English/Japanese

テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
F3L200R12W2H3_B11
EasyPACKモジュールニュートラル ポイント クランプ2トポロジー内蔵andPressFIT/NTCサーミスタ
EasyPACKmodulewithactive"NeutralPointClamp2"topologyandPressFIT/NTC
VCES = 1200V
IC nom = 100A / ICRM = 200A
一般応用
• 3レベル アプリケーション
• モーター駆動
• ソーラーアプリケーション
• UPSシステム
TypicalApplications
• 3-Level-Applications
• MotorDrives
• SolarApplications
• UPSSystems
電気的特性
• 高速IGBTH3
• 低スイッチング損失
• Tvjop=150°C
ElectricalFeatures
• HighSpeedIGBTH3
• LowSwitchingLosses
• Tvjop=150°C
機械的特性
• PressFIT接合技術
• RoHS対応
MechanicalFeatures
• PressFITContactTechnology
• RoHScompliant
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:CM
dateofpublication:2014-12-04
approvedby:AKDA
revision:3.0
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
1
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
F3L200R12W2H3_B11
IGBT,T1/T4/IGBT,T1/T4
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
コレクタ電流
Implementedcollectorcurrent
VCES
1200
V
ICN
200
A
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
IC nom 100
A
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
400
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
600
W
VGES
+/-20
V
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 100 A, VGE = 15 V
IC = 100 A, VGE = 15 V
IC = 100 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VCE sat
typ.
max.
1,55
1,70
1,75
1,75
V
V
V
5,80
6,45
V
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 7,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
QG
1,60
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
3,8
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
11,5
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,70
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
VGEth
ターンオン遅れ時間(誘導負荷)
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 400 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間(誘導負荷)
Risetime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 400 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間(誘導負荷)
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 400 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間(誘導負荷)
Falltime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 400 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 100 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 3700 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 1,1 Ω
Tvj = 150°C
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
5,05
0,14
0,155
0,16
µs
µs
µs
0,025
0,03
0,03
µs
µs
µs
0,32
0,40
0,42
µs
µs
µs
0,03
0,055
0,06
µs
µs
µs
Eon
1,20
2,00
2,25
mJ
mJ
mJ
IC = 100 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 2700 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 1,1 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
3,50
5,30
5,90
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
800
A
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
preparedby:CM
dateofpublication:2014-12-04
approvedby:AKDA
revision:3.0
2
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
td on
tr
td off
tf
RthJC
0,20
0,25 K/W
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
F3L200R12W2H3_B11
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
0,20
Tvj op
-40
K/W
150
°C
ダイオード,D2/D3/Diode,D2/D3
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
VRRM 650
V
順電流
Implementedforwardcurrent
IFN
125
A
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
IF
100
A
IFRM
250
A
I²t
1450
1400
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
電気的特性/CharacteristicValues
min.
A²s
A²s
typ.
max.
1,70
VF
1,55
1,50
1,45
IF = 100 A, - diF/dt = 3700 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 400 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
IRM
90,0
100
100
A
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 100 A, - diF/dt = 3700 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 400 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Qr
3,25
5,90
6,40
µC
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 100 A, - diF/dt = 3700 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 400 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Erec
0,95
1,55
1,65
mJ
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode(1素子当り)/perdiode
RthJC
0,55
0,65 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,60
K/W
順電圧
Forwardvoltage
IF = 100 A, VGE = 0 V
IF = 100 A, VGE = 0 V
IF = 100 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
preparedby:CM
dateofpublication:2014-12-04
approvedby:AKDA
revision:3.0
3
-40
150
V
V
V
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
F3L200R12W2H3_B11
IGBT,T2/T3/IGBT,T2/T3
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
650
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
IC nom 100
A
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
200
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
250
W
VGES
+/-20
V
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 100 A, VGE = 15 V
IC = 100 A, VGE = 15 V
IC = 100 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VCE sat
typ.
max.
1,45
1,60
1,70
1,90
V
V
V
5,80
6,45
V
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 1,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
QG
1,00
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
2,0
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
6,20
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,19
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
VGEth
ターンオン遅れ時間(誘導負荷)
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 400 V
VGE = ±15 V
RGon = 3,3 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間(誘導負荷)
Risetime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 400 V
VGE = ±15 V
RGon = 3,3 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間(誘導負荷)
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 400 V
VGE = ±15 V
RGoff = 3,3 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間(誘導負荷)
Falltime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 400 V
VGE = ±15 V
RGoff = 3,3 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 100 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 3800 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 3,3 Ω
Tvj = 150°C
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
4,95
0,055
0,06
0,065
µs
µs
µs
0,025
0,03
0,03
µs
µs
µs
0,25
0,27
0,28
µs
µs
µs
0,035
0,05
0,06
µs
µs
µs
Eon
1,85
2,80
3,30
mJ
mJ
mJ
IC = 100 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 4600 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 3,3 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
3,10
4,10
4,60
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
700
500
A
A
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
RthJC
0,50
0,60 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,50
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C
td on
tr
td off
tf
Tvj op
preparedby:CM
dateofpublication:2014-12-04
approvedby:AKDA
revision:3.0
4
-40
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
F3L200R12W2H3_B11
ダイオード,D1/D4/Diode,D1/D4
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
VRRM Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
1200
V
IF
75
A
IFRM
150
A
I²t
1050
985
電気的特性/CharacteristicValues
min.
A²s
A²s
typ.
max.
2,15
VF
1,65
1,65
1,65
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
120
140
150
A
A
A
IF = 75 A, - diF/dt = 3500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 400 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
8,50
17,0
19,0
µC
µC
µC
IF = 75 A, - diF/dt = 3500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 400 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
2,85
5,70
6,30
mJ
mJ
mJ
順電圧
Forwardvoltage
IF = 75 A, VGE = 0 V
IF = 75 A, VGE = 0 V
IF = 75 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 75 A, - diF/dt = 3500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 400 V
VGE = -15 V
逆回復電荷量
Recoveredcharge
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
V
V
V
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode(1素子当り)/perdiode
RthJC
0,55
0,60 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,50
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
150
°C
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
沿面距離
Creepagedistance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
11,5
6,3
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
10,0
5,0
mm
> 200
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
VISOL CTI
min.
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
LsCE
保存温度
Storagetemperature
Tstg
-40
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
40
質量
Weight
G
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin.
preparedby:CM
dateofpublication:2014-12-04
approvedby:AKDA
revision:3.0
5
kV
2,5
typ.
max.
14
36
nH
125
°C
80
N
g
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
F3L200R12W2H3_B11
NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
定格抵抗値
Ratedresistance
TC = 25°C
R100の偏差
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
損失
Powerdissipation
TC = 25°C
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
R25
∆R/R
5,00
-5
P25
適切なアプリケーションノートによる仕様
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:CM
dateofpublication:2014-12-04
approvedby:AKDA
revision:3.0
6
kΩ
5
%
20,0
mW
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
F3L200R12W2H3_B11
出力特性IGBT,T1/T4(Typical)
outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT,T1/T4(Typical)
outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
200
200
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
160
160
140
140
120
120
100
80
60
60
40
40
20
20
0,0
0,5
1,0
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
0
3,0
伝達特性IGBT,T1/T4(Typical)
transfercharacteristicIGBT,T1/T4(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
11
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
180
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
10
9
160
8
140
7
E [mJ]
120
100
80
6
5
4
60
3
40
2
20
0
0,0
スイッチング損失IGBT,T1/T4(Typical)
switchinglossesIGBT,T1/T4(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=1.1Ω,RGoff=1.1Ω,VCE=400V
200
IC [A]
100
80
0
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
180
IC [A]
IC [A]
180
1
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
0
12
preparedby:CM
dateofpublication:2014-12-04
approvedby:AKDA
revision:3.0
7
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
IC [A]
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
F3L200R12W2H3_B11
スイッチング損失IGBT,T1/T4(Typical)
switchinglossesIGBT,T1/T4(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=100A,VCE=400V
過渡熱インピーダンスIGBT,T1/T4
transientthermalimpedanceIGBT,T1/T4
ZthJH=f(t)
8
1
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
7
ZthJH : IGBT
6
0,1
ZthJH [K/W]
E [mJ]
5
4
3
0,01
2
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,012 0,044 0,032 0,312
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
RG [Ω]
7
8
9
0,001
0,001
10
逆バイアス安全動作領域IGBT,T1/T4(RBSOA))
reversebiassafeoperatingareaIGBT,T1/T4(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=1.1Ω,Tvj=150°C
0,01
0,1
t [s]
1
10
順電圧特性ダイオード,D2/D3(typical)
forwardcharacteristicofDiode,D2/D3(typical)
IF=f(VF)
250
200
IC, Modul
IC, Chip
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
180
200
160
140
120
IF [A]
IC [A]
150
100
100
80
60
50
40
20
0
0
200
400
600
800
VCE [V]
1000
1200
0
1400
preparedby:CM
dateofpublication:2014-12-04
approvedby:AKDA
revision:3.0
8
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0 1,2
VF [V]
1,4
1,6
1,8
2,0
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
F3L200R12W2H3_B11
スイッチング損失ダイオード,D2/D3(Typical)
switchinglossesDiode,D2/D3(typical)
Erec=f(IF)
RGon=1.1Ω,VCE=400V
スイッチング損失ダイオード,D2/D3(Typical)
switchinglossesDiode,D2/D3(typical)
Erec=f(RG)
IF=100A,VCE=400V
2,6
2,0
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
2,4
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
1,8
2,2
1,6
1,8
1,4
1,6
1,2
1,4
E [mJ]
E [mJ]
2,0
1,2
1,0
1,0
0,8
0,8
0,6
0,6
0,4
0,4
0,2
0,2
0,0
0
20
40
60
80
0,0
100 120 140 160 180 200
IF [A]
過渡熱インピーダンスダイオード,D2/D3
transientthermalimpedanceDiode,D2/D3
ZthJH=f(t)
0
1
2
3
4
5
6
RG [Ω]
7
8
9
10
出力特性IGBT,T2/T3(Typical)
outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
10
200
ZthJH : Diode
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
180
160
140
1
IC [A]
ZthJH [K/W]
120
100
80
0,1
60
40
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,035 0,149 0,311 0,655
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
20
0
10
preparedby:CM
dateofpublication:2014-12-04
approvedby:AKDA
revision:3.0
9
0,0
0,5
1,0
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
3,0
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
F3L200R12W2H3_B11
出力特性IGBT,T2/T3(Typical)
outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
伝達特性IGBT,T2/T3(Typical)
transfercharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
200
200
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
180
160
140
140
120
120
IC [A]
IC [A]
160
100
100
80
80
60
60
40
40
20
20
0
0,0
0,5
1,0
1,5
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
180
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
0
5,0
スイッチング損失IGBT,T2/T3(Typical)
switchinglossesIGBT,T2/T3(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=3.3Ω,RGoff=3.3Ω,VCE=400V
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
12
スイッチング損失IGBT,T2/T3(Typical)
switchinglossesIGBT,T2/T3(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=100A,VCE=400V
10
24
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
9
8
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
22
20
18
7
16
14
E [mJ]
E [mJ]
6
5
12
10
4
8
3
6
2
4
1
0
2
0
20
40
60
80
0
100 120 140 160 180 200
IC [A]
preparedby:CM
dateofpublication:2014-12-04
approvedby:AKDA
revision:3.0
10
0
3
6
9
12
15 18
RG [Ω]
21
24
27
30
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
F3L200R12W2H3_B11
過渡熱インピーダンスIGBT,T2/T3
transientthermalimpedanceIGBT,T2/T3
ZthJH=f(t)
逆バイアス安全動作領域IGBT,T2/T3(RBSOA))
reversebiassafeoperatingareaIGBT,T2/T3(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=3.3Ω,Tvj=150°C
10
220
ZthJH : IGBT
IC, Modul
IC, Chip
200
180
160
1
IC [A]
ZthJH [K/W]
140
120
100
80
0,1
60
40
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,03
0,11 0,08 0,78
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
20
0
10
順電圧特性ダイオード,D1/D4(typical)
forwardcharacteristicofDiode,D1/D4(typical)
IF=f(VF)
300
400 500
VCE [V]
600
700
800
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
9
8
105
7
90
6
E [mJ]
IF [A]
200
10
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
120
75
5
60
4
45
3
30
2
15
1
0
100
スイッチング損失ダイオード,D1/D4(Typical)
switchinglossesDiode,D1/D4(typical)
Erec=f(IF)
RGon=3.3Ω,VCE=400V
150
135
0
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VF [V]
preparedby:CM
dateofpublication:2014-12-04
approvedby:AKDA
revision:3.0
11
0
15
30
45
60
75 90
IF [A]
105 120 135 150
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
F3L200R12W2H3_B11
スイッチング損失ダイオード,D1/D4(Typical)
switchinglossesDiode,D1/D4(typical)
Erec=f(RG)
IF=75A,VCE=400V
過渡熱インピーダンスダイオード,D1/D4
transientthermalimpedanceDiode,D1/D4
ZthJH=f(t)
8
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
7
ZthJH : Diode
6
1
ZthJH [K/W]
E [mJ]
5
4
3
0,1
2
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,042 0,093 0,387 0,528
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
1
0
0
3
6
9
12
15 18
RG [Ω]
21
24
27
0,01
0,001
30
NTC-サーミスタサーミスタの温度特性
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp
R[Ω]
10000
1000
100
0
20
40
60
80
100
TC [°C]
120
140
160
preparedby:CM
dateofpublication:2014-12-04
approvedby:AKDA
revision:3.0
12
0,01
0,1
t [s]
1
10
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
F3L200R12W2H3_B11
回路図/circuit_diagram_headline
パッケージ概要/packageoutlines
Infineon
preparedby:CM
dateofpublication:2014-12-04
approvedby:AKDA
revision:3.0
13
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
F3L200R12W2H3_B11
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
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ー 品質契約
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interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
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ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please
note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:CM
dateofpublication:2014-12-04
approvedby:AKDA
revision:3.0
14
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