NJG1666MD7 ハイアイソレーション ハイアイソレーション SPDT スイッチ GaAs MMIC 概要 NJG1666MD7 はセットトップボックス、TV チューナー、CATV チュー ナー、移動体通信用途に最適な高アイソレーション SPDT スイッチです。 本スイッチ IC は高アイソレーション、低挿入損失、および 3GHz までの広 周波数帯域動作を特徴とします。また、切替電圧 1.3V～4.5V の 1 ビット制 御にて経路切替が出来ます。保護素子を内蔵することにより高い ESD 耐圧 を有しております。 鉛・ハロゲンフリーの 1.6mm x 1.6mm x 0.397mm の 14 ピン EQFN14-D7 パッケージを使用しています。 外形 NJG1666MD7 アプリケーション 地上波及び衛星放送用途 セットトップボックス、TV チューナー、CATV チューナー、デジタル TV 及びケーブル TV 用途 特徴 低電源電圧 低切替電圧 低消費電力 高アイソレーション VDD =+2.0~+4.5V VCTL(H) =+1.3V min 30µA typ. 70dB typ. @f=250MHz 60dB typ. @f=1.0GHz 60dB typ. @f=2.2GHz 0.40dB typ. @f=250MHz 0.45dB typ. @f=1000MHz 0.50dB typ. @f=2200MHz ESD 保護回路内蔵 EQFN14-D7 (パッケージサイズ: 1.6mm x 1.6mm x 0.397mm typ.) 低挿入損失 高 ESD 耐圧 小型・超薄型パッケージ 鉛・ハロゲンフリー 端子配列 (TOP VIEW) 1 14 13 12 11 2 10 3 9 4 5 6 7 8 端子配列 1. NC(GND) 2. P2 3. GND 4. NC(GND) 5. GND 6. PC 7. GND 8. NC(GND) 9. GND 10. P1 11. NC(GND) 12. VDD 13. GND 14. CTL 真理値表 "H"=VCTL(H)，"L"=VCTL(L) 通過経路 CTL PC-P1 H PC-P2 L 注： 本資料に記載された内容は、予告なく変更することがありますので、ご了承下さい。 Ver.2013-05-07 -1- NJG1666MD7 絶対最大定格 Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω 項目 記号 条件 定格 単位 入力電力 PIN VDD=3.0V 28 dBm 電源電圧 VDD VDD 端子 5.0 V 切替電圧 VCTL CTL 端子 5.0 V 消費電力 PD 1300 mW 動作温度 Topr -40~+85 °C 保存温度 Tstg -55~+150 °C サーマルビアホール付き JEDEC 4 層基板 (JESD51-5)実装時, Tj=150°C) 電気的特性 1 (DC 特性) 共通条件:VDD=3.0V, VCTL(L)=0V, VCTL(H)=3.0V, ZS=Zl=50Ω,Ta=+25°C, 指定の測定回路による 項目 記号 条件 最小値 標準値 最大値 単位 電源電圧 VDD 2.0 3.0 4.5 V 消費電流 IDD - 30 60 µA 切替電圧(LOW) VCTL(L) 0 - 0.4 V 切替電圧(HIGH) VCTL(H) 1.3 3.0 4.5 V ICTL - 15 30 µA 切替電流 電気的特性 2 (RF 特性) 共通条件:VDD=3.0V, VCTL(L)=0V, VCTL(H)=3.0V, ZS=Zl=50Ω,Ta=+25°C, 指定の測定回路による 項目 記号 条件 最小値 標準値 最大値 単位 挿入損失 1 LOSS1 f=250MHz, PIN=0dBm - 0.40 0.60 dB 挿入損失 2 LOSS2 f=1000MHz, PIN=0dBm - 0.45 0.65 dB 挿入損失 3 LOSS3 f=2200MHz, PIN=0dBm - 0.50 0.70 dB アイソレーション 1 ISL1 f=250MHz, PIN=0dBm 65 70 - dB アイソレーション 2 ISL2 f=1000MHz, PIN=0dBm 55 60 - dB アイソレーション 3 ISL3 f=2200MHz, PIN=0dBm 55 60 - dB 1dB 圧縮時入力電力 P-1dB f=2200MHz 23 27 - dBm f=2200MHz, ON 状態 - 1.2 1.5 50% VCTL to 10/90% RF - 1 5 定在波比 スイッチング速度 -2- VSWR TSW µs NJG1666MD7 端子説明 端子番号 端子記号 機 能 P2 RF ポートです。14 番ピンの CTL 端子に 0.0~+0.4 V (VCTL(L))を印加するこ とで PC 端子と接続されます。内部バイアス用の DC 電圧がかかっていま すので、DC カット用のキャパシタを接続してください。 6 PC 共通 RF ポートです。CTL 端子に印加する電圧により、P1 端子または P2 端子と接続されます。内部バイアス用の DC 電圧がかかっていますので、 DC カット用のキャパシタを接続してください。 10 P1 RF ポートです。14 番ピンの CTL 端子に VCTL(H)を印加することで、PC 端 子と接続されます。内部バイアス用の DC 電圧がかかっていますので、DC カット用のキャパシタを接続してください。 VDD 正電源端子です。+2V 以上+4.5V 以下の正電源電圧を印加してください。 RF 特性への影響を抑止する為に対 GND 間にバイパスキャパシタを接続 することをお勧めします。 14 CTL 経路切替用制御信号入力端子です。この端子に+1.3~+4.5 V (VCTL(H))を印加 することで PC-P1 間が ON 状態に、また、0~+0.4 V (VCTL(L))を印加するこ とで PC-P2 間が ON 状態となります。 1,4,8,11 NC (GND) NC 端子です。この端子は IC 内部回路と接続されていません。GND 端子 と同様に IC ピン近傍で接地電位に接続してください。 3,5,7,9,13 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に 接続してください。 2 12 -3- NJG1666MD7 ■ 特性例 (推奨回路による。DC カットキャパシタ, 基板, コネクタの損失は含まず) Isolation vs. Frequency (V =3V, V DD 0 CTL Insertion Loss vs. Frequency =0/3V) (V =3V, V Insertion Loss (dB) -20 -30 -40 -50 -60 -1.0 -1.5 PC-P1 PC-P2 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 -2.0 0.0 3.0 0.5 1.0 Frequency (GHz) DD 3.0 CTL DD =0/3V) Voltage (arb. unit) VSWR 2.0 1.5 1.5 2.0 2.5 Time (1µ µ s/div) Output Power, I DD =3V) 0 -10 -1.0 -20 V =2.0V VDD =2.0V DD VV =2.5V =2.5V DD DD VVDD=3.0V =3.0V VDD=4.0V VVDD=4.5V =4.0V DD DD -1.5 -2.0 -30 -40 V =4.5V DD -2.5 -50 30 CTL =3V) 60 V =2.0V 28 Output Power (dBm) -0.5 vs. Input Power (PC-P1 ON, f=2.2GHz, V PC-P2 Isolation (dB) CTL 0.19 µs 3.0 Loss, ISL vs. Input Power 0.0 =0/3.0V) P1 Frequency (GHz) (PC-P1 ON, f=2.2GHz, V CTL 1.08 µs 2.5 1.0 3.0 CTL P2 Port (PC-P2 ON) 0.5 2.5 Switching Time (PC-P1/P2, V =3.0V, V P1 Port (PC-P1 ON) 1.0 0.0 2.0 Frequency (GHz) VSWR vs. Frequency (V =3V, V 1.5 DD V 55 =2.0V 26 V VDD=2.5V DDDD=2.5V =3.0V V VDD=3.0V 24 V DD=4.0V 50 DD V =4.0V DD VDD=4.5V 45 DD 40 V =4.5V 22 20 35 18 30 16 25 14 20 12 15 -60 -3.0 -70 -3.5 10 12 14 16 18 20 22 24 Input Power (dBm) 26 28 30 10 10 10 12 14 16 18 20 22 24 Input Power (dBm) 26 28 30 Operation Current I (µ µ A) DD -80 0.0 Insertion Loss (dB) =0/3V) -0.5 -70 -4- CTL PC-P1 (PC-P2 ON)) PC-P2 (PC-P1 ON)) -10 Isolation (dB) DD 0.0 NJG1666MD7 ■ 特性例 (推奨回路による。DC カットキャパシタ, 基板, コネクタの損失は含まず) Loss vs. Ambient Temperature ISL vs. Ambient Temperature (PC-P1 ON, V =3V, V DD -30 CTL (PC-P1 ON, V =3V, V =3V) DD 0.0 CTL =3V) -0.1 -35 f=250MHz f=1000MHz -45 -0.2 Insertion Loss (dB) PC-P2 Isolation (dB) -40 f=2200MHz -50 -55 -60 -65 -0.3 -0.4 -0.5 -0.6 -0.7 f=250MHz -0.8 f=1000MHz -0.9 f=2200MHz -70 -75 -1.0 -50 -80 -50 -25 0 25 50 75 -25 100 vs. Ambient Temperature (PC-P1 ON, f=2.2GHz, V 40 CTL(H) (PC-P1/P2, V =3V) V =2.0V DD DD V =2.5V DD V =3.0V DD 34 V =4.0V 32 V =4.5V 100 CTL(H) V =2.0V Switching Time (µ s) (dBm) -1dB 75 vs. Ambient Temperature SW 5 36 P T =3V) 38 DD 30 50 Ambient Temperature ( C) o -1dB 25 o Ambient Temperature ( C) P 0 DD Max ratings 28 26 24 V =2.5V 4 DD V =3.0V DD V =4.0V 3 DD V =4.5V DD 2 1 22 20 -50 -25 0 25 50 75 0 -50 100 -25 o I DD 50 CTL I CTL =0V) V V =2.5V V (µ µ A) 40 DD 20 10 0 25 50 75 o Ambient Temperature ( C) 100 V V CTL DD V =4.5V Control Current I (µ µ A) DD Operation current I DD V =3.0V -25 100 DD V =2.0V V =4.0V 0 -50 75 (V =0V) 50 DD 30 50 vs. Ambient Temperature DD 40 25 Ambient Temperature ( C) vs. Ambient Temperature (V 0 o Ambient Temperature ( C) 30 V CTL CTL CTL CTL CTL =1.3V =2.0V =3.0V =4.0V =4.5V 20 10 0 -50 -25 0 25 50 75 100 o Ambient Temperature ( C) -5- NJG1666MD7 測定回路図 C4 CTL 1 14 13 12 2 11 10 C2 P2 C1 3 4 VDD P1 9 5 6 7 8 C3 PC 番号 C1~C4 部品表 定数 1000pF 備考 村田製作所 (GRM15) 基板実装例 1pin mark C4 C1 C2 P2 基板サイズ 基板 キャパシタサイズ ストリップライン幅 GND VDD CTL GND (TOP VIEW) C3 : 19.4 x 15.0mm : FR-4, t=0.2mm : 1005 : 0.4mm (Z0=50Ω) P1 コネクタ損失を含む基板損失 PCB Loss (dB) Frequency (MHz) 250 0.11 1000 0.24 2200 0.40 PC デバイス使用上 デバイス使用上の 使用上の注意事項 [1] 高周波入出力端子 P1、P2、PC にはそれぞれ DC 電流阻止用の外付けコンデンサを必要とします。 [2] VDD 端子にはスイッチの RF 特性への影響を抑止するために、対 GND にバイパスコンデンサ(C4)を接続すること をお勧めします。 [3] RF 特性を損なわないために、IC の GND 端子は最短距離で基板のグランドパターンに接続できるパターンレイアウ トを行ってください。また、グランド用スルーホールも同ピンのできるだけ近傍に配置してください。 -6- NJG1666MD7 パッケージ外形図（EQFN14-D7） 単位 基板 端子処理 モールド樹脂 重量 ガリウムヒ素 製品取り ガリウムヒ素(GaAs)製品取 製品取り扱い上の注意事項 この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止のた め、製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄する場合 は、関連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。 この製品は静電放電 ･ サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。 ：mm ：Cu ：SnBi メッキ ：エポキシ樹脂 ：3.3mg ＜注意事項＞ このデータブックの掲載内容の正確さには 万全を期しておりますが、掲載内容について 何らかの法的な保証を行うものではありませ ん。とくに応用回路については、製品の代表 的な応用例を説明するためのものです。また、 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴 うものではなく、第三者の権利を侵害しない ことを保証するものでもありません。 -7-