NJG1133MD7 UMTS 用トリプル LNA GaAs MMIC ■概要 NJG1133MD7 は、UMTS のトリプルバンドでの使用を目的 とした LNA です。 バイパス機能を備えた 2.1GHz/800MHz/1.7GHz 帯の 3 つの LNA を有しております。また 1.7GHz 帯 LNA は外部回路調整 により 1.5GHz 帯仕様に対応可能です。 パッケージには EQFN14-D7 を採用し、超小型化・超薄型化 を実現しました。 ■外形 NJG1133MD7 ■ アプリケーション UMTS の 2.1GHz、1.7GHz と 800MHz トリプルバンド対応 2.1GHz、1.9GHz と 800MHz、2.1GHz、1.8GHz と 800MHz、及び 2.1GHz、1.9GHz と 900MHz のような UMTS/LTE のデュアル High-Band とシングル Low-Band の組 み合わせ対応 *注 注 ：上記用途について、アプリケーションノートをご参照ください。 ■特徴 ●低電源電圧 ●低制御電圧 ●低消費電流 +2.8V typ. +1.8V typ. 2.3mA typ. @High Gain モード 48µA typ. @Low Gain モード EQFN14-D7 (Package size: 1.6 x 1.6 x 0.397mm typ.) ●小型･薄型パッケージ ◎High gain モード ●利得 ●雑音指数 ●入力 IP3 ◎Low gain モード ●利得 ●入力 IP3 ■ 端子配列 16.0dB typ. 1.35dB typ. 1.40dB typ. 1.55dB typ. +0.5dBm typ. -2.0dBm typ. 0dBm typ. 0dBm typ. @fRF=2140MHz, 885MHz, 1860MHz, 1495MHz @fRF=2140MHz, 1860MHz @fRF=885MHz @fRF=1495MHz @fRF=2140.0+2140.1MHz, Pin=-30dBm @fRF=885.0+885.1MHz, Pin=-30dBm @fRF=1860.0+1860.1MHz, Pin=-30dBm @fRF=1495.0+1495.1MHz, Pin=-30dBm -3.5dB typ. -3.0dB typ. -4.0dB typ. +12dBm typ. +12dBm typ. +15dBm typ. +15dBm typ. @fRF=2140MHz @fRF=885MHz, 1495MHz @fRF=1860MHz @fRF=2140.0+2140.1MHz, Pin=-16dBm @fRF=885.0+885.1MHz, Pin=-20dBm @fRF=1860.0+1860.1MHz, Pin=-16dBm @fRF=1495.0+1495.1MHz, Pin=-16dBm (Top View) GND 11 RFIN3 10 GND 9 GND 8 RFOUT3 RFIN2 13 12 7 1.7GHz Band Bias Circuit RFOUT2 RFIN1 13 6 2.1GHz Band Bias Circuit Logic Circuit VCTL3 800MHz Band 14 5 Bias Circuit RFOUT1 端子配列 1. GND 2. VCTL2 3. VCTL1 4. GND 5. RFOUT1 (800MHz) 6. RFOUT2 (2.1GHz) 7. RFOUT3 (1.7G/1.5GHz) 8. GND 9. GND 10. RFIN3 (1.7G/1.5GHz) 11. GND 12. RFIN2 (2.1GHz) 13. RFIN1 (800MHz) 14. VCTL3 1pin GND 1 VCTL2 2 VCTL1 3 GND 4 注: 本資料に記載された内容は、予告無く変更することがありますので、ご了承下さい。 Ver.2013-04-23 -1- NJG1133MD7 ■絶対最大定格 Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω 項目 記号 条件 定格 単位 5.0 V 5.0 V +15 dBm 1300 mW 電源電圧 VDD 切替電圧 VCTL 入力電力 Pin 消費電力 PD 動作温度 Topr -40~+85 °C 保存温度 Tstg -55~+150 °C VCTL1,2,3 端子 4 層(74.2x74.2mm ｽﾙｰﾎｰﾙ有) FR4 基板実装時, Tj=150℃ ■電気的特性 1 (DC 特性) 共通条件: VDD=2.8V, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による 項目 最小 標準 最大 単位 VDD 2.7 2.8 3.6 V 切替電圧 1 (High) VCTL1(H) 1.36 1.8 3.6 V 切替電圧 1 (Low) VCTL1(L) 0 0 0.3 V 切替電圧 2 (High) VCTL2(H) 1.36 1.8 3.6 V 切替電圧 2 (Low) VCTL2(L) 0 0 0.3 V 切替電圧 3 (High) VCTL3(H) 1.36 1.8 3.6 V 切替電圧 3 (Low) VCTL3(L) 0 0 0.3 V 電源電圧 動作電流 1 記号 条件 IDD1 VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V, RF OFF - 2.3 3.1 mA IDD2 VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V, RF OFF - 2.3 3.1 mA IDD3 VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V, RF OFF - 2.3 3.1 mA IDD4 VCTL1=1.8V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V, RF OFF - 2.3 3.1 mA IDD5 VCTL3=0V, RF OFF - 48 85 µA 切替電流 1 ICTL1 VCTL1=1.8V - 5.5 8.5 µA 切替電流 2 ICTL2 VCTL2=1.8V - 5.5 8.5 µA 切替電流 3 ICTL3 VCTL3=1.8V - 5.5 8.5 µA 2.1GHz 帯 High Gain 時 動作電流 2 800MHz 帯 High Gain 時 動作電流 3 1.7GHz 帯 High Gain 時 動作電流 4 1.5GHz 帯 High Gain 時 動作電流 5 Low Gain 時 -2- NJG1133MD7 ■電気的特性 2 (2.1GHz 帯 High Gain モード) 共通条件:VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V, fRF=2140MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による 項目 小信号電力利得 1 雑音指数 1 1dB 利得圧縮時 入力電力 1 入力 3 次インター セプトポイント 1 記号 条件 最小 標準 最大 単位 Gain1 基板、コネクタ損失(入力側 0.09dB,出力側 0.36dB)除く 14.5 16.0 17.5 dB NF1 基板、コネクタ損失(0.09dB) 除く - 1.35 1.5 dB -15.0 -11.5 - dBm -9.0 +0.5 - dBm P-1dB(IN)_1 IIP3_1 f1=fRF, f2=fRF+100kHz, Pin=-30dBm RF IN VSWR1 VSWRi1 - 1.5 2.0 RF OUT VSWR1 VSWRo1 - 2.0 2.5 ■電気的特性 3 (2.1GHz 帯 Low Gain モード) 共通条件:VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=0V, fRF=2140MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による 項目 小信号電力利得 2 雑音指数 2 1dB 利得圧縮時 入力電力 2 入力 3 次インター セプトポイント 2 記号 条件 最小 標準 最大 単位 Gain2 基板、コネクタ損失(入力側 0.09dB,出力側 0.36dB)除く -5.0 -3.5 -2.0 dB NF2 基板、コネクタ損失(0.09dB) 除く - 3.5 6.0 dB +5.0 +14.0 - dBm 0 +12.0 - dBm P-1dB(IN)_2 IIP3_2 f1=fRF, f2=fRF+100kHz, Pin=-16dBm RF IN VSWR2 VSWRi2 - 1.6 2.0 RF OUT VSWR2 VSWRo2 - 1.9 2.3 -3- NJG1133MD7 ■電気的特性 4 (800MHz 帯 High Gain モード) 共通条件:VDD=2.7V, VCTL1=1.8V,VCTL2=0V,VCTL3=1.8V, fRF=885MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による 項目 小信号電力利得 3 雑音指数 3 1dB 利得圧縮時 入力電力 3 入力 3 次インター セプトポイント 3 記号 条件 最小 標準 最大 単位 Gain3 基 板、 コネク タ損 失 (入力 側 0.06dB,出力側 0.16dB)除く 14.3 16.0 17.3 dB NF3 基板、コネクタ損失(0.06dB) 除く - 1.40 1.65 dB -16.0 -9.5 - dBm -10.0 -2.0 - dBm P-1dB(IN)_3 IIP3_3 f1=fRF, f2=fRF+100kHz, Pin=30dBm RF IN VSWR3 VSWRi3 - 1.8 2.3 RF OUT VSWR3 VSWRo3 - 2.2 2.7 ■電気的特性 5 (800MHz 帯 Low Gain モード) 共通条件:VDD=2.7V, VCTL1=1.8V,VCTL2=0V,VCTL3=0V, fRF=885MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による 項目 小信号電力利得 4 雑音指数 4 1dB 利得圧縮時 入力電力 4 入力 3 次インター セプトポイント 4 記号 条件 最小 標準 最大 単位 Gain4 基 板 、 コ ネ ク タ 損 失 (入 力 側 0.06dB,出力側 0.16dB)除く -4.5 -3.0 -2.0 dB NF4 基板、コネクタ損失(0.06B)除 く - 3.0 6.0 dB +4.5 +17.0 - dBm +2.0 +12.0 - dBm P-1dB(IN)4 IIP3_4 f1=fRF, f2=fRF+100kHz, Pin=-20dBm RF IN VSWR4 VSWRi4 - 1.4 2.1 RF OUT VSWR4 VSWRo4 - 1.8 2.2 -4- NJG1133MD7 ■電気的特性 6 (1.7GHz 帯 High Gain モード) 共通条件:VDD=2.7V, VCTL1=0V,VCTL2=1.8V,VCTL3=1.8V, fRF=1860MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による 項目 小信号電力利得 5 雑音指数 5 1dB 利得圧縮時 入力電力 5 入力 3 次インター セプトポイント 5 記号 条件 最小 標準 最大 単位 Gain5 基板、コネクタ損失(入力側 0.10dB,出力側 0.31dB)除く 14.5 16.0 17.5 dB NF5 基板、コネクタ損失(0.10dB) 除く - 1.35 1.6 dB -16.0 -8.0 - dBm -9.0 0 - dBm P-1dB(IN)_5 IIP3_5 f1=fRF, f2=fRF+100kHz, Pin=-30dBm RF IN VSWR5 VSWRi5 - 2.1 2.6 RF OUT VSWR5 VSWRo5 - 1.8 2.2 ■電気的特性 7 (1.7GHz 帯 Low Gain モード) 共通条件:VDD=2.7V, VCTL1=0V,VCTL2=1.8V, VCTL3=0V, fRF=1860MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による 項目 小信号電力利得 6 雑音指数 6 1dB 利得圧縮時 入力電力 6 入力 3 次インター セプトポイント 6 記号 条件 最小 標準 最大 単位 Gain6 基板、コネクタ損失(入力側 0.10dB,出力側 0.31dB)除く -5.5 -4.0 -2.0 dB NF6 基板、コネクタ損失(0.10dB) 除く - 4.0 6.5 dB +4.0 +16.0 - dBm 0 +15.0 - dBm P-1dB(IN)_6 IIP3_6 f1=fRF, f2=fRF+100kHz, Pin=-16dBm RF IN VSWR6 VSWRi6 - 1.7 2.2 RF OUT VSWR6 VSWRo6 - 2.4 2.7 -5- NJG1133MD7 ■電気的特性 8 (1.5GHz 帯 High Gain モード) 共通条件:VDD=2.7V, VCTL1=1.8V,VCTL2=1.8V,VCTL3=1.8V, fRF=1495MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による 項目 小信号電力利得 7 雑音指数 7 1dB 利得圧縮時 入力電力 7 入力 3 次インター セプトポイント 7 記号 条件 最小 標準 最大 単位 Gain7 基板、コネクタ損失(入力側 0.09dB,出力側 0.30dB)除く 14.5 16.0 18.0 dB NF7 基板、コネクタ損失(0.09dB) 除く - 1.55 1.75 dB -16.0 -9.0 - dBm -6.0 0 - dBm P-1dB(IN)_7 f1=fRF, f2=fRF+100kHz, Pin=-30dBm IIP3_7 RF IN VSWR7 VSWRi7 - 2.5 2.8 RF OUT VSWR7 VSWRo7 - 1.8 2.4 ■電気的特性 9 (1.5GHz 帯 Low Gain モード) 共通条件:VDD=2.7V, VCTL1=1.8V,VCTL2=1.8V, VCTL3=0V, fRF=1495MHz, Ta =+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による 項目 小信号電力利得 8 雑音指数 8 1dB 利得圧縮時 入力電力 8 入力 3 次インター セプトポイント 8 記号 条件 最小 標準 最大 単位 Gain8 基板、コネクタ損失(入力側 0.09dB,出力側 0.30dB)除く -5.0 -3.0 -2.0 dB NF8 基板、コネクタ損失(0.09dB) 除く - 3.0 6.0 dB +4.0 +16.0 - dBm 0 +15.0 - dBm P-1dB(IN)_8 f1=fRF, f2=fRF+100kHz, Pin=-16dBm IIP3_8 RF IN VSWR8 VSWRi8 - 1.5 2.1 RF OUT VSWR8 VSWRo8 - 1.8 2.3 ■電気的特性 10 共通条件:VDD=2.7V, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は指定の外部回路による 項目 Gain 可変幅 1 (2.1GHz 帯) Gain 可変幅 2 (800MHz 帯) Gain 可変幅 3 (1.7GHz 帯) Gain 可変幅 4 (1.5GHz 帯) -6- 記号 条件 最小 標準 最大 単位 GDR_1 (High Gain 時の Gain)-(Low Gain 時の Gain) f=2140MHz V CTL1=0V, V CTL2=0V, V CTL3=0 or 1.8V 17.5 19.5 21.0 dB GDR_2 (High Gain 時の Gain)-(Low Gain 時の Gain) f=885MHz V CTL1=1.8V, V CTL2=0V, V CTL3=0 or 1.8V 17.5 19.0 20.5 dB 18.0 20.0 21.5 dB 17.5 19.5 21.0 dB GDR_3 GDR_4 (High Gain 時の Gain)-(Low Gain 時の Gain) f=1860MHz V CTL1=0V, V CTL2=1.8V, V CTL3=0 or 1.8V (High Gain 時の Gain)-(Low Gain 時の Gain) f=1495MHz V CTL1=1.8V, V CTL2=1.8V, V CTL3=0 or 1.8V NJG1133MD7 ■真理値表 切替電圧 VCTL1 VCTL2 (Band Sel1) (Band Sel2) L LNA動作状態 VCTL3 2.1GHz Band 800MHz Band 1.7GHz (or 1.5GHz) Band (RX ATT) LNA IDD バイパス回路 LNA IDD バイパス回路 LNA IDD バイパス回路 L L OFF ON OFF ON OFF ON L L H ON OFF OFF OFF OFF OFF H L L OFF ON OFF ON OFF ON H L H OFF OFF ON OFF OFF OFF L H L OFF ON OFF ON OFF ON L H H OFF OFF OFF OFF ON OFF H H L OFF ON OFF ON OFF ON H H H OFF OFF OFF OFF ON OFF “L”=0～0.3V、“H”=1.36～1.9V ■端子情報 番号 端子名 1 GND 2 VCTL2 3 VCTL1 4 GND 機能説明 接地端子(0V) 周波数帯域切替端子です。2 ビットのコントロール信号により 3 つの LNA を切 り替えます(論理状態については真理値表をご参照下さい)。 接地端子(0V) 800MHz 帯信号出力端子です。外部整合回路を介して RF 信号を出力します。 この端子は LNA の電源電圧供給も兼ねていますので、外部回路図に示す L3 を 介して電源電圧を供給して下さい。 2.1GHz 帯信号出力端子です。外部整合回路を介して RF 信号を出力します。 この端子は LNA の電源電圧供給も兼ねていますので、外部回路図に示す L6 を 介して電源電圧を供給して下さい。 1.7GHz(または 1.5GHz)帯信号出力端子です。外部整合回路を介して RF 信号を 出力します。 この端子は LNA の電源電圧供給も兼ねていますので、外部回路図に示す L9 を 介して電源電圧を供給して下さい。 5 RFOUT1 6 RFOUT2 7 RFOUT3 8 GND 接地端子(0V) 9 GND 接地端子(0V) 10 RFIN3 11 GND 12 RFIN2 13 RFIN1 14 VCTL3 1.7GHz(または 1.5GHz)帯信号入力端子です。外部整合回路を介して RF 信号を 入力します。 この端子は IC 内部に DC ブロッキングキャパシタが内蔵されています。 接地端子(0V) 2.1GHz 帯信号入力端子です。外部整合回路を介して RF 信号を入力します。 この端子は IC 内部に DC ブロッキングキャパシタが内蔵されています。 800MHz 帯信号入力端子です。外部整合回路を介して RF 信号を入力します。 この端子は IC 内部に DC ブロッキングキャパシタが内蔵されています。 Gain 切替端子です。この端子に”H”の切替電圧を印加した場合には LNA が High Gain 状態に、”L”の切替電圧を印加した場合には LNA が Low Gain 状態になりま す。 注意事項 1) GND 端子（1, 4, 8, 9, 11 番端子）は極力インダクタンスが小さくなるように接地して下さい。 -7- NJG1133MD7 ■特性例(2.1GHz 帯 High Gain 時) 2.1GHz @High Gain Pout vs. Pin 2.1GHz @High Gain Gain, IDD vs. Pin (f=2140MHz) 10 (f=2140MHz) 20 8 5 Gain (dB) Pout (dBm) -5 Pout -10 -15 15 6 10 4 5 -20 2 IDD -25 P-1dB(IN)=-9.3dBm P-1dB(IN)=-9.3dBm -30 -40 -30 -20 -10 0 0 -40 10 -30 Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, VDD = 2.7V, VCTL 1=0V, VCTL2=0V, V CTL 3=1.8V (f=2.0~2.3GHz) Pout 14 2 12 1.5 10 Pout, IM3 (dBm) 2.5 NF 0 16 -20 Gain (dB) Gain (f1=2140MHz, f2=f1+100kHz) 20 18 3 NF (dB) 2.1GHz @High Gain Pout, IM3 vs. Pin 20 3.5 -40 -60 8 6 0.5 IM3 -80 (Exclude PCB, Connector Losses) 2.05 2.1 2.15 2.2 2.25 IIP3=-0.1dBm 4 2.3 -100 -40 -30 frequency (GHz) Condition -8- 0 10 VDD =2.7V, VCTL 1=0V, VCTL2=0V, V CTL 3=1.8V 4 2 0 Condition 2.1GHz @High Gain NF, Gain vs. frequency 0 -10 Pin (dBm) Pin (dBm) 1 -20 -20 -10 0 10 Pin (dBm) Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, VDD = 2.7V, VCTL 1=0V, VCTL2=0V, V CTL 3=1.85 VDD = 2.7V, VCTL 1=0V, VCTL2=0V, V CTL 3=1.8V IDD (mA) Gain 0 NJG1133MD7 ■特性例(2.1GHz 帯 High Gain 時) 2.1GHz @High Gain OIP3, IIP3 vs. frequency 2.1GHz @High Gain P-1dB(IN) vs. frequency (f1=2.1~2.2GHz, f2=f1+100kHz, Pin=-30dBm) 20 6 -6 19 5 18 4 P-1dB(IN) -10 -12 -14 3 17 16 OIP3 2 1 15 0 14 -16 13 -18 2.1 2.11 2.12 2.13 2.14 2.15 2.16 2.17 2.18 12 2.1 IIP3 2.12 frequency (GHz) Condition IIP3 (dBm) -8 OIP3 (dBm) P-1dB(IN) (dBm) (f=2.11~2.17GHz) -4 2.14 2.16 2.18 -1 -2 2.2 frequency (GHz) Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, VDD = 2.7V, VCTL 1=0V, VCTL2=0V, V CTL 3=1.8V VDD = 2.7V, VCTL 1=0V, VCTL2=0V, V CTL 3=1.8V -9- NJG1133MD7 ■特性例(2.1GHz 帯 High Gain 時) 19 5 17 3.5 18 4 3 17 3 16 2 Gain (dB) 16 Gain 15 2.5 14 2 1.5 13 NF 12 11 10 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 OIP3 (dBm) 4 NF (dB) 18 15 OIP3 14 0 1 13 -1 0.5 12 -2 0 3.6 11 2.2 2.4 2.6 VDD (V) 2.8 3 3.2 3.4 -3 3.6 VDD (V) Condition Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, f=2140MHz, VCTL 1=0V, VCTL2=0V, V CTL 3=1.8V f1=2140MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-30dBm, VCTL 1=0V, VCTL2=0V, V CTL 3=1.8V 2.1GHz @High Gain P-1dB(IN) vs. VDD 2.1GHz @High Gain VSWR vs. VDD -2 4 -3 3.5 -4 3 -5 2.5 VSWR P-1dB(IN) (dBm) 1 IIP3 IIP3 (dBm) 2.1GHz @High Gain OIP3, IIP3 vs. VDD 2.1GHz @High Gain Gain, NF vs. VDD -6 -7 VSWRi VSWRo 2 1.5 -8 1 P-1dB(IN) -9 -10 2.2 0.5 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6 0 2.2 2.4 2.6 VDD (V) Condition - 10 - 2.8 3 3.2 3.4 3.6 VDD (V) Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, f=2140MHz, VCTL 1=0V, VCTL2=0V, V CTL 3=1.8V f=2140MHz, VCTL 1=0V, VCTL2=0V, V CTL 3=1.8V NJG1133MD7 ■特性例(2.1GHz 帯 High Gain 時) 2.1GHz @High Gain IDD vs. VDD 4 3.5 IDD (mA) 3 2.5 IDD 2 1.5 1 0.5 0 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6 VDD (V) Condition Ta=+25℃, RF=OFF, VCTL 1=0V, VCTL2=0V, V CTL 3=1.8V - 11 - NJG1133MD7 ■特性例(2.1GHz 帯 High Gain 時) 2.1GHz @High Gain OIP3H1, IIP3H1 vs. Temperature 2.1GHz @High Gain Gain, NF vs. Temperature 18 17 5 3.5 16 4 15 3 14 2 3 Gain 16 2.5 15 2 1.5 14 13 OIP3H1 (dBm) Gain (dB) 17 (f=2.14+2.1401GHz, Pin=-30dBm, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V) 4 1 NF 0.5 12 (Exclude PCB, Connector Losses) 11 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 0 100 13 0 12 IIP3H1 11 -2 9 -3 8 -4 7 -60 -40 -20 20 40 60 80 -5 100 Temperature ( C) Temperature ( C) 2.1GHz @High Gain P-1dB(IN) vs. Temperature 2.1GHz @High Gain VSWRi, VSWRo vs. Temperature (f=2.14GHz, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V) (f=2.14GHz, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V) 4 3.5 VSWRi VSWRo 3 -8 2.5 -10 P-1dB(IN) VSWR P-1dB(IN) (dBm) 0 o -6 -12 2 1.5 -14 1 -16 -18 -60 0.5 -40 -20 0 20 40 Temperature (oC) - 12 - -1 10 o -4 1 OIP3H1 60 80 100 0 -60 -40 -20 0 20 40 Temperature (oC) 60 80 100 IIP3H1 (dBm) (f=2.14GHz, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V) NF (dB) 19 NJG1133MD7 ■特性例(2.1GHz 帯 High Gain 時) 2.1GHz @High Gain IDD vs. Temperature 5 (VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V, RF=OFF) IDD (mA) 4 3 IDD 2 1 0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 Temperature (oC) - 13 - NJG1133MD7 ■特性例(2.1GHz 帯 High Gain 時) Condition：Ta=+25℃, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V - 14 - NJG1133MD7 ■特性例(2.1GHz 帯 High Gain 時) Condition：Ta=+25℃, VDD= 2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V 2.1GHz @High Gain k factor vs. frequency (f=50MHz~20GHz) 20 k factor 15 10 5 0 0 5 10 15 20 frequency (GHz) - 15 - NJG1133MD7 ■特性例(2.1GHz 帯 Low Gain 時) 2.1GHz @Low Gain Pout vs. Pin 2.1GHz @Low Gain Gain, IDD vs. Pin (f=2140MHz) 0 10 55 -2 0 50 Gain Gain (dB) Pout (dBm) -4 -10 -20 Pout 45 -6 40 -8 35 -30 -10 -40 30 IDD P-1dB(IN)=+14.1dBm P-1dB(IN)=+14.1dBm -50 -40 -30 -20 -10 0 10 -12 -40 20 -30 -20 Pin (dBm) Ta=+25℃, VDD = 2.7V, VCTL 1=0V, VCTL2=0V, V CTL 3=0V VDD = 2.7V, VCTL 1=0V, VCTL2=0V, V CTL 3=0V Gain 20 -2 0 -4 8 -6 6 -8 NF -10 4 -12 2 (f1=2140MHz, f2=f1+100kHz) -20 Gain (dB) 10 0 Pout, IM3 (dBm) (f=2.0~2.3GHz) Pout -40 -60 IM3 -80 (Exclude PCB, Connector Losses) 2.05 25 2.1GHz @Low Gain Pout, IM3 vs. Pin 12 2.1 2.15 2.2 2.25 IIP3=+11.2dBm -14 2.3 -100 -40 -30 -20 frequency (GHz) Condition - 16 - 20 Ta=+25℃, 14 2 10 Condition 2.1GHz @Low Gain NF, Gain vs. frequency 0 0 Pin (dBm) Condition NF (dB) -10 -10 0 10 Pin (dBm) Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, VDD =2.7V, VCTL 1=0V, VCTL2=0V, V CTL 3=0V VDD = 2.7V, VCTL 1=0V, VCTL2=0V, V CTL 3=0V 20 IDD (uA) (f=2140MHz) 20 NJG1133MD7 ■特性例(2.1GHz 帯 Low Gain 時) 2.1GHz @Low Gain P-1dB(IN) vs. frequency 2.1GHz @Low Gain OIP3, IIP3 vs. frequency 14 18 12 12 P-1dB(IN) IIP3 14 12 10 11 11 10 10 9 9 OIP3 8 8 6 7 4 2.1 2.11 2.12 2.13 2.14 2.15 2.16 2.17 2.18 6 2.1 frequency (GHz) Condition 14 13 13 OIP3 (dBm) P-1dB(IN) (dBm) 16 (f1=2.1~2.2GHz, f2=f1+100kHz, Pin=-16dBm) IIP3 (dBm) (f=2.11~2.17GHz) 20 8 7 2.12 2.14 2.16 2.18 6 2.2 frequency (GHz) Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, VDD = 2.7V, VCTL 1=0V, VCTL2=0V, V CTL 3=0V VDD = 2.7V, VCTL 1=0V, VCTL2=0V, V CTL 3=0V - 17 - NJG1133MD7 ■特性例(2.1GHz 帯 Low Gain 時) 2.1GHz @Low Gain Gain, NF vs. VDD 2.1GHz @Low Gain OIP3, IIP3 vs. VDD 6 13 13 5 12 12 0 4 11 11 -1 3 -2 2 -3 1 2 1 Gain -4 0 IIP3 10 10 9 9 8 8 7 7 OIP3 -1 -5 -6 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 6 6 -2 3.6 5 2.2 2.4 2.6 2.8 VDD (V) 3.2 3.4 5 3.6 VDD (V) Condition Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, f=2140MHz, VCTL 1=0V, VCTL2=0V, V CTL 3=0V f1=2140MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-16dBm, VCTL 1=0V, VCTL2=0V, V CTL 3=0V 2.1GHz @Low Gain P-1dB(IN) vs. VDD 2.1GHz @Low Gain VSWR vs. VDD 20 4 19 3.5 18 3 17 2.5 VSWR P-1dB(IN) (dBm) 3 16 15 VSWRi VSWRo 2 1.5 14 1 P-1dB(IN) 13 0.5 12 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6 0 2.2 2.4 2.6 VDD (V) Condition - 18 - 2.8 3 3.2 3.4 3.6 VDD (V) Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, f=2140MHz, VCTL 1=0V, VCTL2=0V, V CTL 3=0V f=2140MHz, VCTL 1=0V, VCTL2=0V, V CTL 3=0V IIP3 (dBm) OIP3 (dBm) NF (dB) Gain (dB) NF NJG1133MD7 ■特性例(2.1GHz 帯 Low Gain 時) 2.1GHz @Low Gain IDD vs. VDD 45 IDD (uA) 40 35 IDD 30 25 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6 VDD (V) Condition Ta=+25℃, RF=OFF, VCTL 1=0V, VCTL2=0V, V CTL 3=0V - 19 - NJG1133MD7 ■特性例(2.1GHz 帯 Low Gain 時) 2.1GHz @Low Gain OIP3, IIP3 vs. Temperature 2.1GHz @Low Gain Gain, NF vs. Temperature Gain (dB) 16 9 12 15 8 11 14 10 13 9 12 -4 7 -5 6 -6 5 NF -7 4 -8 3 (Exclude PCB, Connector Losses) -9 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 2 100 OIP3 8 7 10 6 9 5 8 4 -60 -40 -20 o 20 40 60 80 7 100 Temperature ( C) 2.1GHz @Low Gain P-1dB(IN) vs. Temperature 2.1GHz @Low Gain VSWRi, VSWRo vs. Temperature (f=2.14GHz, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=0V) (f=2.14GHz, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=0V) 20 4 18 3.5 VSWRi VSWRo 3 16 2.5 14 VSWR P-1dB(IN) (dBm) 0 o Temperature ( C) P-1dB(IN) 12 2 1.5 10 1 8 6 -60 0.5 -40 -20 0 20 40 o Temperature ( C) - 20 - 11 IIP3 60 80 100 0 -60 -40 -20 0 20 40 Temperature (oC) 60 80 100 IIP3 (dBm) Gain -3 13 OIP3 (dBm) -2 (f=2.14+2.1401GHz, Pin=-16dBm, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=0V) 10 NF (dB) (f=2.14GHz, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=0V) -1 NJG1133MD7 ■特性例(2.1GHz 帯 Low Gain 時) 2.1GHz @Low Gain IDD vs. Temperature 50 (VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=0V, RF=OFF) IDD (uA) 40 30 IDD 20 10 0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 Temperature (oC) - 21 - NJG1133MD7 ■特性例(2.1GHz 帯 Low Gain 時) Condition：Ta=+25℃, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=0V - 22 - NJG1133MD7 ■特性例(2.1GHz 帯 Low Gain 時) Condition：Ta=+25℃, VDD= 2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=0V, VCTL3=0V 2.1GHz @Low Gain k factor vs. frequency (f=50MHz~20GHz) 20 k factor 15 10 5 0 0 5 10 15 20 frequency (GHz) - 23 - NJG1133MD7 ■特性例(800MHz 帯 High Gain 時) 800MHz @High Gain Pout vs. Pin 800MHz @High Gain Gain, IDD vs. Pin (f=885MHz) 10 (f=885MHz) 20 5 Gain (dB) -5 Pout -10 -15 15 6 10 4 5 -20 IDD (mA) Gain 0 Pout (dBm) 8 2 IDD -25 P-1dB(IN)=-9.3dBm -30 -40 -30 -20 P-1dB(IN)=-9.3dBm -10 0 0 -40 10 -30 -20 Pin (dBm) 0 10 Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, VDD = 2.7V, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=0V, VCTL3=1.8V VDD = 2.7V, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=0V, VCTL3=1.8V 800MHz @High Gain Pout, IM3 vs. Pin 800MHz @High Gain NF, Gain vs. frequency (f=750~1000MHz) 4 18 2.5 14 2 12 1.5 10 1 0 Pout 16 Pout, IM3 (dBm) Gain -20 Gain (dB) 3 (f1=885MHz, f2=f1+100kHz) 20 20 3.5 NF (dB) 0 Pin (dBm) Condition -40 -60 8 NF 6 0.5 IM3 -80 (Exclude PCB, Connector Losses) 0 750 800 850 900 950 IIP3=-2.1dBm 4 1000 -100 -40 -30 frequency (MHz) Condition - 24 - -10 -20 -10 0 10 Pin (dBm) Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, VDD = 2.7V, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=0V, VCTL3=1.8V VDD = 2.7V, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=0V, VCTL3=1.8V NJG1133MD7 ■特性例(800MHz 帯 High Gain 時) 800MHz @High Gain P-1dB(IN) vs. frequency 800MHz @High Gain OIP3, IIP3 vs. frequency 17 -8 P-1dB(IN) OIP3 (dBm) P-1dB(IN) (dBm) -6 -10 -12 -14 4 16 3 15 2 1 14 OIP3 13 0 12 -1 -2 11 IIP3 -16 -18 860 (f1=860~910MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-30dBm) IIP3 (dBm) (f=869~900MHz) -4 -3 10 870 880 890 900 910 9 860 870 frequency (MHz) Condition 880 890 900 -4 910 frequency (MHz) Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, VDD = 2.7V, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=0V, VCTL3=1.8V VDD = 2.7V, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=0V, VCTL3=1.8V - 25 - NJG1133MD7 ■特性例(800MHz 帯 High Gain 時) 19 5 17 3.5 18 4 3 17 3 16 2 15 1 Gain 15 2.5 14 2 1.5 13 NF 12 11 10 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 OIP3 (dBm) 4 NF (dB) 18 16 Gain (dB) 800MHz @High Gain OIP3, IIP3 vs. VDD 14 1 13 0.5 12 0 3.6 0 OIP3 -1 IIP3 11 2.2 2.4 2.6 2.8 VDD (V) 3 3.2 3.4 -2 -3 3.6 VDD (V) Condition Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, f=885MHz, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=0V, VCTL3=1.8V f1=885MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-30dBm, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=0V, VCTL3=1.8V 800MHz @High Gain P-1dB(IN) vs. VDD 800MHz @High Gain VSWR vs. VDD -2 4 -3 3.5 -4 3 -5 2.5 VSWR P-1dB(IN) (dBm) IIP3 (dBm) 800MHz @High Gain Gain, NF vs. VDD -6 -7 VSWRi VSWRo 2 1.5 -8 1 P-1dB(IN) -9 0.5 -10 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6 0 2.2 2.4 2.6 VDD (V) Condition - 26 - 2.8 3 3.2 3.4 3.6 VDD (V) Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, f=885MHz, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=0V, VCTL3=1.8V f=885MHz, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=0V, VCTL3=1.8V NJG1133MD7 ■特性例(800MHz 帯 High Gain 時) 800MHz @High Gain IDD vs. VDD 4 3.5 IDD (mA) 3 2.5 IDD 2 1.5 1 0.5 0 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6 VDD (V) Condition Ta=+25℃, RF=OFF VCTL 1=1.8V, VCTL 2=0V, VCTL3=1.8V - 27 - NJG1133MD7 ■特性例(800MHz 帯 High Gain 時) 800MHz @High Gain OIP3H1, IIP3H1 vs. Temperature 800MHz @High Gain Gain, NF vs. Temperature 18 Gain 17 4 3.5 16 3 15 2 14 1 13 0 3 16 2.5 15 2 1.5 14 13 OIP3H1 (dBm) Gain (dB) 17 (f=885+885.1MHz, Pin=-30dBm, VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V) 4 1 NF 0.5 -20 0 -2 -3 10 IIP3H1 20 40 60 80 -5 0 100 7 -60 -40 -20 o 60 80 -6 100 (f=885MHz, VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V) (f=885MHz, VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V) 4 3.5 VSWRi VSWRo 3 -8 2.5 P-1dB(IN) VSWR P-1dB(IN) (dBm) 40 800MHz @High Gain VSWRi, VSWRo vs. Temperature -6 -12 2 1.5 -14 1 -16 -18 -60 0.5 -40 -20 0 20 40 Temperature (oC) - 28 - 20 Temperature ( C) 800MHz @High Gain P-1dB(IN) vs. Temperature -10 0 o Temperature ( C) -4 -4 8 (Exclude PCB, Connector Losses) -40 -1 OIP3H1 11 9 12 11 -60 12 60 80 100 0 -60 -40 -20 0 20 40 Temperature (oC) 60 80 100 IIP3H1 (dBm) (f=885MHz, VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V) NF (dB) 19 NJG1133MD7 ■特性例(800MHz 帯 High Gain 時) 800MHz @Low Gain IDD vs. Temperature 50 (VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=0V, RF=OFF) IDD (uA) 40 30 IDD 20 10 0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 Temperature (oC) - 29 - NJG1133MD7 ■特性例(800MHz 帯 High Gain 時) Condition：Ta=+25℃, VDD= 2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V - 30 - NJG1133MD7 ■特性例(800MHz 帯 High Gain 時) Condition：Ta=+25℃, VDD= 2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=1.8V 800MHz @High Gain k factor vs. frequency (f=50MHz~20GHz) 20 k factor 15 10 5 0 0 5 10 15 20 frequency (GHz) - 31 - NJG1133MD7 ■特性例(800MHz 帯 Low Gain 時) 800MHz @Low Gain Pout vs. Pin 800MHz @Low Gain Gain, IDD vs. Pin (f=885MHz) 20 (f=885MHz) 0 10 55 -2 50 Gain (dB) Pout (dBm) -10 -20 Pout -4 45 -6 40 -8 35 -30 -10 -40 30 IDD P-1dB(IN)=+17.7dBm -50 -40 -30 -20 -10 0 P-1dB(IN)=+17.7dBm 10 -12 -40 20 -30 -20 Pin (dBm) 0 10 25 20 Pin (dBm) Condition Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, VDD = 2.7V, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=0V, VCTL3=0V VDD = 2.7V, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=0V, VCTL3=0V 800MHz @Low Gain NF, Gain vs. frequency 12 800MHz @Low Gain Pout, IM3 vs. Pin 0 20 -2 0 -4 10 -6 8 6 -8 4 -10 Gain (dB) Gain Pout, IM3 (dBm) (f=750~1000MHz) 14 NF (dB) -10 (f1=885MHz, f2=f1+100kHz) -20 Pout -40 -60 IM3 NF 2 -12 -80 (Exclude PCB, Connector Losses) 0 750 800 850 900 950 IIP3=+14.5dBm -14 1000 -100 -40 -30 -20 Condition - 32 - -10 0 10 20 Pin (dBm) frequency (MHz) Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, VDD = 2.7V, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=0V, VCTL3=0V VDD = 2.7V, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=0V, VCTL3=0V IDD (uA) Gain 0 NJG1133MD7 ■特性例(800MHz 帯 Low Gain 時) (f=869~900MHz) 22 17 (f1=860~910MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-20dBm) 17 20 16 16 18 15 15 16 OIP3 (dBm) P-1dB(IN) (dBm) 800MHz @Low Gain OIP3, IIP3 vs. frequency P-1dB(IN) 14 12 13 12 12 11 8 10 870 880 890 900 910 11 OIP3 10 9 860 870 frequency (MHz) Condition 14 13 10 6 860 IIP3 14 IIP3 (dBm) 800MHz @Low Gain P-1dB(IN) vs. frequency 880 890 900 9 910 frequency (MHz) Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, VDD = 2.7V, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=0V, VCTL3=0V VDD = 2.7V, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=0V, VCTL3=0V - 33 - NJG1133MD7 ■特性例(800MHz 帯 Low Gain 時) 800MHz @Low Gain Gain, NF vs. VDD 16 17 1 5 15 16 4 14 -1 3 -2 2 1 -3 15 IIP3 13 14 12 13 11 12 Gain -4 0 10 -5 -1 9 -6 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 -2 3.6 11 OIP3 10 8 2.2 2.4 2.6 2.8 VDD (V) 3.4 Ta=+25℃, f=885MHz, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=0V, VCTL3=0V f1=885MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-20dBm, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=0V, VCTL3=0V 800MHz @Low Gain VSWR vs. VDD 4 19 3.5 18 3 17 2.5 VSWR 20 16 P-1dB(IN) 1.5 14 1 13 0.5 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6 VSWRi VSWRo 2 15 12 2.2 9 3.6 Condition Ta=+25℃, 800MHz @Low Gain P-1dB(IN) vs. VDD P-1dB(IN) (dBm) 3.2 VDD (V) Condition 0 2.2 2.4 2.6 VDD (V) Condition - 34 - 3 2.8 3 3.2 3.4 3.6 VDD (V) Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, f=885MHz, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=0V, VCTL3=0V f=885MHz, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=0V, VCTL3=0V IIP3 (dBm) NF OIP3 (dBm) 6 NF (dB) 2 0 Gain (dB) 800MHz @Low Gain OIP3, IIP3 vs. VDD NJG1133MD7 ■特性例(800MHz 帯 Low Gain 時) 800MHz @Low Gain IDD vs. VDD 45 IDD (uA) 40 35 IDD 30 25 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6 VDD (V) Condition Ta=+25℃, RF=OFF VCTL 1=1.8V, VCTL 2=0V, VCTL3=0V - 35 - NJG1133MD7 ■特性例(800MHz 帯 Low Gain 時) 800MHz @Low Gain OIP3, IIP3 vs. Temperature 800MHz @Low Gain Gain, NF vs. Temperature 9 12 15 -3 8 11 -4 7 -5 6 -6 5 Gain -7 OIP3 (dBm) 16 NF (dB) 13 -2 Gain (dB) (f=885+885.1MHz, Pin=-20dBm, VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=0V) 4 NF 3 -8 (Exclude PCB, Connector Losses) -9 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 2 100 OIP3 10 9 12 8 11 7 10 6 9 5 8 4 -60 -40 -20 20 40 60 80 7 100 Temperature ( C) Temperature ( C) 800MHz @Low Gain P-1dB(IN) vs. Temperature 800MHz @Low Gain VSWRi, VSWRo vs. Temperature (f=885MHz, VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=0V) 20 4 18 3.5 VSWRi VSWRo 3 P-1dB(IN) 2.5 14 VSWR P-1dB(IN) (dBm) 0 o (f=885MHz, VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=0V) 12 2 1.5 10 1 8 6 -60 0.5 -40 -20 0 20 40 o Temperature ( C) - 36 - 13 IIP3 o 16 14 60 80 100 0 -60 -40 -20 0 20 40 Temperature (oC) 60 80 100 IIP3 (dBm) (f=885MHz, VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=0V) 10 -1 NJG1133MD7 ■特性例(800MHz 帯 Low Gain 時) 800MHz @Low Gain IDD vs. Temperature 50 (VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=0V, RF=OFF) IDD (uA) 40 30 IDD 20 10 0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 Temperature (oC) - 37 - NJG1133MD7 ■特性例(800MHz 帯 Low Gain 時) Condition：Ta=+25℃, VDD= 2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=0V - 38 - NJG1133MD7 ■特性例(800MHz 帯 Low Gain 時) Condition：Ta=+25℃, VDD= 2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=0V, VCTL3=0V 800MHz @Low Gain k factor vs. frequency (f=50MHz~20GHz) 20 k factor 15 10 5 0 0 5 10 15 20 frequency (GHz) - 39 - NJG1133MD7 ■特性例(1.7GHz 帯 High Gain 時) 1.7GHz @High Gain Pout vs. Pin 1.7GHz @High Gain Gain, IDD vs. Pin (f=1860MHz) 10 (f=1860MHz) 20 8 5 Gain (dB) Pout (dBm) -5 Pout -10 -15 15 6 10 4 5 -20 IDD (mA) Gain 0 2 IDD -25 P-1dB(IN)=-9.0dBm -30 -40 -30 -20 P-1dB(IN)=-9.0dBm -10 0 0 -40 10 -30 -20 Pin (dBm) Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, VDD = 2.7V, VCTL 1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V VDD = 2.7V, VCTL 1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V 1.7GHz @High Gain NF, Gain vs. frequency 1.7GHz @High Gain Pout, IM3 vs. Pin (f=1.7GHz~2.0GHz) 4 20 0 2.5 14 2 12 10 1.5 NF Pout, IM3 (dBm) Pout 16 Gain -20 Gain (dB) NF (dB) 3 (f1=1860MHz, f2=f1+100kHz) 20 18 3.5 -40 -60 8 1 6 0.5 IM3 -80 (Exclude PCB, Connector Losses) IIP3=-0.5dBm 4 1.75 1.8 1.85 1.9 1.95 2 -100 -40 -30 -20 frequency (GHz) Condition - 40 - 0 10 0 Pin (dBm) Condition 0 1.7 -10 -10 0 10 Pin (dBm) Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, VDD = 2.7V, VCTL 1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V VDD = 2.7V, VCTL 1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V NJG1133MD7 ■特性例(1.7GHz 帯 High Gain 時) 1.7GHz @High Gain P-1dB(IN) vs. frequency 1.7GHz @High Gain OIP3, IIP3 vs. frequency 17 15 -8 OIP3 (dBm) -12 -14 -16 -18 1.83 1.84 1.85 1.86 1.87 1.88 1.89 2 OIP3 P-1dB(IN) -10 14 1 13 0 12 IIP3 -1 11 -2 10 -3 9 1.8 1.82 frequency (GHz) Condition 4 3 16 -6 P-1dB(IN) (dBm) (f1=1.8~1.9GHz, f2=f1+100kHz, Pin=-30dBm) 1.84 1.86 1.88 IIP3 (dBm) (f=1.84~1.88GHz) -4 -4 1.9 frequency (GHz) Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, VDD = 2.7V, VCTL 1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V VDD = 2.7V, VCTL 1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V - 41 - NJG1133MD7 ■特性例(1.7GHz 帯 High Gain 時) 19 5 17 3.5 18 4 3 17 3 16 2 Gain 15 2.5 14 2 1.5 13 NF 12 11 10 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 OIP3 (dBm) 4 NF (dB) 18 16 Gain (dB) 1.7GHz @High Gain OIP3, IIP3 vs. VDD 15 1 OIP3 IIP3 14 1 13 -1 0.5 12 -2 0 3.6 11 2.2 2.4 2.6 VDD (V) 3 3.2 3.4 -3 3.6 Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, f=1860MHz, VCTL 1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V f1=1860MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-30dBm, VCTL 1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V 1.7GHz @High Gain P-1dB(IN) vs. VDD 1.7GHz @High Gain VSWR vs. VDD -2 4 -3 3.5 -4 3 -5 2.5 VSWR P-1dB(IN) (dBm) 2.8 VDD (V) Condition -6 -7 VSWRi VSWRo 2 1.5 P-1dB(IN) -8 1 -9 0.5 -10 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6 0 2.2 2.4 2.6 VDD (V) Condition - 42 - 0 IIP3 (dBm) 1.7GHz @High Gain Gain, NF vs. VDD 2.8 3 3.2 3.4 3.6 VDD (V) Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, f=1860MHz, VCTL 1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V f=1860MHz, VCTL 1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V NJG1133MD7 ■特性例(1.7GHz 帯 High Gain 時) 1.7GHz @High Gain IDD vs. VDD 4 3.5 IDD (mA) 3 2.5 IDD 2 1.5 1 0.5 0 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6 VDD (V) Condition Ta=+25℃, RF=OFF VCTL 1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V - 43 - NJG1133MD7 ■特性例(1.7GHz 帯 High Gain 時) 1.7GHz @High Gain OIP3H1, IIP3H1 vs. Temperature 1.7GHz @High Gain Gain, NF vs. Temperature 18 Gain 17 5 3.5 16 4 15 3 14 2 13 1 3 16 2.5 15 2 1.5 14 NF 13 OIP3H1 (dBm) Gain (dB) 17 (f=1860+1860.1MHz, Pin=-30dBm, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V) 4 1 0.5 12 (Exclude PCB, Connector Losses) 11 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 0 100 12 IIP3H1 -2 9 -3 8 -4 7 -60 -40 -20 40 60 80 -5 100 1.7GHz @High Gain VSWRi, VSWRo vs. Temperature (f=1860MHz, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V) (f=1860MHz, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V) 4 3.5 -6 VSWRi VSWRo 3 -8 2.5 P-1dB(IN) VSWR P-1dB(IN) (dBm) 20 Temperature ( C) 1.7GHz @High Gain P-1dB(IN) vs. Temperature -12 2 1.5 -14 1 -16 -18 -60 0.5 -40 -20 0 20 40 Temperature (oC) - 44 - 0 o Temperature ( C) -10 -1 10 o -4 0 OIP3H1 11 60 80 100 0 -60 -40 -20 0 20 40 Temperature (oC) 60 80 100 IIP3H1 (dBm) (f=1860MHz, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V) NF (dB) 19 NJG1133MD7 ■特性例(1.7GHz 帯 High Gain 時) 1.7GHz @High Gain IDD vs. Temperature 5 (VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V, RF=OFF) IDD (mA) 4 3 IDD 2 1 0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 Temperature (oC) - 45 - NJG1133MD7 ■特性例(1.7GHz 帯 High Gain 時) Condition：Ta=+25℃, VDD= 2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V - 46 - NJG1133MD7 ■特性例(1.7GHz 帯 High Gain 時) Condition：Ta=+25℃, VDD= 2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V 1.7GHz @High Gain k factor vs. frequency (f=50MHz~20GHz) 20 k factor 15 10 5 0 0 5 10 15 20 frequency (GHz) - 47 - NJG1133MD7 ■特性例(1.7GHz 帯 Low Gain 時) 1.7GHz @Low Gain Pout vs. Pin 1.7GHz @Low Gain Gain, IDD vs. Pin (f=1860MHz) 0 10 55 -2 0 50 Gain (dB) Pout (dBm) -4 -10 -20 Pout 45 Gain -6 40 -8 35 -30 -10 -40 30 IDD P-1dB(IN)=+16.5dBm -50 -40 -30 -20 -10 0 P-1dB(IN)=+16.5dBm 10 -12 -40 20 -30 -20 Pin (dBm) Ta=+25℃, VDD = 2.7V, VCTL 1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V VDD = 2.7V, VCTL 1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V 1.7GHz @Low Gain Pout, IM3 vs. Pin Gain 20 -2 0 -4 -6 8 -8 6 -10 NF Gain (dB) 10 0 Pout, IM3 (dBm) (f=1.7~2.0GHz) 12 NF (dB) 25 20 Ta=+25℃, 14 (f1=1860MHz, f2=f1+100kHz) -20 Pout -40 -60 IM3 -12 2 -80 (Exclude PCB, Connector Losses) IIP3=+15.3dBm -14 1.75 1.8 1.85 1.9 1.95 2 -100 -40 -30 -20 frequency (GHz) Condition - 48 - 10 Condition 1.7GHz @Low Gain NF, Gain vs. frequency 0 1.7 0 Pin (dBm) Condition 4 -10 -10 0 10 20 Pin (dBm) Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, VDD = 2.7V, VCTL 1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V VDD = 2.7V, VCTL 1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V IDD (uA) (f=1860MHz) 20 NJG1133MD7 ■特性例(1.7GHz 帯 Low Gain 時) 1.7GHz @ Low Gain P-1dB(IN) vs. frequency 1.7GHz @Low Gain OIP3, IIP3 vs. frequency 16 20 14 P-1dB(IN) OIP3 (dBm) 16 14 12 12 14 11 13 8 9 1.85 1.86 1.87 1.88 1.89 OIP3 12 11 8 1.8 1.82 frequency (GHz) Condition 16 15 10 1.84 IIP3 13 10 6 1.83 18 17 15 18 P-1dB(IN) (dBm) (f1=1.8~1.9GHz, f2=f1+100kHz, Pin=-16dBm) IIP3 (dBm) (f=1.84~1.88GHz) 22 1.84 1.86 1.88 10 1.9 frequency (GHz) Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, VDD = 2.7V, VCTL 1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V VDD = 2.7V, VCTL 1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V - 49 - NJG1133MD7 ■特性例(1.7GHz 帯 Low Gain 時) 1.7GHz @Low Gain Gain, NF vs. VDD 16 1 5 15 4 14 15 13 14 12 13 -1 3 -2 2 1 -3 17 12 11 Gain -4 0 10 -5 -1 9 -6 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 -2 3.6 16 IIP3 OIP3 11 10 8 2.2 2.4 2.6 VDD (V) 2.8 3 3.2 3.4 9 3.6 VDD (V) Condition Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, f=1860MHz, f1=1860MHz, f2=f1+100kHz, VCTL 1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V Pin=-16dBm, VCTL 1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V 1.7GHz @Low Gain VSWR vs. VDD 20 4 19 3.5 18 3 17 2.5 16 VSWR P-1dB(IN) (dBm) 1.7GHz @Low Gain P-1dB(IN) vs. VDD P-1dB(IN) 2 15 1.5 14 1 13 0.5 12 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6 VSWRi VSWRo 0 2.2 2.4 2.6 VDD (V) Condition - 50 - 2.8 3 3.2 3.4 3.6 VDD (V) Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, f=1860MHz, VCTL 1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V f=1860MHz, VCTL 1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V IIP3 (dBm) NF OIP3 (dBm) 6 NF (dB) 2 0 Gain (dB) 1.7GHz @Low Gain OIP3, IIP3 vs. VDD NJG1133MD7 ■特性例(1.7GHz 帯 Low Gain 時) 1.7GHz @Low Gain IDD vs. VDD 45 IDD (uA) 40 35 IDD 30 25 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6 VDD (V) Condition Ta=+25℃, RF=OFF, VCTL 1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V - 51 - NJG1133MD7 ■特性例(1.7GHz 帯 Low Gain 時) 1.7GHz @Low Gain OIP3, IIP3 vs. Temperature 1.7GHz @Low Gain Gain, NF vs. Temperature -2 13 9 12 -4 7 -5 6 -6 5 -7 4 NF -40 -20 0 20 40 60 80 17 16 9 15 (Exclude PCB, Connector Losses) -9 -60 18 OIP3 10 3 -8 19 11 8 Gain OIP3 (dBm) Gain (dB) -3 (f=1860+1860.1MHz, Pin=-16dBm, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V) 10 2 100 8 7 13 6 12 5 11 4 -60 -40 -20 o 20 40 60 80 10 100 Temperature ( C) 1.7GHz @Low Gain VSWRi, VSWRo vs. Temperature 1.7GHz @Low Gain P-1dB(IN) vs. Temperature (f=1860MHz, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V) (f=1860MHz, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V) 20 4 18 3.5 VSWRi VSWRo 3 16 P-1dB(IN) 2.5 14 VSWR P-1dB(IN) (dBm) 0 o Temperature ( C) 12 2 1.5 10 1 8 6 -60 0.5 -40 -20 0 20 40 Temperature (oC) - 52 - 14 IIP3 60 80 100 0 -60 -40 -20 0 20 40 Temperature (oC) 60 80 100 IIP3 (dBm) (f=1860MHz, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V) NF (dB) -1 NJG1133MD7 ■特性例(1.7GHz 帯 Low Gain 時) 1.7GHz @Low Gain IDD vs. Temperature 50 (VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V, RF=OFF) IDD (uA) 40 30 IDD 20 10 0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 Temperature (oC) - 53 - NJG1133MD7 ■特性例(1.7GHz 帯 Low Gain 時) Condition：Ta=+25℃, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V - 54 - NJG1133MD7 ■特性例(1.7GHz 帯 Low Gain 時) Condition：Ta=+25℃, VDD=2.7V, VCTL1=0V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V 1.7GHz @Low Gain k factor vs. frequency (f=50MHz~20GHz) 20 k factor 15 10 5 0 0 5 10 15 20 frequency (GHz) - 55 - NJG1133MD7 ■特性例(1.5GHz 帯 High Gain 時) 1.5GHz @High Gain Pout vs. Pin 1.5GHz @High Gain Gain, IDD vs. Pin (f=1495MHz) 10 (f=1495MHz) 20 5 Gain (dB) -5 Pout -10 -15 15 6 10 4 5 -20 IDD (mA) Gain 0 Pout (dBm) 8 2 IDD -25 P-1dB(IN)=-9.8dBm P-1dB(IN)=-9.8dBm -30 -40 -30 -20 -10 0 0 -40 10 -30 -20 Pin (dBm) Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, VDD = 2.7V, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=1.8V, VCTL 3=1.8V VDD = 2.7V, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=1.8V, VCTL 3=1.8V 1.5GHz @High Gain NF, Gain vs. frequency (f=1.4~1.7GHz) 4 20 0 16 14 2 12 10 1.5 NF 1 8 0.5 6 Pout -20 Gain (dB) 2.5 (f1=1495MHz, f2=f1+100kHz) 20 18 Gain 3 NF (dB) 1.5GHz @High Gain Pout, IM3 vs. Pin Pout, IM3 (dBm) 3.5 -40 -60 IM3 -80 (Exclude PCB, Connector Losses) 1.45 1.5 1.55 1.6 1.65 IIP3=-0.3dBm 4 1.7 -100 -40 -30 frequency (GHz) Condition - 56 - 0 10 0 Pin (dBm) Condition 0 1.4 -10 -20 -10 0 10 Pin (dBm) Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, VDD = 2.7V, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=1.8V, VCTL 3=1.8V VDD = 2.7V, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=1.8V, VCTL 3=1.8V NJG1133MD7 ■特性例(1.5GHz 帯 High Gain 時) 1.5GHz @High Gain P-1dB(IN) vs. frequency 1.5GHz @High Gain OIP3, IIP3 vs. frequency (f=1475~1511MHz) -4 -8 (f1=1.45~1.55GHz, f2=f1+100kHz, Pin=-30dBm) 12 20 10 18 8 -10 -12 -14 16 OIP3 6 14 4 12 2 0 10 -16 IIP3 -2 8 -18 1.46 1.47 1.48 1.49 1.5 1.51 1.52 frequency (GHz) Condition 6 1.45 IIP3 (dBm) P-1dB(IN) OIP3 (dBm) P-1dB(IN) (dBm) -6 22 1.475 1.5 1.525 -4 1.55 frequency (GHz) Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, VDD = 2.7V, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=1.8V, VCTL 3=1.8V VDD = 2.7V, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=1.8V, VCTL 3=1.8V - 57 - NJG1133MD7 ■特性例(1.5GHz 帯 High Gain 時) 1.5GHz @High Gain OIP3, IIP3 vs. VDD Gain Gain (dB) 16 19 5 3.5 18 4 3 17 3 16 2 15 2.5 14 2 1.5 13 OIP3 (dBm) 17 4 NF (dB) 18 15 1 OIP3 IIP3 14 0 IIP3 (dBm) 1.5GHz @High Gain Gain, NF vs. VDD NF 12 1 13 -1 11 0.5 12 -2 10 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 0 3.6 11 2.2 2.4 2.6 VDD (V) 3.2 3.4 -3 3.6 Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, f=1495MHz, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=1.8V, VCTL 3=1.8V f1=1495MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-30dBm, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=1.8V, VCTL 3=1.8V 1.5GHz @High Gain P-1dB(IN) vs. VDD 1.5GHz @High Gain VSWR vs. VDD -2 4 -3 3.5 -4 3 -5 2.5 VSWR P-1dB(IN) (dBm) 3 VDD (V) Condition -6 VSWRi VSWRo 2 1.5 -7 P-1dB(IN) -8 1 -9 0.5 -10 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6 0 2.2 2.4 2.6 Condition 2.8 3 3.2 3.4 3.6 VDD (V) VDD (V) - 58 - 2.8 Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, f=1495MHz, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=1.8V, VCTL 3=1.8V f=1495MHz, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=1.8V, VCTL 3=1.8V NJG1133MD7 ■特性例(1.5GHz 帯 High Gain 時) 1.5GHz @High Gain IDD vs. VDD 4 3.5 IDD (mA) 3 2.5 IDD 2 1.5 1 0.5 0 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6 VDD (V) Condition Ta=+25℃, RF=OFF VCTL 1=1.8V, VCTL 2=1.8V, VCTL 3=1.8V - 59 - NJG1133MD7 ■特性例(1.5GHz 帯 High Gain 時) 1.5GHz @High Gain OIP3H1, IIP3H1 vs. Temperature 1.5GHz @High Gain Gain, NF vs. Temperature Gain 17 4 3.5 16 3 15 2 14 1 3 16 2.5 15 2 1.5 14 NF OIP3H1 (dBm) 17 4 1 13 0.5 12 (Exclude PCB, Connector Losses) 11 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 0 100 13 -1 12 IIP3H1 11 -3 9 -4 8 -5 7 -60 -40 -20 20 40 60 80 -6 100 Temperature ( C) Temperature ( C) 1.5GHz @High Gain P-1dB(IN) vs. Temperature 1.5GHz @High Gain VSWRi, VSWRo vs. Temperature (f=1495MHz, VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V) -4 4 -6 3.5 VSWRi VSWRo 3 -8 2.5 P-1dB(IN) VSWR P-1dB(IN) (dBm) 0 o (f=1495MHz, VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V) -12 2 1.5 -14 1 -16 -18 -60 0.5 -40 -20 0 20 40 Temperature (oC) - 60 - -2 10 o -10 0 OIP3H1 60 80 100 0 -60 -40 -20 0 20 40 Temperature (oC) 60 80 100 IIP3H1 (dBm) 18 Gain (dB) (f=1495+1495.1MHz, Pin=-30dBm, VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V) (f=1495MHz, VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V) NF (dB) 19 NJG1133MD7 ■特性例(1.5GHz 帯 High Gain 時) 1.5GHz @High Gain IDD vs. Temperature 5 (VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V, RF=OFF) IDD (mA) 4 3 IDD 2 1 0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 Temperature (oC) - 61 - NJG1133MD7 ■特性例(1.5GHz 帯 High Gain 時) Condition：Ta=+25℃, VDD= 2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V - 62 - NJG1133MD7 ■特性例(1.5GHz 帯 High Gain 時) Condition：Ta=+25℃, VDD= 2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=1.8V, VCTL3=1.8V 1.5GHz @High Gain k factor vs. frequency (f=50MHz~20GHz) 20 k factor 15 10 5 0 0 5 10 15 20 frequency (GHz) - 63 - NJG1133MD7 ■特性例(1.5GHz 帯 Low Gain 時) 1.5GHz @Low Gain Pout vs. Pin 1.5GHz @Low Gain Gain, IDD vs. Pin (f=1495MHz) 20 (f=1495MHz) 0 10 -2 50 Gain (dB) Pout (dBm) -10 -20 Pout -30 -4 45 -6 40 -8 35 -10 -40 30 IDD P-1dB(IN)=+16.0dBm -50 -40 -30 -20 -10 0 P-1dB(IN)=+16.0dBm 10 -12 -40 20 -30 -20 Pin (dBm) -10 0 10 25 20 Pin (dBm) Condition Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, VDD = 2.7V, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=1.8V, VCTL 3=0V VDD = 2.7V, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=1.8V, VCTL 3=0V 1.5GHz @Low Gain NF, Gain vs. frequency 10 Gain 0 20 -2 0 -4 -6 8 6 -8 4 -10 Pout, IM3 (dBm) 12 1.5GHz @Low Gain Pout, IM3 vs. Pin Gain (dB) (f=1.4~1.7GHz) 14 IDD (uA) Gain 0 NF (dB) 55 (f1=1495MHz, f2=f1+100kHz) -20 Pout -40 -60 IM3 NF 2 -12 -80 (Exclude PCB, Connector Losses) 0 1.4 1.45 1.5 1.55 1.6 1.65 IIP3=+14.4dBm -14 1.7 -100 -40 -30 Condition -10 0 10 20 Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, VDD = 2.7V, VDD = 2.7V, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=1.8V, VCTL 3=0V VCTL 1=1.8V, VCTL 3=0V - 64 - -20 Pin (dBm) frequency (GHz) VCTL2=1.8V, NJG1133MD7 ■特性例(1.5GHz 帯 Low Gain 時) 1.5GHz @Low Gain OIP3, IIP3 vs. frequency (f=1475~1511MHz) 22 20 (f1=1.45~1.55GHz, f2=f1+100kHz, Pin=-16dBm) 26 14 24 12 P-1dB(IN) 16 OIP3 (dBm) P-1dB(IN) (dBm) 18 16 14 12 10 OIP3 22 10 20 8 18 6 16 4 8 6 1.46 1.47 1.48 1.49 1.5 1.51 1.52 IIP3 2 1.45 1.475 frequency (GHz) Condition 1.5 1.525 IIP3 (dBm) 1.5GHz @Low Gain P-1dB(IN) vs. frequency 14 12 1.55 frequency (GHz) Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, VDD = 2.7V, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=1.8V, VCTL 3=0V VDD = 2.7V, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=1.8V, VCTL 3=0V - 65 - NJG1133MD7 ■特性例(1.5GHz 帯 Low Gain 時) 1.5GHz @Low Gain Gain, NF vs. VDD 16 17 1 5 15 16 4 14 -1 3 -2 2 -3 1 Gain -4 -5 -6 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 13 14 12 13 11 12 0 10 -1 9 -2 3.6 15 IIP3 11 OIP3 10 8 2.2 2.4 2.6 2.8 VDD (V) 3 3.2 3.4 9 3.6 VDD (V) Condition Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, f=1495MHz, f1=1495MHz, f2=f1+100kHz, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=1.8V, VCTL 3=0V Pin=-16dBm, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=1.8V, VCTL 3=0V 1.5GHz @Low Gain VSWR vs. VDD 20 4 19 3.5 18 3 17 2.5 16 VSWR P-1dB(IN) (dBm) 1.5GHz @Low Gain P-1dB(IN) vs. VDD P-1dB(IN) 2 15 1.5 14 1 13 0.5 12 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6 VSWRi VSWRo 0 2.2 2.4 2.6 2.8 VDD (V) Condition - 66 - 3 3.2 3.4 3.6 VDD (V) Condition Ta=+25℃, Ta=+25℃, f=1495MHz, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=1.8V, VCTL 3=0V f=1495MHz, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=1.8V, VCTL 3=0V IIP3 (dBm) NF OIP3 (dBm) 6 NF (dB) 2 0 Gain (dB) 1.5GHz @Low Gain OIP3, IIP3 vs. VDD NJG1133MD7 ■特性例(1.5GHz 帯 Low Gain 時) 1.5GHz @Low Gain IDD vs. VDD 45 IDD (uA) 40 35 IDD 30 25 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6 VDD (V) Condition Ta=+25℃, RF=OFF, VCTL 1=1.8V, VCTL 2=1.8V, VCTL 3=0V - 67 - NJG1133MD7 ■特性例(1.5GHz 帯 Low Gain 時) 1.5GHz @Low Gain OIP3, IIP3 vs. Temperature 1.5GHz @Low Gain Gain, NF vs. Temperature 19 12 -3 8 11 17 -4 7 10 16 9 15 -5 6 8 14 -6 5 -7 4 OIP3 (dBm) 9 Gain NF (dB) 13 -2 Gain (dB) (f=1495+1495.1MHz, Pin=-16dBm, VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V) IIP3 3 (Exclude PCB, Connector Losses) -9 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 13 7 NF -8 2 100 6 12 5 11 4 -60 -40 -20 Temperature (oC) 40 60 80 10 100 (f=1495MHz, VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V) 20 4 18 3.5 VSWRi VSWRo 3 P-1dB(IN) 2.5 14 VSWR P-1dB(IN) (dBm) 20 1.5GHz @Low Gain VSWRi, VSWRo vs. Temperature (f=1495MHz, VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V) 12 2 1.5 10 1 8 6 -60 0.5 -40 -20 0 20 40 o Temperature ( C) - 68 - 0 Temperature (oC) 1.5GHz @Low Gain P-1dB(IN) vs. Temperature 16 18 OIP3 60 80 100 0 -60 -40 -20 0 20 40 Temperature (oC) 60 80 100 IIP3 (dBm) (f=1495MHz, VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V) 10 -1 NJG1133MD7 ■特性例(1.5GHz 帯 Low Gain 時) 1.5GHz @Low Gain IDD vs. Temperature 50 (VDD=2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V, RF=OFF) IDD (uA) 40 30 IDD 20 10 0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 Temperature (oC) - 69 - NJG1133MD7 ■特性例(1.5GHz 帯 Low Gain 時) Condition：Ta=+25℃, VDD= 2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=1.8V, VCTL3=0V - 70 - NJG1133MD7 ■特性例(1.5GHz 帯 Low Gain 時) Condition：Ta=+25℃, VDD= VINV =2.7V, VCTL1=1.8V, VCTL2=1.85V, VCTL3=0V 1.5GHz @Low Gain k factor vs. frequency (f=50MHz~20GHz) 20 k factor 15 10 5 0 0 5 10 15 20 frequency (GHz) - 71 - NJG1133MD7 ■ブロック図及び外部回路図（2.1GHz/800MHz/1.7GHz 帯仕様） (Top View) RF IN3 (1.7GHz) L8 1.1nH L7 3.3nH RF IN2 (2.1GHz) RFIN3 10 GND 11 GND 9 GND 8 L5 1.6nH RFIN2 C4 2pF RFOUT3 13 12 RF OUT3 (1.7GHz) 7 L4 2.4nH 1.7GHz Band (1.5GHz Band) Bias Circuit L9 3.0nH L2 RF IN1 (800MHz) 8.2nH RFIN1 C2 2pF RFOUT2 13 C5 0.01 µF 6 2.1GHz Band L1 12nH Bias Circuit Logic Circuit VCTL3 RF OUT2 (2.1GHz) L6 2.4nH C1 2pF 800MHz Band 14 C3 0.01 µF 5 Bias Circuit VCTL 3 (RX ATT) RFOUT1 L3 10nH RF OUT1 (800MHz) VDD GND 1 VCTL2 2 VCTL 2 (Band Sel2) VCTL1 3 GND 4 VCTL 1 (Band Sel1) チップ部品リスト Parts ID L1, L2, L4 ~L9 L3 C1~C5 備考 村田製作所製（LQP03T）0603 サイズ TDK 製 （MLK0603）0603 サイズ 村田製作所製（GRM03）0603 サイズ 注意事項 1) C3 のバイパスキャパシタは極力 L3, L6 に近い箇所に配置して下さい。 2) C5 のバイパスキャパシタは極力 L9 に近い箇所に配置して下さい。 3) GND 端子は極力インダクタンスが小さくなるように接地して下さい。 - 72 - NJG1133MD7 ■ブロック図及び外部回路図（2.1GHz/800MHz/1.5GHz 帯仕様） (Top View) RF IN3 (1.5GHz) L8 3.6nH L7 3.9nH RF IN2 (2.1GHz) RFIN3 10 GND 11 GND 9 GND 8 L5 1.6nH RFIN2 C4 1.5pF RFOUT3 13 12 RF OUT3 (1.5GHz) 7 L4 2.4nH 1.7GHz Band (1.5GHz Band) Bias Circuit L9 5.1nH L2 RF IN1 (800MHz) 8.2nH RFIN1 C2 2pF RFOUT2 13 C5 0.01 µF 6 2.1GHz Band L1 12nH Bias Circuit Logic Circuit VCTL3 RF OUT2 (2.1GHz) L6 2.4nH C1 2pF 800MHz Band 14 C3 0.01 µF 5 Bias Circuit VCTL 3 (RX ATT) RFOUT1 L3 10nH RF OUT1 (800MHz) VDD GND 1 VCTL2 2 VCTL 2 (Band Sel2) VCTL1 3 GND 4 VCTL 1 (Band Sel1) チップ部品リスト Parts ID L1, L2, L4 ~L9 L3 C1~C5 備考 村田製作所製（LQP03T）0603 サイズ TDK 製 （MLK0603）0603 サイズ 村田製作所製（GRM03）0603 サイズ 注意事項 1) C3 のバイパスキャパシタは極力 L3, L6 に近い箇所に配置して下さい。 2) C5 のバイパスキャパシタは極力 L9 に近い箇所に配置して下さい。 3) GND 端子は極力インダクタンスが小さくなるように接地して下さい。 - 73 - NJG1133MD7 ■基板実装図 (Top View) RF IN3 RF OUT3 (1.7G/1.5GHz) (1.7G.1.5GHz) L7 C4 L8 RF IN2 (2.1GHz) L4 L5 L9 C5 VDD L6 C2 L3 C3 L2 VDD C1 RF OUT2 (2.1GHz) L1 VCTL3 VCTL2 VCTL1 RF IN1 RF OUT1 (800MHz) (800MHz) PCB (FR-4): t=0.2mm MICROSTRIP LINE WIDTH=0.4mm (Z0=50ohm) PCB SIZE=35.4mm x 17.0mm - 74 - NJG1133MD7 ■パッケージ外形図（EQFN14-D7） ガリウムヒ素 製品取り ガリウムヒ 素 (GaAs)製品取 製品取 り 扱 い 上 の 注意事項 この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素 (GaAs)を使用しております。危険防止 のため、製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄す る場合は、関連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。 この製品は静電放電 ･ サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。 ＜注意事項＞ このデータブック の掲載内容の 正確さに は 万全を期しており ますが、掲載 内容につ いて 何らかの法的な保 証を行うもの ではあり ませ ん。とくに応用回 路については 、製品の 代表 的な応用例を説明 するためのも のです。ま た、 工業所有権その他 の権利の実施 権の許諾 を伴 うものではなく、 第三者の権利 を侵害し ない ことを保証するも のでもありま せん。 - 75 -