NJU7119 超小型低電圧動作シングル C-MOS コンパレータ ■概 要 NJU7119 は、低電圧動作可能な 1 回路入りの C-MOS コンパ レータで、オープンドレイン出力となっています。 1.8∼5.5V の単一電源で動作するため、TTL,C-MOS などほ とんどのロジック IC と接続可能で、高い汎用性を有していま す。 また、入力オフセット電圧は 7mV(max)で、非常に小型なパ ッケージである SC88A のため、バッテリー駆動の携帯機器に 最適です。 ■外 ■特 徴 ●低電圧単電源動作 ●低入力オフセット電圧 ●低消費電流 ●伝搬遅延時間(tPLH/tPHL) ●出力立ち下がり時間(tTHL) ●オープンドレイン出力 ●C-MOS 構造 ●外形 ■端子配列 VDD=1.8∼5.5V VIO=7mV max 100μA(typ.) 160/70ns(typ) 4ns(typ) 形 NJU7119F3 (Top View) IN- 1 5 VDD VSS 2 IN+ 3 OUT 4 SC88A ■等価回路図 VDD INOUT IN+ VSS （1） NJU7119 ■絶対最大定格 (Ta=25℃) 項 目 記 号 定 格 単 位 7.0 V VDD 電 源 電 圧 V VID ±7.0 (注 1) 差 動 入 力 電 圧 V VIC -0.3∼7.0 同 相 入 力 電 圧 mW PD 250 (注 3) 許 容 損 失 Topr 動 作 温 度 範 囲 -40∼+85 ℃ Tstg 保 存 温 度 範 囲 -55∼+125 ℃ 注 1)入力電圧は、VDD または 7.0V より小さい方の値を越えて印加しないで下さい。 注 2)出力プルアップ電圧は VDD を越えて印加しないで下さい。 2 注 3)許容損失は、114.3x76.2x1.6[mm ]のガラエポ基板(FR-4)に実装時の値です。 注 4)IC を安定して動作させるために、VDD-VSS 間にデカップリングコンデンサを挿入して下さい。 ■推奨動作範囲 動 項 作 目 電 圧 記 号 VDD 条 件 MIN 1.8 TYP − (Ta=25℃) MAX 単位 5.5 V ■ 電気的特性 ●ＤＣ特性 項 目 入力オフセット電圧 入力オフセット電流 入 力 バ イ ア ス 電 流 同 相 入 力 電 圧 幅 L レ ベ ル 出 力 電 圧 消 費 電 流 記 号 VIO IIO IIB VICM VOL IDD 条 VIN=VDD/2 件 記 号 tPLH tPHL tTHL 条 件 オーバードライブ=100mV オーバードライブ=100mV オーバードライブ=100mV IOL=+5mA MIN − − − 0∼2.4 − − (VDD=3.0V,RL=∞,Ta=25℃) TYP MAX 単位 7 mV − 1 pA − 1 pA − V − − 0.3 V − 100 200 uA ●過渡応答特性 項 目 立ち上がり伝搬遅延時間 立ち下がり伝搬遅延時間 出 力 立 ち 下 が り (VDD=3.0V,f=10kHz,CL=15pF,Ta=25℃) MIN TYP MAX 単位 160 ns − − 70 ns − − 4 ns − − （2） NJU7119 ■ 端子等価回路 端子 端子名 １ ＩＮ− 内部等価回路 端子電圧 - 備考 反転入力 VDD VSS ３ ＩＮ＋ - 非反転入力 - 出力 VDD VSS ４ ＯＵＴ VDD VSS （3） NJU7119 ■ 特性例 消費電流 対 電源電圧特性例（温度特性） 消費電流 対 電源電圧特性例 Ta=25℃ 120 160 Ta=-40℃ 140 100 120 消費電流 [uA］ 消費電流 [uA］ 80 60 40 25℃ 100 80 60 85℃ 40 20 20 0 0 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 0 0.5 1 1.5 電源電圧 [V］ 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 電源電圧 [V］ 入力オフセット電圧 対 電源電圧特性例 消費電流 対 周囲温度特性例 140 Ta=25℃ 15 VDD=5.5V 130 VDD=3.0V 入力オフセット電圧 [mV］ 120 110 消費電流 [uA］ 2 100 VDD=1.8V 90 80 70 60 10 5 0 50 -5 40 -50 -25 0 25 50 75 100 1 125 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 電源電圧 [V］ 周囲温度 [℃］ 入力オフセット電圧 対 周囲温度特性例 入力オフセット電圧 対 電源電圧特性例（温度特性） 15 5 10 5 25℃ Ta=-40℃ 0 85℃ 入力オフセット電圧 ［mV] 入力オフセット電圧 [mV］ 4 3 2 VDD=3.0V 1 0 VDD=5.5V -1 VDD=1.8V -2 -3 -4 -5 -5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 電源電圧 [V］ 4 4.5 5 5.5 -50 -25 0 25 50 75 100 125 周囲温度 [℃］ （4） NJU7119 入力バイアス電流 対 周囲温度特性例 入力オフセット電流 対 周囲温度特性例 VDD/VSS=±1.5V VDD/VSS=±1.5V 1000 100 入力オフセット電流 [pA］ 1000 入力バイアス電流 [pA］ 10000 100 10 1 10 1 0.1 0.01 0.1 0.001 0.01 -50 -25 0 25 50 75 100 -50 125 -25 入力オフセット電圧 対 同相入力電圧特性例 50 75 100 125 8 8 6 6 4 2 0 -2 -4 -6 VDD/VSS=±1.5V 10 入力オフセット電圧 [mV] 入力オフセット電圧 [mV] 25 入力オフセット電圧 対 同相入力電圧特性例（温度特性） VDD/VSS=±1.5V, Ta=25℃ 10 0 周囲温度 [℃］ 周囲温度 [℃］ Ta=-40℃ 4 25℃ 2 0 -2 85℃ -4 -6 -8 -8 -10 -10 0 0.5 1 1.5 同相入力電圧 [V] 2 2.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5 同相入力電圧 [V] （5） NJU7119 Lレベル出力電圧 対 出力電流特性例（温度特性） Lレベル出力電圧 対 周囲温度特性例 VDD=3.0V, Io=+5mA 0.5 85℃ 2.5 Lレベル出力電圧 [V] 0.4 Lレベル出力電圧 [V] VDD=3.0V 3 0.3 0.2 0.1 2 1.5 25℃ 1 Ta=-40℃ 0.5 0 0 -50 -25 0 25 50 75 100 125 0 5 10 周囲温度 [℃] Lレベル出力電圧 対 出力電流特性例（温度特性） 20 25 30 Lレベル出力電圧 対 出力電流特性例（温度特性） VDD=5.5V VDD=1.8V 5.5 1.8 85℃ 85℃ 5 1.6 25℃ 4.5 1.2 25℃ 1 0.8 0.6 0.4 Lレベル出力電圧 [V] 1.4 Lレベル出力電圧 [V] 15 出力電流 [mA] 4 3.5 3 2.5 2 1.5 Ta=-40℃ 1 Ta=-40℃ 0.2 0.5 0 0 0 2 4 6 出力電流 [mA] 8 10 0 20 40 60 80 出力電流 [mA] （6） NJU7119 出力立上がり伝搬遅延時間特性例 出力立下がり伝搬遅延時間特性例 VDD/VSS=±0.9V, Vin=200mVp-p, f=10kHz, CL=15pF, Ta=25℃ 入力電圧 [V] 入力電圧 [V] VDD/VSS=±0.9V, Vin=200mVp-p, f=10kHz, CL=15pF, Ta=25℃ 出力電圧 [V] 出力電圧 [V] 0.1V/div 100ns/div 0.1V/div 20ns/div 1.0V/div 100ns/div 1.0V/div 20ns/div 時間 [ns] 時間 [ns] 出力立ち下がり時間特性例 VDD/VSS=±0.9V, Vin=200mVp-p, f=10kHz, CL=15pF, Ta=25℃ 出力電圧 [V] 0.5V/div 5ns/div 時間 [ns] 出力遅延時間 対 周囲温度特性例 200 出力応答時間 対 周囲温度特性例 VDD/VSS=±0.9V, Vin=200mVp-p, f=10kHz, CL=15pF 15 175 12.5 立ち上がり 出力応答時間 [ns］ 出力遅延時間 [ns］ 150 125 100 75 VDD/VSS=±0.9V, Vin=200mVp-p, f=10kHz, CL=15pF 立ち下がり 50 10 7.5 5 立ち下がり 2.5 25 0 0 -50 -25 0 25 50 周囲温度 [℃］ 75 100 125 -50 -25 0 25 50 75 100 125 周囲温度 [℃］ （7） NJU7119 出力立上がり伝搬遅延時間特性例 出力立下がり伝搬遅延時間特性例 VDD/VSS=±1.5V, Vin=200mVp-p, f=10kHz, CL=15pF, Ta=25℃ 出力電圧 [V] 1.0V/div 100ns/div 入力電圧 [V] 0.1V/div 100ns/div 0.1V/div 20ns/div 出力電圧 [V] 入力電圧 [V] VDD/VSS=±1.5V, Vin=200mVp-p, f=10kHz, CL=15pF, Ta=25℃ 1.0V/div 20ns/div 時間 [ns] 時間 [ns] 出力立ち下がり時間特性例 VDD/VSS=±1.5V, Vin=200mVp-p, f=10kHz, CL=15pF, Ta=25℃ 出力電圧 [V] 0.5V/div 10ns/div 時間 [ns] 出力遅延時間 対 周囲温度特性例 200 出力応答時間 対 周囲温度特性例 VDD/VSS=±1.5V, Vin=200mVp-p, f=10kHz, CL=15pF 10 VDD/VSS=±1.5V, Vin=200mVp-p, f=10kHz, CL=15pF 175 立ち上がり 7.5 出力応答時間 [ns］ 出力遅延時間 [ns］ 150 125 100 75 立ち下がり 50 5 2.5 立ち下がり 25 0 0 -50 -25 0 25 50 周囲温度 [℃］ 75 100 125 -50 -25 0 25 50 75 100 125 周囲温度 [℃］ （8） NJU7119 出力立下がり伝搬遅延時間特性例 出力立上がり伝搬遅延時間特性例 VDD/VSS=±2.75V, Vin=200mVp-p, f=10kHz, CL=15pF, Ta=25℃ 出力電圧 [V] 2.0V/div 100ns/div 入力電圧 [V] 0.1V/div 100ns/div 0.1V/div 20ns/div 2.0V/div 20ns/div 出力電圧 [V] 入力電圧 [V] VDD/VSS=±2.75V, Vin=200mVp-p, f=10kHz, CL=15pF, Ta=25℃ 時間 [ns] 時間 [ns] 出力立ち下がり時間特性例 VDD/VSS=±2.75V, Vin=200mVp-p, f=10kHz, CL=15pF, Ta=25℃ 出力電圧 [V] 1.0V/div 5ns/div 時間 [ns] 出力遅延時間 対 周囲温度特性例 VDD/VSS=±2.75V, Vin=200mVp-p, f=10kHz, CL=15pF 出力遅延時間 [ns］ 250 10 立ち上がり VDD/VSS=±2.75V, Vin=200mVp-p, f=10kHz, CL=15pF 7.5 出力応答時間 [ns］ 300 出力応答時間 対 周囲温度特性例 200 150 100 立ち下がり 5 2.5 立ち下がり 50 0 0 -50 -25 0 25 50 周囲温度 [℃］ 75 100 125 -50 -25 0 25 50 75 100 125 周囲温度 [℃］ （9） NJU7119 出力遅延時間 対 電源電圧特性例 出力応答時間 対 電源電圧特性例 Vin=200mVp-p, f=10kHz, CL=15pF,Ta=25℃ 220 180 7.5 立ち上がり 出力応答時間 [ns］ 出力遅延時間 [ns］ Vin=200mVp-p, f=10kHz, CL=15pF,Ta=25℃ 10 140 100 立ち下がり 60 20 5 立ち下がり 2.5 0 1.5 2.5 3.5 4.5 5.5 1.5 2.5 電源電圧 [Ｖ］ 3.5 4.5 5.5 電源電圧 [Ｖ］ ■スイッチング特性測定回路 VDD PULSE GENERATER 50ohm 1uF 5.1kohm VDD DUT 10 Turn 0V 0.1uF CL ＜注意事項＞ このデータブックの掲載内容の正確さには 万全を期しておりますが、掲載内容について 何らかの法的な保証を行うものではありませ ん。特に応用回路については、製品の代表的 な応用例を説明するためのものです。また、 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴 うものではなく、第三者の権利を侵害しない ことを保証するものでもありません。 （10）