TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules F3L400R12PT4_B26 EconoPACK™4Modulmitaktiver"NeutralPointClamp2"TopologieundPressFIT/NTC EconoPACK™4modulewithactive"NeutralPointClamp2"topologyandPressFIT/NTC VorläufigeDaten/PreliminaryData VCES = 1200V IC nom = 400A / ICRM = 800A TypischeAnwendungen • SolarAnwendungen • USV-Systeme TypicalApplications • SolarApplications • UPSSystems ElektrischeEigenschaften • ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop • NiedrigeSchaltverluste • NiedrigesVCEsat • TrenchIGBT4 • Tvjop=150°C • VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten ElectricalFeatures • ExtendedOperationTemperatureTvjop • LowSwitchingLosses • LowVCEsat • TrenchIGBT4 • Tvjop=150°C • VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient MechanischeEigenschaften • IsolierteBodenplatte • KompaktesDesign • PressFITVerbindungstechnik • Standardgehäuse MechanicalFeatures • IsolatedBasePlate • Compactdesign • PressFITContactTechnology • StandardHousing ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:MK dateofpublication:2013-11-11 approvedby:MK revision:2.0 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules F3L400R12PT4_B26 VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,T1/T4/IGBT,T1/T4 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom IC 400 600 PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 800 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 2150 W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 400 A, VGE = 15 V IC = 400 A, VGE = 15 V IC = 400 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 15,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VCE sat A A typ. max. 1,75 2,05 2,10 2,15 V V V VGEth 5,2 5,8 6,4 V VGE = -15 V ... +15 V QG 3,30 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 1,8 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 25,0 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,35 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA td on 0,20 0,22 0,23 µs µs µs tr 0,11 0,12 0,12 µs µs µs td off 0,40 0,48 0,50 µs µs µs tf 0,07 0,10 0,11 µs µs µs Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 1,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 1,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 1,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 1,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 400 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 2650 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 1,5 Ω Tvj = 150°C Eon 8,75 13,0 13,5 mJ mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 400 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 2300 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 1,5 Ω Tvj = 150°C Eoff 18,0 26,0 28,5 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 2200 1900 A A Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,046 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:MK dateofpublication:2013-11-11 approvedby:MK revision:2.0 2 tP ≤ 10 µs, Tvj = 25°C tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C 0,07 K/W K/W 150 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules F3L400R12PT4_B26 VorläufigeDaten PreliminaryData Diode,D2/D3/Diode,D2/D3 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C VRRM 650 V IF 400 A IFRM 800 A I²t 6700 6150 CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,55 1,50 1,45 1,95 A²s A²s Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 400 A, VGE = 0 V IF = 400 A, VGE = 0 V IF = 400 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VF Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 400 A, - diF/dt = 2650 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 300 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C IRM 145 205 215 A A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 400 A, - diF/dt = 2650 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 300 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Qr 13,5 26,0 28,5 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 400 A, - diF/dt = 2650 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 300 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Erec 3,40 6,35 7,15 mJ mJ mJ proDiode/perdiode RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,077 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:MK dateofpublication:2013-11-11 approvedby:MK revision:2.0 Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase 3 V V V 0,22 K/W K/W 150 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules F3L400R12PT4_B26 VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,T2/T3/IGBT,T2/T3 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 650 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 0°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom IC 400 360 PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 800 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 880 W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 400 A, VGE = 15 V IC = 400 A, VGE = 15 V IC = 400 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 4,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VCE sat A A typ. max. 1,75 2,00 2,10 2,15 V V V VGEth 4,9 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG 3,20 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 1,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 18,5 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,57 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA td on 0,08 0,10 0,10 µs µs µs tr 0,09 0,10 0,10 µs µs µs td off 0,35 0,37 0,38 µs µs µs tf 0,08 0,11 0,11 µs µs µs Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 1,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 1,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 1,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 1,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 400 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 3300 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 1,5 Ω Tvj = 150°C Eon 6,30 9,40 11,0 mJ mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 400 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 3350 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 1,5 Ω Tvj = 150°C Eoff 20,0 23,5 24,5 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 1800 1400 A A Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,074 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:MK dateofpublication:2013-11-11 approvedby:MK revision:2.0 4 tP ≤ 10 µs, Tvj = 25°C tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C 0,17 K/W K/W 150 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules F3L400R12PT4_B26 VorläufigeDaten PreliminaryData Diode,D1/D4/Diode,D1/D4 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C VRRM 1200 V IF 400 A IFRM 800 A I²t 15500 11500 CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,80 1,85 1,90 2,30 A²s A²s Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 400 A, VGE = 0 V IF = 400 A, VGE = 0 V IF = 400 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VF Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 400 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 300 V Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 255 310 325 A A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 400 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 300 V Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 29,0 56,0 65,0 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 400 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 300 V Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 8,70 16,5 19,0 mJ mJ mJ proDiode/perdiode RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,056 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 min. typ. max. R25 5,00 kΩ ∆R/R -5 5 % P25 20,0 mW Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase V V V 0,16 K/W K/W °C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Nennwiderstand Ratedresistance TC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:MK dateofpublication:2013-11-11 approvedby:MK revision:2.0 5 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules F3L400R12PT4_B26 VorläufigeDaten PreliminaryData Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Kriechstrecke Creepagedistance VISOL 2,5 kV Cu Al2O3 Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 25,0 12,5 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,0 7,0 mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI > 200 min. typ. max. LsCE 38 nH RCC'+EE' 0,75 mΩ Tstg -40 125 °C SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 - 6,00 Nm Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,0 - 6,0 Nm Gewicht Weight G 400 g preparedby:MK dateofpublication:2013-11-11 approvedby:MK revision:2.0 Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting 6 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L400R12PT4_B26 IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,T1/T4(typisch) outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,T1/T4(typisch) outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 800 800 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 640 640 560 560 480 480 400 400 320 320 240 240 160 160 80 80 0 0,0 0,5 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 720 IC [A] IC [A] 720 1,0 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 0 3,5 ÜbertragungscharakteristikIGBT,T1/T4(typisch) transfercharacteristicIGBT,T1/T4(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 SchaltverlusteIGBT,T1/T4(typisch) switchinglossesIGBT,T1/T4(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=1.5Ω,RGoff=1.5Ω,VCE=300V 800 80 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 720 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C 70 640 60 560 50 E [mJ] IC [A] 480 400 320 40 30 240 20 160 10 80 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 0 13 preparedby:MK dateofpublication:2013-11-11 approvedby:MK revision:2.0 7 0 100 200 300 400 IC [A] 500 600 700 800 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L400R12PT4_B26 IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT,T1/T4(typisch) switchinglossesIGBT,T1/T4(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=400A,VCE=300V TransienterWärmewiderstandIGBT,T1/T4 transientthermalimpedanceIGBT,T1/T4 ZthJC=f(t) 80 0,1 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C 70 ZthJC : IGBT 60 ZthJC [K/W] E [mJ] 50 40 0,01 30 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,00481 0,00743 0,05654 0,00346 τi[s]: 0,00048 0,00808 0,03994 4,14691 10 0 0 1 2 3 4 5 6 0,001 0,001 7 8 9 10 11 12 13 14 15 RG [Ω] SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T1/T4(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,T1/T4(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=1.5Ω,Tvj=150°C 0,01 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,D2/D3(typisch) forwardcharacteristicofDiode,D2/D3(typical) IF=f(VF) 900 800 IC, Modul IC, Chip 800 720 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 640 700 560 600 IF [A] IC [A] 480 500 400 400 320 300 240 200 160 100 0 80 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 preparedby:MK dateofpublication:2013-11-11 approvedby:MK revision:2.0 8 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 VF [V] TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L400R12PT4_B26 IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch) switchinglossesDiode,D2/D3(typical) Erec=f(IF) RGon=1.5Ω,VCE=300V SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch) switchinglossesDiode,D2/D3(typical) Erec=f(RG) IF=400A,VCE=300V 10 10 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 8 8 7 7 6 6 5 5 4 4 3 3 2 2 1 1 0 0 100 200 300 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 9 E [mJ] E [mJ] 9 400 IF [A] 500 600 700 0 800 TransienterWärmewiderstandDiode,D2/D3 transientthermalimpedanceDiode,D2/D3 ZthJC=f(t) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 RG [Ω] AusgangskennlinieIGBT,T2/T3(typisch) outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 1 800 ZthJC : Diode Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 720 640 560 IC [A] ZthJC [K/W] 480 0,1 400 320 240 160 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,02066 0,03561 0,14341 0,02234 τi[s]: 0,00031 0,0085 0,04141 0,9406 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 80 0 10 preparedby:MK dateofpublication:2013-11-11 approvedby:MK revision:2.0 9 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 3,5 4,0 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L400R12PT4_B26 IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinienfeldIGBT,T2/T3(typisch) outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C ÜbertragungscharakteristikIGBT,T2/T3(typisch) transfercharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 800 800 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 700 600 700 600 500 IC [A] IC [A] 500 400 300 200 200 100 100 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 0 5,0 SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch) switchinglossesIGBT,T2/T3(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=1.5Ω,RGoff=1.5Ω,VCE=300V 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 13 100 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C 90 80 80 60 60 E [mJ] 70 50 50 40 40 30 30 20 20 10 10 0 100 200 300 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C 90 70 0 5 SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch) switchinglossesIGBT,T2/T3(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=400A,VCE=300V 100 E [mJ] 400 300 0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 400 IC [A] 500 600 700 0 800 preparedby:MK dateofpublication:2013-11-11 approvedby:MK revision:2.0 10 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 RG [Ω] TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L400R12PT4_B26 IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData TransienterWärmewiderstandIGBT,T2/T3 transientthermalimpedanceIGBT,T2/T3 ZthJC=f(t) SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T2/T3(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,T2/T3(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=1.5Ω,Tvj=150°C 1 900 ZthJC : IGBT IC, Modul IC, Chip 800 700 600 IC [A] ZthJC [K/W] 0,1 0,01 500 400 300 200 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,01921 0,12312 0,02338 0,00837 τi[s]: 0,00113 0,03104 0,17309 3,25128 0,001 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 100 0 10 DurchlasskennliniederDiode,D1/D4(typisch) forwardcharacteristicofDiode,D1/D4(typical) IF=f(VF) 100 200 300 400 VCE [V] 500 600 700 SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch) switchinglossesDiode,D1/D4(typical) Erec=f(IF) RGon=1.5Ω,VCE=300V 800 700 0 30 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 28 26 24 600 22 20 18 E [mJ] IF [A] 500 400 16 14 12 300 10 8 200 6 4 100 2 0 0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 VF [V] preparedby:MK dateofpublication:2013-11-11 approvedby:MK revision:2.0 11 0 100 200 300 400 IF [A] 500 600 700 800 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L400R12PT4_B26 IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch) switchinglossesDiode,D1/D4(typical) Erec=f(RG) IF=400A,VCE=300V TransienterWärmewiderstandDiode,D1/D4 transientthermalimpedanceDiode,D1/D4 ZthJC=f(t) 24 1 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 22 ZthJC : Diode 20 18 16 ZthJC [K/W] E [mJ] 14 12 10 0,1 8 6 4 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,02046 0,10956 0,02205 0,00681 τi[s]: 0,00108 0,03036 0,16873 3,29829 2 0 0 1 2 3 4 5 6 0,01 0,001 7 8 9 10 11 12 13 14 15 RG [Ω] NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 0 20 40 60 80 100 TC [°C] 120 140 160 preparedby:MK dateofpublication:2013-11-11 approvedby:MK revision:2.0 12 0,01 0,1 t [s] 1 10 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules F3L400R12PT4_B26 VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/circuit_diagram_headline J Gehäuseabmessungen/packageoutlines preparedby:MK dateofpublication:2013-11-11 approvedby:MK revision:2.0 13 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules F3L400R12PT4_B26 VorläufigeDaten PreliminaryData Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:MK dateofpublication:2013-11-11 approvedby:MK revision:2.0 14