TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FS3L25R12W2H3_B11 EasyPACKModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/ NTC EasyPACKmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC VorläufigeDaten/PreliminaryData J VCES = 1200V IC nom = 25A / ICRM = 50A TypischeAnwendungen • 3-Level-Applikationen • SolarAnwendungen TypicalApplications • 3-level-applications • Solarapplications ElektrischeEigenschaften • HighSpeedIGBTH3 • NiederinduktivesDesign • NiedrigeSchaltverluste ElectricalFeatures • HighspeedIGBTH3 • Lowinductivedesign • Lowswitchinglosses MechanischeEigenschaften • Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand • KompaktesDesign • PressFITVerbindungstechnik • Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklammern MechanicalFeatures • Al2O3substratewithlowthermalresistance • Compactdesign • PressFITcontacttechnology • Rugged mounting due to integrated mounting clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:CM dateofpublication:2015-10-01 approvedby:AKDA revision:V2.0 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FS3L25R12W2H3_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,T1/T4/IGBT,T1/T4 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom IC 25 40 PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 50 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 175 W VGES +/-20 V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 25 A, VGE = 15 V IC = 25 A, VGE = 15 V IC = 25 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C V 1200 VCE sat A A typ. max. 2,05 2,50 2,60 2,40 V V V 5,80 6,35 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,85 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,13 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,45 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,075 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 350 V VGE = ±15 V RGon = 20 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 350 V VGE = ±15 V RGon = 20 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 350 V VGE = ±15 V RGoff = 20 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 350 V VGE = ±15 V RGoff = 20 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 25 A, VCE = 350 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 1050 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 20 Ω Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse 5,25 0,055 0,055 0,055 µs µs µs 0,04 0,04 0,04 µs µs µs 0,185 0,23 0,24 µs µs µs 0,025 0,05 0,055 µs µs µs Eon 0,67 1,00 1,05 mJ mJ mJ IC = 25 A, VCE = 350 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 3000 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 20 Ω Tvj = 150°C Eoff 0,60 0,95 1,00 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 80 A Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C td on tr td off tf RthJC 0,750 0,850 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,700 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:CM dateofpublication:2015-10-01 approvedby:AKDA revision:V2.0 2 -40 K/W 150 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FS3L25R12W2H3_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData Diode,D1/D4/Diode,D1/D4 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage VRRM Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 1200 V IF 15 A IFRM 50 A I²t 40,0 34,0 CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 2,15 VF 1,75 1,75 1,75 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 36,0 38,0 38,0 A A A IF = 15 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=150°C) VR = 350 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 1,05 2,10 2,40 µC µC µC IF = 15 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=150°C) VR = 350 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,40 0,66 0,70 mJ mJ mJ RthJC 1,30 1,45 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 1,05 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 15 A, VGE = 0 V IF = 15 A, VGE = 0 V IF = 15 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 15 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=150°C) VR = 350 V VGE = -15 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode preparedby:CM dateofpublication:2015-10-01 approvedby:AKDA revision:V2.0 3 -40 150 V V V °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FS3L25R12W2H3_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,T2/T3/IGBT,T2/T3 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C ImplementierterKollektor-Strom Implementedcollectorcurrent VCES 650 V ICN 30 A Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom IC 15 25 PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 60 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 150 W VGES +/-20 V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 15 A, VGE = 15 V IC = 15 A, VGE = 15 V IC = 15 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat A A typ. max. 1,20 1,25 1,25 1,45 V V V 5,80 6,45 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,30 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,65 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,051 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 15 A, VCE = 350 V VGE = ±15 V RGon = 15 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 15 A, VCE = 350 V VGE = ±15 V RGon = 15 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 15 A, VCE = 350 V VGE = ±15 V RGoff = 15 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 15 A, VCE = 350 V VGE = ±15 V RGoff = 15 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 15 A, VCE = 350 V, LS = 40 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 1300 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse 4,95 0,035 0,035 0,035 µs µs µs 0,01 0,012 0,013 µs µs µs 0,34 0,38 0,39 µs µs µs 0,045 0,07 0,075 µs µs µs Eon 0,19 0,26 0,28 mJ mJ mJ IC = 15 A, VCE = 350 V, LS = 40 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 2600 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C Eoff 0,47 0,60 0,64 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 210 150 A A Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT preparedby:CM dateofpublication:2015-10-01 approvedby:AKDA revision:V2.0 tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C td on tr td off tf RthJC 4 0,900 1,00 K/W TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FS3L25R12W2H3_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op 0,850 -40 K/W 150 °C Diode,D2/D3/Diode,D2/D3 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C VRRM 650 V IF 25 A IFRM 50 A I²t 40,0 50,0 CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 2,15 VF 1,65 1,60 1,55 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 13,0 15,0 16,0 A A A IF = 25 A, - diF/dt = 1050 A/µs (Tvj=150°C) VR = 350 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 0,85 1,45 1,60 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 25 A, - diF/dt = 1050 A/µs (Tvj=150°C) VR = 350 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,15 0,26 0,30 mJ mJ mJ Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 1,95 2,15 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 1,35 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 25 A, VGE = 0 V IF = 25 A, VGE = 0 V IF = 25 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 25 A, - diF/dt = 1050 A/µs (Tvj=150°C) VR = 350 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge -40 150 V V V °C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:CM dateofpublication:2015-10-01 approvedby:AKDA revision:V2.0 5 kΩ 5 % 20,0 mW TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FS3L25R12W2H3_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3 Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,5 6,3 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0 5,0 mm > 200 VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex VISOL CTI min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule LsCE Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 40 Gewicht Weight G preparedby:CM dateofpublication:2015-10-01 approvedby:AKDA revision:V2.0 6 kV 2,5 typ. max. 25 39 nH 125 °C 80 N g TechnischeInformation/TechnicalInformation FS3L25R12W2H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,T1/T4(typisch) outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,T1/T4(typisch) outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 50 50 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 40 40 35 35 30 30 25 25 20 20 15 15 10 10 5 5 0 0,0 0,5 1,0 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 45 IC [A] IC [A] 45 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 3,5 0 4,0 0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 VCE [V] ÜbertragungscharakteristikIGBT,T1/T4(typisch) transfercharacteristicIGBT,T1/T4(typical) IC=f(VGE) VCE=20V SchaltverlusteIGBT,T1/T4(typisch) switchinglossesIGBT,T1/T4(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=20Ω,RGoff=20Ω,VCE=350V 50 4,0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 45 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 3,5 40 3,0 35 2,5 E [mJ] IC [A] 30 25 20 2,0 1,5 15 1,0 10 0,5 5 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0,0 12 preparedby:CM dateofpublication:2015-10-01 approvedby:AKDA revision:V2.0 7 0 5 10 15 20 25 30 IC [A] 35 40 45 50 TechnischeInformation/TechnicalInformation FS3L25R12W2H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT,T1/T4(typisch) switchinglossesIGBT,T1/T4(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=25A,VCE=350V TransienterWärmewiderstandIGBT,T1/T4 transientthermalimpedanceIGBT,T1/T4 ZthJH=f(t) 8,0 10 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 7,0 ZthJH : IGBT 6,0 ZthJH [K/W] E [mJ] 5,0 4,0 1 3,0 2,0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,084 0,195 0,586 0,585 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 1,0 0,0 0 20 40 60 80 0,1 0,001 100 120 140 160 180 200 RG [Ω] SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T1/T4(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,T1/T4(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=20Ω,Tvj=150°C 0,01 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,D1/D4(typisch) forwardcharacteristicofDiode,D1/D4(typical) IF=f(VF) 60 30 IC, Modul IC, Chip 55 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 27 50 24 45 21 40 18 IF [A] IC [A] 35 30 25 15 12 20 9 15 6 10 3 5 0 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 preparedby:CM dateofpublication:2015-10-01 approvedby:AKDA revision:V2.0 8 0,0 0,5 1,0 1,5 VF [V] 2,0 2,5 3,0 TechnischeInformation/TechnicalInformation FS3L25R12W2H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch) switchinglossesDiode,D1/D4(typical) Erec=f(IF) RGon=15Ω,VCE=350V SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch) switchinglossesDiode,D1/D4(typical) Erec=f(RG) IF=15A,VCE=350V 1,0 1,0 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 0,8 0,8 0,7 0,7 0,6 0,6 0,5 0,5 0,4 0,4 0,3 0,3 0,2 0,2 0,1 0,1 0,0 0 5 10 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 0,9 E [mJ] E [mJ] 0,9 15 IF [A] 20 25 0,0 30 TransienterWärmewiderstandDiode,D1/D4 transientthermalimpedanceDiode,D1/D4 ZthJH=f(t) 0 15 30 45 60 75 90 RG [Ω] 105 120 135 150 AusgangskennlinieIGBT,T2/T3(typisch) outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 10 30,0 ZthJH: Diode 27,5 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 25,0 22,5 17,5 IC [A] ZthJH [K/W] 20,0 1 15,0 12,5 10,0 7,5 5,0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,312 0,512 0,904 0,622 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 2,5 0,0 0,00 10 preparedby:CM dateofpublication:2015-10-01 approvedby:AKDA revision:V2.0 9 0,25 0,50 0,75 1,00 1,25 VCE [V] 1,50 1,75 2,00 TechnischeInformation/TechnicalInformation FS3L25R12W2H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinienfeldIGBT,T2/T3(typisch) outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C ÜbertragungscharakteristikIGBT,T2/T3(typisch) transfercharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 30 30 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 25 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 25 20 IC [A] IC [A] 20 15 15 10 10 5 5 0 0,0 0,5 1,0 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 0 3,0 SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch) switchinglossesIGBT,T2/T3(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=15Ω,RGoff=15Ω,VCE=350V 5 6 7 8 VGE [V] 9 10 11 SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch) switchinglossesIGBT,T2/T3(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=15A,VCE=350V 1,2 2,00 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 1,0 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 1,75 1,50 0,8 E [mJ] E [mJ] 1,25 0,6 1,00 0,75 0,4 0,50 0,2 0,25 0,0 0 5 10 15 IC [A] 20 25 0,00 30 preparedby:CM dateofpublication:2015-10-01 approvedby:AKDA revision:V2.0 10 0 15 30 45 60 75 90 RG [Ω] 105 120 135 150 TechnischeInformation/TechnicalInformation FS3L25R12W2H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData TransienterWärmewiderstandIGBT,T2/T3 transientthermalimpedanceIGBT,T2/T3 ZthJH=f(t) SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T2/T3(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,T2/T3(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=15Ω,Tvj=150°C 10 40 ZthJH: IGBT IC, Modul IC, Chip 35 30 IC [A] ZthJH [K/W] 25 1 20 15 10 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,142 0,309 0,719 0,58 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 5 0 10 DurchlasskennliniederDiode,D2/D3(typisch) forwardcharacteristicofDiode,D2/D3(typical) IF=f(VF) 0 100 200 300 400 VCE [V] 500 600 700 SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch) switchinglossesDiode,D2/D3(typical) Erec=f(IF) RGon=20Ω,VCE=350V 50 0,40 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 45 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 0,35 40 0,30 35 0,25 E [mJ] IF [A] 30 25 20 0,20 0,15 15 0,10 10 0,05 5 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 0,00 2,5 VF [V] preparedby:CM dateofpublication:2015-10-01 approvedby:AKDA revision:V2.0 11 0 5 10 15 20 25 30 IF [A] 35 40 45 50 TechnischeInformation/TechnicalInformation FS3L25R12W2H3_B11 IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch) switchinglossesDiode,D2/D3(typical) Erec=f(RG) IF=25A,VCE=350V TransienterWärmewiderstandDiode,D2/D3 transientthermalimpedanceDiode,D2/D3 ZthJH=f(t) 0,35 10 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C ZthJH: Diode 0,30 0,25 E [mJ] ZthJH [K/W] 0,20 0,15 1 0,10 0,05 0,00 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,3 0,7 1,39 0,91 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0 20 40 60 80 0,1 0,001 100 120 140 160 180 200 RG [Ω] NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 0 20 40 60 80 100 TC [°C] 120 140 160 preparedby:CM dateofpublication:2015-10-01 approvedby:AKDA revision:V2.0 12 0,01 0,1 t [s] 1 10 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FS3L25R12W2H3_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/Circuitdiagram J Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Infineon preparedby:CM dateofpublication:2015-10-01 approvedby:AKDA revision:V2.0 13 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FS3L25R12W2H3_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:CM dateofpublication:2015-10-01 approvedby:AKDA revision:V2.0 14