NJG1662MD7 X-SPDT スイッチ GaAs MMIC I 概要 NJG1662MD7は、バランス型フィルタ切り替えに最適なX (クロス)-SPDT スイッチです。NJG1662MD7は通過経路間の低位相誤差、低挿入損失、低切 替電圧、および、広周波数帯域動作を特徴とします。また、ESD耐圧向上の ためのESD保護回路を内蔵しています。パッケージにはEQFN14-D7を採用 し、小型化、薄型化を図りました。 *) クロス SPDT スイッチ：２つの SPDT スイッチの出力ポートが内部でクロスして いるスイッチ。 I 特徴 G 低位相誤差 G 低電源電圧 G 低切替電圧 G 低挿入損失 G 高アイソレーション G 小型・薄型パッケージ I 外形 NJG1662MD7 ±3 度 @f=2.0GHz VDD=+1.5~+4.5V VCTL(H)=+1.3V min. 0.3dB typ. @f=1.0GHz, PIN=0dBm 0.4dB typ. @f=2.0GHz, PIN=0dBm 28dB typ. @f=1.0GHz, PIN=0dBm 22dB typ. @f=2.0GHz, PIN=0dBm EQFN14-D7 (パッケージサイズ: 1.6x1.6x0.397mm typ., 鉛・ハロゲンフリー) I 端子配列 (Top View) 11 10 9 8 12 7 13 6 14 5 1 2 3 ピン配置 1. GND 2. PA2 3. PB1 4. GND 5. PB2 6. GND 7. VDD 8. GND 9. PC2 10. PC1 11. GND 12. VCTL 13. GND 14. PA1 4 I 真理値表 “H”=VCTL(H), “L”=VCTL(L) 通過経路 VCTL PC1-PA1,PC2-PA2 H PC1-PB1,PC2-PB2 L 注：本資料に記載された内容は、予告なく変更することがありますのでご了承下さい。 Ver.2010-09-21 -1- NJG1662MD7 I 絶対最大定格 (Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω) 項目 記号 条件 定格 単位 入力電力 PIN VDD =2.7V, VCTL=0V/1.8V PC1,PC2,PA1,PA2,PB1,PB2 28 dBm 電源電圧 VDD VDD terminal 5.0 V 切替電圧 VCTL VCTL terminal 5.0 V 消費電力 PD 1300 mW 動作温度 Topr -40~+85 °C 保存温度 Tstg -55~+150 °C 4 層(74.2mmx74.2mm スルーホール有) FR4 基板実装時, Tj=150℃ I 電気的特性 (共通条件: Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, VDD=2.7V, VCTL(L)=0V, VCTL(H)=1.8V, 測定回路による) 項目 記号 動作電圧 VDD 動作電流 IDD 条件 PIN=0dBm 最小 標準 最大 単位 1.5 2.7 4.5 V - 16 30 µA 切替電圧 (LOW) VCTL(L) 0 - 0.4 V 切替電圧 (HIGH) VCTL(H) 1.3 1.8 VDD V 切替電流 ICTL f=2.0GHz, PIN=0dBm - 5 10 µA 挿入損失 1 LOSS1 f=1.0GHz, PIN=0dBm - 0.30 0.45 dB 挿入損失 2 LOSS2 f=2.0GHz, PIN=0dBm - 0.40 0.55 dB 挿入損失 3 LOSS3 f=2.5GHz, PIN=0dBm - 0.45 0.60 dB 26 28 - dB 20 22 - dB 18 20 - dB 26 28 - dB f=2.0GHz, オン経路間 -3 0 3 deg 20 24 - dBm アイソレーション 1 ISL1 アイソレーション 2 ISL2 アイソレーション 3 ISL3 アイソレーション 4 ISL4 位相誤差 PE PC1-PA1, PC2-PA2 PC1-PB1, PC2-PB2 f=1.0GHz, PIN=0dBm PC1-PA1, PC2-PA2 PC1-PB1, PC2-PB2 f=2.0GHz, PIN=0dBm PC1-PA1, PC2-PA2 PC1-PB1, PC2-PB2 f=2.5GHz, PIN=0dBm PC1-PC2 port f=2.0GHz, PIN=0dBm 0.2dB 圧縮時入力電力 P-0.2dB f=2.0GHz 定在波比 VSWR f=2.0GHz, オン端子 - 1.2 1.3 50% CTL to 10%/90% RF - 1.5 5.0 スイッチング速度 -2- TSW µs NJG1662MD7 I 端子説明 端子番号 記号 機能 1 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接続し てください。 RF ポート A2 です。VCTL 端子に 1.3V 以上 VDD 以下の VCTL(H)を印加すること で、PC2 端子と接続します。内部バイアス用の DC 電圧がかかっていますので、 DC カット用のキャパシタを接続してください。 RF ポート B1 です。VCTL 端子に 0V 以上+0.4V 以下の VCTL(L)を印加すること で、PC1 端子と接続します。内部バイアス用の DC 電圧がかかっていますので、 DC カット用のキャパシタを接続してください。 2 PA2 3 PB1 4 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接続し てください。 5 PB2 RF ポート B2 です。VCTL 端子に 0V 以上+0.4V 以下の VCTL(L)を印加すること で、PC2 端子と接続します。内部バイアス用の DC 電圧がかかっていますので、 DC カット用のキャパシタを接続してください。 6 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接続し てください。 7 VDD 電源端子です。+1.5V 以上、+4.5V 以下の正電源電圧を印加して下さい。RF 特性 への影響を抑止するため対 GND 間にバイパス用のキャパシタを接続してくださ い。 8 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接続し てください。 共通 RF ポート 2 です。VCTL 端子に印加する電圧により、PA2 端子または PB2 端子と接続されます。内部バイアス用の DC 電圧がかかっていますので、DC カ ット用のキャパシタを接続してください。 共通 RF ポート 1 です。VCTL 端子に印加する電圧により、PA1 端子または PB1 端子と接続されます。内部バイアス用の DC 電圧がかかっていますので、DC カ ット用のキャパシタを接続してください。 9 PC2 10 PC1 11 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接続 してください。 12 VCTL 制御信号入力端子です。ハイレベルとする際には+1.3V 以上 VDD 以下の電圧を、 ローレベルとする際には 0V 以上+0.4V 以下の電圧を印加して下さい。 13 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接続 してください。 PA1 RF ポート A1 です。VCTL 端子に 1.7V 以上 VDD 以下の VCTL(H)を印加すること で、PC1 端子と接続します。内部バイアス用の DC 電圧がかかっていますので、 DC カット用のキャパシタを接続してください。 14 -3- NJG1662MD7 I 特性例（測定回路による。DC カットキャパシタ、基板、コネクタの損失含まず。） 特性例 Insertion Loss vs. Frequency Insertion Loss vs. Frequency ( V =2.7V, V DD 0.0 ( V =2.7V, V =1.8V ) CTL DD 0.0 =0V ) CTL PC1-PB1 PC2-PB2 -0.2 Insertion Loss (dB) Insertion Loss (dB) PC1-PA1 PC2-PA2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 0.5 3.0 1.0 VSWR vs. Frequency 2.0 1.5 2.0 2.5 Isolation vs. Frequency ( VDD=2.7V, VCTL1=1.8V ) ( V =2.7V, V DD 0 =1.8V ) CTL PC1 Port PC2 Port PC1-PB1 PC2-PB2 PC1-PC2 -10 Isolation (dB) VSWR 1.8 1.6 1.4 1.2 1.0 0.5 -20 -30 -40 1.0 1.5 2.0 2.5 -50 0.5 3.0 1.0 Frequency (GHz) ( V =2.7V, V DD 4 ( V =2.7V, V =1.8V ) CTL DD 4 2.5 3.0 =1.8V ) CTL 3 Phase Error (degree) Phase Error (degree) 2.0 PC1-PA1, PC2-PA2 Phase Error vs. Frequency 3 2 1 0 -1 -2 2 1 0 -1 -2 -3 -3 1.0 1.5 2.0 Frequency (GHz) -4- 1.5 Frequency (GHz) PC1-PA1, PC2-PA2 Phase Error vs. Frequency -4 0.5 3.0 Frequency (GHz) Frequency (GHz) 2.5 3.0 -4 0.5 1.0 1.5 2.0 Frequency (GHz) 2.5 3.0 NJG1662MD7 I 特性例（測定回路による。DC カットキャパシタ、基板、コネクタの損失含まず。） 特性例 Switching Time Insertion Loss vs. Input Power ( V =2.7V ) DD ( f=2GHz, PC1-PA1 ON, VCTL=1.8V ) 0.0 1.7 µs PA1 Port Insertion Loss (dB) Voltage (arb. unit) VCTL Port -0.5 -1.0 V =1.5V DD V =2V DD V =2.7V -1.5 DD V =3.5V DD V =4.5V DD -2.0 Time (0.5µ s/div) 10 15 20 25 30 Input Power (dBm) -5- NJG1662MD7 I 特性例（測定回路による。DC カットキャパシタ、基板、コネクタの損失含まず。） 特性例 Insertion Loss vs. Ambient Temperature ( PC1-PA1 ON, V =2.7V, V DD CTL Insertion Loss vs. Frequency =1.8V ) 0.0 0 Insertion Loss (dB) f=1GHz f=2GHz f=2.5GHz -0.2 Insertion Loss (dB) ( PC1-PA1 ON, f=2GHz, VDD=2.7V, VCTL=1.8V ) -0.4 -0.6 -0.8 -0.5 -1 o -45 C o -1.5 +25 C o +90 C -1.0 -50 0 50 -2 0.5 100 1.0 1.5 o DD CTL ( f=2GHz, V =2.7V, V =1.8V ) DD Isolation (dB) 1.6 VSWR CTL =1.8V ) PC1-PB1 PC2-PB2 PC1-PC2 -5 1.8 1.4 1.2 -10 -15 -20 -25 -30 1 -50 0 50 -50 100 ( f=2GHz, V =2.7V, V ( VDD=2.7V, VCTL=1.8V ) DD CTL(H) =1.8V, V =0V ) CTL(L) 6 PC1-PA1,PC2-PA2 PC1-PB1,PC2-PB2 o o Phase Error (degree) +25 C o +90 C 2 0 -2 4 2 0 -2 -4 -4 -6 0.5 100 Phase Error vs. Ambient Temperature -45 C 4 50 Ambient Temperature ( C ) PC1-PA1, PC2-PA2 Phase Error vs. Frequency 6 0 o o Ambient Temperature ( C ) Phase Error (degree) 3.0 0 2 1.0 1.5 2.0 Frequency (GHz) -6- 2.5 Isolation vs. Ambient Temperature VSWR vs. Ambient Temperature ( PC1-PA1 ON, V =2.7V, V 2.0 Frequency (GHz) Ambient Temperature ( C ) 2.5 3.0 -6 -50 0 50 100 o Ambient Temperature ( C ) NJG1662MD7 I 測定回路図 PC1 PC2 C5 11 VCTL 10 C4 9 8 12 7 VDD C7 0/1.8V PA1 13 6 14 5 C6 2.7V PB2 C3 1 2 3 C1 4 C2 PA2 PB1 I 部品表 番号 C1~C6 C7 定数 56pF 1000pF 備考 村田製作所 (GRM15) I 基板実装例 (TOP VIEW) 基板 :FR-4, t=0.2mm ストリップライン幅 :0.4mm 基板サイズ PC1 PC2 C5 VCTL C4 C6 基板、キャパシタ、コネクタの損失 VDD C7 C3 C1 C2 PA1 PB2 PA2 :26 x 26mm 周波数(GHz) 損失 (dB) 1.0 0.38 2.0 0.51 2.5 0.55 PB1 -7- NJG1662MD7 ■ 外形図 (EQFN14-D7) ガリウムヒ素 製品取り ガリウムヒ素(GaAs)製品取 製品取り扱い上の注意事項 この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止のた め、製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄する場合 は、関連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。 この製品は静電放電 ･ サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。 -8- 単位 : mm 基板 : Cu 端子処理 : SnBi モールド材 : Epoxy resin 重量 : 3.3mg ＜注意事項＞ このデータブックの掲載内容の正確さには 万全を期しておりますが、掲載内容について 何らかの法的な保証を行うものではありませ ん。とくに応用回路については、製品の代表 的な応用例を説明するためのものです。また、 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴 うものではなく、第三者の権利を侵害しない ことを保証するものでもありません。