Application Note NVSU333A(U385) Tj の放熱条件依存性 1. はじめに LED は発熱の影響で光出力が低下します。また、絶対最大定格接合部温度 Tjmax を超過して駆動すると信頼性を 大きく損ないます。NVSU333A を高性能で、信頼性良くご使用いただく為には、接合部温度が Tjmax を超えないよ うに放熱することが重要です。 本資料では 3 種類の放熱条件で接合部温度を吟味した評価結果を示します。御社での熱設計の参考にしてください。 2. Tj 算出方法 Tj 算出には以下の式を用います。 Tj ： 接合部温度 （℃） Ts ： 半田部温度 （℃） Rthj-s ： チップ～Ts測定ポイントまでの熱抵抗 （℃/W） ※NVSU333AのRthj-sは2.08℃/W PD ： 投入電力 （W） Tj = Ts + Rthj-s × PD Light Emitting Diode 3. Ts 測定ポイント TS Point 図１ Ts 測定ポイント 本試験では、熱電対を Ts 測定ポイントに 半田付けをして行っております。 4. Tj 評価結果 例1. 銅基板 + HS(ヒートシンク）‐B IF(A) 1.5 2.5 3.5 TS (℃) 47.6 63.2 80.1 VF(V) 3.4 3.5 3.6 Tj (℃) 58 82 107 例2. 銅基板 + HS(ヒートシンク）‐C IF(A) 1.5 2.5 3.5 4.5 TS (℃) 44.6 57.6 70.8 84.7 VF(V) 3.4 3.5 3.6 3.8 正面 Tj (℃) 55 76 97 120 図 2 銅基板 TS (℃) 32.7 38.3 45.2 52.3 VF(V) 3.4 3.6 3.7 3.8 HS-D HS-D 例3. 銅基板 + HS(ヒートシンク）‐D IF(A) 1.5 2.5 3.5 4.5 背面 HS-C Tj (℃) 43 57 72 88 HS-B HS-C 正面 HS-B 背面 図 3 銅基板＋ヒートシンク 5. 基板条件 仕様 銅箔 (μm) 絶縁層 (μm) 熱伝導率 (W/(m・ K)) 基板厚 (mm) 備考 Cu基板 35 120 10 1 サ－マルパッドは Cu ベースと接触していません。 ※参考ﾃﾞ-ﾀとしてお取扱い下さい。 (SP-QR-C-4774B) Oct. 17, 2015 Application Note 6. 放熱部材 ・金属ベース基板 材質：銅 外形寸法：30mm×30mm×1.7mm ・ヒートシンク B：50mm×38mm×h=25mm ベース厚＝5mm Fin=8 枚(Fin 形状：1mm×38mm 配列：1×8） ・ヒートシンク C：54mm×54mm×h=35mm ベース厚＝4mm Fin=64 枚(Fin 形状：0.8mm×9mm 配列：5×13） ・ヒートシンク D：100mm×100mm×h=40mm ベース厚＝7mm Fin=707 枚(Fin 形状：φ2.1mm 配列 15×25 / 14×24） 備考：絶対最大定格 NVSU333A では IF の絶対最大定格を 4.5A、Tj の絶対最大定格を 100℃と定めています。左記いずれかを Light Emitting Diode 超える条件でのご使用は保証不可となりますのでご注意下さい。 ※参考ﾃﾞ-ﾀとしてお取扱い下さい。 (SP-QR-C-4774B) Oct. 17, 2015