NJW1124
ドアホン用ボイススイッチ
概要
NJW1124 はドアホン等のハンズフリー機器に必要なアンプ、ア
ッテネータ、レベル検出器、制御回路を内蔵した IC です。
ラインアンプ、ミュート付きマイクアンプ、受話アンプ、送話/
受話アッテネータ、バックグランドノイズモニタ、レベル検出器か
ら構成され、相互受話を行うセットに最適です。
外付け部品の定数を小さく設定しましたので、全てのコンデンサ
をセラミックコンデンサで構成する事が可能です。
外形
NJW1124V
アプリケーション
•ドアホン/インターホン
•給湯器リモコン
•会議システム
•無線機
•警備システム
特徴
•電源電圧範囲
2.9～4.5V
•強制送受話スイッチ端子
•モード監視モニタ端子
•アッテネータレンジ
52dB
•ミュート機能つきマイクアンプ
•送/受話両系統にバックグラウンドノイズモニタを装備
•受話音量調整回路内蔵
•4 点信号検出
•マイクアンプ、受話アンプは外付け部品により利得および周波数特性を調整可能
•外形
SSOP32
■ブロック図
C6 R2
100n 5.1k
R3
51k
C8
100n
C7
100n
C9
R6
100n 5.1k
R7
51k
Microphone
R4
51k
MCO
MCI
TLI1
Line Out
C10
R5
10k
TLI2
TXO
LII
LiO-
LiO+
V+
V
+
R1
300k
C1
1μ
C3
470n
C4
470n
C2
1u
V+
VREF
Line Amplifier
Monitor
MUT
Level
Detector
TLO2
C5
1μ
CT
+
V
RLO2
RTSW
Background
NoiseMonitor
CPT
Attenuator
Control
Background
NoiseMonitor
CPR
Level
Detector
TLO1
RLO1
C23
1μ
C11
1μ
-1
Tx Attenuator
Mic
Amplifier
VREF
VREF
BIAS
C20
470n
C21
470n
Receive
Amplifier
IC1
NJW1124
VREF2
C22
1μ
Rx Attenuator
GND
VREF
1.2μ A
RXO RLI2
V+
R10
15k
+
C16
10μ
C15
1μ
VLC
R12
51k
5.0V
C17
100n
R11
10k
RVLC
RLI1 FO
C18
100n
R13
5.1k
FI
R14
5.1k
C19
100n
Recive In
C13
1μ
Speaker
IC2
NJU7084
Power Amplifier
C14 1 μ
R9
22k
R8
11k
C12
100n
-1-
NJW1124
■端子配置図
32
2
31
3
30
NJW1124
1
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
-2-
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
14
19
15
18
16
17
1
VREF2
32
MON
2
MUT
31
RTSW
3
NC
30
VREF
4
CPT
29
CPR
5
TLO2
28
RLO1
6
RLO2
27
TLO1
7
CT
26
VLC
8
MCI
25
FI
9
MCO
24
FO
10
TLI2
23
RLI1
11
TLI1
22
RLI2
12
TXO
21
RXO
13
LII
20
NC
14
LIO-
19
NC
15
LIO+
18
NC
16
GND
17
V+
NJW1124
■絶対最大定格 (Ta=25°C)
項
目
記 号
定
+
格
単 位
電
源
電
圧
V
5.5
800
V
消
費
電
力
PD
注: EIA/JEDEC 仕様基板
(76.2x114.3x1.6mm, 2 層, FR-4) 基板実装時
mW
動
作
温
度
Topr
-40～85
°C
度
Tstg
-40～125
°C
圧
VIM
0～V+
V
保
最
存
大
入
温
力
電
■電源電圧範囲 （指定なき場合には Ta = 25°C）
項
目
記号
動 作 電 源 電 圧
V＋
■
条
件
最小
2.9
標準
4.0
最大
4.5
単位
V
+
電気的特性（指定なき場合には Ta=25°C, V =4.0V, MUT =ACTIVE,RTSW=OPEN, RVLC=0Ω,マイクアンプ Gv=0dB、受話
アンプ Gv=0dB）
●電源特性
消
消
消
基
項
目
費
電
流
費
電
流
費
電
流
準
電
条
記号
1
2
3
圧
ICC1
ICC2
ICC3
VREF
件
Rx-mode(受話時)
Tx-mode(送話時)
Idle-mode(待機時)
Idle-mode
最小
標準
最大
単位
0.7
0.7
0.7
1.7
2.0
2.0
2.0
2.0
4.0
4.0
4.0
2.3
mA
mA
mA
V
最小
標準
最大
単位
3.0
-43
-17
47
-50
30
-
6.0
-46
-20
52
40
-
9.0
-50
-23
57
50
50
200
dB
dB
dB
dB
mV
dB
μA
最小
標準
最大
単位
3.0
-43
-17
47
-50
-
6.0
-46
-20
52
-
9.0
-50
-23
57
50
200
dB
dB
dB
dB
ｍV
μA
最小
-30
-
標準
0.0
0.0
40
38
1.5
-73
最大
30
-
単位
●受話減衰器(RxIN=200Vrms,受話アンプ Gv=0dB)
項
目
受
話
利
得
1
受
話
利
得
2
受
話
利
得
3
減
衰
範
囲
ダイナミック DC 電圧
ボリュームコントロール幅
検出器最大シンク電流
条
記号
GR1
GR2
GR3
ΔGR
GRDC
GRVR
IRSINKMAX
件
Rx-mode(受話時)
Tx-mode(送話時)
Idle-mode(待機時),CPT=CPR=V+
Rx-mode – Tx-mode
Rx-mode – Tx-mode(DC)
Rx-mode, RVLC=0~100kΩ
RLI1,TLI1,Maximum Sink Current
●送話減衰器(TxIN=200Vrms,マイクアンプ Gv=0dB)
項
目
送
話
利
得
1
送
話
利
得
2
送
話
利
得
3
減
衰
範
囲
ダイナミックDC電圧
検出器最大シンク電流
条
記号
GT1
GT2
GT3
ΔGT
GTDC
ITSINKMAX
件
Tx-mode(送話時)
Rx-mode(受話時)
Idle-mode(待機時), CPT=CPR=V+
Tx-mode – Rx-mode
Tx-mode – Rx-mode(DC)
RLI2,TLI2,Maximum Sink Current
●マイクアンプ(TxIN=1mVrms,Gv=40dB,RL=5.1kΩ)
項
目
出力オフセット電
入
力
電
電
圧
利
得
電
圧
利
得
最
大
振
最 大 出 力 電
ミ ュ ー ト 減 衰
記号
圧
流
１
２
幅
流
量
VMOS
IMBIAS
GVM1
GVM2
VMMAX
IMOMAX
GMMUTE
条
件
R5=300kΩ,VMOS=VMCI -VMCO
f=1kHz
f=20kHz
THD=1%
MUT=MUTE
-3-
0.9
-70
-
mV
nA
dB
dB
Vrms
mA
dB
-3-
NJW1124
●受話アンプ (RxIN=1mVrms,Gv=40dB,RL=5.1kΩ)
出
入
電
電
最
最
項
目
力オフセット電
力
電
圧
利
得
圧
利
得
大
振
大 出 力 電
条
記号
圧
流
１
２
幅
流
VROS
IRBIAS
GVR1
GVR2
VRMAX
IROMAX
件
RF=300kΩ,VFOS=FI-FO
f=1kHz
f=20kHz
THD=1%
-
最小
-30
-
最大
30
-
0.9
-
標準
0.0
30
40
38
1.5
最小
20
-0.5
1.5
-
標準
0.0
0.0
26
25
0
4.0
最大
20
0.5
0.5
-
mV
nA
dB
dB
dB
Vrms
%
mA
-
単位
mV
nA
dB
dB
Vrms
mA
(LINEIN=50mVrms, GV=26dB,RL=1.2kΩ)
●ラインアンプ
項
目
出力オフセット電
入
力
電
電
圧
利
得
電
圧
利
得
閉 ル ー プ 利
最
大
振
全 高 調 波 歪
最 大 出 力 電
条件
記号
圧
流
１
２
得
幅
率
流
VLOS
ILBIAS
GVL1
GVL2
GLC
VLMAX
THDLN
ILOMAX
R9=51kΩ
f=1kHz
f=20kHz
LIO- to LIO+
THD=1%
f=1kHz
-
単位
●モニタ端子出力電圧（MONOUT）
項
最
目
Rx-mode
Tx-mode
Idle-mode
大 出 力 電
流
記号
条件
最小
標準
最大
単位
Rx
Tx
Idle
IMON
-
V+-0.3
-
V+/2
1.0
0.3
-
V
V
V
ｍA
記号
条件
最小
標準
最大
単位
VIL1
VIH1
-
1.5
-
0.3
-
V
V
記号
条件
最小
標準
最大
単位
VIL2
VIH2
-
V+-0.3
-
0.3
-
V
V
無信号
Rx-mode /Tx-mode
■制御部
●スイッチ特性 1（MUT）
項
目
Low Level 入力電圧
High Level入力電圧
●スイッチ特性 2（RTSW）
項
目
Low Level 入力電圧
High Level入力電圧
■ファンクション
●MUT(2pin)
印加電圧
VIH
VIL
●RTSW(31pin)
印加電圧
VIH
OPEN
VIL
●RVLC(26pin)
接続抵抗
0
100kΩ
-4-
記号
MUTE
ACTIVE
動 作
マイク入力をミュートします
マイク入力を有効にします
記号
Receive
AUTO
動 作
強制的に受話状態にします
自動的に送受話を切り替えます
強制的に送話状態にします
Transmit
記号
VolMAX
VolMIN
動 作
受話減衰器の減衰なし
受話減衰器の減衰量最大
NJW1124
■測定回路図
S12
R LMH
1
MON
VREF2
S13
V+
OPEN
OPEN
4.7k
R LML
4.7k
MONOUT
32
S6
S2
100
VIH
VIH
100
2
VIL
RTSW
MUT
31
OPEN
VIL
1u
S4
4
1k
V+
NC
CPT
OPEN
100n
100n
1u
300k
TxIN
5
TLO2
6
RLO2
7
CT
S5
0dB 1u
8
3k
40dB
9
MCOUT
100n
MCI
300k
MCO
5.1k
10
TLI2
11
TLI1
5.1k
100n
TxOUT
1u
51k
LINEOUT
Vref
CPR
1u
29
S7
1k
V+
OPEN
RLO1
28
TLO1
27
VLC
26
100n
100n
S8
0ohm
100k
100k
300k
1u 0dB
FI
25
3k
RxIN
40dB
300k
FO
S9
24
FilterOUT
5.1k
RLI1
23
RLI2
22
100n
5.1k
100n
RXO
21
NC
20
TXO
13
LII
14
LIO-
NC
19
15
LIO+
NC
18
16
GND
V+
17
47p
1u
30
12
5.1k
LINEIN
NJW1124
3
VREF
RxOUT
1.2k(R LL )
Icc
V+
1u
-5-
-5-
NJW1124
■応用回路図
TR1
2.2k
Rx-Mode :V+
Tx-Mode :GND
Idle
:HI-Z
V+
LED1
56k 0.47μ
1
VREF2
2
MUT
3
NC
MON
32
RTSW
31
1μ
Monitor Out
300k
1μ
4
470n
470n
1u
100n
CPT
5
TLO2
6
RLO2
7
CT
5.1k
8
Mic In
MCI
51k
9
100n
MCO
51k
10
TLI2
10k
11
TLI1
100n
TX
OUT
100n
12
TXO
5.1k
51k
+
VREF
30
CPR
29
RLO1
28
TLO1
27
VLC
26
FI
25
470n
470n
FO
1μ
15k
V+
24
51k
RLI1
1
SD
2
SDTC
3
+ IN
100n
1μ
23
10k
RLI2
V+
:ACTIVE
GND :Shut Down
Receive In
5.1k
1μ
22
100n
0.1u
RXO
21
OUTB
8
GND
7
V+
6
V+ (2)
10u
NC
19
4
-IN
OUTA
5
15
LIO+
NC
18
16
GND
V+
17
22k
LINE
OUT
-
V+ (1)
1μ
-6-
+
Speaker Out
11k
Receive Out
LIO-
14
1μ
5.1k 100n
20
LII
V+
:Recive
GND :Trensmit
Open :Auto
1μ
100k
NC
13
47p
V+
NJU7084
V+
NJW1124
V+
:MUTE
GND :ACTIVE
上記応用回路図は、一例です。
実際の使用条件に合わせて、
外付け部品の定数などは、
ご選定願います。
-
NJW1124
■特性例
Detector Max Sink Current vs ambient temperature
(TLI1,TLI2,RLI1,RLI2 Max Sink Current)
Volume control range vs ambient temperature
( VLC=0Ω/100kΩ)
700
50.0
600
V+=4.0V
45.0
Max Sink Current [ ∪A]
Volume Control range [dB]
500
V+=4.0V
40.0
V+=3.3V
35.0
V+=3.3V
400
300
200
30.0
100
0
25.0
-50
-30
-10
10
30
50
70
90
-50
110
-30
-10
50
70
90
110
70
90
110
10.0
10.0
Tx-Mode
0.0
Tx-Mode
0.0
-10.0
Tx ATT Gain [dB]
-10.0
Tx ATT Gain [dB]
30
Tx ATT Gain vs ambient temperature
(V+=4.0V , Receive Amp Gain = 0dB , VLC=0Ω)
Tx ATT Gain vs ambient temperature
(V+=3.3V , Receive Amp Gain = 0dB , VLC=0Ω)
-20.0
Idle-Mode
-20.0
Idle-Mode
-30.0
-30.0
-40.0
-40.0
Rx-Mode
Rx-Mode
-50.0
-50.0
-50
-30
-10
10
30
50
70
90
-50
110
-30
-10
10
30
50
Ambient temperature [℃]
Ambient temperature [℃]
Monitor Out vs ambient temperature
(V+=4.0V , RLMH=RLML=4.7kΩ)
note : The MONITOR OUT(@Idole-mode) is Hi-Z when there are neither RLMH and RLML.
Monitor Out vs ambient temperature
(V+=3.3V , RLMH=RLML=4.7kΩ)
note : The MONITOR OUT(@Idole-mode) is Hi-Z when there are neither RLMH and RLML.
4.0
4.0
3.5
Rx-Mode
3.5
Rx-Mode
3.0
Monitor output Voltage [V]
3.0
Monitor output Voltage [V]
10
Ambient temperature [℃]
Ambient temperature [℃]
2.5
2.0
Idle-Mode
1.5
2.5
Idle-Mode
2.0
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
Tx-Mode
Tx-Mode
0.0
0.0
-50
-30
-10
10
30
50
70
90
-50
110
-30
-10
10
30
50
70
90
110
Ambient temperature [℃]
Ambient temperature [℃]
-7-
-7-
NJW1124
■特性例
MUTE Pin Voltage vs MUTE ATT Ratio
(V+=4.0V , MICAMP GAIN=40dB, Rf=300kΩ, Ri=3kΩ, A-weighted)
MUTE Pin Voltage vs MUTE ATT Ratio
(V+=3.3V , MICAMP GAIN=40dB, Rf=300kΩ, Ri=3kΩ, A-weighted)
10
10
0
0
-40℃
-10
25℃
25℃
-20
MUTE ATT Ratio [dB]
-20
MUTE ATT Ratio [dB]
-40℃
-10
-30
85℃
-40
-50
-60
-30
85℃
-40
-50
-60
-70
-70
-80
-80
-90
-90
-100
-100
0
0.5
1
1.5
2
0
2.5
0.5
1
MUTE Pin Voltage vs MUTE ATT Ratio
(V+=3.3V , MICAMP GAIN=0dB, Rf=3kΩ, Ri=3kΩ, A-weighted)
-40℃
-40℃
0
25℃
85℃
-20
-30
-20
-30
-40
-40
-50
-50
-60
25℃
85℃
-10
MUTE ATT Ratio [dB]
-10
MUTE ATT Ratio [dB]
2.5
10
0
-60
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
0.5
1
MUT PIN Voltage [V]
1.5
2
2.5
MUT PIN Voltage [V]
MICAMP Gain vs Frequency
(V+=3.3V , RL=5.1kΩ, Cin=1μF, Rin=3kΩ)
MICAMP Gain vs Frequency
(V+=4.0V , RL=5.1kΩ, Cin=1μF, Rin=3kΩ)
50
50
Gv=40dB, Rf=300kΩ, Vin=1mV
Gv=40dB, Rf=300kΩ, Vin=1mV
40
40
-40℃
25℃
85℃
-40℃
25℃
85℃
30
Gain [dB]
30
Gain [dB]
2
MUTE Pin Voltage vs MUTE ATT Ratio
(V+=4.0V , MICAMP GAIN=0dB, Rf=3kΩ, Ri=3kΩ, A-weighted)
10
20
10
20
10
Gv=0dB, Rf=3kΩ, Vin=100mV
Gv=0dB, Rf=3kΩ, Vin=100mV
0
0
-40℃
25℃
85℃
-10
-40℃
25℃
85℃
-10
10
100
1000
Frequency [Hz]
-8-
1.5
MUT PIN Voltage [V]
MUT PIN Voltage [V]
10000
100000
10
100
1000
Frequency [Hz]
10000
100000
NJW1124
■特性例
Receive AMP Gain vs Frequency
(V+=4.0V , RL=5.1kΩ, Cin=1μF, Rin=3kΩ)
Receive AMP Gain vs Frequency
(V+=3.3V , RL=5.1kΩ, Cin=1μF, Rin=3kΩ)
50
50
Gv=40dB, Rf=300kΩ, Vin=1mV
Gv=40dB, Rf=300kΩ, Vin=1mV
40
40
30
Gain [dB]
30
Gain [dB]
-40℃
25℃
85℃
-40℃
25℃
85℃
20
20
10
10
Gv=0dB, Rf=3kΩ, Vin=100mV
Gv=0dB, Rf=3kΩ, Vin=100mV
0
0
-40℃
25℃
85℃
-10
-10
10
100
1000
10000
-40℃
25℃
85℃
10
100000
100
1000
30
30
28
28
Gv=26dB, Vin=50mV
Gv=26dB, Vin=50mV
24
-40℃
25℃
85℃
26
-40℃
25℃
85℃
26
24
22
Gain [dB]
22
Gain [dB]
100000
Line AMP Gain vs Frequency
(V+=4.0V , RL=1.2kΩ, Cin=1μF, Rf=51kΩ, Rin=5.1kΩ, Cf=47pF)
Line AMP Gain vs Frequency
(V+=3.3V , RL=1.2kΩ, Cin=1μF, Rf=51kΩ, Rin=5.1kΩ, Cf=47pF)
20
20
18
18
16
16
14
14
12
12
10
10
10
100
1000
10000
10
100000
100
1000
10000
100000
Frequency [Hz]
Frequency [Hz]
Receive AMP THD+N vs Input Voltage
(V+=4.0V, RL=5.1kΩ , Gain=40dB , Rf=300kΩ , Ri=3kΩ , BW:400Hz-30kHz)
Receive AMP THD+N vs Input Voltage
(V+=3.3V, RL=5.1kΩ , Gain=40dB , Rf=300kΩ , Ri=3kΩ , BW:400Hz-30kHz)
10
THD+N [%]
10
THD+N [%]
10000
Frequency [Hz]
Frequency [Hz]
1
1
85℃
85℃
25℃
25℃
-40℃
-40℃
0.1
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.0001
0.1
0.001
0.01
0.1
Input Voltage [Vrms]
Input Voltage [Vrms]
-9-
-9-
NJW1124
■特性例
Receive AMP THD+N vs Input Voltage
(V+=4.0V, RL=5.1kΩ , Gain=0dB , Rf=3kΩ , Ri=3kΩ , BW:400Hz-30kHz)
Receive AMP THD+N vs Input Voltage
(V+=3.3V, RL=5.1kΩ , Gain=0dB , Rf=3kΩ , Ri=3kΩ , BW:400Hz-30kHz)
10
10
1
THD+N [%]
THD+N [%]
1
0.1
-40℃
0.1
85℃
0.01
25℃
85℃
-40℃
0.01
0.01
25℃
0.1
1
0.001
0.01
10
0.1
Mic AMP THD+N vs Input Voltage
(V+=3.3V,MUT=0.3V, RL=5.1kΩ , Gain=40dB , Rf=300kΩ , Ri=3kΩ , BW:400Hz-30kHz)
10
85℃
(MUT=0.3V)
THD+N [%]
THD+N [%]
10
Mic AMP THD+N vs Input Voltage
(V+=4.0V,MUT=0.3V, RL=5.1kΩ , Gain=40dB , Rf=300kΩ , Ri=3kΩ , BW:400Hz-30kHz)
10
1
1
Input Voltage [Vrms]
Input Voltage [Vrms]
1
85℃
(MUT=0.3V)
85℃
(MUT=0V)
85℃
(MUT=0V)
25℃
25℃
-40℃
0.1
0.0001
0.001
-40℃
0.01
0.1
0.0001
0.1
0.001
Input Voltage [Vrms]
0.01
0.1
Input Voltage [Vrms]
Mic AMP THD+N vs Input Voltage
(V+=3.3V,MUT=0.3V, RL=5.1kΩ , Gain=40dB , Rf=300kΩ , Ri=3kΩ , BW:400Hz-30kHz)
Mic AMP THD+N vs Input Voltage
(V+=4.0V,MUT=0.3V, RL=5.1kΩ , Gain=40dB , Rf=300kΩ , Ri=3kΩ , BW:400Hz-30kHz)
10
10
1
THD+N [%]
THD+N [%]
1
0.1
85℃
(MUT=0.3V)
85℃
(MUT=0V)
-40℃
0.1
25℃
85℃
(MUT=0V)
0.01
85℃
(MUT=0.3V)
25℃
0.01
0.01
-40℃
0.1
1
Input Voltage [Vrms]
- 10 -
10
0.001
0.01
0.1
1
Input Voltage [Vrms]
10
NJW1124
■特性例
LINE AMP THD+N vs Input Voltage
(V+=3.3V, RL=1.2kΩ , Gain=26dB , Rf=51kΩ , Ri=5.1kΩ , BW:400Hz-30kHz)
LINE AMP THD+N vs Input Voltage
(V+=4.0V, RL=1.2kΩ , Gain=26dB , Rf=51kΩ , Ri=5.1kΩ , BW:400Hz-30kHz)
10
THD+N [%]
THD+N [%]
10
1
1
85℃
85℃
25℃
-40℃
-40℃
25℃
0.1
0.001
0.01
0.1
0.1
0.001
1
0.01
0.1
Input Voltage [Vrms]
RTSW PIN Voltage vs Rx&Tx ATT. Gain
(V+=3.3V)
RTSW PIN Voltage vs Rx&Tx ATT. Gain
(V+=4.0V)
10
10
0
0
Tx 25℃
-10
Tx -40℃
-10
Rx -40℃
Tx 85℃
Rx 85℃
Rx 25℃
Rx -40℃
Rx 25℃
Tx 25℃
Rx 25℃
-20
-30
Rx 85℃
Tx 85℃
Rx 85℃
Rx & Tx ATT. Gain
Tx 85℃
Rx & Tx ATT. Gain
1
Input Voltage [Vrms]
-20
Tx 85℃
Rx 85℃
-30
Tx 25℃
Rx -40℃
Tx -40℃
Tx 25℃
Rx 25℃
Tx -40℃
Tx -40℃
Rx -40℃
-40
-40
-50
-50
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0
RTSW PIN Voltage [V]
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
RTSW PIN Voltage [V]
- 11 -
- 11 -
NJW1124
■NJW1124 アプリケーションノート
【製品概要】
NJW1124 は、ドアホンの動作において、親機に内蔵されたマイクの音声を子機に送信するためのマイクアンプ、送話減
衰器と送話、子機からのライン音声を親機のスピーカで再生するための受話アンプ、受話減衰器と、それらを総括的に制
御するレベル検出器やバックグラウンドノイズ検出器、コントローラ等を一体としたシステム IC です。
NJW1124 では、親機と子機のどちらが話をしているか(どちらがより大きな声で話しているか)を検知し、人が話している
方向のみの経路を動作状態として、他方は減衰状態とするように動作します。(半二重動作)
適切に半二重動作を行うことによって、送話系と受話系がループするゲインを 0dB 以下に保つことによって、ハウリング
を防止できます。
応用回路例に表示されているコンデンサ、抵抗の値は参考値です。正しい送受信を行うためには、実際の親機/子機の
形状と同じ筐体、使用部品、親機子機の距離、その他条件を極力合わせた条件でテストを行い、各レベル検出器に入力さ
れるレベルが、適切になるように調整する必要があります。
以下の説明においては、図 1 を参照してください。（本稿では、NJW1124 を内蔵した送話側を親機と定義します。）
C6 R2
100n 5.1k
R3
51k
C9
R6
100n 5.1k
C8
100n
C7
100n
R7
51k
Microphone
R4
51k
MCO
MCI
MUT
V+
GND
TLI1
Line Out
C10
R5
10k
TLI2
TXO
LII
LiO-
LiO+
V+
:MUTE
:ACTIVE
V
+
R1
300k
C1
1μ
C3
470n
C4
470n
C2
1u
V+
VREF
*
Line Amplifier
Monitor
MUT
Level
Detector
TLO2
C5
1μ
CT
V+
RLO2
V+
:Recive
GND :Trensmit
Open :idle
RTSW
Background
NoiseMonitor
CPT
Attenuator
Control
Background
NoiseMonitor
CPR
Level
Detector
TLO1
RLO1
C23
1μ
C11
1μ
-1
Tx Attenuator
Mic
Amplifier
VREF
VREF
BIAS
C20
470n
C21
470n
Receive
Amplifier
IC1
NJW1124
VREF2
C22
1μ
Rx Attenuator
GND
VREF
1.2μ A
MUT
V+
GND
RXO RLI2
: Active
: Disable
V+
R10
15k
+
C16
10μ
C15
1μ
VLC
R12
51k
5.0V
C17
100n
R11
10k
RVLC
RLI1 FO
C18
100n
R13
5.1k
FI
R14
5.1k
C19
100n
Recive In
C13
1μ
Speaker
IC2
NJU7084
Power Amplifier
C14 1 μ
R9
22k
R8
11k
C12
100n
図１ NJW1124 のブロックダイヤグラムと応用回路例
図 1 に示した抵抗、コンデンサ等の定数は、一例であり、
正常な半二重動作を保証するものではありません。
ご使用になるマイク、スピーカ、筐体等により、最適な数値は異なりま
すので、ご注意願います。
特に、電源端子 V+(17pin)は、電源のノイズやリップルの影響を受けや
すい短、V+端子に接続するバイパスコンデンサ(図 1 の C11)は、
17pin 部分のノイズや電圧リップルが、十分小さくなる(目安としては、
10mVp-p 以下)ように、値を選定してください。（ 1μF で不足の場合は、
値を大きくして対応ください。）
- 12 -
NJW1124
【機能詳細】
１． 受話減衰器 (ブロック：受話回路系)
受話減衰器( Rx Attenuator )は、親機と子機の状態により、下記の 3 モードに推移します。
受
受
受
項
話
話
話
利
利
利
目
得
得
得
記号
1
2
3
GR1
GR2
GR3
条
件
Rx-mode(受話時)
Tx-mode(送話時)
Idle-mode(待機時),CPT=CPR=V+
最小
標準
最大
単位
3.0
-43
-17
6.0
-46
-20
9.0
-50
-23
dB
dB
dB
① 子機から音声を受話状態で、親機から音声の送話がないと判断した場合 ・・・ +6dB の増幅器として動作
(受話利得１：受話モード)
② 親機から音声を送話状態で、子機から音声の受話がないと判断した場合 ・・・ -46dB の減衰器として動作
(受話利得 2：送話モード)
③ 上記のいずれでもない場合・・・ -20dB の減衰器として動作
(受話利得 3：アイドルモード)
受話減衰器の動作モードは後述するレベルコントローラの検知モードによって動作が切り替わります。
0
-10
Volume [dB]
[ボリウムコントロール機能]
受話減衰器にはボリウムコントロール機能があります。
ボリウムコントロールは、VLC 端子とグランドの間の抵抗値を変化させる
ことでコントロールします。
ボリウムのアッテネート値と、VLC 端子に接続する抵抗値の関係は、
図 2 をご覧ください。
VLC に接続する抵抗が 0 オームで接地するとき、ボリウムは最大、
100k オームで接続するとき、ボリウムは最小となり、-40dB となります。
-20
-30
-40
0
20
40
60
VLC Resistor [kΩ]
80
100
図 2 ボリウムコントロール特性例
- 13 -
- 13 -
NJW1124
２． 送話減衰器 (ブロック：送話回路系)
送話減衰器( Tx Attenuator )は、親機と子機の状態により、下記の 3 モードに推移します。
送
送
送
項
話
話
話
利
利
利
目
得
得
得
条
記号
1
2
3
GT1
GT2
GT3
件
Tx-mode(送話時)
Rx-mode(受話時)
Idle-mode(待機時), CPT=CPR=V+
最小
標準
最大
単位
3.0
-43
-17
6.0
-46
-20
9.0
-50
-23
dB
dB
dB
① 親機から音声を送話状態で、子機から音声の受話がないと判断した場合 ・・・ +6dB の増幅器として動作
(送話利得 1：送話モード)
② 子機から音声を受話状態で、親機から音声の送話がないと判断した場合 ・・・ -46dB の減衰器として動作
(送話利得 2：受話モード)
③ 上記のいずれでもない場合 ・・・ -20dB の減衰器として動作
(送話利得 3：アイドルモード)
送話減衰器の動作モードは後述するレベルコントローラの検知モードによって動作が切り替わります。
なお、送話減衰器にはボリウムコントロール機能はありません。
３． マイクアンプ (ブロック：送話回路系)
マイクアンプ ( Mic Amplifier) は、送話回路系における親機のマイクから入力された信号を、ラインと同等のレベルまで
増幅するための差動増幅器です。マイクアンプのアプリケーション回路例を、図 3 に示します。
非反転入力は IC 内部で VREF のレベルになっており、常に反転増幅回路として使用します。ゲインは 40dB 以下を推奨
いたします。
マイクアンプにはミュート機能が付いております。GND～0.3V の間では、マイクアンプはアクティブ状態で動作し、1.5V～
V+の電圧で、ミュート状態となります。
C6 R2
100n 5.1k
R3
51k
Microphone
MCI
MUT
V+
GND
:MUTE
:ACTIVE
V+
MCO
R1
300k
Tx Attenuator
VREF
C1
1μ
Mic
Amplifier
図 3 マイクアンプ部応用回路図（20dB アプリケーション例）
外付部品
使用目的
推奨値
C6
DCデカップリング 100nF～10μF
R2
ゲイン設定
3kΩ～300kΩ
R3
R1
ポップ音
100Ω～300kΩ
低減
C1
100n～10μF
MUT端子入力電圧
>1.5V
VIH
<0.3V
VIL
- 14 -
説明
Gv=R3/R2
入力インピーダンス＝R2
MUTE/ACTIVE切替時の、
ポップ音低減用
状態
マイクアンプをミュートにします
マイクアンプをアクティブにします
注意点
fc=1/(2π×C6×R2)でHPFを形成
Gvは40dB以下でご使用を推奨します
抵抗値が大きいと寄生発振しやすくなります
-
NJW1124
４． 受話アンプ (ブロック：受話回路系)
受話アンプ ( Receive Amplifier )は、受話回路系において、子機から送られてくるライン信号を受信する差動増幅器で
す。非反転入力は IC 内部で VREF のレベルになっており、常に反転増幅回路として使用します。受話アンプのアプリケー
ション回路例を、図 4 に示します。 回路の定数の選定方法は、マイクアンプと同様です。ゲインは 40dB 以下を推奨しま
す。
なお、受話アンプにはミュート機能はありません。
Receive
Amplifier
Rx Attenuator
VREF
FO
R13
5.1k
FI
R14
5.1k
C19
100n
Recive In
図 4 受話アンプ部応用回路図 （ 0dB アプリケーション例 ）
外付部品
使用目的
C19
DCデカップリング
R１4
ゲイン設定
R１3
推奨値
100nF～1μF
3kΩ～300kΩ
説明
Gv=R13/R14
入力インピーダンス＝R14
- 15 -
注意点
fc=1/(2π×C19×R14)でHPFを形成
Gvは40dB以下でご使用を推奨します
抵抗値が大きいと寄生発振しやすくなります
- 15 -
NJW1124
５． ラインアンプ (ブロック：送話回路系)
ラインアンプ ( Line Amplifier )は、送話回路系において、Tx アッテネータから出力された送話信号を増幅し、子機に送
出するための増幅器です。ラインアンプは 2 段の差動増幅器で構成されており、1 段目の増幅器の非反転入力は IC 内部
で VREF のレベルに固定された反転増幅回路で、二段目のアンプはゲインが-倍 1 に固定された反転増幅器で構成されて
います。この構成により、Tx アッテネータから出力されたシングルエンドの信号から差動出力を生成します。
C9
R6
100n 5.1k
R7
51k
Line Out
C10
TXO
LII
LiO-
LiO+
-1
VREF
Line Amplifier
図 5 ラインアンプ部応用回路図（26dB アプリケーション例）
外付部品
C9
R6
R7
C10
使用目的
直流カット
推奨値
100nF～1μF
ゲイン設定
5.1kΩ～51kΩ
発振防止
10p～100pF
説明
Gv=2×(R7/R6)
入力インピーダンス＝R6
-
注意点
fc=1/(2π×C9×R6)でHPFを形成
Gvは26dB以下でご使用ください
抵抗値が大きいと寄生発振しやすくなります
fc=1/(2π×C10×R7)でLPFを形成
また、伝送系経路が長い場合等は、R6,R7 の抵抗値が小さくても、容量性の負荷が大きくなり、発振する恐れがありま
す。この場合は、LII 、LIO- 端子間に、47p ～ 100p 程度のセラミックコンデンサを接続してください。(端子にできる限り近
い場所に接続してください。可能であれば必要帯域以上の周波数はカットできるような定数を選んでください。)
LIO+,LIO-端子は、いずれもアンプの出力段からの出力端子ですので、直流的・交流的に、どちらか片方でも GND に
落とすような使い方はしないでください。（無信号時の LIO+,LIO-端子の電圧は、V+/2 にバイアスされています。）
C11 R8
100n 5.1k
R9
51k
LINE Cable
CfL
TXO
LII
LiO-
LiO+
-1
VREF
Line Amplifier
図 6 ラインアンプ禁止回路例
６． モニタ端子
モニタ端子は、NJW1124 の動作状態によって、電圧モードが切り替わります。
受話モード時は（V＋）－0.3V、送話モード時は(GND)+0.3V、アイドルモード時にはハイインピーダンス状態になります。
- 16 -
NJW1124
７．会話レベル検出器
会話レベル検出器 (Level Detector) は、送話側と受話側に同一の構成の検出器が用意されています。
2 組の会話レベル検出器には、その中に、同一構成の 2 組の個別レベル検出器とノイズ検出器を備えています。
会話レベル検出器のブロックダイヤグラムを図 7 に示します。
各検出器の出力 S1～S4 は後述のアッテネータコントローラに送られ、モードの切り替えに使用されます。
各検出器の詳しい動作を、後述の (7.1) と (7.2) で詳しく説明します。
論理レベル S1～S4 による動作モードは、「8．アッテネータコントローラ」の項目をご参照ください。
送話系：TLO2
受話系：RLO1
送話系：TLI2
受話系：RLI1
送話系：RLI2
受話系：TLI1
個別レベル
検出器
ノイズ
検出器
送話系：S3
受話系：S4
送話系：S1
受話系：S2
個別レベル
検出器
送話系：RLO2
受話系：TLO1
図 7 会話レベル検出器 のブロックダイヤグラム
- 17 -
- 17 -
NJW1124
(7.1) 個別レベル検出器
個別レベル検出器の回路構成を、図 8 に示します。
内部には、定電流源 I1,I2 により、同一の電流を流しているダイオード D1,D2 を用いた対数アンプが内蔵されており、入力
電圧に対するダイナミックレンジを確保しています。
各検出器に入力される信号は、外付けのカップリングコンデンサ Ci を解して、入力抵抗 Rin により電流に変換されて、
TLI1,2 と RLI1,2 から対数アンプに入力されます。入力された電流は、ダイオード D1 に流れる電流を変化させる働きをしま
す。電流を流し込む場合、定電流源の電流 0.54uA を超える電流を入力すると、ダイオード D1 は OFF し、AMP1 の出力 A
点の電圧は GND 側に落ち込みます。電流を引き出す場合、引き出される電流はダイオード D1 に流す電流を増加させ、A
点の電圧を上昇させます。A 点の電圧上昇⊿VA は、
⊿VA＝0.026 × Ln [ { Iin + (0.54×10-6 ) } / (0.54×10-6 ) ]
・・・ (10.1.1)
で表現されます。ここで、Iin＝Vin÷Rin です。( 実際には Ci の影響を考慮する必要があります)
A 点に発生した電圧は、バッファアンプ AMP2 を介して、TLO1,2 と RLO1,2 に接続されたコンデンサに充電されます。
充電はほぼ瞬時に終了します。
マイク出力 MICOUT (MCO) から、200mVrms/1kHz が出力されたときの、TLO2 (CO = C5 = 0.1μF) の信号波形を、応
答例 1 に示します。
入力 TLI1,2 と RLI1,2 に入力がなくなると、A 点での出力⊿VA は減少し、CO は放電を始めます。
コンデンサは、定電流源 I3 により吸い出されるため、電圧の下降勾配 δVC の目安は、
δVC ＝ -0.3μA / CO
・・・ (10.1.2)
で定義されます。例えば、CO=0.1uF の場合、δVC ＝ -3 V/sec になります。 信号が入力されなくなったときの信号応
答例については、応答例 2 をご覧ください。実際のアプリケーションでは、コンデンサの漏洩電流や等価直列抵抗等の影
響を受け、δVC は計算値とは完全には一致しませんので、実際のコンデンサを搭載してご確認ください。( 測定を行うとき
は、FET プローブ等、高入力インピーダンスで測定ください。 )
また、CO の値が小さくすると、入力終了時の検出速度が速くなりますが、低周波での整流特性が悪化し、次項目のノイズ
検出器のノイズ検出能力に影響を与えます。逆に CO の値を大きくすると、整流特性が改善し、ノイズ検出能力が向上しま
すが、入力終了時の検出が遅くなり、会話信号を常にノイズと判断したり、送受話の切替が遅くなる可能性があります。
CO の値は、実際のアプリケーションによるテストを行い、最適となる値をご選定ください。
なお、IC を正常に動作させるため、TLI1,TLI2,RLI1,RLI2 の入力電流 Iin が１00μA(絶対値：-40℃時) 以下になるようにして
ください。( 25℃時の正常動作保証値は、200μA です。 )
送話、受話アッテネータがそれぞれゲインモードで動作している場合、最大 9dB のゲインがかかっていますので、
TLI1,RLI2 の入力電流が過大にならないよう、特にご注意願います。過大入力が行われるとボイススイッチの切替が誤動
作します。
TLI1,RLI2 の各個別検出器が、次項目のノイズ検出器の動作モードを、アイドルモード→送話・受話の各モードに切り替え
る最小入力感度の関係と、最大許容電圧の、入力抵抗 Rin 依存性の特性例を、図 9 に示します。
Ci
R in
(C7,C8
(R4,R5
C18,C17) R12,R11) TLI2,1
RLI1,2
D1
AMP2
AMP1
V in
D2
Iin
A
TLO2,1
RLO1,2
IO
Ref
I2
0.54uA
I1
0.54uA
I3
0.3uA
Co
(C3,C20
C21,C4)
図 8 個別レベル検出器 のブロックダイヤグラム
外付部品 使用目的
Cin
直流カット
Rin
Co
- 18 -
V→I変換
推奨値
100nF～1μF
説明
-
5k～100kΩ
Iin＝Vin/Rin
レベル保持 0.05μF～1.0μF
δVC ＝ -0.3uA / CO
注意点
fc=1/(2π×Cin×Rin)でHPFを形成
各検出器の入力電流をそろえてください
Iin < １00μAでご使用ください
漏洩が小さいコンデンサを使用してください
数値が小さいと、低周波の
整流特性が悪化します。
NJW1124
400
1040
1040
MCO
TLO2
1020
300
200
1000
200
1000
100
980
100
980
0
960
-100
-200
MCO [mV]
300
TLO2 [mV]
MCO [mV]
MCO
TLO2
1020
0
960
δVc
940
-100
940
920
-200
920
900
-300
900
880
-400
TLO2 [mV]
400
⊿VA
-300
-400
0
1
2
3
4
5
880
0
6
5
10
15
20
25
30
35
40
time [m sec]
time [m sec]
応答例 1 MCO 対 TLO2 信号応答例 (入力開始時)
MCO = 200mVrms/1kHz、 C5 ＝ 0.1μF
応答例 2 MCO 対 TLO2 信号応答例 (入力終了時)
MCO = 200mVrms/1kHz、 C5 ＝ 0.1μF
10000
Minumum Sensitivity Voltage
MCO or FO Pin AC Voltage[mVrms]
Maximum Input Voltage
最大許容電圧
図 8 の Vin に入力できる最大音声電圧
→ MCO または FO の出力電圧と等価
1000
最小入力感度
アイドル→受話、アイドル→送話に切り替わる
最低音声電圧 (MCO,FO の電圧)
100
10
1
10
Input Resistance[kΩ]
100
※ 最大入力電圧は、R5 , R11 の抵抗値の 35%か、
R4 , R11 抵抗値のいずれか小さい方で規定する。
図 9 最低入力感度 対 入力抵抗 (理論値)
最大許容電圧 対 入力抵抗 (理論値)
(Input Resistance：R4 またｈR12 の抵抗値
R4=R5, R12=R11 で、
受話または送話どちらか一方からのみ
入力した場合の理論値)
- 19 -
- 19 -
NJW1124
(7.2) ノイズ検出器
ノイズ検出器 (Background Noise Monitor) は、マイクやラインから受信した信号が、会話であるかノイズであるかを判別
し、送話・受話・アイドリングモードの移行を行わせる検出器です。ノイズ検出器は、送話側、受話側のそれぞれに各 1 個
用意されており、それぞれ、TLO2 と RLO1 の電圧を用いてノイズの判別を行っています。ノイズ検出器のブロックダイヤグ
ラムを図 10 に示します。
前段の個別レベル検出器の出力(＝TLO2,RLO1 の電圧,)と Ref の差が、ノイズ検出器初段の AMP1 で 8.6dB ( 約 2.7 倍 )
増幅されます。この出力が、2 段目のアンプ AMP2 と コンパレータ COMP の非反転入力端子に入力されます。COMP の
非反転入力端子の電圧が反転入力端子の電圧(CPT,CPR の電圧)より 36mV 以上高くなると、COMP1 の出力は『1』となり、
送受話状態にあることを示すようになります。同時に、AMP2 の入力電圧よりも 46mV だけ、CCP の電圧が高くなるまで、
0.8uA の電流源から外部コンデンサに充電されます。CCP の充電による電圧上昇⊿VCCP は、
・・・ (10.2.1)
⊿VCCP＝ 0.8uA/CCP
例えば、CCP＝1μF のとき、δVCP＝0.8V/sec です。充電勾配例は、応答例 3 をご覧ください。
入力信号がなくなると、個列レベル検出器の電圧低下に比例して CCP は放電され、ノイズ検出器はリセットされます。応
答例を応答例 4 に示します。
連続正弦波のようなノイズ性の信号が入力されて、CCP が充電され続けて、コンパレータ COMP の非反転入力端子の電
圧よ高くなると、COMP の出力は『0』となり、ノイズを検出している状態へと移行します。
会話信号のように、不連続的な信号や音量の大小を繰り返すような信号を受信しているときは、CCP は短時間で充・放
電を繰り返し、COMP の出力は送受話の状態を示す『1』が、継続的に保持されます。
CCP の容量を小さくすると短時間でノイズ検出器の状態が『0』に移行しますので、値を小さくしすぎると会話信号も減衰さ
せてしまいます。逆に CCP の容量を大きくすると、長時間『1』の状態が保持されるため、ノイズを減衰させるまでの時間が長
くなります。適切な CCP の容量は、実際のアプリケーションの検討時に、程よい時間でノイズが検出されるように調整してく
ださい。
( CPT,CPR 端子の実際の電圧の測定を行うときは、高入力インピーダンスの測定機で測定ください。 )
C CP
(C2,C22)
送話系：TLO2
受話系：RLO1
送話系：CPT
受話系：CPR
0.8uA
46mV
19kΩ 32kΩ
AMP2
AMP1
個別レベル
検出器
COMP
Ref
送話系：S3
受話系：S4
36mV
図 10 ノイズ検出器 のブロックダイヤグラム
外付部品 使用目的
CCP
ノイズ検出
推奨値
100nF～1μF
説明
1300
1300
TLO2
CPT
TLO2
CPT
1250
1200
1200
1150
1150
TLO2 , CPT [mV]
TLO2 , CPT [mV]
1250
1100
1050
1000
1100
1050
1000
950
950
900
900
850
850
800
800
0
100
200
300
400
500
time [m sec]
応答例 3 TLO2 対 CPT 信号応答例 (入力開始時)
MCO = 200mVrms/1kHz、
C5 ＝ 0.1μF 、 C4 ＝ 1μF
- 20 -
注意点
ノイズ検出までの時間決定します
0
10
20
30
40
50
time [m sec]
応答例 4 TLO2 対 CPT 信号応答例 (入力終了時)
MCO = 200mVrms/1kHz、
C5 ＝ 0.1μF 、 C4 ＝ 1μF
NJW1124
８．アッテネータコントローラ
アッテネータコントローラ （Attenuator Control ）では、2 組の会話レベル検出器で検出された、S1～S4 の制御信号を、
表 1 の真理値表にしたがって、送話・受話のコントローラを制御します。
会話レベル検出器内の各論理レベル S1～S4 により、送話・受話アッテネータの動作状態を切り替えます。
S1～S4 の真理値表を表１に示します (RTSW＝Open 時)。
CT 端子に接続したコンデンサ C7 には、コントローラの CT 端子から、内部の 12uA の電流源によって、充放電されます。
アイドルモード→送話モード、受話→送話モード等、モードの移行時のコンデンサ C7 の電圧変化率 δVC5 は、
δVC7 ＝ ±12uA/C5
・・・ (11.1)
(C7 は CT 端子に接続したコンデンサ C5 の容量値です。)
初期状態において、CT 端子の電圧は、VREF の電圧と同電位なっております。送話モードに移行時は、C7 の電荷は電
流源から放電され、VREF よりも電圧が下がる方向に動きます。このときの動作状態については、応答例 5，応答例 6 をご
覧ください。ここで、VCT は、CT 端子の電圧から、VREF の電圧を引いた電圧値です。
受話モード時は、逆に C5 に電流源から充電され、CT 端子の電圧は上昇します。このときの CT 端子電圧の変化の仕方
は、応答例 5 の変化と絶対値が同じで、電圧は＋方向に動きます。
動作状態は、CT ピンの電圧をモニターすることでチェックすることができます。（CT 端子の電圧をモニターするときは、
高インピーダンスのプローバを使用してください。）
動作モードの「FAST アイドルモード」では、CT 端子と内部の VREF が 10kΩ（RA1）で接続され、CT 端子に接続されたコン
デンサ C7 の電荷を急速に VREF に向かって充放電するため、急速にアイドルモードに移行します。SLOW アイドルモード
では、接続される抵抗が 0.6MΩ（RA2）となり、緩やかにアイドルモードに移行する状態となります。
それぞれのモードにおける時定数τは、
τ＝RAXC5
・・・ (11.2)
で表現されます。(RAX は、RA1、RA2 の抵抗値。τ秒後に、電圧が初期値の 1/e に減衰します。)
例えば、C7 が 1μF のとき、SLOW アイドルモード時の時定数τは、600m sec となります。
実際の送・受話アッテネータの減衰量は、CT 端子の電圧に対して係数がかかった状態でコントロールされます。
送・受話アッテネータの利得 GAT の概算値は、
GAT（TX） ＝ 0.1 × exp { -VCT / 0.026 } (送話アッテネータ)
・・・ (11.3)
GAT（Rx） ＝ 0.1 × exp { VCT / 0.026 } (受話アッテネータ)
・・・ (11.4)
と表されます。
上記の式(11.3)より、C5 = 1μF 時。SLOW モードのアッテネータの減衰量の時定数は、約 225m sec です。送波形の応答
については、応答例 6 をご覧ください。VCT と GAT の関係は、図 11 をご覧ください。
なお、調整時は CT 端子のコンデンサの容量を調整する前に、TLI1,2 と RLI1,2 の抵抗値 → TLO1,2 と RLO1,2 のコンデ
ンサの値→CPT,CPR のコンデンサの数値の順に調整し、CT 端子のコンデンサ C5 の値は、それでも調整が不十分 (会話
信号の減衰が早い時や、送受話の切替が遅い時など) のとき、標準の 1μF から変更するようにしてください。
表 1 モード切替真理値表
S1
Tx
Tx
Rx
Rx
Tx
Tx
Rx
RX
S2
Tx
Rx
Tx
Rx
Tx
Rx
Tx
Rx
S3
1
y
y
X
0
0
0
X
S4
X
y
y
1
X
0
0
0
モード
送話モード
FASTアイドルモード
FASTアイドルモード
受話モード
SLOWアイドルモード
SLOWアイドルモード
SLOWアイドルモード
SLOWアイドルモード
S1 ： RLO2とTLO2の比較結果(RLI2とTLI2・・・親機側のレベル検出)
RLO2>TLO2で『Rx』、TLO2>RLO2で『Tx』
S2 ： RLO1とTLO1の比較結果(RLI1とTLI1・・・子機側のレベル検出)
RLO1>TLO１で『Rx』、TLO1>RLO１で『Tx』
S3＆S4 ： バックグラウンドノイズモニタの出力
会話を検出した状態で『1』、ノイズと判定した場合
『0』
『X』 ： 条件によらない
『ｙ』 ： C3,C4の両方が『0』ではない
- 21 -
- 21 -
NJW1124
10
VCT
MCO
0
400
800
300
600
200
400
100
200
TXO
MCO
-10
-40
MCO[mV]
VCT [mV]
-30
0
-50
MCO , TCO [mV]
-20
-100
0
-200
-60
-200
-400
-300
-600
-400
-800
-70
-80
-90
0
2
4
6
8
10
12
14
0
2
4
6
time [m sec]
応答例 5 MCO 対 (CT-VREF) 信号応答例
(入力開始時)
MCO = 200mVrms/1kHz、C7 ＝ 1μF
8
time [m sec]
10
12
14
応答例 6 MCO 対 TXO (AC) 信号応答例
(入力開始時)
MCO = 200mVrms/1kHz、C7 ＝ 1μF
800
10
0
2.5
TXO
GATTx
600
2.0
1.5
-10
400
1.0
-20
200
-40
-50
0.5
0
0.0
-0.5
-200
-1.0
-60
-400
-1.5
360m sec
-70
-600
-2.0
-80
-800
-90
0
250
500
750
1000
1250
1500
1750
0
2000
250
500
750
1000
1250
1500
1750
応答例 7 (CT-VREF) 信号応答例 (信号継続入力時)
MCO = 200mVrms/1kHz、C7 ＝ 1μF
SLOW アイドルモード
応答例 8 GAT(Tｘ) (換算値) 対 TCO 信号応答例
(信号継続入力時)
MCO = 200mVrms/1kHz、C7 ＝ 1μF
SLOW アイドルモード
10
GAT(TX)
GAT(RX)
0
GAT [dB]
-10
２． 受話減衰器 (ブロック：受話回路系)
３． 送話減衰器 (ブロック：送話回路系)
の項目もご参照ください
-20
-30
-40
-50
-100
-75
-50
-25
-2.5
2000
time [m sec]
time [m sec]
0
25
50
VCT [mV]
図 11 GAT 対 VCT 計算値
- 22 -
GAT(Tx)
TXO [mV]
VCT [mV]
-30
75
100
NJW1124
９．強制送受話スイッチ(RTSW)
RTSW は、送・受話のモードを強制的に切り替えます。RTSW で受話→送話に強制的にモードを切り替えたときの CT 端
子の電圧を強制的に変化させて、送・受話のモードを切り替えます。受話→送話モードを切り替えたときの応答例を、応答
例 9 に示します。
100
80
受話モードレベル
60
40
VCT [mV]
20
0
RTSW切り替え
受話→送話
-20
-40
-60
送話モードレベル
-80
-100
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
time [m sec]
応答例 9 RTSW 切り替え時の VCT 応答例
(受話モード→送話モードに切り替え) C7 ＝ 1μ
V+
RTSW が V+ -0.3V 以上で、
『Hi』 を出力するコンパレータ
0.3V~1.0V
Comp2
Comp1
RTSW
(External)
このコンパレータが『Hi』だと、
強制受話モード。
Force RX
(Internal)
Force TX
(Internal)
600k Ω
0.3V~1.0V
VREF
(V+ / 2)
RTSW が -0.3V 以下で、
『Hi』 を出力するコンパレータ
このコンパレータが『Hi』だと、
強制送話モード。
NJW1124
RTSW 端子の電圧に対するモードの変化も以下に示します。
AUTO(idle)モードにする方法としては、端子を OPEN にする以外にも、1.0V～(V+-1.0V)の範囲にする方法があります。
RTSW Voltage
Force Rx
Force Tx
Mode
GND ~ 0.3V
Lo
Hi
Tx-Mode
0.3V ~ 1.0V
Lo
transition range not supported
1.0V ~ (V+ -1.0V)
Lo
Lo
Auto (Idle) Mode
(V+ -1.0V) ~ (V+ -0.3V) transition range
Lo
not supported
(V+ -0.3V) ~ V+
Hi
Lo
Rx-Mode
RTSW PIN Voltage vs Rx&Tx ATT. Gain
(V+=3.3V)
RTSW PIN Voltage vs Rx&Tx ATT. Gain
(V+=4.0V)
10
10
0
0
Tx 25℃
Rx & Tx ATT. Gain
-10
Tx -40℃
-10
Rx -40℃
Tx 85℃
Rx 85℃
Rx 25℃
Rx -40℃
Rx 25℃
Tx 25℃
Rx 25℃
-20
-30
Rx 85℃
Tx 85℃
Rx 85℃
Rx & Tx ATT. Gain
Tx 85℃
-20
Tx 85℃
Rx 85℃
-30
Tx 25℃
Rx -40℃
Tx -40℃
Tx 25℃
Rx 25℃
Tx -40℃
Tx -40℃
Rx -40℃
-40
-40
-50
-50
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0
RTSW PIN Voltage [V]
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
RTSW PIN Voltage [V]
- 23 -
- 23 -
NJW1124
１０．音響結合の軽減
ドアホン、送話側・受話側共に音響結合が大きいアプリケーションの場合、この音響結合が原因で、送受話が希望通りに
行えなくなることがあります。
音響結合による影響の軽減には、受話側・送話側の双方において、スピーカとマイクの距離を離す以外に、TLI1,2 と
RLI1,2 に接続する抵抗の数値を調整し、感度の調整を行うことが有効です。
具体的には、Tx , Rx の各アッテネータの出力側の検出器入力 TLI1,RLI2 の入力抵抗 R5,R11 に対して、RLI1,TLI2 の入
力抵抗 R12, R4 の抵抗値を 2 倍～ 6 倍程度大きい値に設定してください。
これによって、音響結合によって発生するエコーに対する感度を減少し、望まないモードへの切替を抑制することが出来
ます。
C6 R2
100n 5.1k
R3
51k
C9
R6
100n 5.1k
C8
100n
C7
100n
R7
51k
Microphone
R4
51k
MCO
MCI
TLI2
TLI1
Line Out
C10
R5
10k
TXO
LII
LiO-
LiO+
V+
V
+
感度：低
R1
300k
C1
1μ
C3
470n
C4
470n
受話音声の
音響結合
C2
1u
V+
VREF
Line Amplifier
Monitor
MUT
C5
Level
Detector
TLO2
+
RLO2
Background
NoiseMonitor
CPT
TLI2 の抵抗値を RLI2 の 2 倍～6
CT 倍に 1μ
V
することで、音響結合によるエコーに対
RTSW
する Level Detector
(検出器) の感度 C22
Background
NoiseMonitor
1μ
CPR
を落としている。
Attenuator
Control
Level
Detector
感度：高
TLO1
RLO1
C23
1μ
C11
1μ
-1
Tx Attenuator
Mic
Amplifier
VREF
VREF
BIAS
C21
470n
Receive
Amplifier
IC1
NJW1124
VREF2
C20
470n
Rx Attenuator
GND
VREF
1.2μ A
RXO RLI2
V+
R10
15k
+
受話音声
C16
10μ
C15
1μ
VLC
RLI1 FO
R12
51k
5.0V
C17
100n
C13
R11
10k
RVLC
C18
100n
R13
5.1k
FI
R14
5.1k
C19
100n
Recive In
受話音声
1μ
Speaker
IC2
NJU7084
Power Amplifier
C14 1 μ
R9
22k
R8
11k
C12
100n
図 12 音響結合軽減時の信号の概念図
なお、Tx , Rx の各アッテネータの出力側の検出器入力 TLI1,RLI2 の入力抵抗 R5,R11 に対して、TLI2,RLI1 の入力抵抗
R4, R12 の抵抗値を 6 倍程度までは、Tx、Rx の各アッテネータのアイドルモードの最小減衰量-17dB(約 7 分の 1)によって、
最小入力感度は R5、R11 の抵抗値が支配的であり、R4, R12 を大きくしても、最小入力感度の上昇はほとんど起こりませ
ん。
※ ただし、R4 , R12 の感度を下げると、ノイズ検出器がノイズモードに移行する時間が早くなりますので、ノイズモードの
移行が早くなりすぎる場合は、CPT,CPR につけるコンデンサの容量を大きくすることで、対応してください。
- 24 -
NJW1124
【付録１】
電源 ON/OFF 時のポップノイズについて
電源投入の順番を適切にする事で、ポップ音の対策が可能です。
○初期状態：全 IC への電源供給停止状態。
SP アンプ IC の CD(チップディセーブル)スイッチは省電力モード状態。
Line OUT 、Receive In に接続される回路の電源も停止状態。
【電源 ON 時シーケンス】
① NJW1124 の 電源を投入する。同時に Recive In に接続されている回路の電源も投入する。
② 1sec 程度のウェイトの後、Line OUT に接続される回路と、SP アンプ IC の電源を投入する。
③ 1sec 程度のウェイトの後、SP アンプの CD スイッチを、アクティブモードに投入する。
【電源 OFF 時シーケンス】
① SP アンプの CD スイッチを、省電力モードに投入する。
② 1sec 程度のウェイトの後、Line OUT に接続される回路と、SP アンプ IC の電源を OFF にする。
③ 1sec 程度のウェイトの後、NJW1124 の 電源を OFF にする。同時に Recive In に接続されている回路の電源も OFF
する。
- 25 -
- 25 -
NJW1124
【付録 2】
受話アンプ、マイクアンプ、ラインアンプを用いたフィルタ回路
マイクアンプ、受話アンプ、及びラインアンプを用いて、アクティブフィルタ回路を形成することが可能です。
フィルタ回路は単帰還型(1 次)か、多重帰還型(2 次)の HPF , LPF , BPF をそれぞれ形成することが可能です。
下図に、構成可能なフィルタ回路の例を示します。(回路例では、受話アンプを用いて説明します。)
① 単帰還型 HPF , LPF (BPF) 回路例
図 13 に単帰還型 HPF,LPF の回路例を示します。
この回路では、それぞれ 1 次(-6dB/oct)の HPF、LPF を形成可能です。
C0 と R1 で HPF、C1 と R2 で LPF をそれぞれ形成し、両方を組み合わせる事により BPF を形成します。
（なお、C0 は標準アプリケーション回路でも用いており、直流デカップリングのため必須となります。）
R2
C0
f C ( LPF )
R1
FI
Receive In
1
2πC0 R1
1
=
2πC1R2
f C ( HPF ) =
C1
Response
FO
+6dB/oc
-6dB/oct
Ref
図 13 単帰還型 HPF,LPF 回路例
Frequency
fc(HPF)
fc(LPF)
②多重帰還型 LPF 回路例
図 14 に、2 次 (-12dB/oct) の多重帰還型 LPF の回路例を示します。
（単帰還型と同様、C0 は直流デカップリングのため必須となります。これにより実質的に BPF として動作します。
）
バターワース型のフィルタを構成する場合の係数の設定は、下記のとおりとなります。(C2 を任意に選定したとき。)
R2
C0
FI
Receive In
FO
C1
Ref
Response
+6dB/oc
-12dB/oct
Frequency
fc(LPF)
※ fc(HPF)は単帰還型の計算と同様です。
- 26 -
R2 =
1
R3 =
2 2πf C ( LPF )C2
1
2 2 (G + 1)πf C ( LPF )C2
C1 = 2(G + 1)C2
G = Gain
図 14 多重帰還型 LPF 回路例
fc(HPF)
1
2 2Gπf C ( LPF )C2
C2
R3
R1
R1 =
NJW1124
図 15 に、Gain＝20dB、fc(LPF) = 4kHz の LPF の回路例を示します。
C0
56k
5.1k
5.6k
510p
FI
Receive In
FO
12n
Ref
図 15 多重帰還型 LPF 回路例
Gain＝20dB、fc(LPF) = 4kHz 、バターワース型
②多重帰還型 HPF 回路例
図 16 に、2 次 (+12dB/oct) の多重帰還型 HPF の回路例を示します。
バターワース型のフィルタを構成する場合の係数の設定は、C0 = C2 とすると、下記のとおりとなります。
C1
C0
R1 =
R2
C2
R2 =
FI
Receive In
FO
R1
2
2πf C ( HPF )C0 (2 + 1 / G )
2G + 1
2πf C ( HPF )C0
C0
G
* C0 = C2
C1 =
Ref
図 16 多重帰還型 HPF 回路例
図 17 に、Gain＝20dB、fc(HPF) = 200Hz の HPF の回路例を示します。
100n
10n
100n
160k
FI
Receive In
FO
5.6k
Ref
図 17 多重帰還型 HPF 回路例
Gain＝20dB、fc(HPF) = 200Hz 、バターワース型
本アプリケーションノートにおける数値、グラフ等は、特性例であり、性能を保証するものではありません。
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NJW1124
【付録 3】
名称
Cin
Rin
Co
Ccp
Cct
送受話アッテネータコントロール関連 の 部品と推奨定数、機能説明の一覧です。
部品名
推奨値
C7,C8,C17,C18 100nF～1μF
説明
入力カップリングコンデンサです。RinとHPFを形成します。
V→I変換抵抗です。
電流値は、各Level検出器とノイズ検出器の感度を決定します。
抵抗値を小さくすると、感度が高くなります。
R4,R5,R11,R12 5.1k～51kΩ 抵抗値を大きくすると、感度が低くなります。
なお、入力電圧/Rinが100uA以下となるように設計してください。
(25℃時の保証値は、200uAです。)
レベル保持用コンデンサです。
容量を大きくすると、切替時間が長くなります。
C4,C5,C20,C21 0.05μF～1μF
容量を小さくすると、切替時間は早くなりますが、整流特性が悪化するため、
低周波でのバックノイズモニタが動作しにくくなります。
ノイズ判定用のコンデンサです。
定常的に出ている信号がノイズであるか判断するために使用します。
C2,C22
100nF～1μF
容量を大きくすると、ノイズであると判断するまでの時間が長くなります。
容量を小さくすると、ノイズであると判断するまでの時間が短くなります。
送受話アッテネータを、コントロールするための電圧を発生させます。
この容量を大きくすると、切替やアイドルモードでの減衰時間が長くなります。
容量を小さくすると、切替やアイドルモードの減衰時間が長くなります。
C5
1μF
この端子は、インピーダンスが高いため、隣接するピン等と、結露などによる導通が
発生しないように注意してください。
(数メガΩ程度の導通でも、アッテネータのゲインを乱します。)
＜注意事項＞
このデータブックの掲載内容の正確さには
万全を期しておりますが、掲載内容について
何らかの法的な保証を行うものではありませ
ん。とくに応用回路については、製品の代表
的な応用例を説明するためのものです。また、
工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴
うものではなく、第三者の権利を侵害しない
ことを保証するものでもありません。
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