射频与保护器件应用指南-工业应用

射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
1
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射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
2011年11月1日修订
英飞凌科技股份公司发行
地址：德国慕尼黑，邮编：81726
©英飞凌科技股份公司版权所有， 2012年，保留所有权力
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用于植入人体内部，或者支持和/或维持、维系和/或保护人类生命的设备或系统。如果这些设备或系统失效，可以合
2
理地假设其用户或其他人的健康将受到威胁。
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
英飞凌科技
业界领先的射频与保护器件供应商
英飞凌科技专注于现代社会的三大科技挑战领域：高能效、移动性和安全性，为工业/消费类电
子产品、汽车电子产品、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。
英飞凌的产品凭借在模拟和混合信号、射频和功率以及嵌入式控制等方面的可靠性、卓越品质
以及尖端的创新技术，在竞争中脱颖而出。
凭借技术和设计专长，英飞凌不容置疑地成为其重点细分市场的行业领袖。英飞凌在适合众多
应用的射频产品开发方面拥有30多年的丰富经验，并依靠产品的出色性能和经济高效性始终在
业界保持领先地位。您可登录我们的网站www.infineon.com，了解英飞凌科技一揽子产品组合
的更多信息。
近年来，英飞凌射频与保护器件（RPD）业务部，已从晶体管和二极管等分立式标准射频组件供
应商，发展成为更加先进的世界一流的创新差异化产品的供应商，其中包括面向专用MMIC、硅
麦克风和ESD防护组件。请登录我们的网站：www.infineon.com/rfandprotectiondevices，了
解英飞凌针对您的各种应用推出的最新射频与保护产品的更多信息。
包含四个手册的英飞凌应用指南，是一种主要面向工程师的用户友好型工具，指导工程师高效
选择自己理想的系统器件。本应用指南经常更新，以包含最新的应用和行业动态。每个手册分
别聚焦于我们所服务的一个细分市场：
1. 移动通信应用指南：www.infineon.com/rpd_appguide_mobile；
2. 消费类产品应用指南：www.infineon.com/rpd_appguide_consumer；
3. 工业应用指南：www.infineon.com/rpd_appguide_industrial；
4. 保护装置应用指南：www.infineon.com/rpd_appguide_protection。
我们遍布全球的应用专家，随时可利用我们的器件为您提供系统设计支持。请联系英飞凌的地
区办事处或您所在地区的英飞凌全球分销合作伙伴，获得您所需的各种支持。
此致
Heinrich Heiss博士
Chih-I Lin博士
射频与保护器件业务
部技术营销与应用工
程总监
射频与保护器件业务
部射频技术营销与应
用工程负责人
3
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
目录
英飞凌科技 ................................................................... 3
1 英飞凌的工业产品应用射频与保护器件 .......................................... 6
2 工业/汽车雷达系统 .......................................................... 7
2.1 集成式 24 GHz 雷达系统................................................... 8
2.2 24 GHz 分立式雷达系统 ................................................... 9
3 家居：舒适、控制与安全 ....................................................
3.1 家居适舒、控制与安全系统 ...............................................
3.2 无线烟雾传感器、车库门遥控开关与集线器 .................................
3.3 基于 RKE 的射频计量与自动抄表系统（AMR） ................................
3.4 基于 2.4 GHz RKE 的射频计量与自动化抄表系统（AMR） ......................
3.5 TPMS、RKE、遥控启动和长距离钥匙扣 ......................................
3.6 安全报警器.............................................................
3.7 遥控车门开关（RKE）和钥匙扣的基于分立式器件的晶振 ......................
3.8 射频控制机顶盒.........................................................
10
11
15
18
21
23
25
27
28
4 连网：利用蜂窝式调制解调器实现机器对机器（M2M）数据通信 ..................... 30
4.1 3G/3.5G/4G 调制解调器的多频低噪放大器 .................................. 32
4.2 天线开关............................................................... 35
5 Zigbee （IEEE802.15.4）工业无线通信 ........................................ 38
5.1 868 MHz/900 MHz Zigbee 前端 ............................................ 38
5.2 2.4 GHz Zigbee 前端 .................................................... 40
6 Wi-Fi 无线局域网（WLAN、IEEE802.11a/b/g/n/ac）和 WiMAX （IEEE802.16e） ....... 42
6.1 2.4 GHz Wi-Fi 无线局域网（WLAN、IEEE802.11b/g/n）和 WiMAX （IEEE802.16e）前
端 ........................................................................ 43
6.2 5 GHz 至 6 GHz Wi-Fi 无线局域网（WLAN、IEEE802.11a/n/ac）和 WiMAX （IEEE802.16e）
前端....................................................................... 45
6.3 3.5 GHz WiMAX （IEEE802.16e）前端 ...................................... 47
6.4 双频段（2.4 GHz 至 6.0 GHz）Wi-Fi 无线局域网（WLAN、IEEE802.11a/b/g/n）前端
.......................................................................... 49
7 全球卫星导航系统 .......................................................... 51
7.1 配备分立式射频器件的全球卫星导航系统（GNSS） ........................... 53
7.2 配备集成式前端模块的全球卫星导航系统（GNSS） ........................... 55
8 工业应用的有源天线（SDAR、DVB、GPS„„） ................................... 57
9 基站 ...................................................................... 59
4
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
10 配备分立式器件的射频功能组件 ..............................................
10.1 驱动放大器............................................................
10.2 宽带放大器 ............................................................
10.3 宽带宽单刀双掷开关 ....................................................
10.4 分立式压控振荡器 ......................................................
10.5 电压调谐滤波器 ........................................................
10.6 单肖特基二极管检测器 ..................................................
10.7 功率检测器的高隔离肖特基二极管对 ......................................
10.8 宽带宽 PIN 二极管可变衰减器 ............................................
10.9 配备肖特基二极管的无源混频器 ..........................................
10.10 配备双极晶体管的有源混频器 ...........................................
61
61
62
63
64
66
68
69
70
72
74
11 接口保护 .................................................................
11.1 利用分立式 ESD TVS 二极管保护接口 ......................................
11.2 反极性保护（RPP）电路.................................................
11.3 USB 充电器的反极性保护 ................................................
11.4 配备肖特基二极管的整流器电路 ..........................................
11.5 削波与箝位............................................................
75
76
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79
80
81
缩写 ....................................................................... 83
按字母顺序的符号列表 ........................................................ 83
封装信息.................................................................... 84
辅助资料.................................................................... 85
5
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
1 英飞凌的工业产品应用射频与保护器件
工业自动化的来临经历了几个演变周期，每个周期都伴随着理念、设计和技术的巨大进步。如
今，基于半导体的系统几乎用于所有工业应用，包括传感、控制、机器人、通信以及物流，等
等。安装这些系统的主要优势是：更快更简单的生产、更轻松的监控、精确的运行、电能节省
等，除此之外，还有其他诸多优势，在此不一一列举。
英飞凌针对各种工业应用——包括电机控制装置和驱动、楼宇控制装置、电源、交通、可再生
能源、施工与农用车辆等——推出了多种解决方案。不过，本文的范围主要限于无线系统。工
业应用广泛采用的频段是433 MHz、866 MHz、915 MHz、2.4 GHz和24 GHz。使用专门的频段需
要获得地方政府的批准。
在本指南中，我们的射频与保护器件产品组合囊括下列系统组件：
1. 发射器/接收器/收发器
2. 低噪/缓冲/驱动放大器
3. 开关、混频器、VCO、检测器、功率传感器
4. 接口保护二极管
此外，机器之间开始实现互连/通信——所谓的机器对机器（M2M）通信，或者更通俗地说是连
网。工业细分市场利用移动和无线通信的发展，将机器和设备连接在一起。这将改变我们的生
活，使我们获得更高的舒适度和安全度。英飞凌针对各种射频前端——从M2M移动数据通信、GNSS
导航到Zigbee或无线局域网个人区域网络（PAN）——推出了多种解决方案。
本手册涵盖的所有应用都用一个简化的原理图，显示多个组件，每个组件后面都有一个简短的
说明。英飞凌针对每个应用推荐的部件以表格的形式列出，同时介绍最重要的性能参数。包括
数据表、应用笔记、全新Spice模型和S参数文件、产品和应用手册以及样品套件等在内的产品
详细信息，可通过登录英飞凌网站（www.infineon.com/rfandprotectiondevices），点击相应
产品名称找到。
6
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
2 工业/汽车雷达系统
英飞凌推出了一个用于24 GHz雷达系统的全新IC家族。24 GHz ISM频段在全球多数主要国家都
是免许可频段，具备200 MHz带宽。在欧洲，到2018年，具备低输出功率的超宽带模式还可供各
种汽车应用使用。
英飞凌是首家24 GHz频段器件大型供应商，提供完全集成的雷达前端。这些IC具备完整的收发
通道——从发射功率生成到接收发射功率和将其转换至零中频。发射器通道由一个生成信号的
压控振荡器（VCO）、一个缓冲放大器、前置分频器和功率放大器构成。接收器级包含一个低噪
放大器（LNA）和一个具备差分I/Q输出的正交零差混频器。天线是雷达前端唯一未集成的射频
部分，因为其形态取决于目标应用的具体要求。内置的SPI接口具备更改内部组件设置的功能。
BGT24系列采用不同的配置：用作收发器，具备一个或两个接收通道，或用作接收器IC，具备两
个接收通道。这些IC的模块化概念为轻松开发不同的雷达系统创造了条件。采用一个收发器IC
可设计出只具备一个发射和接收天线（或两个位置靠近的天线）的单站雷达。将一个收发器IC
与一个双接收器IC有机结合在一起，可设计出具备更多接收通道的更加复杂的雷达网络。
英飞凌的BGT24家族涵盖工业雷达解决方案和汽车雷达解决方案。
汽车领域的典型应用包括用于盲点探测和停走辅助的短程雷达（SRR）或用于减轻碰撞、变道辅
助和低成本自适应巡航控制（ACC）的中程雷达（MRR）。
工业应用的例子包括速度计、油箱液位计量或照明应用的运动探测器、防盗报警器或开门器。
立足基于硅锗碳工艺的出色前端技术，英飞凌成为业界首家面向各种雷达应用推出出类拔萃的
高度集成的24GHz射频收发器解决方案的大型供应商。
7
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
2.1 集成式 24 GHz 雷达系统
图注：
Object to detect: 探测目标；Rx: 接收；Tx:发射；IF Amplifier: 中频放大器；
Microcontroller: 微控制器
24 GHz收发器/接收器IC的接收参数
Application
Note
Product
Conversion
Gain
[dB]
NFSSB
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
Package
1)
on request
26
12
-17
-7
3.3
150
VQFN-32-9
2)
BGT24ATR11
on request
26
12
-17
-7
3.3
150
VQFN-32-9
3)
on request
26
12
-17
-7
3.3
90
VQFN-32-9
BGT24MTR11
BGT24AR2
注：1) ”„MTRmn”: 配备M通道发射器和N通道接收器的多元化电子市场/工业收发器；
2) ”„ATRmn”：配备M通道发射器和N通道接收器的汽车收发器IC；3) ”„ARn”：配备N通道
接收器的汽车接收器IC 。
24 GHz 收发器IC的发射参数
Application
Note
Product
PN @ 100kH
[dBc/Hz]
Supply
Current
[dBm]
LO Output
Power
[dBm]
[V]
[mA]
Max. TX
Output Power
Package
1)
on request
8
n.a.
-85
3.3
150
VQFN-32-9
2)
on request
8
-6
-85
3.3
150
VQFN-32-9
2)
on request
8
-6
-85
3.3
150
VQFN-32-9
BGT24MTR11
BGT24ATR11
BGT24ATR12
注：1) “„MTRmn”: 配备M通道发射器和N通道接收器的多元化电子市场/工业收发器；
2) ”„ATRmn”：配备M通道发射器和N通道接收器的汽车收发器IC。
8
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
2.2 24 GHz 分立式雷达系统
图注：
Balun：平衡不平衡器；to baseband: 至基带；Double-balanced mixer: 双平衡混频器；Buffer
amplifier: 缓冲放大器
射频肖特基二极管混频器
Product
Application
Note
CT2)
[pF]
VR
[V]
VF
[mV]
IF
[mA]
VF
[mV]
IF
[mA]
IR
[μA]
VR
[V]
Package
BAT24-02LS
Q
AN190
0.21
0
230
1.0
320
10.0
< 5.0
4.0
TSSLP-2-1
1)
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频; 2)在1 MHz下；5) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/schottkydiodes，查寻备选器件。
9
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
3 家居：舒适、控制与安全
图注：
Wireless sensor hub: 无线传感器中心；Wireless glass break detector: 无线玻璃破碎探
测器; Thermostat control (radiator side): 恒温控制（散热器侧）；Wireless motion sensor:
无线运动传感器；Wireless smoke detector: 无线烟雾探测器；Wireless door/window contact:
无线门/窗防盗报警器；thermostat control (operator side):恒温控制（操作侧）
无线控制如今已成为人们日常生活不可或缺的一部分。从开门器、百叶窗和遥控器等常用装置
到计量与无线火灾报警器，无线控制装置俨然已成为适用于广泛应用的经济高效的牢靠解决方
案。英飞凌推出完整的亚GHz无线器件产品组合，从完全集成的IC到世界一流的SmartLEWIS™ 无
线器件以及兼具最优射频性能和数字特性的高级器件等，不一而足。
SmartLEWIS™收发器TDA5340和TDA5150发射器都是基于射频CMOS工艺的低功率器件。这些器件具
备出类拔萃的射频性能和灵活的数字解决方案。英飞凌所有的SmartLEWIS™器件都可通过嵌入式
SPI端口轻松连接任何标准微处理器。极低的待机电流和高能效的功率放大器使SmartLEWIS™无
线器件成为智能计量、家居安防与控制等应用的理想之选。我们所有的SmartLEWIS™无线器件都
随机提供全面完整的文档、评估板和用户友好的软件。请登录我们的网站
www.infineon.com/wirelesscontrol，了解更多信息。选用英飞凌的这些可完全编程的高性能
射频器件，可提高设计速度和灵活性！
对于无线链路必须覆盖一个大面积分立式射频前端器件（例如低噪放大器）的应用而言，英飞
凌的SPDT开关和驱动放大器是最优之选。此外，英飞凌的超快TVS ESD二极管可保护您系统的无
线装置和数字接口，以防受到ESD电流干扰，同时不影响系统性能。请登录我们的网站
www.infineon.com，了解产品和应用的更多信息。
10
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
3.1 家居适舒、控制与安全系统
图注：
Driver amp.: 驱动放大器；SPDT Switch: SPDT开关；ESD diode: ESD二极管；RF-Tx: 射频发
射器；RF-Rx: 射频接收器；Micro-controller: 微控制器；Stepper motor driver: 步进电机
驱动
应用1： 温控器——散热器侧（欧盟：868 MHz）
11
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
图注：
Driver amp.: 驱动放大器；SPDT Switch: SPDT开关；ESD diode: ESD二极管；RF-Tx: 射频发
射器；RF-Rx: 射频接收器；Micro-controller & NV memory: 微控制器与非易失性存储器；LCD
display: 液晶显示器；Touch pad: 触摸板
应用2：温控器——操作员侧
315 MHz至434 MHz的射频晶体管低噪放大器
Application
Note
Gms
[dB]
NFmin
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
AN111
26.5
1.1
+11
+26
3.0
20.0
BFP460
AN143
23.0
1.2
+10
+25
3.0
20.0
SOT343
BFR380F
on request
19.8
1.0
+11
+26
3.0
20.0
TSFP-3
BFR360F
on request
21.5
1.1
+9
+24
3.0
15.0
TSFP-3
BFR181W
on request
19.0
0.9
-
-
8.0
5.0
SOT323
Product
BFP540ESD
BFP540FESD
Package
SOT343
TSFP-4
注：1) 在900 MHz下测量的参数； 2) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/rftransistors ，查寻备选器件。
315 MHz至434 MHz的射频晶体管驱动/缓冲放大器
Product
Application
Note
Gms
[dB]
NFmin
[dB]
OP-1dB
[dBm]
OIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
Package
BFR380F
AN196
20.0
1.3
+13
+28
3.0
40
TSFP-3
BFR360F
on request
+21.7
1.8
+11
+25
3.0
35
TSFP-3
BFR181W
on request
-
-
-
-
-
20
SOT323
注：1) 在900 MHz下测量的参数； 2) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/driveramplifier，查寻备选器件。
12
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
868 MHz至928 MHz的射频晶体管低噪放大器
Product
Application
Note
Gms
[dB]
NFmin
[dB]
OP-1dB
[dBm]
OIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
BFR360F
AN150
21.5
1.1
+9
+24
3.0
15.0
TSFP-3
BFP460
on request
23.0
1.2
+10
+25
3.0
20.0
SOT343
on request
26.5
1.1
+11
+26
3.0
20.0
BFP540ESD
BFP540FESD
Package
SOT343
TSFP-4
注：1) 在900 MHz下测量的参数； 2) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/rftransistors ，查寻备选器件。
868 MHz至928 MHz的射频晶体管驱动/缓冲放大器
Product
Application
Note
Gms
[dB]
NFmin
[dB]
OP-1dB
[dBm]
OIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
BFP650
AN208
26.5
1.2
+17
+31
3.0
70.0
SOT343
BFP450
AN157
23.5
2.1
+19
+35
3.0
90.0
SOT343
BFR380F
on request
20.0
1.3
+13
+28
3.0
40.0
TSFP-3
P-0.1dB4)
[dBm]
Pin,max5)
[dBm]
Package
Package
注：1) 在900 MHz下测量的参数;
2) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/driveramplifier，查寻备选器件。
射频CMOS开关
Product
[V]
Vctrl1)
[V]
IL2)
[dB]
Application
Note
Supply
Isolation
3
)
[dB]
BGS12A
AN175
2.4„2.8
1.4„2.8
0.3/0.6
34/27
> 21
21
FWLP-6-1
BGS12AL7-4
AN175
2.4„2.8
1.4„2.8
0.4/0.5
32/25
> 21
21
TSLP-7-4
BGS12AL7-6
AN175
2.4„2.8
1.4„2.8
0.4/0.5
32/25
> 21
21
TSLP-7-6
注：1) 数控电压；2) 在1.0GHz/ 2.0 GHz下的插入损耗；； 3) 在1.0GHz/ 2.0 GHz下的隔离
度； 4) 0.1dB 压缩点; 5) 最大输入功率; 6) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/rfswitches，查寻备选器件。
射频PIN二极管开关
1)
Product
Application
Note
rF2)
[ Ω]
IF
[mA]
rF2)
[ Ω]
IF
[mA]
CT
[pF]
VR
[V]
τL4)
[ns]
AN275
2.0
1
1.0
10
0.21
5
75
BAR63-02L
BAR63-02V
TSLP-2-1
BAR63-03W
TSLP-2-7
AN033
12.5
1
2.1
10
0.23
20
1550
BAR64-03W
BAR90-02LS
SC79
SOD323
BAR64-02LRH
BAR64-02V
Package
SC79
SOD323
TR1054
1.3
3.0
0.8
10.0
0.25
1.0
750
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频; 2) 在100 MHz下; 3) 在1 MHz下; 4)正向偏压（IF = 10 mA）
与逆向偏压（IR = 6mA或3 mA）之间的转换时间; 5) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/pindiodes ，查寻备选器件。
13
TSSLP-2-1
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
TVS ESD 二极管
Product
ESD0P2RF-02LS
ESD0P2RF-02LRH
ESD0P1RF-02LS
ESD0P1RF-02LRH
VCL2)
[VCL]@[A]
Rdyn3)
[Ω]
IPP4)
[A]
VCL5)
[V]
CT6)
[pF]
Protected
Lines
±20
±29@±16
±38@±30
1
-
-
0.2
1
±10
±36@±8
±48@±16
1.5
-
-
0.1
1
Application
Note
VRWM
[V]
ESD
AN178
±5.3
on request
±15
1)
[kV]
注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电
压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标
准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5
标准（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND；7)请
登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。
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Package
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
3.2 无线烟雾传感器、车库门遥控开关与集线器
图注：
Driver amp.: 驱动放大器；SPDT Switch: SPDT开关；ESD diode: ESD二极管；RF-Tx: 射频发
射器；RF-Rx: 射频接收器；Micro-controller & NV memory: 微控制器与非易失性存储器；
315 MHz至434 MHz的射频晶体管低噪放大器
Application
Note
Gms
[dB]
NFmin
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
AN111
26.5
1.1
+11
+26
3.0
20.0
BFP460
AN143
23.0
1.2
+10
+25
3.0
20.0
SOT343
BFR380F
on request
19.8
1.0
+11
+26
3.0
20.0
TSFP-3
BFR360F
on request
21.5
1.1
+9
+24
3.0
15.0
TSFP-3
BFR181W
on request
19.0
0.9
-
-
8.0
5.0
SOT323
Product
BFP540ESD
BFP540FESD
Package
SOT343
TSFP-4
注：1) 在900 MHz下测量的参数; 2) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/rftransistors ，查寻备选器件。
315 MHz至434 MHz的射频晶体管驱动/缓冲放大器
Product
Application
Note
Gms
[dB]
NFmin
[dB]
OP-1dB
[dBm]
OIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
Package
BFR380F
AN196
20.0
1.3
+13
+28
3.0
40
TSFP-3
BFR360F
on request
+21.7
1.8
+11
+25
3.0
35
TSFP-3
BFR181W
on request
-
-
-
-
-
20
SOT323
注：1) 在900 MHz下测量的参数; 2) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/driveramplifier ，查寻备选器件。
15
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
868 MHz 至 928 MHz的射频晶体管低噪放大器
Product
Application
Note
Gms
[dB]
NFmin
[dB]
OP-1dB
[dBm]
OIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
BFR360F
AN150
21.5
1.1
+9
+24
3.0
15.0
TSFP-3
BFP460
on request
23.0
1.2
+10
+25
3.0
20.0
SOT343
on request
26.5
1.1
+11
+26
3.0
20.0
BFP540ESD
BFP540FESD
Package
SOT343
TSFP-4
注：1) 在900 MHz下测量的参数; 2) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/rftransistors ，查寻备选器件。
868 MHz 至 928 MHz的射频晶体管驱动/缓冲放大器
Product
Application
Note
Gms
[dB]
NFmin
[dB]
OP-1dB
[dBm]
OIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
BFP650
AN208
26.5
1.2
+17
+31
3.0
70.0
SOT343
BFP450
AN157
23.5
2.1
+19
+35
3.0
90.0
SOT343
BFR380F
on request
20.0
1.3
+13
+28
3.0
40.0
TSFP-3
P-0.1dB4)
[dBm]
Pin,max5)
[dBm]
Package
Package
注：1) 在900 MHz下测量的参数; 2) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/driveramplifier ，查寻备选器件。
射频CMOS开关
Product
[V]
Vctrl1)
[V]
IL2)
[dB]
Application
Note
Supply
Isolation
3
)
[dB]
BGS12A
AN175
2.4„2.8
1.4„2.8
0.3/0.6
34/27
> 21
21
FWLP-6-1
BGS12AL7-4
AN175
2.4„2.8
1.4„2.8
0.4/0.5
32/25
> 21
21
TSLP-7-4
BGS12AL7-6
AN175
2.4„2.8
1.4„2.8
0.4/0.5
32/25
> 21
21
TSLP-7-6
注：1) 数控电压；2) 在1.0GHz/ 2.0 GHz下的插入损耗；； 3) 在1.0GHz/ 2.0 GHz下的隔离
度；; 4) 0.1dB 压缩点; 5) 最大输入功率; 6) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/rfswitches ，查寻备选器件。
射频PIN二极管开关
1)
Product
Application
Note
rF2)
[ Ω]
IF
[mA]
rF2)
[ Ω]
IF
[mA]
CT
[pF]
VR
[V]
τL4)
[ns]
AN275
2.0
1
1.0
10
0.21
5
75
BAR63-02L
BAR63-02V
TSLP-2-1
BAR63-03W
TSLP-2-7
AN033
12.5
1
2.1
10
0.23
20
1550
BAR64-03W
BAR90-02LS
SC79
SOD323
BAR64-02LRH
BAR64-02V
Package
SC79
SOD323
TR1054
1.3
3.0
0.8
10.0
0.25
1.0
750
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频;2) 在100 MHz下; 3) 在1 MHz下; 4)正向偏压（IF = 10 mA）
与逆向偏压（IR = 6mA或3 mA）之间的转换时间; 5) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/pindiodes ，查寻备选器件。
16
TSSLP-2-1
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
TVS ESD二极管
Product
ESD0P2RF-02LS
ESD0P2RF-02LRH
ESD0P1RF-02LS
ESD0P1RF-02LRH
VCL2)
[VCL]@[A]
Rdyn3)
[Ω]
IPP4)
[A]
VCL5)
[V]
CT6)
[pF]
Protected
Lines
±20
±29@±16
±38@±30
1
-
-
0.2
1
±10
±36@±8
±48@±16
1.5
-
-
0.1
1
Application
Note
VRWM
[V]
ESD
AN178
±5.3
on request
±15
1)
[kV]
注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电
压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标
准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5
标准（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND；7)请
登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。
17
Package
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
3.3 基于 RKE 的射频计量与自动抄表系统（AMR）
图注：
ESD diode: ESD二极管；SPDT Switch: SPDT开关；Driver amp.: 驱动放大器；Mixer: 混频器；
baseband & signal processing IC: 基带与信号处理IC
射频晶体管低噪放大器
Product
Application
Note
Gms
[dB]
NFmin
[dB]
OP-1dB
[dBm]
OIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
BFR360F
AN150
21.5
1.1
+9
+24
3.0
15.0
TSFP-3
BFP460
on request
23.0
1.2
+10
+25
3.0
20.0
SOT343
on request
26.5
1.1
+11
+26
3.0
20.0
BFP540ESD
BFP540FESD
Package
SOT343
TSFP-4
注：1) 在900 MHz下测量的参数; 2) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/rftransistors ，查寻备选器件。
射频晶体管驱动/缓冲放大器
Product
Application
Note
Gms
[dB]
NFmin
[dB]
OP-1dB
[dBm]
OIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
BFP650
AN208
26.5
1.2
+17
+31
3.0
70.0
SOT343
BFP450
AN157
23.5
2.1
+19
+35
3.0
90.0
SOT343
BFR380F
on request
20.0
1.3
+13
+28
3.0
40.0
TSFP-3
注：1) 在900 MHz下测量的参数; 2) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/driveramplifier ，查寻备选器件。
18
Package
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
射频晶体管振荡器
Product
Application
Note
BFP410
on request
BFR360F
on request
fT1)
[GHz]
Af2)
[-]
Kf3)
[-]
fC4)
[kHz]
Package
Si
25
2.1
1.7E-10
131
SOT343
Si
14
1.75
1.0E-11
-
TSFP-3
Technology
注：1) 特征频率；2) Af和Kf是具备1/f噪声的spice模型的参数； 3)在10 mA下测量的1/f噪声
至白噪声基底的角频率；4)请登录我们的网站http://www.infineon.com/rftransistors，查寻
备选器件。
射频CMOS开关
[V]
Vctrl1)
[V]
IL2)
[dB]
AN175
2.4„2.8
1.4„2.8
0.3/0.6
BGS12AL7-4
AN175
2.4„2.8
1.4„2.8
BGS12AL7-6
AN175
2.4„2.8
1.4„2.8
Application
Note
Supply
BGS12A
Product
Isolation
3
P-0.1dB4)
[dBm]
Pin,max5)
[dBm]
Package
34/27
> 21
21
FWLP-6-1
0.4/0.5
32/25
> 21
21
TSLP-7-4
0.4/0.5
32/25
> 21
21
TSLP-7-6
)
[dB]
注：1) 数控电压；2) 在1.0GHz/ 2.0 GHz下的插入损耗；； 3) 在1.0GHz/ 2.0 GHz下的隔离
度；; 4) 0.1dB 压缩点; 5) 最大输入功率;
6) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/rfswitches ，查寻备选器件。
射频PIN二极管开关
1)
Product
Application
Note
rF2)
[ Ω]
IF
[mA]
rF2)
[ Ω]
IF
[mA]
CT
[pF]
VR
[V]
τL4)
[ns]
AN275
2.0
1
1.0
10
0.21
5
75
BAR63-02L
Package
TSLP-2-1
BAR63-02V
BAR63-03W
SC79
SOD323
BAR64-02LRH
TSLP-2-7
BAR64-02V
AN033
12.5
1
2.1
10
0.23
20
1550
BAR64-03W
SC79
SOD323
BAR90-02LS
TR1054
1.3
3.0
0.8
10.0
0.25
1.0
750
TSSLP-2-1
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频;2) 在100 MHz下; 3) 在1 MHz下; 4)正向偏压（IF = 10 mA）
与逆向偏压（IR = 6mA或3 mA）之间的转换时间; 5) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/pindiodes ，查寻备选器件。
射频变容器二极管
1)
Product
BBY51
D
BBY52-02L
BBY53
D
Application
Note
CT2)
[pF]
@VR
[V]
CT2)
[pF]
@VR
[V]
CRatio
IR
[nA]
@VR
[V]
on request
5.3
1
3.1
4
1.7
< 10
6
SOT23
on request
1.8
1
1.1
4
1.6
< 10
6
TSLP-2-1
on request
5.3
1
2.4
3
2.2
< 10
4
SOT23
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频;2) 在1 MHz下; 3) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/varactordiodes ，查寻备选器件。
19
Package
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
TVS ESD二极管
Product
ESD0P2RF-02LS
ESD0P2RF-02LRH
ESD0P1RF-02LS
ESD0P1RF-02LRH
VCL2)
[VCL]@[A]
Rdyn3)
[Ω]
IPP4)
[A]
VCL5)
[V]
CT6)
[pF]
Protected
Lines
±20
±29@±16
±38@±30
1
-
-
0.2
1
±10
±36@±8
±48@±16
1.5
-
-
0.1
1
Application
Note
VRWM
[V]
ESD
AN178
±5.3
on request
±15
1)
[kV]
注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电
压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标
准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5
标准（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND；7)请
登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。
20
Package
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
3.4 基于 2.4 GHz RKE 的射频计量与自动化抄表系统（AMR）
图片：
ESD diode: ESD二极管；SPDT Switch: SPDT开关；Driver amp.: 驱动放大器；Mixer: 混频器；
baseband & signal processing IC: 基带与信号处理IC
射频MMIC低噪放大器
Product
Application
Note
Gain
BGA628L7
TR152
17.7
BGA777L7
1)
BGA622
NF
[dB]
[dB]
1.4
2)
TR1006
16.5/-7
1.2/7
AN069
12.6
1.3
2)
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
-18
-10
2.8
5.2
2)
-6/0
-2/+6
-15
-4
2)
Package
TSLP-7-8
2)
2.8
4.1/0.6
TSLP-7-1
2.8
5.4
SOT343
注：1) 具备两个增益模式（高增益/低增益）的低噪放大器； 2) 在高增益（HG）/低增益（LG）
模式下的值； 3) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/rfmmics ，查寻备选器件。
射频晶体管低噪放大器
Product
Application
Note
Gain
NF
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[dB]
[V]
[mA]
BFP740ESD
AN217
17.6
0.78
-7
-4
3.3
13.1
SOT343
BFP740FESD
AN171
17.4
0.8
-13
-3
3.6
14.7
TSFP-4
BFP640ESD
AN218
16.5
0.83
-12
+9
3.0
7.3
SOT343
BFP640FESD
AN129
15.5
0.9
-11
0
3.0
6.3
TSFP-4
注：请登录我们的网站http://www.infineon.com/rftransistors，查寻配备射频晶体管的备选
解决方案。
21
Package
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
射频晶体管驱动/缓冲放大器
Application
Note
Product
Gain
[dB]
NF
[dB]
OP-1dB
[dBm]
BFP780
OIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
Package
on request
BFR770W
on request
BFR380F
on request
11.0
1.6
+17
+29
3.0
40.0
TSFP-3
BFP650
AN153
17.5
1.4
+17
+30
2.4
70.0
SOT343
BFP450
AN145
13.5
2.2
+19
+30
2.4
90.0
SOT343
注：1) 在2.4 GHz下测量参数; 2) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/driveramplifier ，查寻备选器件。
PIN二极管开关
1)
Product
Application
Note
rF2)
[ Ω]
IF
[mA]
rF2)
[ Ω]
IF
[mA]
CT3)
[pF]
VR
[V]
τL4)
[ns]
AN049
2.0
1
1.0
10
0.21
5
75
BAR63-02L
Package
TSLP-2-1
BAR63-02V
BAR63-03W
SC79
SOD323
BAR90-02LS
AN197
1.3
3
0.8
10.0
0.25
1.0
750
TSSLP-2-1
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频;2) 在100 MHz下; 3) 在1 MHz下; 4) 正向偏压（IF = 10 mA）
与逆向偏压（IR = 6mA或3 mA）之间的转换时间; 5) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/pindiodes ，查寻备选器件。
射频变容器二极管
1)
Product
BBY51
D
BBY52-02L
BBY53
D
Application
Note
CT2)
[pF]
@VR
[V]
CT2)
[pF]
@VR
[V]
CRatio
IR
[nA]
@VR
[V]
Package
on request
5.3
1
3.1
4
1.7
< 10
6
SOT23
on request
1.8
1
1.1
4
1.6
< 10
6
TSLP-2-1
on request
5.3
1
2.4
3
2.2
< 10
4
SOT23
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频;2) 在1MHz下； 3) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/varactordiodes ，查寻备选器件。
TVS ESD二极管
Product
ESD0P2RF-02LS
ESD0P2RF-02LRH
ESD0P1RF-02LS
ESD0P1RF-02LRH
VCL2)
[VCL]@[A]
Rdyn3)
[Ω]
IPP4)
[A]
VCL5)
[V]
CT6)
[pF]
Protected
Lines
±20
±29@±16
±38@±30
1
-
-
0.2
1
±10
±36@±8
±48@±16
1.5
-
-
0.1
1
Application
Note
VRWM
[V]
ESD
AN178
±5.3
on request
±15
1)
[kV]
注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电
压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标
准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5
标准（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND；7)请
登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。
22
Package
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
3.5 TPMS、RKE、遥控启动和长距离钥匙扣
图注：
Buffer amp.: 缓冲放大器；ESD diode: ESD二极管；Rx LNAL: 接收低噪放大器；Receiver IC：
接收器IC
用于远程启动的RKE钥匙扣，例如TDA5150。
射频晶体管低噪放大器
Product
BFP540ESD
BFP540FESD
Application
Note
Gms
[dB]
NFmin
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
AN111
26.5
1.1
+11
+26
3.0
20.0
Package
SOT343
TSFP-4
BFP460
AN143
23.0
1.2
+10
+25
3.0
20.0
SOT343
BFR380F
on request
19.8
1.0
+11
+26
3.0
20.0
TSFP-3
BFR360F
on request
21.5
1.1
+9
+24
3.0
15.0
TSFP-3
BFR181W
on request
19.0
0.9
-
-
8.0
5.0
SOT323
注：1) 在900 MHz下测量的参数; 2) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/rftransistors ，查寻备选器件。
23
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
射频晶体管驱动/缓冲放大器
Product
Application
Note
Gms
[dB]
NFmin
[dB]
OP-1dB
[dBm]
OIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
BFR380F
AN196
20.0
1.3
+13
+28
3.0
40
TSFP-3
BFR360F
on request
+21.7
1.8
+11
+25
3.0
35
TSFP-3
BFR181W
on request
-
-
-
-
-
20
SOT323
Package
Package
注：1) 在900 MHz下测量的参数; 2) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/driveramplifier ，查寻备选器件。
TVS ESD二极管
Product
ESD0P2RF-02LS
ESD0P2RF-02LRH
ESD0P1RF-02LS
ESD0P1RF-02LRH
VCL2)
[VCL]@[A]
Rdyn3)
[Ω]
IPP4)
[A]
VCL5)
[V]
CT6)
[pF]
Protected
Lines
±20
±29@±16
±38@±30
1
-
-
0.2
1
±10
±36@±8
±48@±16
1.5
-
-
0.1
1
Application
Note
VRWM
[V]
ESD
AN178
±5.3
on request
±15
1)
[kV]
注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电
压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标
准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5
标准（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND；7)请
登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。
24
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
3.6 安全报警器
图注：
ESD diode: ESD二极管；Rx: 接收；SPDT Switch: SPDT开关；Buffer amp.: 缓冲放大器；
Transceiver IC: 收发器IC
射频晶体管低噪放大器
Application
Note
Gms
[dB]
NFmin
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
AN111
26.5
1.1
+11
+26
3.0
20.0
BFP460
AN143
23.0
1.2
+10
+25
3.0
20.0
SOT343
BFR380F
on request
19.8
1.0
+11
+26
3.0
20.0
TSFP-3
BFR360F
on request
21.5
1.1
+9
+24
3.0
15.0
TSFP-3
BFR181W
on request
19.0
0.9
-
-
8.0
5.0
SOT323
Product
BFP540ESD
BFP540FESD
Package
SOT343
TSFP-4
注：1) 在900 MHz下测量的参数; 2) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/rftransistors ，查寻备选器件。
射频晶体管驱动/缓冲放大器
Product
Application
Note
Gms
[dB]
NFmin
[dB]
OP-1dB
[dBm]
OIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
BFR380F
AN196
20.0
1.3
+13
+28
3.0
40
TSFP-3
BFR360F
on request
+21.7
1.8
+11
+25
3.0
35
TSFP-3
BFR181W
on request
-
-
-
-
8.0
20
SOT323
注：1) 在900 MHz下测量的参数; 2) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/driveramplifier ，查寻备选器件。
25
Package
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
射频CMOS开关
Product
[V]
Vctrl1)
[V]
IL2)
[dB]
Application
Note
Supply
Isolation
3
)
[dB]
P-0.1dB4)
[dBm]
Pin,max5)
[dBm]
Package
BGS12A
AN175
2.4„2.8
1.4„2.8
0.3/0.6
34/27
> 21
21
FWLP-6-1
BGS12AL7-4
AN175
2.4„2.8
1.4„2.8
0.4/0.5
32/25
> 21
21
TSLP-7-4
BGS12AL7-6
AN175
2.4„2.8
1.4„2.8
0.4/0.5
32/25
> 21
21
TSLP-7-6
注：1) 数控电压；2) 在1.0GHz/ 2.0 GHz下的插入损耗；； 3) 在1.0GHz/ 2.0 GHz下的隔离
度；; 4) 0.1dB 压缩点; 5) 最大输入功率; 6) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/rfswitches ，查寻备选器件。
射频PIN二极管开关
1)
Product
Application
Note
rF2)
[ Ω]
IF
[mA]
rF2)
[ Ω]
IF
[mA]
CT
[pF]
VR
[V]
τL4)
[ns]
AN275
2.0
1
1.0
10
0.21
5
75
BAR63-02L
BAR63-02V
TSLP-2-1
BAR63-03W
TSLP-2-7
AN033
12.5
1
2.1
10
0.23
20
1550
BAR64-03W
BAR90-02LS
SC79
SOD323
BAR64-02LRH
BAR64-02V
Package
SC79
SOD323
TR1054
1.3
3.0
0.8
10.0
0.25
1.0
750
TSSLP-2-1
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频;2) 在100 MHz下; 3) 在1 MHz下; 4)正向偏压（IF = 10 mA）
与逆向偏压（IR = 6mA或3 mA）之间的转换时间; 5) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/pindiodes ，查寻备选器件。
TV ESD 二极管
Product
ESD0P2RF-02LS
ESD0P2RF-02LRH
ESD0P1RF-02LS
ESD0P1RF-02LRH
VCL2)
[VCL]@[A]
Rdyn3)
[Ω]
IPP4)
[A]
VCL5)
[V]
CT6)
[pF]
Protected
Lines
±20
±29@±16
±38@±30
1
-
-
0.2
1
±10
±36@±8
±48@±16
1.5
-
-
0.1
1
Application
Note
VRWM
[V]
ESD
AN178
±5.3
on request
±15
1)
[kV]
注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电
压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标
准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5
标准（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND；7)请
登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。
26
Package
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
3.7 遥控车门开关（RKE）和钥匙扣的基于分立式器件的晶振
图注：
RF Transistor: 射频晶体管
射频晶体管振荡器
fT1)
[GHz]
Af2)
[-]
Kf3)
[-]
fC4)
[kHz]
Package
Si
25
2.1
1.7E-10
131
SOT343
on request
Si
14
1.75
1.0E-11
-
TSFP-3
AN099
Si
8
-
-
-
SOT23
Product
Application
Note
BFP410
on request
BFR360F
BFR182
Technology
注： 1) 特征频率；2) Af和Kf是具备1/f噪声的spice模型的参数； 3)在10 mA下测量的1/f噪
声至白噪声基底的角频率；4) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/rftransistors ，
查寻备选器件。
27
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
3.8 射频控制机顶盒
图注：
Modem: 调制解调器；Connection ports: 连接端口；Micro control: 微控制器；RF-Rx: 射频
发射器；ESD diode: ESD二极管；Smart card: 智能卡；IR sensor: 红外传感器; Controls: 控
制装置
射频MMIC低噪放大器
Product
Application
Note
Gain
NF
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[dB]
[V]
[mA]
BGA612
AN098
17.0
2.2
-9
0
5.0
20.0
SOT343
BGA614
AN067
18.5
2.2
-6
+6
5.0
40.0
SOT343
BGA616
AN098
18.5
2.8
0
+11
5.0
60.0
SOT343
BGB707L7ESD
AN232
13.0
1.5
-7
-11
3.0
2.9
TSLP-7-1
BGB741L7ESD
AN206
15.3
1.5
-
-3
2.8
5.4
TSLP-7-1
注： 请登录我们的网站http://www.infineon.com/rfmmics ，查寻备选器件。
28
Package
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
射频晶体管低噪放大器
Product
BFP540ESD
BFP540FESD
BFP460
Application
Note
Gain
NF
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[dB]
[V]
[mA]
AN142
12.0
1.6
-21
-13
5.0
3.3
TR1038
18.0
1.6
-16
+1
2.8
10.0
SOT343
Package
Package
SOT343
TSFP-4
注： 请登录我们的网站http://www.infineon.com/rftransistors ，查寻备选器件。
TVS ESD二极管
Product
ESD0P2RF-02LS
ESD0P2RF-02LRH
ESD0P1RF-02LS
ESD0P1RF-02LRH
VCL2)
[VCL]@[A]
Rdyn3)
[Ω]
IPP4)
[A]
VCL5)
[V]
CT6)
[pF]
Protected
Lines
±20
±29@±16
±38@±30
1
-
-
0.2
1
±10
±36@±8
±48@±16
1.5
-
-
0.1
1
Application
Note
VRWM
[V]
ESD
AN178
±5.3
on request
±15
1)
[kV]
注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电
压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标
准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5
标准（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND；7)请
登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。
29
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
4 连网：利用蜂窝式调制解调器实现机器对机器（M2M）数据通信
下面的框图为2G/2.5G和3G/3.5G/4G调制解调器（GSM/EDGE/UMTS/LTE/TDS-CDMA/TDS-LTE）的现
代手机前端的整个原理图。
英飞凌科技拥有一揽子产品，是业界首屈一指的供应商之一。公司通过采用工业标准硅工艺，
可为各种移动应用和无线应用提供高性能射频前端组件。英飞凌面向手机前端，成功推出各种
射频CMOS主天线开关、分集天线开关以及MMIC硅锗低噪放大器和肖特基二极管功率检测器。
英飞凌的射频CMOS开关被广泛应用于频段选择/开关或天线的分集开关。如果需要大幅降低手机
的IMD生成量，可将PIN二极管用作开关。低势垒肖特基功率检测二极管安装在功率放大器的后
面，用于实现精确输出功率控制。
我们具备出色低噪声系数的硅锗MMIC低噪放大器，可提升几个dB的射频调制解调器灵敏度，并
可通过抑制来自信号线的损耗、SAW滤波器和接收器的噪声，确保实现系统灵活布局。
有关我们针对蜂窝式调制解调器及其应用推出的产品组合的更多详细信息请参考我们的应用指
南——第一部分：移动通信。或者您也可联系英飞凌的地区办事处或您所在地区的英飞凌全球
经销合作伙伴之一，获得您所需的各种支持。
30
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
图注：
ANT Switch: 天线开关；Duplexer: 双工器；Power detector: 功率检测器；2G/2.5G transceiver
IC: 2G/2.5G 收发器IC; 3G/4G transceiver IC: 3G/4G收发器IC
31
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
4.1 3G/3.5G/4G 调制解调器的多频低噪放大器
良好的系统灵敏度可提升终端客户的使用体验。改进系统灵敏度的简单办法是在接收通道中添
加一个低噪放大器。低噪放大器可抑制模拟射频前端、收发器和线路损耗所产生的噪声，因此
可轻松使系统灵敏度提升几个分贝。
英飞凌针对2G/3G/3.5G/4G应用（例如GSM/EDGE、CDMA、UMTS/WCDMA/TDS-CDMA、
HSDPA/HSUPA/HSPA、LTE/TDS-LTE）推出了一揽子MMIC低噪放大器产品。我们的MMIC低噪放大器
产品组合涵盖700MHz至2800MHz频率范围内的所有常用频段或频段组合（单频段、双频段、三频
段、四频段低噪放大器）。这些MMIC低噪放大器具备以下突出特性：
-
具备2个或3个数字转换增益级别的低噪放大器电路，为取得良好的噪声性能，或在高干扰
环境下实现正常运行创造了条件；
-
输入和输出匹配或预匹配；
-
内置的温度和电源电压稳定功能，以及全面的ESD防护电路设计确保系统稳定运行。
如欲了解更多详细信息或备选产品，请登录我们的网站：www.infineon.com/ltelna。
图注
From duplexer：来自双工器
3G/4G Transceiver IC：3G/4G收发器IC
32
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
四频段MMIC低噪放大器
Product
1)
BGA748N16
1)
BGA749N16
IP-1dB2)
[dBm]
IIP32)
[dBm]
Supply
Current
[dB]
NF2)
[dB]
[V]
[mA]
700-1000
700-1000
1450−2000
2100−2700
16.6/-8.0
1.1/8.0
-8/+2
-7/+15
2.8
4.0/0.75
TSNP-16-1
700-1000
700-1000
1450−2000
2100−2700
16.6/-7.9
1.1/7.9
-8/+2
-7/+14
2.8
4.0/0.76
TSNP-16-1
Freq. Range
Gain
[MHz]
2)
2)
Package
注：1) 具备两个增益模式的低噪放大器（高增益/低增益）；2) 在高增益（HG）/低增益（LG）
模式下的值； 3) 请登录我们的网站www.infineon.com/ltelna，查询备选器件。
三频段3G/4G MMIC低噪放大器
Product
1)
BGA735N16
1)
BGA734L16
2)
BGA736L16
Freq. Range
Gain
IP-1dB3)
[dBm]
IIP33)
[dBm]
Current
[dB]
NF3)
[dB]
Supply
[MHz]
3)
[V]
[mA]
3)
700-1000
1450−2000
2100−2700
16.5/-7.8
1.1/7.8
-6/-10
-11/-1
2.8
3.7/0.65
TSNP-16-1
700-1000
1450−2000
2100−2700
15.1/-7.3
1.2/7.1
-12/-4
-6/+6
2.8
3.5/0.65
TSLP-16-1
700-1000
1450−2000
2100−2700
16/2.7/-8.
2
1.0/2.5/8.
2
-12/-7
-5/+2
2.8
5.2/5.2/0.
8
TSLP-16-1
Package
注：1) 具备两个增益模式（高增益/低增益）的低噪放大器；2) 具备三个增益模式（高增益/
中等增益/低增益）的低噪放大器； 3) 在高增益（HG）/ [中等增益（MG）] /低增益模式（LG）
模式下的值；4) 请登录我们的网站www.infineon.com/ltelna，查询备选器件。
双频段MMIC低噪放大器
Product
BGA771L1
1)
IP-1dB2)
[dBm]
IIP32)
[dBm]
Supply
Current
[dB]
NF2)
[dB]
[V]
[mA]
16.0/-7.9
1.1/7.9
-7/-10
-6/+3
2.8
3.4/0.65
Freq. Range
Gain
[MHz]
700-1000
1450-2200
2)
2)
注：1) 具备两个增益模式（高增益/低增益）的低噪放大器；2) 在高增益（HG）/低增益（LG）
模式下的值；3) 请登录我们的网站www.infineon.com/ltelna，查询备选器件。
33
Package
TSLP-16-1
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
单频段MMIC低噪放大器
Product
IP-1dB2)
[dBm]
IIP32)
[dBm]
Supply
Current
[dB]
NF2)
[dB]
[V]
[mA]
Freq. Range
Gain
[MHz]
2)
2)
Package
BGA713L7
1)
700-800
15.5/-9.2
1.1/9.2
-7/-12
-8/-2
2.8
4.8/0.5
TSLP-7-1
BGA751L7
1)
800−1000
15.8/-7.7
1.0/7.9
-5/-8
-7/+1
2.8
3.3/0.5
TSLP-7-1
BGA711L7
1)
1450−2200
17.0/-8.4
1.1/8.4
-8/-2
-2/+7
2.8
3.6/0.5
TSLP-7-1
BGA777L7
1)
2300−2700
16.0/-7.1
1.2/6.9
-10/-2
-2/+7
2.8
4.2/0.5
TSLP-7-1
注：1) 具备两个增益模式（高增益/低增益）的低噪放大器；2) 在高增益（HG）/低增益（LG）
模式下的值；3) 请登录我们的网站www.infineon.com/ltelna，查询备选器件。
34
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
4.2 天线开关
4.2.1 带射频CMOS 开关的多模调制解调器天线开关(GSM/EDGE/UMTS/LTE/TDS-CDMA/TDS-LTE)
英飞凌推出多种专用于主要芯片厂商和其他客户的参考设计的射频开关。这些开关可满足具备
不同控制信号接口（例如GPIO、MIPI RFFE或SPI）、电源电压和不同端口数量及功能的解决方
案的要求。请注意，一些解决方案需要签署保密协议（NDA）。
最新的手机BGSF18D主天线SP8T开关，采用工业标准CMOS工艺制造。通过技术优化，BGSF18D可
以极低的谐波生成量，实现类似砷化镓工艺的产品性能。因此，它成为了手机多模调制解调器
天线开关的理想之选。BGSF18D具备一个SPI接口，有助于降低控制的复杂度。此外，GMS发射滤
波电路嵌入在封装内，确保在最大GSM发射功率下实现稳定运行。
请登录我们的网站www.infineon.com/rfswitches，了解有关手机应用天线开关的更多详情，或
联系当地的英飞凌代表。
图注
Mobile phone antenna：手机天线；ANT Switch：ANT开关；2G/2.5G transcever IC：2G/2.5G
收发器IC；3G/4G transceiver IC: 3G/4G收发器IC；Duplexer: 双工器
35
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
射频CMOS开关
Product
Application
Note
Supply
[V]
Vctrl1)
[V]
BGSF18D
IL2)
[dB]
Isolation
)
[dB]
3
P-0.1dB4)
[dBm]
Pin,max5)
[dBm]
on request
注：1) 数控电压；2) 在1.0GHz/ 2.0 GHz下的插入损耗；； 3) 在1.0GHz/ 2.0 GHz下的隔离
度；; 4) 0.1dB 压缩点; 5) 最大输入功率; 6) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/rfswitches ，查寻备选器件。
36
Package
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
4.2.2搭载射频CMOS 开关的分集天线开关
如欲了解其他接收分集天线开关，请联系当地的英飞凌代表。
英飞凌与芯片厂商和客户密切合作，推出满足各种射频解决方案和应用需求的开关。
图注
Diversity antenna：分集天线；Diversity switch：分集开关；Diversity inputs：分集输入；
3G/4G transceiver IC：3G/4G收发器IC
RF CMOS开关
Product
BGS15AN16
Application
Note
AN230
AN259
[V]
Vctrl1)
[V]
IL2)
[dB]
2.85„4.7
1.4„2.8
0.25/0.55
Supply
Isolation
)
[dB]
38/30
3
P-0.1dB4)
[dBm]
Pin,max5)
[dBm]
Package
> 30
30
TSNP-16-3
注：1) 数控电压；2) 在1.0GHz/ 2.0 GHz下的插入损耗；； 3) 在1.0GHz/ 2.0 GHz下的隔离
度；; 4) 0.1dB 压缩点; 5) 最大输入功率; 6) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/rfswitches ，查寻备选器件。
37
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
5 Zigbee （IEEE802.15.4）工业无线通信
5.1 868 MHz/900 MHz Zigbee 前端
图注：
ESD diode: ESD二极管；SPDT Switch: SPDT开关；harmonic filter: 谐波滤波器；LNA: 低噪
放大器；Driver Amp.: 驱动放大器；Balun: 平衡不平衡器；Zigbee transceiver IC: Zigbee
收发器IC
射频晶体管低噪放大器
Application
Note
Gms
[dB]
NFmin
[dB]
BFR360F
AN150
21.5
BFP460
on request
23.0
on request
26.5
Product
BFP540ESD
BFP540FESD
OP-1dB
[dBm]
OIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
1.1
+9
+24
3.0
15.0
TSFP-3
1.2
+10
+25
3.0
20.0
SOT343
1.1
+11
+26
3.0
20.0
Package
SOT343
TSFP-4
注：1) 在900 MHz下测量的参数; 2) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/rftransistors ，查寻备选器件。
射频晶体管驱动/缓冲放大器
Product
Application
Note
Gms
[dB]
NFmin
[dB]
OP-1dB
[dBm]
OIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
BFP650
AN208
26.5
1.2
+17
+31
3.0
70.0
SOT343
BFP450
AN157
23.5
2.1
+19
+35
3.0
90.0
SOT343
BFR380F
on request
20.0
1.3
+13
+28
3.0
40.0
TSFP-3
注：1) 在900 MHz下测量的参数; 2) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/driveramplifier ，查寻备选器件。
38
Package
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
射频CMOS开关
[V]
Vctrl1)
[V]
IL2)
[dB]
AN175
2.4„2.8
1.4„2.8
0.3/0.6
BGS12AL7-4
AN175
2.4„2.8
1.4„2.8
BGS12AL7-6
AN175
2.4„2.8
1.4„2.8
Application
Note
Supply
BGS12A
Product
Isolation
3
P-0.1dB4)
[dBm]
Pin,max5)
[dBm]
Package
34/27
> 21
21
FWLP-6-1
0.4/0.5
32/25
> 21
21
TSLP-7-4
0.4/0.5
32/25
> 21
21
TSLP-7-6
)
[dB]
注：1) 数控电压；2) 在1.0GHz/ 2.0 GHz下的插入损耗；； 3) 在1.0GHz/ 2.0 GHz下的隔离
度；; 4) 0.1dB 压缩点; 5) 最大输入功率; 6) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/rfswitches ，查寻备选器件。
频PIN二极管开关
1)
Product
Application
Note
rF2)
[ Ω]
IF
[mA]
rF2)
[ Ω]
IF
[mA]
CT
[pF]
VR
[V]
τL4)
[ns]
AN275
2.0
1
1.0
10
0.21
5
75
BAR63-02L
BAR63-02V
TSLP-2-1
BAR63-03W
TSLP-2-7
AN033
12.5
1
2.1
10
0.23
20
1550
BAR64-03W
BAR90-02LS
SC79
SOD323
BAR64-02LRH
BAR64-02V
Package
SC79
SOD323
TR1054
1.3
3.0
0.8
10.0
0.25
1.0
750
TSSLP-2-1
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频;2) 在100 MHz下; 3) 在1 MHz下; 4)正向偏压（IF = 10 mA）
与逆向偏压（IR = 6mA或3 mA）之间的转换时间; 5) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/pindiodes ，查寻备选器件。
TVS ESD二极管
Product
ESD0P2RF-02LS
ESD0P2RF-02LRH
ESD0P1RF-02LS
ESD0P1RF-02LRH
VCL2)
[VCL]@[A]
Rdyn3)
[Ω]
IPP4)
[A]
VCL5)
[V]
CT6)
[pF]
Protected
Lines
±20
±29@±16
±38@±30
1
-
-
0.2
1
±10
±36@±8
±48@±16
1.5
-
-
0.1
1
Application
Note
VRWM
[V]
ESD
AN178
±5.3
on request
±15
1)
[kV]
注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电
压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标
准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5
标准（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND；7)请
登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。
39
Package
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
5.2 2.4 GHz Zigbee 前端
图注：
ESD diode: ESD二极管；SPDT Switch: SPDT开关；harmonic filter: 谐波滤波器；LNA: 低噪
放大器；Driver Amp.: 驱动放大器；Balun: 平衡不平衡器；Zigbee transceiver IC: Zigbee
收发器IC
射频MMIC低噪放大器
Product
Application
Note
Gain
BGA628L7
TR152
17.7
BGA777L7
1)
BGA622
NF
[dB]
[dB]
1.4
2)
TR1006
16.5/-7
1.2/7
AN069
12.6
1.3
2)
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
-18
-10
2.8
5.2
2)
-6/0
-2/+6
-15
-4
2)
Package
TSLP-7-8
2)
2.8
4.1/0.6
TSLP-7-1
2.8
5.4
SOT343
注：1) 具备两个增益模式的低噪放大器（高增益/低增益）；2)在高增益（HG）/低增益(LG)
模式下的值； 3) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/rfmmics ，查寻备选器件。
射频晶体管低噪放大器
Product
Application
Note
Gain
NF
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[dB]
[V]
[mA]
BFP740ESD
AN217
17.6
0.78
-7
-4
3.3
13.1
SOT343
BFP740FESD
AN171
17.4
0.8
-13
-3
3.6
14.7
TSFP-4
BFP640ESD
AN218
16.5
0.83
-12
+9
3.0
7.3
SOT343
BFP640FESD
AN129
15.5
0.9
-11
0
3.0
6.3
TSFP-4
注：请登录我们的网站http://www.infineon.com/rftransistors ，查寻配备射频晶体管的备
选解决方案。
40
Package
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
射频晶体管驱动/缓冲放大器
Product
Application
Note
Gms
[dB]
NFmin
[dB]
OP-1dB
[dBm]
BFP780
OIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
Package
on request
BFR770W
on request
BFP650
AN153
17.5
1.4
+17
+30
2.4
70.0
SOT343
BFP450
AN145
13.5
2.2
+19
+30
2.4
90.0
SOT343
BFR380F
on request
11.0
1.6
+17
+29
3.0
40.0
TSFP-3
P-0.1dB4)
[dBm]
Pin,max5)
[dBm]
Package
注：1) 在2.4 GHz下测量参数; 2) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/driveramplifier ，查寻备选器件。
射频CMOS开关
Isolation
3
[V]
Vctrl1)
[V]
IL2)
[dB]
AN175
2.4„2.8
1.4„2.8
0.3/0.6
34/27
> 21
21
FWLP-6-1
BGS12AL7-4
AN175
2.4„2.8
1.4„2.8
0.4/0.5
32/25
> 21
21
TSLP-7-4
BGS12AL7-6
AN175
2.4„2.8
1.4„2.8
0.4/0.5
32/25
> 21
21
TSLP-7-6
Application
Note
Supply
BGS12A
Product
)
[dB]
注：1) 数控电压；2) 在1.0GHz/ 2.0 GHz下的插入损耗；； 3) 在1.0GHz/ 2.0 GHz下的隔离
度；; 4) 0.1dB 压缩点; 5) 最大输入功率; 6) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/rfswitches ，查寻备选器件。
PIN二极管开关
1)
Product
Application
Note
rF2)
[ Ω]
IF
[mA]
rF2)
[ Ω]
IF
[mA]
CT3)
[pF]
VR
[V]
τL4)
[ns]
AN049
2.0
1
1.0
10
0.21
5
75
BAR63-02L
BAR63-02V
TSLP-2-1
BAR63-03W
BAR90-02LS
Package
SC79
SOD323
AN197
1.3
3
0.8
10.0
0.25
1.0
750
TSSLP-2-1
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频;2) 在100 MHz下; 3) 在1 MHz下; 4) 正向偏压（IF = 10 mA）
与逆向偏压（IR = 6mA或3 mA）之间的转换时间; 5) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/pindiodes ，查寻备选器件。
TVS ESD二极管
Product
ESD0P2RF-02LS
ESD0P2RF-02LRH
ESD0P1RF-02LS
ESD0P1RF-02LRH
VCL2)
[VCL]@[A]
Rdyn3)
[Ω]
IPP4)
[A]
VCL5)
[V]
CT6)
[pF]
Protected
Lines
±20
±29@±16
±38@±30
1
-
-
0.2
1
±10
±36@±8
±48@±16
1.5
-
-
0.1
1
Application
Note
VRWM
[V]
ESD
AN178
±5.3
on request
±15
1)
[kV]
注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电
压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标
准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5
标准（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND；7)请
登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。
41
Package
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
6 Wi-Fi 无 线 局 域 网 （ WLAN 、 IEEE802.11a/b/g/n/ac ） 和 WiMAX
（IEEE802.16e）
Wi-Fi功能是笔记本、智能手机和平板电脑最重要的连接上网功能之一。符合IEEE802.11b/g/n
标准的2.4 GHz Wi-Fi多年来被广泛应用。由于2.4 GHz频段无线局域网越来越拥挤，符合
IEEE802.11a的5 GHz至6 GHz Wi-Fi应用日益受到关注。Wi-Fi不仅被用于实现高速上网，而且
无线传输高品质多媒体信号的家庭娱乐系统（例如电视机和DVD播放器等采用无线HDMI）、家庭
联网笔记本、海量数据存储器和打印机等多种应用也将5 GHz至6 GHz Wi-Fi功能植入系统中，
从而实现高速无线连接。
2.3 GHz至2.7 GHz、3.3 GHz至3.7 GHz和5.8 GHz的WiMAX（IEEE802.16e）在快速建造最后一公
里高速无线通信系统——新兴市场或农村地区无3G网络可用——的某些领域起到了重要作用。
WiMAX设计用于高达70 Mb的高数据速率无线通信——适用于固定点对点（P2P）通信，也适用于
便携式设备连接或移动终端连接。
要想满足这些高数据速率的高速无线通信标准，关键是确保链路通道的品质。必须要满足的主
要设备性能标准包括：灵敏度、强大的信号功能和以合理的链路成本获得的抗干扰性能。
英飞凌针对Wi-Fi和WiMAX两种应用推出一揽子产品，包括晶体管和MMIC低噪放大器、功率检测
器二极管和PIN二极管开关，等等。
此外，英飞凌还提供ESD防护二极管。ESD防护二极管ESD0P2RF系列和ESP0P1RF系列具备仅为0.2
pF或0.1 pF的电容值，可保护高达8 kV接触放电，符合IEC-61000-4-2标准要求。
42
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
6.1 2.4 GHz Wi-Fi 无线局域网（WLAN、IEEE802.11b/g/n）和 WiMAX （IEEE802.16e）
前端
图注：
ESD diode: ESD二极管；SPDT Switch: SPDT开关；Power detector: 功率检测器；WLAN/WiMAX
Transceiver IC: WLAN/WiMAX收发器IC
射频MMIC低噪放大器
Product
Application
Note
Gain
NF
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[dB]
[V]
[mA]
BGA628L7
TR152
17.7
1.4
-18
-10
2.8
5.2
BGA622
AN069
12.6
-15
-4
2.8
5.4
BGA777L7
1)
TR1006
1.3
2)
16.5/-7
1.2/7
2)
2)
-6/0
-2/+6
2)
2.8
Package
TSLP-7-8
SOT343
2)
4.1/0.6
TSLP-7-1
注：1) 具备两个增益模式的低噪放大器（高增益/低增益）；2)在高增益（HG）/低增益(LG)
模式下的值； 3) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/rfmmics ，查寻备选器件。
射频晶体管低噪放大器
Product
Application
Note
Gain
NF
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[dB]
[V]
[mA]
BFP740ESD
AN217
17.6
0.78
-7
-4
3.3
13.1
SOT343
BFP740FESD
AN171
17.4
0.8
-13
-3
3.6
14.7
TSFP-4
BFP640ESD
AN218
16.5
0.83
-12
+9
3.0
7.3
SOT343
BFP640FESD
AN129
15.5
0.9
-11
0
3.0
6.3
TSFP-4
注： 请登录我们的网站http://www.infineon.com/rftransistors ，查寻备选器件。
43
Package
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
射频PIN二极管开关
1)
Product
Application
Note
rF2)
[ Ω]
@IF
[mA]
rF2)
[ Ω]
@IF
[mA]
CT3)
[pF]
@VR
[V]
τL4)
[ns]
AN049
2.0
1
1.0
10
0.21
5
75
BAR63-02L
Package
TSLP-2-1
BAR63-02V
BAR63-03W
SC79
SOD323
BAR90-02LS
AN197
1.3
3.0
0.8
10.0
0.25
1.0
750
TSSLP-2-1
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频;2) 在100 MHz下; 3) 在1 MHz下; 4) 正向偏压（IF = 10 mA）
与逆向偏压（IR = 6mA或3 mA）之间的转换时间; 5) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/pindiodes ，查寻备选器件。
功率检测器的射频肖特基二极管
1)
Product
BAT62-02L
BAT62-02LA4
BAT62-07L4
D
BAT15-02LRH
Application
Note
CT2)
[pF]
@VR
[V]
VF
[mV]
@IF
[mA]
VF
[mV]
@IF
[mA]
IR
[μA]
@VR
[V]
AN185
0.35
0
580
2
-
-
< 10
40
Package
TSLP-2-1
TSSLP-2-1
AN185
0.35
0
580
2
-
-
< 10
40
TSLP-4-4
on request
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
TSLP-2-7
BAT15-07LRH
D
on request
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
TSLP-4-7
BAT15-098LRH
Q
on request
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
TSLP-4-7
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频;2) 在1MHz下；
3) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/schottkydiodes ，查寻备选器件。
TVS ESD二极管
Product
ESD0P2RF-02LS
ESD0P2RF-02LRH
ESD0P1RF-02LS
ESD0P1RF-02LRH
VCL2)
[VCL]@[A]
Rdyn3)
[Ω]
IPP4)
[A]
VCL5)
[V]
CT6)
[pF]
Protected
Lines
±20
±29@±16
±38@±30
1
-
-
0.2
1
±10
±36@±8
±48@±16
1.5
-
-
0.1
1
Application
Note
VRWM
[V]
ESD
AN178
±5.3
on request
±15
1)
[kV]
注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电
压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标
准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5
标准（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND；7)请
登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。
44
Package
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
6.2 5 GHz 至 6 GHz Wi-Fi 无线局域网（WLAN、IEEE802.11a/n/ac）和 WiMAX
（IEEE802.16e）前端
图注：
ESD diode: ESD二极管；SPDT Switch: SPDT开关；Power detector: 功率检测器；WLAN/WiMAX
Transceiver IC: WLAN/WiMAX收发器IC
射频MMIC低噪放大器
Product
BGA758L7
Application
Note
AN188
AN228
NF
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[dB]
[V]
[mA]
12.5
1.3
-3
+8
3.3
7.0
Gain
Package
TSLP-7-8
注： 请登录我们的网站http://www.infineon.com/rfmmics ，查寻备选器件。
射频晶体管低噪放大器
Product
Application
Note
Gain
[dB]
NF
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
Package
SOT343
BFP840ESD
BFP840FESD
BFR840L3RH
on request
TSFP-4
TSLP-3-9
BFP740ESD
AN219
15.5
1.3
-6
+7
3.0
14.7
SOT343
BFP740FESD
AN220
17.1
1.4
-9
+1
3.0
14.8
TSFP-4
BFR740L3RH
AN115
10.0
1.3
-5
+7
3.0
10.0
TSLP-3-9
BFP720ESD
TR162
15.2
0.9
-8
+5
3.0
10.3
SOT343
BFP720FESD
TR1063
18.6
1.6
-8
+2
3.0
12.2
TSFP-4
注： 请登录我们的网站http://www.infineon.com/rftransistors ，查寻备选器件。
45
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
功率检测器的射频肖特基二极管
1)
Product
BAT62-02L
BAT62-02LA4
BAT62-07L4
D
BAT15-02LRH
Application
Note
CT2)
[pF]
@VR
[V]
VF
[mV]
@IF
[mA]
VF
[mV]
@IF
[mA]
IR
[μA]
@VR
[V]
on request
0.35
0
580
2
-
-
< 10
40
on request
0.35
0
580
2
-
-
< 10
40
TSLP-4-4
Package
TSLP-2-1
TSSLP-2-1
on request
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
TSLP-2-7
BAT15-07LRH
D
on request
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
TSLP-4-7
BAT15-098LRH
Q
on request
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
TSLP-4-7
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频;2) 在1MHz下； 3) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/schottkydiodes ，查寻备选器件。
射频PIN二极管开关
Product
Application
Note
rF2)
[ Ω]
@IF
[mA]
rF2)
[ Ω]
@IF
[mA]
CT3)
[pF]
@VR
[V]
τL4)
[ns]
Package
BAR90-02LS
on request
1.3
3.0
0.8
10.0
0.25
1.0
750
TSSLP-2-1
1)
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频;2) 在100 MHz下; 3) 在1 MHz下; 4) 正向偏压（IF = 10 mA）
与逆向偏压（IR = 6mA或3 mA）之间的转换时间; 5) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/pindiodes ，查寻备选器件。
TVS ESD二极管
Product
ESD0P2RF-02LS
ESD0P2RF-02LRH
ESD0P1RF-02LS
ESD0P1RF-02LRH
VCL2)
[VCL]@[A]
Rdyn3)
[Ω]
IPP4)
[A]
VCL5)
[V]
CT6)
[pF]
Protected
Lines
±20
±29@±16
±38@±30
1
-
-
0.2
1
±10
±36@±8
±48@±16
1.5
-
-
0.1
1
Application
Note
VRWM
[V]
ESD
AN178
±5.3
on request
±15
1)
[kV]
注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电
压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标
准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5
标准（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND；7)请
登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。
46
Package
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
6.3 3.5 GHz WiMAX （IEEE802.16e）前端
图注：
ESD diode: ESD二极管；SPDT Switch: SPDT开关；Power detector: 功率检测器；WiMAX
single/Dual band transceiver IC: WiMAX单/双频段收发器IC
射频MMIC低噪放大器
Product
Application
Note
Gain
NF
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[dB]
[V]
[mA]
BGB707L7ESD
TR171
14.3
1.3
-8
-5
2.8
5.4
Package
TSLP-7-1
注： 请登录我们的网站http://www.infineon.com/rfmmics ，查寻备选器件。
射频晶体管低噪放大器
Product
Application
Note
Gain
[dB]
NF
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
SOT343
BFP842ESD
BFP842FESD
BFR842L3RH
on request
TSFP-4
TSLP-3-9
BFP740ESD
BFP740FESD
Package
SOT343
TR104
15.4
0.8
-10
+3
3.3
BFR740L3RH
15.0
TSFP-4
TSLP-3-9
注： 请登录我们的网站http://www.infineon.com/rftransistors ，查寻备选器件。
47
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
射频PIN二极管开关
Product
Application
Note
rF2)
[ Ω]
@IF
[mA]
rF2)
[ Ω]
@IF
[mA]
CT3)
[pF]
@VR
[V]
τL4)
[ns]
Package
BAR63-02L
TR132
2.0
1
1.0
10
0.21
5
75
TSLP-2-1
BAR90-02LS
TR146
1.3
3.0
0.8
10.0
0.25
1.0
750
TSSLP-2-1
1)
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频;2) 在100 MHz下; 3) 在1 MHz下; 4) 正向偏压（IF = 10 mA）
与逆向偏压（IR = 6mA或3 mA）之间的转换时间; 5) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/pindiodes ，查寻备选器件。
功率检测器的射频肖特基二极管
1)
Product
Application
Note
CT2)
[pF]
@VR
[V]
VF
[mV]
@IF
[mA]
VF
[mV]
@IF
[mA]
IR
[μA]
@VR
[V]
Package
on request
0.35
0
580
2
-
-
< 10
40
TSSLP-2-1
BAT62-02L
TSLP-2-1
BAT62-02LA4
BAT62-07L4
D
TSLP-4-4
BAT15-02LRH
TSLP-2-7
BAT15-07LRH
D
BAT15-098LRH
Q
on request
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
TSLP-4-7
TSLP-4-7
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频;2) 在1MHz下； 3) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/schottkydiodes ，查寻备选器件。
TVS ESD二极管
Product
ESD0P2RF-02LS
ESD0P2RF-02LRH
ESD0P1RF-02LS
ESD0P1RF-02LRH
VCL2)
[VCL]@[A]
Rdyn3)
[Ω]
IPP4)
[A]
VCL5)
[V]
CT6)
[pF]
Protected
Lines
±20
±29@±16
±38@±30
1
-
-
0.2
1
±10
±36@±8
±48@±16
1.5
-
-
0.1
1
Application
Note
VRWM
[V]
ESD
AN178
±5.3
on request
±15
1)
[kV]
注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电
压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标
准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5
标准（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND；7)请
登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。
48
Package
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
6.4 双频段（2.4 GHz 至 6.0 GHz）Wi-Fi 无线局域网（WLAN、IEEE802.11a/b/g/n）
前端
图注：
Dual-band WLAN: 双频段无线局域网；ESD diode: ESD二极管；Rx diplexer: 接收双工器；SPDT
Switch: SPDT开关；Tx diplexer: 发射双工器；2.4GHz LNA: 2.4GHz低噪放大器；5GHz LNA: 5GHz
低噪放大器；Power detector: 功率检测器；Transceiver IC: 收发器IC
双频段（2.4 GHz和5.5 GHz）射频晶体管低噪放大器
Product
Application
Note
Gain
1)
[dB]
NF1)
[dB]
BFR740L3RH
BFP720ESD
BFP720FESD
Supply
Current
[V]
[mA]
Package
TSFP-4
on request
TSLP-3-9
SOT343
BFP842ESD
BFP842FESD
BFR842L3RH
BFP740ESD
IIP31)
[dBm]
SOT343
BFP840ESD
BFP840FESD
BFR840L3RH
BFP740FESD
IP-1dB1)
[dBm]
on request
TSFP-4
TSLP-3-9
AN187
17.5/13.5
1.3/1.3
-16/-8
-8/+4
2.8
12.0
AN115
15.7/10.0
1.1/1.3
-11/-5
0/+7
3.0
10.0
AN189
14.0/12.0
1.2/1.4
-15/-5
-9/+6
2.8
13.0
注：1)在2.4 GHz/ 5.5 GHz下的值; 2) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/rftransistors ，查寻备选器件。
49
SOT343
TSFP-4
TSLP-3-9
SOT343
TSFP-4
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
功率检测器射频肖特基二极管
1)
Product
BAT62-02L
BAT62-02LA4
BAT62-07L4
D
BAT15-02LRH
Application
Note
CT2)
[pF]
@VR
[V]
VF
[mV]
@IF
[mA]
VF
[mV]
@IF
[mA]
IR
[μA]
@VR
[V]
on request
0.35
0
580
2
-
-
< 10
40
on request
0.35
0
580
2
-
-
< 10
40
TSLP-4-4
on request
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
TSLP-2-7
Package
TSLP-2-1
TSSLP-2-1
BAT15-07LRH
D
on request
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
TSLP-4-7
BAT15-098LRH
Q
on request
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
TSLP-4-7
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频;2) 在1MHz下； 3) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/schottkydiodes ，查寻备选器件。
射频PIN二极管开关
Product
Application
Note
rF2)
[ Ω]
@IF
[mA]
rF2)
[ Ω]
@IF
[mA]
CT3)
[pF]
@VR
[V]
τL4)
[ns]
Package
BAR90-02LS
TR146
1.3
3.0
0.8
10.0
0.25
1.0
750
TSSLP-2-1
1)
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频;2) 在100 MHz下; 3) 在1 MHz下; 4) 正向偏压（IF = 10 mA）
与逆向偏压（IR = 6mA或3 mA）之间的转换时间; 5) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/pindiodes ，查寻备选器件。
TVS ESD二极管
Product
ESD0P2RF-02LS
ESD0P2RF-02LRH
ESD0P1RF-02LS
ESD0P1RF-02LRH
VCL2)
[VCL]@[A]
Rdyn3)
[Ω]
IPP4)
[A]
VCL5)
[V]
CT6)
[pF]
Protected
Lines
±20
±29@±16
±38@±30
1
-
-
0.2
1
±10
±36@±8
±48@±16
1.5
-
-
0.1
1
Application
Note
VRWM
[V]
ESD
AN178
±5.3
on request
±15
1)
[kV]
注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电
压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标
准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5
标准（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND；7)请
登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。
50
Package
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
7 全球卫星导航系统
全球卫星导航系统或GNSS，是半导体行业增长最快的业务领域之一。如今，已投入使用的GNSS
的数量，已远远超出十多年前推出的众所周知的民用GPS。现在世界各国出于战略原因考虑，都
在建造自己的卫星导航系统，同时也是为了改进用户体验。迄今有两个GNSS系统在运行：美国
的GPS和俄罗斯的GLONASS。欧盟开发的伽利略定位系统预计将于2014年投入运行，中国的
COMPASS预计也将紧随其后投入使用。
就民用角度而言，GNSS添加的其他多个卫星系统带来了多种好处：增强的卫星信号接收、更大
的覆盖范围、更高的精确度和具备搜索与救援（SAR）等其他功能的设备。2008年以来，最重要
的细分市场是个人导航设备（PND）和具备GPS/GLONASS功能的手机。所谓的射频前端的架构和
性能，是满足GPS/GLONASS系统的严格要求的关键因素，因为它构成了GNSS天线与集成的GNSS
芯片之间的完整结构。受政府相关规定的推动，不断增长的GNSS手机市场面临的主要挑战是，
实现很高的灵敏度和无线信号抗扰功能，例如在美国和日本，政府就出于安全和突发事件考虑，
出台了这样的规定。这意味着手机可在存在其他频段高功率无线信号的区域，以不足-160 dBm
的极低功率电平接收GPS/GLONASS信号。此外，出色的ESD宽容性和确保较长电池续航时间的低
功耗，也是便携式设备和手机的必备特性。
英飞凌科技是GPS低噪放大器和其他GNSS低噪放大器市场的领导者。英飞凌与其他公司密切合
作，开发出PND和手机市场的各种导航应用参考设计。英飞凌科技为客户提供完整的产品组合，
使其能够设计出用于GNSS的灵活高性能射频前端解决方案：
低噪放大器（LNA）：包含广泛的产品，例如高性能MMIC和经济高效的高端射频晶体管。
前端模块（FEM）：英飞凌推出在一个小型封装内集成低噪放大器和带通滤波器的全球最小的
GPS/GLONASS FEM。该器件具备优化性能，能够让手机实现导航功能。
瞬压抑制（TVS）二极管：可靠地保护GNSS天线（高达20kV）
射频开关：确保有源天线的分集架构
51
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
英飞凌的GNSS LNA和FEM产品具备出色的特性，包括低噪声系数、高增益、高线性度、高ESD防
护水平和低电流消耗等，可满足客户的各种需求，使其能够迎合GNSS系统不断增多的要求。英
飞凌涵盖当前及未来所有GNSS系统的最新GNSS LNA产品，包括具备极低噪声系数和改善抗干扰
能力的高带外（OoB）IP3的BGA915N7以及支持主要手机平台嵌入式解决方案的BGA231L7。
BGA925L6作为全球最小的GNSS低噪放大器之一具备低噪声系数和高外带抗干扰性能。BGA725L6
作为最小的GNSS低噪放大器之一，具备高增益和低噪声特性。
为满足各种手机GPS/GLONASS天线设计的要求，英飞凌推出采用以下两种拓扑的全新
GPS/GLONASS FEM产品：
-
SAW滤波器/LNA/SAW滤波器拓扑：它将整个GPS 前端最紧凑地集成至一个小封装，简化系统
的设计。-> BGM781N11
-
SAW滤波器/LNA拓扑：它为在不影响GPS/GLONASS 性能条件下，灵活安装GPS/GLONASS 天
线，完成系统设计创造了条件> BGM732L16、BGM1032N7、BGM1033N7和BGM1034N7
英飞凌所有GNSS FEM产品的射频输入引脚都具备高于6kV的ESD宽容性，符合IEC61000-4-2接触放电
标准。
请登录我们的网站www.infineon.com/gps和www.infineon.com/nav.frontend，了解让手机和便
携式设备实现导航功能的产品的更多详情，或者联系当地的英飞凌代表。
52
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
7.1 配备分立式射频器件的全球卫星导航系统（GNSS）
图注：
ESD diode: ESD二极管；Mixer: 混频器；signal processing: 信号处理；GNSS receiver: GNSS
接收器
射频MMIC低噪放大器
Product
Application
Note
Gain
NF
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[dB]
[V]
[mA]
BGA725L6
on request
18.8
0.7
-15
-6
1.5„3.6
3.6
TSLP-6-2
15.5
0.7
-8
+1
1.5„3.6
4.4
TSLP-6-2
15.5
0.7
-5
+2
1.5„3.6
4.4
TSNP-7-6
16.0
0.7
-5
0
1.5„3.6
4.4
20.2
0.7
-15
-7
1.5„3.6
3.3
Package
AN265
AN266
BGA925L6
AN267
AN272
AN274
BGA915N7
AN251
AN253
AN250
AN257
BGA231L7
AN271
AN273
TSLP-7-1
TSNP-7-6
AN276
BGA715L7
AN161
注： 请登录我们的网站http://www.infineon.com/gps ，查寻备选器件。
53
TSLP-7-1
TSNP-7-6
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
射频晶体管低噪放大器
Product
Application
Note
Gain
NF
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[dB]
[V]
[mA]
AN120
19.7
0.7
-17
0
1.8
9.6
BFP740ESD
BFP740FESD
SOT343
BFR740L3RH
BFP640ESD
TSFP-4
TSLP-3-9
AN194
16.5
0.7
-16
BFP640F
AN128
15.2
0.8
BFP405
AN149
15.3
1.6
BFP640FESD
Package
SOT343
+1
2.1
7.5
-13
0
2.1
8.0
TSFP-4
-23
-5
1.8
2.6
SOT343
Package
TSFP-4
注：请登录我们的网站http://www.infineon.com/rftransistors ，查寻备选器件。
TVS ESD二极管
Product
ESD0P2RF-02LS
ESD0P2RF-02LRH
ESD0P1RF-02LS
ESD0P1RF-02LRH
VCL2)
[VCL]@[A]
Rdyn3)
[Ω]
IPP4)
[A]
VCL5)
[V]
CT6)
[pF]
Protected
Lines
±20
±29@±16
±38@±30
1
-
-
0.2
1
±10
±36@±8
±48@±16
1.5
-
-
0.1
1
Application
Note
VRWM
[V]
ESD
AN178
±5.3
on request
±15
1)
[kV]
注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电
压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标
准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5
标准（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND；7)请
登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。
54
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
7.2 配备集成式前端模块的全球卫星导航系统（GNSS）
这些GPS/GLONASS FEM器件为非汽车导航应用提供各种紧凑的小型解决方案。
图注：
ESD diode: ESD二极管；Mixer: 混频器；signal processing: 信号处理；GNSS receiver: GNSS
接收器
射频MMIC FEM（直流和带内参数）
Product
BGM1032N7
BGM1033N7
BGM732N16
BGM1034N7
BGM781N11
Application
Note
AN263
AN264
AN261
AN262
5)
on request
AN268
AN269
AN184
NF
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[dB]
[V]
[mA]
SAW+LNA
14.8
1.65
-6
-6
1.5„3.6
4.0
SAW+LNA
14.8
1.65
-6
-6
1.5„3.6
4.0
SAW+LNA
18.3
1.7
-15
-6
1.5„3.6
3.3
SAW+LNA
17.0
1.7
-15
-10
1.5„3.6
3.9
SAW+LNA+S
AW
18.6
1.7
-15
-7
1.5„3.6
3.3
FEM Conf.
Gain
55
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
射频MMIC FEM（带外参数）
Product
BGM1032N7
BGM1033N7
BGM732N16
BGM1034N7
BGM781N11
Application
Note
AN263
Jammer signal selectivity [dBc]
1800 MHz
2400 MHz
IP-1dB1)
[dBm]
43
54
30
-85
60
TSNP-7-10
54
43
54
30
-37
60
TSNP-7-10
50
40
60
30
-
-
TSNP-11-2
55
43
56
22
-33
55
TSNP-7-10
90
80
72
20
-
-
TSNP-11-2
800 MHz
74
AN264
AN261
AN262
5)
on request
AN268
AN269
AN184
4)
IMD2²)
[dBm]
IIP33)
[dBm]
Package
注：1) IP-1dB是在900 MHz和1800 MHz下测量的；2) IMD2是在1575 MHz下测量的，输入频率为
787.5 MHz，输入功率为+15 dBm；3) IIP3是在f1 = 1713 MHz和f2 = 1851 MHz及P1/P2 = +10 dBm
下测量的；4) 在787.5 MHz陷波频率下测量； 陷波深度以外：最低53 dBc；5) BGM732N16不再
适用于新设计。请将BGM1034N7用于您的新设计；6) 根据IEC61000-4-2接触放电标准，英飞凌
所有GNSS FEM产品的射频输入引脚都具备6 kV以上的静电释放防护性能；7) 请登录我们的网站
www.infineon.com/nav.frontend，查寻备选器件。
TVS ESD二极管
Product
ESD0P2RF-02LS
ESD0P2RF-02LRH
ESD0P1RF-02LS
ESD0P1RF-02LRH
VCL2)
[VCL]@[A]
Rdyn3)
[Ω]
IPP4)
[A]
VCL5)
[V]
CT6)
[pF]
Protected
Lines
±20
±29@±16
±38@±30
1
-
-
0.2
1
±10
±36@±8
±48@±16
1.5
-
-
0.1
1
Application
Note
VRWM
[V]
ESD
AN178
±5.3
on request
±15
1)
[kV]
注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电
压；3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标
准的最大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5
标准（8微秒/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND； 7)
请登录我们的网站http://www.infineon.com/tvsdiodes，查寻备选器件。
56
Package
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
8 工业应用的有源天线（SDAR、DVB、GPS„„）
图注：
st
nd
ANT:天线；ESD diode: ESD二极管；1 LNA: 第一级低噪放大器；2 LNA: 第二级低噪放大器；
rd
3 LNA: 第三级低噪放大器；Cable:线缆；Receiver IC: 接收器IC
射频晶体管低噪放大器 (第一级/第二级)
Application
Note
Gma
[dB]
NFmin
[dB]
OP-1dB
[dBm]
OIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
1)
on request
20.5
0.75
+7
+20
1.5
5.0
SOT343
1)
on request
19.5
0.75
+10
+24
2.0
6.0
SOT343
1)
on request
19.0
0.9
+8
+22
3.0
6.0
SOT343
on request
19.0
0.8
+8
+22
3.0
6.0
TSFP-4
on request
21.0
0.7
+12
+27
3.0
6.0
SOT343
on request
21.5
0.6
+11
+26
3.0
6.0
TSFP-4
on request
18.0
1.0
+11
+26
3.0
6.0
SOT343
on request
14.5
1.0
+12
+28
3.0
6.0
SOT343
Product
BFP840ESD
BFP842ESD
BFP740ESD
1)
BFP740FESD
2)
BFP640ESD
2)
BFP640FESD
3)
BFP540ESD
3)
BFP460
Package
注：1)在5.5 GHz下测量参数，在20 mA 下测量OP-1dB和OIP3；2) 在2.4 GHz下测量参数，在30 mA 下
测量OP-1dB和OIP3；3) 在2.4 GHz下测量参数，在20 mA 下测量OP-1dB和OIP3; 4)请登录我们的网
站http://www.infineon.com/rftransistors，查寻备选器件。
射频晶体管低噪放大器 （第三级）
Product
Application
Note
Gms
[dB]
NFmin
[dB]
OP-1dB
[dBm]
OIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
BFR380F
on request
11.0
1.6
+17
+29
3.0
40.0
TSFP-3
BFP450
on request
13.5
2.2
+19
+30
2.4
90.0
SOT343
BFP650
on request
17.5
1.4
+17
+30
2.4
70.0
SOT343
注：1) 在2.4 GHz下测量参数; 2) 请登录我们的网站
http://www.infineon.com/rftransistors ，查寻备选器件。
57
Package
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
TVS ESD二极管
Product
ESD0P2RF-02LS
ESD0P2RF-02LRH
ESD0P1RF-02LS
ESD0P1RF-02LRH
VCL2)
[VCL]@[A]
Rdyn3)
[Ω]
IPP4)
[A]
VCL5)
[V]
CT6)
[pF]
Protected
Lines
±20
±29@±16
±38@±30
1
-
-
0.2
1
±10
±36@±8
±48@±16
1.5
-
-
0.1
1
Application
Note
VRWM
[V]
ESD
AN178
±5.3
on request
±15
1)
[kV]
注：1) 符合IEC61000-4-2标准的静电释放、接触放电；2)适用于100纳秒脉冲长度的TLP箝位电压；
3)利用TLP测量（100纳秒脉冲长度）评估动态电阻（导通电阻）；4) 符合IEC61000-4-5 标准的最
大峰值脉冲电流（8微秒/20微秒）；5) 在IPP,max 下的箝位电压，符合IEC61000-4-5标准（8微秒
/20微秒）； 6) 在1 MHz下的典型电容 （除非指定）、0 V、I/O vs. GND； 7)请登录我们的网站
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58
Package
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
9 基站
图注
Rx: 接收；buffer amp: 缓冲放大器；Mixer: 混频器；IF Amp: 中频放大器；baseband IC: 基
带IC; Driver Amp: 驱动放大器；
射频晶体管低噪放大器
Product
BFP740ESD
BFP740FESD
BFP640ESD
BFP640FESD
BFP460
Application
Note
Gms
[dB]
NFmin
[dB]
OP-1dB
[dBm]
OIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
on request
22.5
0.55
+8
+22
3.0
6.0
on request
22.5
0.6
+8
+22
3.0
6.0
on request
16.0
1.1
+8
+22
3.0
5.0
Package
SOT343
TSFP-4
SOT343
TSFP-4
SOT343
注：1) 在1.9 GHz下测量参数; 2)请登录我们的网站http://www.infineon.com/rftransistors，
查寻备选器件。
射频晶体管驱动/缓冲放大器
Product
Application
Note
Gms
[dB]
NFmin
[dB]
BFP780
OP-1dB
[dBm]
OIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
on request
Package
SOT343
BFP750
on request
23.5
1.2
+16
+30
3.0
60.0
SOT343
BFP650
on request
20.5
0.9
+15
+29
3.0
30.0
SOT343
BFP650F
on request
21.5
1.4
+17
+31
3.0
80.0
TSFP-4
BFP450
AN026
15.5
1.7
+16
+29
3.0
50.0
SOT343
BFR380F
AN075
13.5
1.6
+17
+29
3.0
40.0
TSFP-3
注：1) 在1.9 GHz下测量参数； 2)请登录我们的网站
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59
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
射频晶体管振荡器
Product
Application
Note
BFP410
on request
BFR360F
on request
fT1)
[GHz]
Af2)
[-]
Kf3)
[-]
fC4)
[kHz]
Package
Si
25
2.1
1.7E-10
131
SOT343
Si
14
1.75
1.0E-11
-
TSFP-3
Technology
注： 1) 特征频率；2) Af和Kf是具备1/f噪声的spice模型的参数； 3)在10 mA下测量的1/f噪
声至白噪声基底的角频率；4)请登录我们的网站http://www.infineon.com/rftransistors，查
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射频晶体管混频器
Product
Application
Note
BFP540
on request
BFP420
on request
BFR360F
on request
fT1)
[GHz]
Af2)
[-]
Kf3)
[-]
fC4)
[kHz]
Package
Si
30
2.0
8.9E-11
86
SOT343
Si
25
2.0
6.6E-11
95
SOT343
Si
14
1.75
1.0E-11
-
TSFP-3
Technology
注： 1) 特征频率；2) Af和Kf是具备1/f噪声的spice模型的参数； 3)在10 mA下测量的1/f噪
声至白噪声基底的角频率；4)请登录我们的网站http://www.infineon.com/rftransistors，查
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射频变容二极管
1)
Product
BBY51
D
BBY52-02L
BBY53
D
Application
Note
CT2)
[pF]
@VR
[V]
CT2)
[pF]
@VR
[V]
CRatio
IR
[nA]
@VR
[V]
on request
5.3
1
3.1
4
1.7
< 10
6
SOT23
on request
1.8
1
1.1
4
1.6
< 10
6
TSLP-2-1
on request
5.3
1
2.4
3
2.2
< 10
4
SOT23
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频; 2)在 1 MHz下； 3)请登录我们的网站
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60
Package
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
10 配备分立式器件的射频功能组件
10.1 驱动放大器
驱动放大器——或者也称为前置功率放大器——是需要高功率输出的系统的重要功率组件。功
率放大器在正确模式下运行时，需要一定的输入信号功率电平，而在某些情况下，收发器IC无
法提供这种功率电平。在这种情况下，需要采用驱动放大器为功率放大器（PA）提供所需的信
号功率电平。驱动放大器通常采用A类工作模式，为实现高线性和高增益创造条件，并通过减少
互调产物，使功率放大器生成的杂散信号保持在较低水平。A类放大器还是在低功率电平下实现
宽带运行的理想之选。
英飞凌推出几款作用驱动放大器的射频晶体管。如下表所示，这些晶体管具备不同的电流功能、
线性度、增益和输出功率。
请登录我们的网站www.infineon.com/driveramplifiers 或
www.infineon.com/rftransistors，了解有关驱动放大器应用的器件的更多详细信息，或联系
英飞凌的地区办事处或您所在地区的英飞凌全球分销合作伙伴，获得您所需的各种支持。
射频晶体管驱动/缓冲放大器
Application
Note
Gms
[dB]
NFmin
[dB]
BFP750
on request
23.5
1.2
BFP650
on request
20.5
BFP650F
on request
BFP450
AN026
BFR380F
on request
Product
OIP3
[dBm]
Supply
Current
[V]
[mA]
+16
+30
3.0
60.0
SOT343
0.9
+15
+29
3.0
30.0
SOT343
21.5
1.4
+17
+31
3.0
80.0
TSFP-4
15.5
1.7
+16
+29
3.0
50.0
SOT343
13.5
1.6
+17
+29
3.0
40.0
TSFP-3
BFP780
OP-1dB
[dBm]
on request
SOT343
注：1) 在1.9 GHz下测量参数；
2)请登录我们的网站http://www.infineon.com/driveramplifiers，查寻备选器件。
61
Package
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
10.2 宽带放大器
对于系统设计者而言，宽带放大器是易用解决方案，因为它们能够覆盖宽频率范围。它们适用
于以下两种情况：
- 采用宽带器件
- 针对不同的应用频率采用同一个器件
有线电视和数字电视等应用需要采用宽带组件。英飞凌针对电视应用推出三款MMIC低噪放大器
——如下表所示，具备不同的电流消耗和线性度。它们是采用达林顿电路的低噪放大器，具备
低噪声系数和高线性度。这些低噪放大器可用于高达6 GHz的频率，并与输入和输出的50欧姆电
阻匹配。
此外，英飞凌还提供另一个MMIC低噪放大器BGB741L7ESD——也是一个可用于高达6 GHz频率的
宽带放大器，但无需外部匹配。它配备了一个集成式反馈回路——通过这个反馈回路，利用内
置温度补偿功能，可确保稳定的宽带运行。请点击下面的链接，参考应用笔记，以便更深入地
了解用作FM、VHF & UHF电视、WiMAX等应用的低噪放大器BGB741L7ESD。
射频MMIC宽带放大器
Product
BGB741L7ESD
1)
Application
Note
Gain
NF
[dB]
IP-1dB
[dBm]
IIP3
[dBm]
Supply
Current
[dB]
[V]
[mA]
Package
AN207
19.6
1.45
-7.6
5.2
4.0
20.0
TSLP-7-1
3)
AN098
17.0
2.2
-9
0
5.0
20.0
SOT343
3)
AN067
18.0
2.2
-6
6
5.0
40.0
SOT343
3)
AN098
18.0
2.8
0
11
5.0
60.0
SOT343
AN163
AN231
15.8
1.3
-10
-7
2.8
5.85
TSLP-7-1
4)
AN070
20.0
1.7
-17.5
-8.8
3.0
5.4
SOT143
4)
on request
17.0
2.2
-2.5
-
3.0
6.7
SOT343
4)
on request
22.0
2.0
-
-
3.0
9.4
SOT343
BGA612
BGA614
BGA616
BGA728L7
2)
BGA416
BGA420
BGA427
注：1) 工作频率范围是直流至6 GHz，测量频率范围是2.3 GHz至2.7 GHz；2) 工作频率范围是
40 MHz 至3 GHz，测量频率范围是470 MHz至860 MHz；3) 工作频率范围是直流至2.5 GHz，测
量频率范围是直流至1.5 GHz；4) 工作频率范围是直流至3 GHz，测量频率是900 MHz； 5)请登
录我们的网站http://www.infineon.com/broadbandamplifiers，查寻备选器件。
高性能通用射频晶体管在集电极和基极之间安装一个简单的RC反馈电路，因此非常适用于宽带
放大器应用。这类解决方案可为您提供所需频段设计的充足灵活性。
请登录我们的网站www.infineon.com/broadbandamplifiers 或
www.infineon.com/rftransistors，了解有关驱动放大器应用的器件的更多详细信息，或联系
英飞凌的地区办事处或您所在地区的英飞凌全球分销合作伙伴之一，获得您所需的各种支持。
62
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
10.3 宽带宽单刀双掷开关
图注
PIN diode: PIN二极管；RF Port 1: 射频端口1；RF port 2: 射频端口2
射频PIN二极管开关
1)
Product
Application
Note
rF2)
[ Ω]
@IF
[mA]
rF2)
[ Ω]
@IF
[mA]
CT
[pF]
@VR
[V]
τL4)
[ns]
AN049
2.0
1
1.0
10
0.21
5
75
BAR63-02L
BAR63-02V
TSLP-2-1
BAR63-03W
BAR90-02LRH
BAR90-02LS
BAR90-098LRH
Package
SC79
SOD323
AN197
1.3
3
0.8
10
0.25
1
750
AN197
1.3
3
0.8
10
0.25
1
750
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频; 2)在 100 MHz下；3) 在1 MHz下；
4)正向偏压（IF = 10 mA）与逆向偏压（IR = 6mA或3 mA）之间的转换时间;
5)请登录我们的网站http://www.infineon.com/pindiodes，查寻备选器件。
63
TSLP-2-7
TSSLP-2-1
TSLP-4-7
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
10.4 分立式压控振荡器
应用示例：采用Colpitts拓扑的VCO
图注：
Varactor Diode: 变容二极管；Transistor: 晶体管
射频晶体管振荡器
Product
Application
Note
BFP410
on request
Si
BFR360F
on request
Si
Technology
fT1)
[GHz]
Af2)
[-]
Kf3)
[-]
fC4)
[kHz]
Package
25
2.1
1.7E-10
131
SOT343
14
1.75
1.0E-11
-
TSFP-3
注： 1) 特征频率；2) Af和Kf是具备1/f噪声的spice模型的参数；
3)在10 mA下测量的1/f噪声至白噪声基底的角频率；
4)请登录我们的网站http://www.infineon.com/rftransistors，查寻备选器件。
64
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
射频变容器二极管
1)
Product
BBY51
D
BBY52-02L
BBY53
D
Application
Note
CT2)
[pF]
@VR
[V]
CT2)
[pF]
@VR
[V]
CRatio
IR
[nA]
@VR
[V]
on request
5.3
1
3.1
4
1.7
< 10
6
SOT23
on request
1.8
1
1.1
4
1.6
< 10
6
TSLP-2-1
on request
5.3
1
2.4
3
2.2
< 10
4
SOT23
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频; 2)在 1 MHz下；
3)请登录我们的网站http://www.infineon.com/varactordiodes，查寻备选器件。
65
Package
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
10.5 电压调谐滤波器
应用1
图注：
RF Input: 射频输入；Varactor diode: 变容二极管；RF output: 射频输出；Resonators: 谐
振器
应用2
图注：
RF input: 射频输入；RF output: 射频输出；Varactor diode: 变容二极管；
66
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
射频变容二极管
1)
Product
BBY51
D
BBY52-02L
BBY53
D
Application
Note
CT2)
[pF]
@VR
[V]
CT2)
[pF]
@VR
[V]
CRatio
IR
[nA]
@VR
[V]
Package
-
5.3
1
3.1
4
1.7
< 10
6
SOT23
-
1.8
1
1.1
4
1.6
< 10
6
TSLP-2-1
-
5.3
1
2.4
3
2.2
< 10
4
SOT23
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频; 2)在 1 MHz下；
3)请登录我们的网站http://www.infineon.com/varactordiodes，查寻备选器件。
67
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
10.6 单肖特基二极管检测器
图注：
RF Input: 射频输入；RF choke: 射频扼流圈；Schottky detector diode: 肖特基检测器二极
管；Filter capacitor: 滤波器电容；filter resistor: 滤波器电阻；detected output: 检
测到的输出
功率检测器的射频肖特基二极管
Application
Note
CT2)
[pF]
@VR
[V]
VF
[mV]
@IF
[mA]
VF
[mV]
@IF
[mA]
IR
[μA]
@VR
[V]
BAT62-02L
AN185
0.35
0
580
2
-
-
< 10
40
TSLP-2-1
BAT62-02LA4
AN185
0.35
0
580
2
-
-
< 10
40
TSSLP-2-1
AN185
0.35
0
580
2
-
-
< 10
40
TSLP-4-4
1)
Product
BAT62-07L4
D
BAT15-02LRH
Package
on request
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
TSLP-2-7
BAT15-07LRH
D
on request
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
TSLP-4-7
BAT15-098LRH
D
on request
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
TSLP-4-7
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频; 2)在 1 MHz下；
3) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/schottkydiodes，查询备选器件。
68
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
10.7 功率检测器的高隔离肖特基二极管对
图注：
To Antenna Switch: 至天线开关；Detector Diode: 检测器二极管；Reference diode:参考二
极管；Differential amplifier: 差分放大器
功率检测器的射频肖特基二极管
1)
Product
Application
Note
CT2)
[pF]
@VR
[V]
VF
[mV]
@IF
[mA]
VF
[mV]
@IF
[mA]
IR
[μA]
@VR
[V]
Package
BAT62-09S
D
AN185
0.65
0.2
190
1
-
-
10
3
SOT363
BAT63-07W
D
-
0.65
0.2
190
1
-
-
10
3
SOT343
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频; 2)在 1 MHz下；
3) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/ schottkydiodes，查询备选器件。
69
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
10.8 宽带宽 PIN 二极管可变衰减器
应用1：宽带宽PIN二极管可变衰减器
图注：
PIN Diode: PIN二极管
应用2：PIN二极管可变衰减器
图注：DC block: 直流隔断器；Bias 1: 偏置1；PIN Diode: PIN二极管；
70
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
用于衰减器的射频PIN二极管
1)
Product
Application
Note
rF2)
[ Ω]
@IF
[mA]
rF2)
[ Ω]
@IF
[mA]
CT
[pF]
@VR
[V]
τL4)
[ns]
on request
12.5
1
2.1
10
0.23
20
1550
BAR64-02LRH
BAR64-02V
TSLP-2-7
BAR64-03W
TSLP-2-7
on request
14
1
3
10
0.24
1
1100
BAR50-03W
BA595
SC79
SOD323
BAR50-02LRH
BAR50-02V
Package
SC79
SOD323
on request
210
0.1
4.5
10
0.35
1
1600
SOD323
on request
2800
0.01
7
10
0.5
1
1000
SOT23
BAR14-1
BAR15-1
BAR16-1
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频; 2)在 100 MHz下；3) 在1 MHz下； 4)正向偏压（IF = 10 mA）
与逆向偏压（IR = 6mA或3 mA）之间的转换时间; 5)请登录我们的网站
http://www.infineon.com/pindiodes，查寻备选器件。
71
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
10.9 配备肖特基二极管的无源混频器
配备单肖特基二极管的无源混频器
配备肖特基二极管的平衡混频器
配备肖特基二极管的双平衡混频器
72
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
射频肖特基二极管混频器
1)
Product
Application
Note
CT2)
[pF]
@VR
[V]
VF
[mV]
@IF
[mA]
VF
[mV]
@IF
[mA]
IR
[μA]
@VR
[V]
Package
TSLP-2-7
TSLP-4-7
BAT15
AN198
0.26
0
230
1
320
10
< 5
4
SOD323
SOT143
SOT323
BAT24-02LS
AN190
0.21
0
230
1.0
320
10.0
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频; 2)在 1 MHz下；
3) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/pindiodes，查询备选器件。
73
< 5.0
4.0
TSSLP-2-1
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
10.10 配备双极晶体管的有源混频器
配备一个双极晶体管的有源混频器电路示例
射频晶体管混频器
fT1)
[GHz]
Af2)
[-]
Kf3)
[-]
fC4)
[kHz]
Package
Si
30
2.0
8.9E-11
86
SOT343
on request
Si
25
2.0
6.6E-11
95
SOT343
on request
Si
14
1.75
1.0E-11
-
TSFP-3
Product
Application
Note
BFP540
on request
BFP420
BFR360F
Technology
注： 1) 特征频率；2) Af和Kf是具备1/f噪声的spice模型的参数；
3)在10 mA下测量的1/f噪声至白噪声基底的角频率；
4)请登录我们的网站http://www.infineon.com/rftransistors，查寻备选器件。
74
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
11 接口保护
如今的电子设备速度更快、体积更小、智能化程度更高，可支持更新更好的应用，从而创造更
大的利润。各厂商竞相在更小的空间植入更多的高速功能，加速了设备的小型化步伐。不过，
半导体芯片尺寸的缩小和掺杂水平的提高，导致半导体芯片的薄栅极氧化层和pn结的宽度大幅
降低。与更多的电路结合在一起，这可增大半导体芯片的ESD敏感度。
电子设备会出现硬件故障、潜在的损坏或临时故障。硬件故障易于发现，通常需要更换故障设
备。最理想的情况是，在设备出厂之前检测出故障，客户永远不会收到存在硬件故障的产品。
导致设备出现暂时失灵的故障或潜在故障十分常见，但很难现场发现或追踪。临时故障可能不
会被报告，但会给客户带来不良印象，因为用户可能需要重置设备。因为ESD故障发生的产品更
换或维修召回，可能会使公司蒙受高于设备本身成本几倍的损失。
高效的系统设计通常包括一个屏蔽外壳，目的是最大程度降低ESD风险。不过，静电释放始终会
对器件的可靠性造成威胁，因为释放的静电能够轻易地绕过屏蔽外壳，进入IC/ASIC。接触外部
世界的连接器和天线可能会成为最终用户产生的静电的输入点。确保整个系统的稳定运行和最
大可靠性的唯一方式是，通过配备外置保护器件，提供足够的静电释放和瞬变保护。
英飞凌的价值主张
通过提供一流的保护器件（高于IEC61000-4-2 4级标准），改进整个系统的ESD抗扰度。

卓越的抵御多次静电冲击的能力；

稳定安全的箝位电压甚至可保护最敏感的电子设备

完全符合高速信号质量要求的保护器件

节省电路板空间和减少部件数量的阵列解决方案

用于空间受限应用的单个易用器件

具备极低漏电流的分立式组件，有助于延长电池寿命

确保简单的PCB版图的封装
如欲了解我们TVS二极管产品组合及其应用的详情，请参考我们的应用指南——第四部分：保护
或我们的ESD防护手册www.infineon.com/tvs.brochure。您也可登录我们的网站
www.infineon.com/protection，查寻保护器件。
75
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
11.1 利用分立式 ESD TVS 二极管保护接口
英飞凌面向各种手机应用推出多种高性能分立式TVS保护器件，目的是防止我们客户的手机受到
ESD干扰。下图扼要概述了英飞凌面向各种手机外部射频和数据接口推出的可用TVS保护器件。
如欲了解我们TVS二极管产品组合及其应用的详情，请参考我们的应用指南——第四部分：保护
或我们的ESD防护手册www.infineon.com/tvs.brochure。您也可登录我们的网站
www.infineon.com/protection，了解保护器件。
图注
Analog/digital interface：模拟/数字接口; Headset：耳机; TV/audio：电视/音频; camera：
相机; SIM card：SIM卡; SD card：SD卡; MM Card：MM卡; Keypad：键盘; I/O data：I/O数
据; Human interfaces：人机接口; ESD8V0-series：ESD8V0系列; ESD5V3U-series：ESD5V3U 系
列；ESD5V3L1B-series：ESD5V3L1B系列; ESD5V3U-series：ESD5V3U系列 ; ESD5V3U-series：
ESD5V3U 系列；ESD5V3L1B-series：ESD5V3L1B系列; ESD5V3U-series：ESD5V3U 系列；
ESD5V3L1B-series：ESD5V3L1B系列; ESD8V0-series: ESD8V0系列; ESD5V3S1B-series：
ESD5V3S1B系列; ESD5V3L1B-series：ESD5V3L1B系列; ESD5V3U-series：ESD5V3U系列；
ESD8V0-series：ESD8V0系列；ESD5V3L1B-series: ESD5V3L1B系列; Mobile phone：手机; RF
interfaces：射频接口; RPP diode：RPP二极管; Mobile TV：手机电视; Power Supply USB
Charger：USB电源充电器
76
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
11.2 反极性保护（RPP）电路
图注
RPP diode: 反极性保护二极管；DC protected circuit: 直流保护电路；prevents damage to
the circuit: 防止电路受损；system works with reverse polarity: 系统采用反极性工作原
理。
用于反极性保护的AF肖特基二极管
Product
Application
Note
CT2)
[pF]
@VR
[V]
VF
[mV]
@IF
[mA]
VF
[mV]
@IF
[mA]
IR
[μA]
@VR
[V]
Package
BAS3005A-02V
-
10
5
260
10
450
500
< 300
30
SC79
BAS3005A-02LRH
-
10
5
260
10
450
500
15
5
TSLP-2-17
1)
BAS3010A-03W
-
28
5
220
10
450
1000
< 200
30
SOD323
BAS3010S-02LRH
-
10
5
340
100
570
1000
30
10
TSLP-2-17
BAS3020B
-
30
5
350
1000
530
2000
40
30
SOT363
BAS4002S-02LRH
-
7
5
330
10
470
200
0.5
5
TSLP-2-17
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频; 2)在 1 MHz下；
3) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/pindiodes，查询备选器件。
77
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
用于高级反极性保护的AF肖特基二极管（系统还采用反极性工作原理）
1)
Product
Application
Note
CT2)
[pF]
@VR
[V]
VF
[mV]
@IF
[mA]
VF
[mV]
@IF
[mA]
IR
[μA]
@VR
[V]
Package
BAS4002A-RPP
Q
-
2.2
5
390
10
550
100
< 2
30
SOT143
BAS3007A-RPP
Q
-
10
5
350
100
550
700
< 100
24
SOT143
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频; 2)在 1 MHz下；
3)请登录我们的网站http://www.infineon.com/schottkydiodes，查询备选器件。
78
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
11.3 USB 充电器的反极性保护
图注：
DC adapter: 直流适配器；USB Power: USB电源；RPP diode: 反极性保护二极管; USB charger IC: USB充
电器IC; Battery: 电池；system: 系统
用于反极性保护的AF肖特基二极管
Product
Application
Note
CT2)
[pF]
@VR
[V]
VF
[mV]
@IF
[mA]
VF
[mV]
@IF
[mA]
IR
[μA]
@VR
[V]
Package
BAS4002A-02LRH
-
7
5
330
10
470
200
0.5
5
TSLP-2-17
BAS3005A-02LRH
-
10
5
260
10
450
500
15
5
TSLP-2-17
BAS3010S-02LRH
-
10
5
340
100
570
1000
30
10
TSLP-2-17
1)
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频; 2)在 1 MHz下；
3) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/schottkydiodes ，查寻备选器件。
79
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
11.4 配备肖特基二极管的整流器电路
图注：
Bridge rectifier: 桥接整流器；EMI/EMC filter: EMI/EMC滤波器；Power supply IC: 电源IC
整流器电路的AF肖特基二极管
1)
Product
BGX50A
D
Application
Note
VR,max2)
[V]
IF,max3)
[mA]
VBR
[V]
IR
[μA]
@VR
[V]
VF
[V]
@IF
[mA]
τrr
[ns]
Package
-
50
140
50
< 0.2
50
< 1.3
100
< 6.0
SOT143
BAS4002A-RPP
D
-
40
200
40
< 10
40
< 0.62
< 2
-
SOT143
BAS3007A-RPP
D
-
30
350
30
< 350
30
< 0.4
< 100
-
SOT143
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频; 2)最大反向额定电压；3)最大正向额定电流；
3) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/schottkydiodes，查询备选器件。
80
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
11.5 削波与箝位
图注：
Digital spikes: 数字尖峰信号；After filtering: 滤波后；discrete spike filter: 分立式尖峰信号滤
波器
用于削波和箝位的射频肖特基二极管
1)
Product
Application
Note
CT2)
[pF]
@VR
[V]
VF
[mV]
@IF
[mA]
VF
[mV]
@IF
[mA]
IR
[μA]
@VR
[V]
Package
SOT23
BAT54 series
-
< 10
1
< 320
1
< 800
100
< 2
25
SOT323
TSLP-2-7
SC79
SOT23
BAT64 series
-
4
1
320
1
570
100
< 2
25
SOT323
SCD80
SOT23
BAT68 series
-
0.7
0
318
1
390
10
< 10
8
SOT323
SOT343
SOT363
SOT23
SOT143
BAS40 series
-
3
0
310
1
720
40
< 10
40
SOT323
SOT343
TSLP-2-1
SOT23
SOT143
SOT323
BAS70 series
-
1,5
0
375
1
705
10
< 10
70
SOT343
SOT363
SCD80
TSLP-2-1
注：1) D=双频; T=三频; Q=四频; 2)在 1 MHz下；
3) 请登录我们的网站http://www.infineon.com/schottkydiodes，查询备选器件。
81
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
缩写
缩写
术语
缩写
术语
ACC
自适应巡航控制系统
NFC
近场通信
ADC
模数转换器
NV Memory
非易失性存储器
Amp
放大器
OoB
带外
AN
应用笔记
PA
功率放大器
ANT
天线
PAN
个人网
AMR
自动抄表
PC
个人电脑
BB
基带
PCB
印刷电路板
BJT
双极结型晶体管
PND
个人导航设备
BPF
带通滤波器
P2P
点对点
CATV
有线电视
RF
射频
CHG
充电
RKE
远程无钥匙进入系统
COMPASS
中国北斗卫星导航系统
RoHS
有害物资限用指令
DAC
数模转换器
RPD
射频与保护器件
EDGE
用于 GSM 演进的增强数据速率
RPP
反极性保护
EMC
电磁兼容
Rx
接收
EMI
电磁干扰
SAW
表面声波
ESD
静电释放
SDARs
卫星数字音频广播业务
FEM
前端模块
SC(D)
半导体（二极管）封装
FM
调频（76 MHz –108 MHz）
SD Card
安全数码卡
FWLP
微脚距晶圆级封装
SIM Card
用户识别卡
GLONASS
全球轨道卫星导航系统
SOT
小外形晶体管封装
GNSS
全球卫星导航系统
SPDT
单极双掷
GPS
全球定位系统（1575.42 MHz）
SPI
串行外设接口
GSM
全球移动通信系统
SWP
单线协议
HDMI
高清多媒体接口
SRR
短程雷达
HG/MG/LG
高增益/中等增益/低增益
TDS-CDMA
时分同步码分多址
IC/ASIC
集成电路
TDS-LTE
时分同步长期演进
IF
中频
TPMS
胎压监控系统
I/F
接口
TR
技术报告
IMD
互调失真
TRX
收发器
I/O
输入/输出
TSFP
薄小扁平封装
I/Q
同相位 / 正交相位
T(S)SLP
薄（超级）小型无引脚封装
LCD
液晶显示器
TSNP
薄小型无引脚封装
LNA
低噪放大器
TVS
瞬态电压抑制
LO
本振
Tx
发射
LPF
低通滤波器
UHF
超高频（470 MHz–860MHz）
LTE
长期演进
UMTS
通用移动通信系统
Mbps
每秒百万比特
USB
通用串行总线
M2M
机对机
VCO
压控晶振
MM Card
多媒体卡
VHF
V极高频率（30 MHz–300MHz）
MMIC
单片微波集成电路
VQFN
极薄四方扁平无引脚封装
MOSFET
金属氧化物半导体场效应晶体管
WiMAX
全球微波互联接入
MRR
中程雷达
WLAN
无线局域网
82
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
按字母顺序的符号列表
符号
术语
Af
闪烁噪声指数
输出电容
栅极1输入电容
总二极管电容
ESD脉冲电压
1/f噪声角频率
晶体管特征频率
正向跨导
最大可用功率增益
最大稳定功率增益
功率增益
最大漏电流
正向电流
反向电流
最大峰值脉冲电流
输入第三截断点
插入损耗
二阶互调失真
1dB输入压缩点
闪烁噪声常数
噪声系数
输出第三截断点
1dB输出压缩点
0.1dB 压缩点
最大输入功率
最大总功耗
动态电阻
差分正向电阻
击穿电压
箝位电压
数控电压
直流电源电压
正向电压
反向电压
反向工作电压
存放时间
反向恢复时间
Cdss
Cglss
CT
ESD
fc
fT
gfs
Gma
Gms
GP
ID,max
IF
IR
IPP
IIP3
IL
IMD2
IP-1dB
Kf
NF
OIP3
OP-1dB
P-0.1dB
Pin,max
Ptot,max
Rdyn
rF
VBR
VCL
Vctrl
Vdd
VF
VR
VRWM
τL
τrr
单位
[pF]
[pF]
[pF]
[kV]
[kHz]
[GHz]
[ms]
[dB]
[dB]
[dB]
[mA]
[mA]
[µA]
[mA]
[dBm]
[dB]
[dBm]
[dBm]
[dB]
[dBm]
[dBm]
[dBm]
[dBm]
[mW]
[Ω]
[Ω]
[V]
[V]
[V]
[V]
[mV]
[V]
[V]
[ns]
[ns]
83
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
封装信息
封装（JEITA 代码）
X
长X宽X高
引脚数
所有产品都采用绿色封装（符合 RoHS 标准）。
比例 1:1
：所有尺寸的单位为毫
SC79 (SC-79)
2
SCD80 (SC-80)
1.6 × 0.8 × 0.55
2
1.7 × 0.8 × 0.7
3:1
2.0 × 2.1 × 0.9
4
2
2.0 × 2.1 × 0.9
4
1.4 × 1.26 × 0.39
7
2:1
16
7
16
2:1
2:1
84
5:1
7
2.3 × 1.5 × 0.4
3:1
7
TSNP-7-10
1.4 × 1.26 × 0.39
3:1
VQFN-32-9
2.3 × 2.3 × 0.73
1.0 × 0.6 × 0.31
3:1
TSNP-16-3
2.3 × 2.3 × 0.38
3
TSLP-7-4 ( - )
2.0 × 1.3 × 0.4
6:1
TSNP-16-1
2.5 × 2.5 × 0.73
TSLP-3-9 ( - )
1.0 × 0.6 × 0.39
TSNP-7-6
0.778×0.528×0.34
1.4 × 1.2 × 0.55
4:1
TSLP-7-1 ( - )
1.1 × 0.7 × 0.4
3:1
TSNP-11-2
11
6
3
5:1
FWLP-6-1
1.4 × 1.26 × 0.31
3:1
2
4:1
TSLP-7-8 ( - )
TSFP-4 ( - )
1.2 × 1.2 × 0.55
5:1
6
2.9 × 2.4 × 1.0
2:1
TSLP-2-17
1.0 × 0.6 × 0.39
4:1
TSLP-7-6 ( - )
7
2
4
4:1
TSLP-6-2
1.2 × 0.8 × 0.39
4:1
3
3:1
TSLP-4-7 ( - )
1.2 × 0.6 × 0.4
2.9 × 2.4 × 1.1
TSFP-3 ( - )
2.0 × 2.1 × 0.9
7:1
TSLP-4-4 ( - )
4
6
SOT143 (SC-61)
2:1
TSLP-2-7 ( - )
0.62 × 0.32 × 0.31
5:1
3
SOT363 (SC-88)
TSSLP-2-1 ( - )
1.0 × 0.6 × 0.4
2.5 × 1.25 × 0.9
3:1
TSLP-2-1 ( - )
SOT23 ( - )
2:1
SOT343 (SC-82)
3:1
2
2
3:1
SOT323 (SC-70)
3
SOD323 (SC-76)
32
5.5 × 4.5 × 1.3
1:1
7
2.3 × 1.7 × 0.73
3:1
射频与保护器件应用指南
第三部分: 工业应用
辅助资料
数据表/应用笔记/ 技术报告
www.infineon.com/rfandprotectiondevices
产品：
- 射频 CMOS 开关
www.infineon.com/rfswitches
- 射频 MMIC
www.infineon.com/rfmmics
- 射频晶体管
www.infineon.com/rftransistors
- 射频二极管
www.infineon.com/rfdiodes
- PIN 二极管
www.infineon.com/pindiodes
- 肖特基二极管
www.infineon.com/schottkydiodes
- 变容二极管
www.infineon.com/varactordiodes
- ESD/EMI 保护器件
www.infineon.com/tvsdiodes
手册:
- 《选型指南》
www.infineon.com/rpd_selectionguide
- 《保护应用指南》
www.infineon.com/rpd_appguide_protection
- 《消费类电子产品应用指南》
www.infineon.com/rpd_appguide_consumer
- 《工业产品应用指南》
www.infineon.com/rpd_appguide_industrial
- 《ESD 防护解决方案——消费类电子产品和无线通信》
www.infineon.com/tvs.brochure
- 《用于移动和无线应用的 GPS 前端组件》
www.infineon.com/gps
样品套件
www.infineon.com/rpdkits
评估板
更多信息请联系当地英飞凌销售代表。
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