NJG1135MD7 CDMA デュアルバンド低雑音増幅器 GaAs MMIC ! 概要 NJG1135MD7 は CDMA2000(Cellular・PCS)端末での使用を主目的としたデュ アルバンド低雑音増幅器です。 LNA バイパス機能により High Gain モード／Low Gain モードの切り替えが可能です。High gain モード時には高 IIP3、低雑音を 実現し、Low Gain モード時には低雑音増幅器がスタンバイ状態となるため、低 消費電流を実現することができます。パッケージには、EQFN14-D7 パッケージ を採用し、小型化、薄型化を実現しました。 ! 特徴 "低電圧動作 "低切替電圧 ! 外形 NJG1135MD7 +2.8V typ. +1.8V min. [LNA high gain モード] "高入力 IP3 +10dBm typ. +8dBm typ. +16dB typ. 1.4dB typ. "高利得 "低雑音指数 [LNA low gain モード] "低消費電流 "高入力 IP3 30uA typ. +19dBm typ. @ f=880MHz +17dBm typ. @ f=1960MHz EQFN14-D7 (パッケージサイズ: 1.6x1.6x0.397mm typ, 鉛・ハロゲンフリー) " 小型・薄型パッケージ ! 端子配列 @ f=880MHz @ f=1960MHz @ f=880MHz / 1960MHz @ f=880MHz / 1960MHz (Top View) 11 10 9 8 12 Cellular 7 13 PCS 6 14 5 1 2 3 ピン配置 1. GND 2. VCTL2 3. VCTL1 4. GND 5. RFOUT1 6. RFOUT2 7. GND 8. GND 9. GND 10. GND 11. GND 12. RFIN2 13. RFIN1 14. GND 4 ! 真理値表 “H”=VCTL(H), “L”=VCTL(L) VCTL1 VCTL2 L L H H L H L H Cellular バンド LNA Bypass OFF ON ON OFF OFF ON ON OFF PCS バンド LNA Bypass OFF ON OFF ON ON OFF ON OFF 注: 本資料に記載された内容は、予告変更することがありますので、ご了承下さい。 Ver. 2008-10-31 -1- NJG1135MD7 ! 絶対最大定格 (Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω) 項目 記号 条件 定格 単位 5.0 V VCTL1, VCTL2 端子 5.0 V 電源電圧 VDD 切替電圧 VCTL 入力電力 Pin VDD=2.8V +15 dBm 消費電力 PD 4-layer FR4 PCB with through-hole (74.2x74.2mm), Tj=150°C 1300 mW 動作温度 Topr -40~+85 °C 保存温度 Tstg -55~+150 °C ! 電気的特性 1 (DC 特性) (共通条件: VDD=2.8V, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω) 項目 最小 標準 最大 単位 VDD 2.65 2.8 2.95 V 切替電圧 (High) VCTL(H) 1.8 2.8 2.95 V 切替電圧 (Low) VCTL(L) -0.3 0 0.3 V 動作電圧 動作電流 1 (Cellular バンド:High Gain モード) 動作電流 2 (PCS バンド High Gain モード) 動作電流 3 (LNA all off モード) 記号 IDD1 IDD2 IDD3 条件 RF OFF, VCTL1=0V, VCTL2=2.8V RF OFF, VCTL1=2.8V, VCTL2=0V RF OFF, VCTL1=0V, VCTL2=0V - 10 14 mA - 10 14 mA - 30 60 μA 切替電流 1 ICTL1 RF OFF, VCTL1=2.8V - 17 30 μA 切替電流 2 ICTL2 RF OFF, VCTL2=2.8V - 17 30 μA -2- NJG1135MD7 ! 電気的特性 2 (Cellular バンド: LNA High Gain モード) (共通条件: VDD=2.8V, VCTL1=0V, VCTL2=2.8V, fRF=880MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 測定回路による) 項目 小信号利得 1 雑音指数 1 1dB 利得圧縮時 入力電力 1 入力3 次インター セプトポイント 1 記号 Gain1 NF1 条件 基板、コネクタ損失 (入出力両側 0.11dB)を除く 基板、コネクタ損失 (入力側 0.06dB)を除く P-1dB_1 IIP3_1 f1=fRF, f2=fRF+100kHz, Pin=-25dBm 最小 標準 最大 単位 14.5 16.0 - dB - 1.4 1.8 dB -8 -4 - dBm +7 +10 - dBm RF IN VSWR 1 VSWRi _1 - 1.5 2.0 RF OUT VSWR 1 VSWRo_1 - 1.5 2.0 ! 電気的特性 3 (Cellular バンド: LNA Low Gain モード) (共通条件: VDD=2.8V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, fRF=880MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω,, 測定回路による) 項目 小信号利得 2 雑音指数 2 1dB 利得圧縮時 入力電力 2 入力3 次インター セプトポイント 2 記号 Gain2 NF2 条件 基板、コネクタ損失 (入出力両側 0.11dB)を除く 基板、コネクタ損失 (入出力両側 0.11dB)を除く P-1dB_2 IIP3_2 f1=fRF, f2=fRF+100kHz, Pin=-12dBm 最小 標準 最大 単位 -4.0 -2.5 - dB - 2.5 5.0 dB +3.5 +10.5 - dBm +15 +19 - dBm RF IN VSWR 2 VSWRi _2 - 2.0 2.5 RF OUT VSWR 2 VSWRo_2 - 1.5 2.0 -3- NJG1135MD7 ! 電気的特性 4 (PCS バンド: LNA High Gain モード) (共通条件: VDD=2.8V, VCTL1=2.8V, VCTL2=0V, fRF=1960MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 測定回路による) 項目 小信号利得 3 雑音指数 3 1dB 利得圧縮時 入力電力 3 入力3 次インター セプトポイント 3 記号 Gain3 NF3 条件 基板、コネクタ損失 (入出力両側 0.22dB)を除く 基板、コネクタ損失 ( 入力側 0.12dB)を除く P-1dB_3 IIP3_3 f1=fRF, f2=fRF+100kHz, Pin=-25dBm 最小 標準 最大 単位 14.5 16.0 - dB - 1.4 1.8 dB -10 -6 - dBm +5 +8 - dBm RF IN VSWR 3 VSWRi _3 - 2.3 3.1 RF OUT VSWR 3 VSWRo_3 - 1.5 2.2 ! 電気的特性 5 (PCS バンド: LNA Low Gain モード) (共通条件: VDD=2.8V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, fRF=1960MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 測定回路による) 項目 小信号利得 4 雑音指数 4 1dB 利得圧縮時 入力電力 4 入力3 次インター セプトポイント 4 記号 Gain4 NF4 条件 基板、コネクタ損失 (入出力両側 0.22dB)を除く 基板、コネクタ損失 (入出力両側 0.22dB)を除く P-1dB_4 IIP3_4 f1=fRF, f2=fRF+100kHz, Pin=-12dBm 最小 標準 最大 単位 -5.0 -3.5 - dB - 4.0 5.5 dB +1.5 +8.5 - dBm +13 +17 - dBm RF IN VSWR 4 VSWRi _4 - 2.3 2.9 RF OUT VSWR 4 VSWRo_4 - 1.5 2.0 -4- NJG1135MD7 ! 端子情報 番号 端子名 1 GND 機能説明 接地端子 コントロール端子 VCTL2 です。本端子への印加電圧(論理信号)によって Cellular バンド LNA の High Gain モードか Low Gain モードを選択します。 High Gain モードを選択する場合には+1.8V～+2.95V の電圧を、Low Gain モ ードを選択する場合は-0.3V～+0.3V の電圧を印加して下さい。 コントロール端子 VCTL1 です。本端子への印加電圧(論理信号)によって PCS バンド LNA の High Gain モードか Low Gain モードを選択します。High Gain モードを選択する場合には+1.8V～+2.95V の電圧を、Low Gain モード を選択する場合は-0.3V～+0.3V の電圧を印加して下さい。 2 VCTL2 3 VCTL1 4 GND 5 RFOUT1 6 RFOUT2 7 GND 接地端子。ただし、本端子は IC 内部回路と接続されていません。 8 GND 接地端子 9 GND 接地端子。ただし、本端子は IC 内部回路と接続されていません。 10 GND 接地端子。ただし、本端子は IC 内部回路と接続されていません。 11 GND 接地端子 12 RFIN2 外部整合回路を介して Cellular バンドの RF 入力信号が入力されます。この 端子には DC ブロッキングキャパシタが内蔵されています。 13 RFIN1 外部整合回路を介して PCS バンドの RF 入力信号が入力されます。この端子 には DC ブロッキングキャパシタが内蔵されています。 14 GND 接地端子。ただし、本端子は IC 内部回路と接続されていません。 接地端子 外部整合回路を介して PCS バンドの RF 信号が出力されます。この端子は LNA 電源電圧供給端子も兼ねていますので、推奨回路図に示す L4 を介して 電源を供給して下さい。推奨回路図に示す C2 はバイパスコンデンサです。 外部整合回路を介して Cellular バンドの RF 信号が出力されます。この端子 は LNA 電源電圧供給端子も兼ねていますので、推奨回路図に示す L8 を介し て電源を供給して下さい。推奨回路図に示す C2 はバイパスコンデンサです。 注意事項 1) 接地端子 (1, 4, 8, 11番端子) は、インダクタンスが小さくなり良好なRF 特性が得られるように、 極力グランドプレーンの近くに接続して下さい。 -5- NJG1135MD7 ! 特性例 (Cellular バンド: LNA High Gain モード) (共通条件: VDD=2.8V, VCTL1=0V, VCTL2=2.8V, fRF=880MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 測定回路による) Pout vs. Pin Gain, IDD vs. Pin f=880MHz f=880MHz 20 20 Gain (dB) Pout 0 -10 15 14 10 12 IDD (mA) Gain 10 Pout (dBm) 16 IDD 5 10 -20 P-1dB(IN)=-4.5dBm -30 -20 P-1dB(IN)=-4.5dBm -10 0 0 -40 10 -30 Pin (dBm) f1=880MHz, f2=f1+100kHz f1=840~920MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-25dBm 26 20 25 Pout OIP3 (dBm) Pout, IM3 (dBm) 8 10 0 OIP3, IIP3 vs. frequency 40 -20 -10 Pin (dBm) Pout, IM3 vs. Pin 0 -20 IM3 -40 -60 -80 14 13 OIP3 24 12 23 11 22 10 21 IIP3 9 20 8 19 7 IIP3=+9.8dBm -100 -30 -20 -10 0 10 6 18 840 850 860 870 880 890 900 910 920 20 Pin (dBm) frequency (MHz) Gain, NF vs. frequency f=750~1000MHz 18 4 17 3.5 Gain 3 15 2.5 14 2 13 1.5 NF 12 0.5 11 10 750 800 850 900 frequency (MHz) -6- 1 950 0 1000 NF (dB) Gain (dB) 16 IIP3 (dBm) -30 -40 NJG1135MD7 ! 特性例 (Cellular バンド: LNA High Gain モード) (共通条件: VDD=2.8V, VCTL1=0V, VCTL2=2.8V, fRF=880MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 測定回路による) S11, S22 S21, S12 VSWR Zin, Zout S11, S22 (~20GHz) S21, S12 (~20GHz) -7- NJG1135MD7 ! 特性例 (Cellular バンド: LNA High Gain モード) (共通条件: VDD=2.8V, VCTL1=0V, VCTL2=2.8V, fRF=880MHz, Zs=Zl=50Ω, 測定回路による) Gain, NF vs. Temperature P-1dB(IN) vs. Temperature f=880MHz f=880MHz 18 3.5 Gain 3 15 2.5 14 2 13 1.5 NF 12 P-1dB(IN) (dBm) 16 1 11 10 -40 P-1dB(IN) -4 NF (dB) Gain (dB) 17 -2 4 -6 -8 -10 0.5 -20 0 20 40 60 80 -12 -40 0 100 -20 0 o 20 40 60 80 100 o Temperature ( C) Temperature ( C) VSWRi, VSWRo vs. Temperature OIP3, IIP3 vs. Temperature f=880MHz f1=880MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-25dBm 27 3 13 OIP3 26 12 24 10 23 9 IIP3 VSWRi, VSWRo 11 IIP3 (dBm) OIP3 (dBm) 2.5 25 2 VSWRi 1.5 22 8 VSWRo 21 -40 -20 0 20 40 60 80 1 -40 7 100 -20 0 IDD, ICTL2 vs. Temperature 60 35 12 30 IDD 20 15 6 15 ICTL2 4 10 2 K factor 20 ICTL2 (uA) 25 8 10 5 o Ta=-40oC Ta=25 C o Ta=60 C Ta=0 C Ta=85 C o Ta=-20 C 5 o -20 0 20 40 60 o Temperature ( C) -8- 100 f=50M~20GHz 14 0 -40 80 K factor vs. frequency RF off IDD (mA) 40 Temperature ( C) Temperature ( C) 10 20 o o 80 0 100 0 0 5 10 o 15 frequency (GHz) 20 NJG1135MD7 ! 特性例 (Cellular バンド: LNA Low Gain モード) (共通条件: VDD=2.8V, VCTL1=0V, VCTL2=2.8V, fRF=880MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 測定回路による) Pout vs. Pin Gain, IDD vs. Pin f=880MHz 0 -2 Pout -10 -20 250 Gain 200 -4 150 -6 100 IDD (uA) 0 Gain (dB) Pout (dBm) f=880MHz 10 IDD -30 -8 50 P-1dB(IN)=-+13.0dBm -20 -10 0 P-1dB(IN)=+13.0dBm 10 -10 -30 20 -20 Pin (dBm) 0 10 0 20 Pin (dBm) Pout, IM3 vs. Pin OIP3, IIP3 vs. frequency f1=840~920MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-12dBm f1=880MHz, f2=f1+100kHz 40 26 26 20 25 25 0 24 24 Pout IIP3 OIP3 (dBm) Pout, IM3 (dBm) -10 -20 -40 -60 23 23 22 22 20 IM3 -80 21 21 OIP3 IIP3 (dBm) -40 -30 20 19 19 IIP3=+23.5dBm -100 -20 -10 0 10 20 18 18 840 850 860 870 880 890 900 910 920 30 Pin (dBm) frequency (MHz) Gain, NF vs. frequency f=750~1000MHz 0 8 -1 7 6 Gain -3 5 -4 4 -5 3 -6 2 NF -7 -8 750 800 850 900 950 NF (dB) Gain (dB) -2 1 0 1000 frequency (MHz) -9- NJG1135MD7 ! 特性例 (Cellular バンド: LNA Low Gain モード) (共通条件: VDD=2.8V, VCTL1=0V, VCTL2=2.8V, fRF=880MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 測定回路による) S11, S22 - 10 - S21, S12 VSWR Zin, Zout S11, S22 (~20GHz) S21, S12 (~20GHz) NJG1135MD7 ! 特性例 (Cellular バンド: LNA Low Gain モード) (共通条件: VDD=2.8V, VCTL1=0V, VCTL2=2.8V, fRF=880MHz, Zs=Zl=50Ω, 測定回路による) P-1dB(IN) vs. Temperature Gain, NF vs. Temperature f=880MHz f=880MHz 8 -1 7 Gain 6 -3 5 -4 4 -5 3 NF -6 2 -7 1 -8 -40 -20 P-1dB(IN) 14 0 20 40 60 80 NF (dB) Gain (dB) -2 16 P-1dB(IN) (dBm) 0 12 10 8 6 4 -40 0 100 -20 0 20 OIP3, IIP3 vs. Temperature f1=880MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-12dBm 26 2.5 24 IIP3 22 20 20 18 18 16 16 0 20 40 60 80 IIP3 (dBm) OIP3 (dBm) OIP3 3 VSWRi, VSWRo 26 -20 100 f=880MHz 28 14 -40 80 VSWRi, VSWRo vs. Temperature 28 22 60 Temperature ( C) Temperature ( C) 24 40 o o VSWRi 2 1.5 VSWRo 1 -40 14 100 -20 0 o 20 40 60 80 100 o Temperature ( C) Temperature ( C) IDD vs. Temperature K factor vs. frequency RF off f=50M~20GHz 60 20 50 15 30 K factor IDD (uA) 40 IDD 10 20 5 o Ta=-40oC 10 Ta=25 C o Ta=60 C Ta=0 C Ta=85 C o Ta=-20 C o 0 -40 0 -20 0 20 40 60 o Temperature ( C) 80 100 0 5 10 o 15 20 frequency (GHz) - 11 - NJG1135MD7 ! 特性例 (PCS バンド: LNA High Gain モード) (共通条件: VDD=2.8V, VCTL1=0V, VCTL2=2.8V, fRF=1960MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 測定回路による) Pout vs. Pin Gain, IDD vs. Pin f=1960MHz f=1960MHz 20 20 14 Gain -10 15 12 10 10 5 -20 -20 P-1dB(IN)=-6.3dBm -10 0 0 -40 10 -30 Pin (dBm) 6 10 f1=1.9~2.0GHz, f2=f1+100kHz, Pin=-25dBm f1=1960MHz, f2=f1+100kHz 26 20 25 Pout 24 OIP3 (dBm) Pout, IM3 (dBm) 0 OIP3, IIP3 vs. frequency 40 -20 -40 -10 Pin (dBm) Pout, IM3 vs. Pin 0 -20 IM3 -60 -80 14 13 OIP3 12 23 11 22 10 IIP3 21 9 20 8 19 7 IIP3=+8.2dBm -100 -30 -20 -10 0 10 18 1.9 20 Gain, NF vs. frequency f=1.8~2.1GHz 18 4 17 3.5 2.5 14 2 13 1.5 NF 12 0.5 11 1.85 1.9 1.95 2 frequency (GHz) - 12 - 1 2.05 0 2.1 NF (dB) Gain (dB) 3 Gain 15 10 1.8 1.94 1.96 frequency (GHz) Pin (dBm) 16 1.92 1.98 2 6 IIP3 (dBm) -30 8 IDD P-1dB(IN)=-6.3dBm -30 -40 IDD (mA) Pout 0 Gain (dB) Pout (dBm) 10 NJG1135MD7 ! 特性例 (PCS バンド: LNA High Gain モード) (共通条件: VDD=2.8V, VCTL1=0V, VCTL2=2.8V, fRF=1960MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 測定回路による) S11, S22 S21, S12 VSWR Zin, Zout S11, S22 (~20GHz) S21, S12 (~20GHz) - 13 - NJG1135MD7 ! 特性例 (PCS バンド: LNA High Gain モード) (共通条件: VDD=2.8V, VCTL1=0V, VCTL2=2.8V, fRF=1960MHz, Zs=Zl=50Ω, 測定回路による) Gain, NF vs. Temperature P-1dB(IN) vs. Temperature f=1960MHz f=1960MHz 18 3.5 Gain 3 15 2.5 14 2 13 1.5 NF 12 1 11 10 -40 P-1dB(IN) (dBm) -4 16 NF (dB) Gain (dB) 17 -2 4 -6 P-1dB(IN) -8 -10 0.5 -20 0 20 40 60 80 -12 -40 0 100 -20 0 Temperature (oC) 20 40 60 80 100 Temperature (oC) OIP3, IIP3 vs. Temperature VSWRi, VSWRo vs. Temperature f1=1960MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-25dBm 26 f=1960MHz 3 12 OIP3 25 11 10 23 9 IIP3 22 8 VSWRi, VSWRo 24 IIP3 (dBm) OIP3 (dBm) 2.5 VSWRi 2 1.5 21 20 -40 VSWRo 7 -20 0 20 40 60 80 1 -40 6 100 -20 0 o 20 40 60 Temperature ( C) K factor vs. frequency RF off f=50M~20GHz 14 35 12 30 20 o Ta=-40oC Ta=25 C o Ta=60 C Ta=0 C Ta=85 C o Ta=-20 C o 15 ICTL1 4 10 2 5 -20 0 20 40 60 o Temperature ( C) - 14 - 80 0 100 K factor 6 ICTL1 (uA) IDD (mA) 20 o 15 25 IDD 8 0 -40 100 Temperature ( C) IDD, ICTL1 vs. Temperature 10 80 o 10 5 0 0 5 10 15 frequency (GHz) 20 NJG1135MD7 ! 特性例 (PCS バンド: LNA Low Gain モード) (共通条件: VDD=2.8V, VCTL1=0V, VCTL2=2.8V, fRF=1960MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 測定回路による) Pout vs. Pin Gain, IDD vs. Pin f=1960MHz 0 250 0 -2 200 -20 -30 -4 150 -6 100 -8 -10 0 P-1dB(IN)=+9.0dBm 10 -10 -30 20 -20 0 10 0 20 Pin (dBm) Pout, IM3 vs. Pin OIP3, IIP3 vs. frequency f1=1960MHz, f2=f1+100kHz f1=1.9~2.0GHz, f2=f1+100kHz, Pin=-12dBm 40 22 22 20 21 21 20 20 0 Pout OIP3 (dBm) Pout, IM3 (dBm) Pin (dBm) -10 -20 -40 IM3 -60 19 18 18 17 17 16 -80 IIP3 19 OIP3 IIP3 (dBm) -20 50 IDD P-1dB(IN)=+9.0dBm -40 -30 IDD (uA) Gain Pout -10 Gain (dB) Pout (dBm) f=1960MHz 10 16 15 15 IIP3=+19.5dBm -100 -20 -10 0 10 20 14 1.9 30 Pin (dBm) 1.92 1.94 1.96 1.98 2 14 frequency (GHz) Gain, NF vs. frequency 9 -1 8 -2 7 -3 6 Gain -4 5 -5 4 NF -6 3 2 -7 -8 1.8 NF (dB) Gain (dB) f=1.8~2.1GHz 0 1.85 1.9 1.95 2 2.05 1 2.1 frequency (GHz) - 15 - NJG1135MD7 ! 特性例 (PCS バンド: LNA Low Gain モード) (共通条件: VDD=2.8V, VCTL1=0V, VCTL2=2.8V, fRF=1960MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 測定回路による) S11, S22 VSWR S11, S22 (~20GHz) - 16 - S21, S12 Zin, Zout S21, S12 (~20GHz) NJG1135MD7 ! 特性例 (PCS バンド: LNA Low Gain モード) (共通条件: VDD=2.8V, VCTL1=0V, VCTL2=2.8V, fRF=1960MHz, Zs=Zl=50Ω, 測定回路による) Gain, NF vs. Temperature P-1dB(IN) vs. Temperature f=1960MHz -1 7 -2 6 -3 Gain NF 4 -5 3 -6 2 -7 1 -20 0 20 40 60 80 14 5 -4 -8 -40 16 P-1dB(IN) (dBm) 8 NF (dB) Gain (dB) f=1960MHz 0 12 P-1dB(IN) 10 8 6 4 -40 0 100 -20 0 o 24 20 22 OIP3 18 20 IIP3 18 14 16 12 14 40 60 80 2.5 VSWRi, VSWRo 22 3 IIP3 (dBm) OIP3 (dBm) 26 20 100 f=1960MHz 24 0 80 VSWRi, VSWRo vs. Temperature f1=1960MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-12dBm -20 60 Temperature ( C) OIP3, IIP3 vs. Temperature 10 -40 40 o Temperature ( C) 16 20 VSWRi 2 VSWRo 1.5 1 -40 12 100 -20 0 o 20 40 60 80 100 o Temperature ( C) Temperature ( C) IDD vs. Temperature K factor vs. frequency RF off f=50M~20GHz 20 60 50 15 30 K factor IDD (uA) 40 IDD 10 20 5 Ta=25oC Ta=-40oC 10 o Ta=60 C Ta=0 C Ta=85 C o Ta=-20 C o 0 -40 0 -20 0 20 40 60 o Temperature ( C) 80 100 0 5 10 o 15 20 frequency (GHz) - 17 - NJG1135MD7 ! 測定回路図 V DD 2.8V L5 L6 15n 10n 11 10 8 12 Cellular RFIN1 13 PCS C3 L8 12n RFIN2 L1 9 7 L7 10n 0.01u L4 4.7n 6 RFOUT2 L2 4.7n 15n 14 5 RFOUT1 L3 1 2 V 2.8V / 0V 4 3 2 CTL V 6.8n 1 CTL 2.8V / 0V 部品表 Parts ID L1, L2, L4 L3 - 18 - C2 100p Comments 村田製作所製 (LQP03T シリーズ) TDK 製 (MLK0603 シリーズ) L5~L8 太陽誘電製 (HK1005 シリーズ) C1~C3 村田製作所製(GRM03 シリーズ) C1 100p NJG1135MD7 ! 基板実装図 (TOP VIEW) RFIN2 (Cellular) RFOUT2 (Cellular) L5 L6 L7 C2 L8 L1 L2 L3 L4 C3 C1 RFIN1 (PCS) VDD VCTL2 VCTL1 RFOUT1 (PCS) PCB (FR-4): t=0.2mm ストリップライン幅=0.4mm (Z0=50ohm) PCB サイズ=17.0mm x 17.0mm 注意事項: RFIN 端子と RFOUT 端子の信号の干渉を避けるために IC 直下に GND パターンを配置して下さい。 - 19 - NJG1135MD7 ■パッケージ外形図（EQFN14-D7） ガリウムヒ素(GaAs)製品取り扱い上の注意事項 この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止のため、製品を焼 いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄する場合は、関連法規に従い、一般産 業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。 この製品は静電放電 ･ サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。 - 20 - ＜注意事項＞ このデータブックの掲載内容の正確さには 万全を期しておりますが、掲載内容について 何らかの法的な保証を行うものではありませ ん。とくに応用回路については、製品の代表 的な応用例を説明するためのものです。また、 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴 うものではなく、第三者の権利を侵害しない ことを保証するものでもありません。