.4V Vi=0.4V Io=1000mA Io=1300mA Io=1000mA Io=1300mA Io=1000mA Io=1300mA Io=1000mA Io=1300mA VMM=50V 2 -0.4 - 170 0.5 1 50 0.7 - mA ℃ uA V us - 0.6 20 - V V uA mA 1.3 1.5 0.5 0.8 1.3 1.6 1.3 1.6 − 250 250 1.5 V V V V V V V V mA ns ns 1.8 0.8 1.3 1.6 1.9 1.6 1.9 1 - -3- NJM2675 ■真理値表 INPUT (L=Low,H=High,X=Don't care) ENABLE=H ENABLE=L -4- IN1 L L H H IN2 L H L H X X OUTPUT (H=Source,L=Sink) OUT2 OUT1 L L L H H L H H Transistor turned OFF OUTPUT mode short brake mode CW CCW short brake mode NJM2675 ■応用例 VS VMM（4∼55V） IN1 IN2 OUT1 Motor OUT2 ＣＰＵ マイコン等 SENSE ENABLE VCC TSD ARM TSD GND ■タイミングチャート INA1 INA2 ENABLE A OUTA1 OUTA2 tpd1 tpd1 tpd2 tpd1:IN_HL propagation delay tpd2:IN_LH propagation delay td :Output dead band protection delay te1 :ENABLE_HL propagation delay te2 :ENABLE_LH propagation delay th :Output High impedance section td td te1 tpd2 tpd1 tpd2 td te1 te2 te2 th Reference value 1.0 2.5 1.5 3.5 2.0 unit us us us us us -5- NJM2675 ■ 特性例１ ICC vs. VCC 60 Io vs. ICC 70 IN1=H IN2=H EN=H VMM=12v TSD_ARM=10k Ta=25decC VCC=5v VMM=12v Ta=25decC 60 50 IN1=H IN2=L EN=L 50 40 ICC [mA] IN1=H IN2=L EN=H ICC [mA] 40 30 30 IN1=L IN2=L EN=H 20 20 10 10 0 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 0 200 400 600 800 VCC [V] Io [mA] Io vs. Vsat-TSD_ARM Io vs. Vsat 1000 1200 OUT1(D) OUT2(D) 10 3 VCC=5v VMM=12v TSD_ARM=10k Ta=25decC VCC=5v VMM=12v Ta=25decC 2.5 OUT1(U) OUT2(U) 1 2 Vsat [V] Vsat [V] 0.1 1.5 1 0.01 0.5 0.001 0 0 5 10 1 15 10 100 1000 Io [mA] Io [mA] ICC vs. Temperature VIN vs. Temperature 2.4 40 35 2.2 IN1=H IN2=H EN=H 30 VMM=24V VCC=5V EN=H 2 25 ICC [mA] 1.8 EN=L VIN [V] 20 IN1=L IN2=L EN=H 15 1.6 VIN-H 1.4 IN1=L IN2=L EN=H 10 VIN-L 1.2 5 VMM=12V 1 0 -50 0 50 Temperature [degC] -6- 100 150 -50 0 50 Temperature [degC] 1400 100 150 NJM2675 ■ 特性例２ TSD_Vsat vs. Temperature VIN vs. Temperature 2.4 2.2 0.5 VMM=24V VCC=5V EN=H 0.4 VMM=24V VCC=5V IN1=L IN2=H EN=H Io=5mA 2 TSD_Vsat [V] 0.3 1.8 VIN [V] 1.6 VIN-H 0.2 1.4 0.1 VIN-L 1.2 1 0 -50 0 50 100 150 -50 0 Temperature [degC] Vo_Vsat(D) vs. Temperature 2 50 100 150 Temperature [degC] Vo_Vsat(U) vs. Temperature 2 VMM=24V VCC=5V IN1=L IN2=L EN=H 1.8 VMM=24V VCC=5V IN1=H IN2=H EN=H 1.5 Io=1.3A Vo_Vsat(D) [V] Vo_Vsat(U) [V] 1.6 Io=1.3A 1 Io=1A 1.4 Io=1A 0.5 1.2 0 1 -50 0 50 100 150 -50 0 Temperature [degC] 50 100 150 Temperature [degC] Diode(U) vs. Temperature Diode(D) vs. Temperature 1.5 1.5 1.4 1.4 Io=1.3A Io=1.3A Diode(D) [V] Diode(U) [V] 1.3 1.3 Io=1A Io=1A 1.2 1.2 1.1 1.1 1 1 -50 0 50 Temperature [degC] 100 150 -50 0 50 100 150 Temperature [degC] -7- NJM2675 ■ 特性例３ TSD_Leak vs. Temperature 1 VMM=24V VCC=5V IN1=L IN2=H EN=H 0.1 TSD_Leak [uA] 0.01 0.001 0.0001 -50 0 50 100 150 Temperature [degC] PD vs. Io 6 Ta=125 ℃ VMM=24V 5 4 PD [W] 3 2 1 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 Io [A] ＜注意事項＞ このデータブックの掲載内容の正確さには 万全を期しておりますが、掲載内容について 何らかの法的な保証を行うものではありませ ん。とくに応用回路については、製品の代表 的な応用例を説明するためのものです。また、 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴 うものではなく、第三者の権利を侵害しない ことを保証するものでもありません。 -8-