English/Japanese

テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FD-DF80R12W1H3_B52
EasyPACKモジュールandPressFIT/NTCサーミスタ
EasyPACKmoduleandPressFIT/NTC
暫定データ/PreliminaryData
VCES = 1200V
IC nom = 40A / ICRM = 80A
一般応用
• 高周波スイッチングアプリケーション
• ソーラーアプリケーション
TypicalApplications
• HighFrequencySwitchingApplication
• SolarApplications
電気的特性
• 650Vに増加したブロッキング電圧
• 高速IGBTH3
• 低インダクタンスデザイン
• 低VCEsat飽和電圧
ElectricalFeatures
• Increasedblockingvoltagecapabilityto650V
• HighSpeedIGBTH3
• LowInductiveDesign
• LowVCEsat
機械的特性
• 2.5kVAC1分 絶縁耐圧
• PressFIT接合技術
• RoHS対応
• 固定用クランプによる強固なマウンティング
MechanicalFeatures
• 2.5kVAC1minInsulation
• PressFITContactTechnology
• RoHScompliant
• Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:CM
dateofpublication:2014-07-21
approvedby:MB
revision:2.0
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
1
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FD-DF80R12W1H3_B52
暫定データ
PreliminaryData
IGBT,降圧コンバータ/IGBT,Buck
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 175°C
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
1200
V
IC nom 40
A
ICRM
80
A
Ptot
215
W
VGES
+/-20
V
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 40 A, VGE = 15 V
IC = 40 A, VGE = 15 V
IC = 40 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VCE sat
typ.
max.
2,05
2,50
2,60
2,40
V
V
V
5,8
6,5
V
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 1,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,185
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
2,35
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,13
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
VGEth
ターンオン遅れ時間(誘導負荷)
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 40 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 12 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間(誘導負荷)
Risetime,inductiveload
IC = 40 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 12 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間(誘導負荷)
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 40 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 12 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間(誘導負荷)
Falltime,inductiveload
IC = 40 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 12 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 40 A, VCE = 600 V, LS = 25 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 1900 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 12 Ω
Tvj = 150°C
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
5,0
0,02
0,02
0,023
µs
µs
µs
0,02
0,02
0,02
µs
µs
µs
0,22
0,26
0,28
µs
µs
µs
0,025
0,035
0,04
µs
µs
µs
Eon
2,50
3,70
4,00
mJ
mJ
mJ
IC = 40 A, VCE = 600 V, LS = 25 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 4700 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 12 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
1,50
2,35
2,50
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
130
A
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
RthJC
0,55
0,70 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,55
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
td on
tr
td off
tf
Tvj op
preparedby:CM
dateofpublication:2014-07-21
approvedby:MB
revision:2.0
2
-40
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FD-DF80R12W1H3_B52
暫定データ
PreliminaryData
Diode、リバース/Diode,Reverse
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
VRRM Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
10
A
IFRM
20
A
I²t
16,0
14,0
min.
IF = 10 A, VGE = 0 V
IF = 10 A, VGE = 0 V
IF = 10 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
V
IF
電気的特性/CharacteristicValues
順電圧
Forwardvoltage
1200
typ.
max.
2,25
VF
1,75
1,75
1,75
A²s
A²s
V
V
V
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode(1素子当り)/perdiode
RthJC
1,75
1,90 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,30
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
150
°C
Diode,降圧コンバータ/Diode,Buck
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
VRRM Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
1200
V
IF
15
A
IFRM
30
A
I²t
90,0
75,0
電気的特性/CharacteristicValues
min.
A²s
A²s
typ.
max.
2,55
VF
2,00
1,70
1,65
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
30,0
40,0
40,0
A
A
A
IF = 15 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
0,70
2,50
3,00
µC
µC
µC
IF = 15 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,40
0,85
1,10
mJ
mJ
mJ
順電圧
Forwardvoltage
IF = 15 A, VGE = 0 V
IF = 15 A, VGE = 0 V
IF = 15 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 15 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
逆回復電荷量
Recoveredcharge
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
V
V
V
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode(1素子当り)/perdiode
RthJC
0,95
1,05 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,85
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
preparedby:CM
dateofpublication:2014-07-21
approvedby:MB
revision:2.0
3
-40
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FD-DF80R12W1H3_B52
暫定データ
PreliminaryData
IGBT,アップコンバータ/IGBT,Boost
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
コレクタ電流
Implementedcollectorcurrent
VCES
650
V
ICN
50
A
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
IC nom 40
A
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
100
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
200
W
VGES
+/-20
V
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 40 A, VGE = 15 V
IC = 40 A, VGE = 15 V
IC = 40 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VCE sat
typ.
max.
1,55 t.b.d.
1,70
1,70
V
V
V
5,8
V
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,50
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
2,95
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,096
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
VGEth
ターンオン遅れ時間(誘導負荷)
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 40 A, VCE = 350 V
VGE = ±15 V
RGon = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間(誘導負荷)
Risetime,inductiveload
IC = 40 A, VCE = 350 V
VGE = ±15 V
RGon = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間(誘導負荷)
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 40 A, VCE = 350 V
VGE = ±15 V
RGoff = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間(誘導負荷)
Falltime,inductiveload
IC = 40 A, VCE = 350 V
VGE = ±15 V
RGoff = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 40 A, VCE = 350 V, LS = 25 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 3200 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 6,8 Ω
Tvj = 150°C
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
4,9
6,5
0,02
0,02
0,02
µs
µs
µs
0,01
0,013
0,013
µs
µs
µs
0,03
0,065
0,07
µs
µs
µs
0,012
0,013
0,014
µs
µs
µs
Eon
0,33
0,47
0,50
mJ
mJ
mJ
IC = 40 A, VCE = 350 V, LS = 25 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 5000 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 6,8 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
0,60
0,85
0,95
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
180
A
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
preparedby:CM
dateofpublication:2014-07-21
approvedby:MB
revision:2.0
4
tP ≤ 5 µs, Tvj = 150°C
td on
tr
td off
tf
RthJC
0,60
0,75 K/W
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FD-DF80R12W1H3_B52
暫定データ
PreliminaryData
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
0,85
Tvj op
-40
K/W
150
°C
Diode-、チョッパー/Diode-Chopper
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM 650
V
IF
15
A
IFRM
30
A
I²t
22,5
20,5
電気的特性/CharacteristicValues
順電圧
Forwardvoltage
min.
IF = 15 A, VGE = 0 V
IF = 15 A, VGE = 0 V
IF = 15 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
typ.
max.
2,00
VF
1,60
1,55
1,50
A²s
A²s
V
V
V
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode(1素子当り)/perdiode
RthJC
2,25
2,50 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,40
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
preparedby:CM
dateofpublication:2014-07-21
approvedby:MB
revision:2.0
5
-40
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FD-DF80R12W1H3_B52
暫定データ
PreliminaryData
Diode,アップコンバータ/Diode,Boost
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VRRM 650
V
IF
25
A
IFRM
50
A
I²t
50,0
A²s
電気的特性/CharacteristicValues
min.
順電圧
Forwardvoltage
IF = 25 A, VGE = 0 V
IF = 25 A, VGE = 0 V
IF = 25 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 25 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 350 V
VGE = -15 V
逆回復電荷量
Recoveredcharge
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
typ.
max.
VF
1,65 t.b.d.
1,60
1,55
V
V
V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
38,0
43,0
45,0
A
A
A
IF = 25 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 350 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
0,90
1,60
1,90
µC
µC
µC
IF = 25 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 350 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,24
0,38
0,44
mJ
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode(1素子当り)/perdiode
RthJC
1,95
2,15 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,35
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
150
°C
NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
定格抵抗値
Ratedresistance
TC = 25°C
R100の偏差
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
損失
Powerdissipation
TC = 25°C
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
R25
∆R/R
5,00
-5
P25
適切なアプリケーションノートによる仕様
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:CM
dateofpublication:2014-07-21
approvedby:MB
revision:2.0
6
kΩ
5
%
20,0
mW
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FD-DF80R12W1H3_B52
暫定データ
PreliminaryData
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
沿面距離
Creepagedistance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
11,5
6,3
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
10,0
5,0
mm
> 200
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
VISOL CTI
min.
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
LsCE
保存温度
Storagetemperature
Tstg
-40
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
20
質量
Weight
G
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin.
preparedby:CM
dateofpublication:2014-07-21
approvedby:MB
revision:2.0
7
kV
2,5
typ.
max.
25
24
nH
125
°C
50
N
g
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FD-DF80R12W1H3_B52
暫定データ
PreliminaryData
出力特性IGBT,降圧コンバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Buck(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT,降圧コンバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Buck(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
80
80
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
70
60
60
50
50
IC [A]
IC [A]
70
40
40
30
30
20
20
10
10
0
0,0
0,5
1,0
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
3,5
0
4,0
伝達特性IGBT,降圧コンバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Buck(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
スイッチング損失IGBT,降圧コンバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Buck(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=12Ω,RGoff=12Ω,VCE=600V
80
10,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
70
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
9,0
8,0
60
7,0
6,0
E [mJ]
IC [A]
50
40
5,0
4,0
30
3,0
20
2,0
10
0
1,0
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
0,0
12
preparedby:CM
dateofpublication:2014-07-21
approvedby:MB
revision:2.0
8
0
10
20
30
40
IC [A]
50
60
70
80
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FD-DF80R12W1H3_B52
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失IGBT,降圧コンバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Buck(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=40A,VCE=600V
過渡熱インピーダンスIGBT,降圧コンバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Buck
ZthJH=f(t)
16,0
10
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
14,0
ZthJH : IGBT
12,0
1
ZthJH = f (t)
E [mJ]
10,0
8,0
6,0
0,1
4,0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,051 0,117 0,426 0,506
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
2,0
0,0
0
0,01
0,001
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120
RG [Ω]
逆バイアス安全動作領域IGBT,降圧コンバータ(RBSOA))
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Buck(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=12Ω,Tvj=150°C
1
10
20
IC, Modul
IC, Chip
90
80
16
70
14
60
12
50
10
40
8
30
6
20
4
10
2
0
200
400
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
18
IF [A]
IC [A]
0,1
t [s]
順電圧特性Diode、リバース(typical)
forwardcharacteristicofDiode,Reverse(typical)
IF=f(VF)
100
0
0,01
600
800
VCE [V]
1000
1200
0
1400
0,0
0,5
1,0
1,5
VF [V]
preparedby:CM
dateofpublication:2014-07-21
approvedby:MB
revision:2.0
9
2,0
2,5
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FD-DF80R12W1H3_B52
暫定データ
PreliminaryData
過渡熱インピーダンスDiode、リバース
transientthermalimpedanceDiode,Reverse
ZthJH=f(t)
順電圧特性Diode,降圧コンバータ(typical)
forwardcharacteristicofDiode,Buck(typical)
IF=f(VF)
10
30
ZthJH : Diode
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
27
24
21
IF [A]
ZthJH [K/W]
18
1
15
12
9
6
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,404 0,664 1,174 0,808
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
3
0
10
スイッチング損失Diode,降圧コンバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Buck(typical)
Erec=f(IF)
RGon=12Ω,VCE=600V
0,0
0,4
0,8
1,2
1,6
VF [V]
2,0
2,4
2,8
スイッチング損失Diode,降圧コンバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Buck(typical)
Erec=f(RG)
IF=15A,VCE=600V
1,6
1,4
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
1,4
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
1,2
1,2
1,0
1,0
E [mJ]
E [mJ]
0,8
0,8
0,6
0,6
0,4
0,4
0,2
0,2
0,0
0
3
6
9
12
15 18
IF [A]
21
24
27
0,0
30
preparedby:CM
dateofpublication:2014-07-21
approvedby:MB
revision:2.0
10
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
RG [Ω]
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FD-DF80R12W1H3_B52
暫定データ
PreliminaryData
過渡熱インピーダンスDiode,降圧コンバータ
transientthermalimpedanceDiode,Buck
ZthJH=f(t)
出力特性IGBT,アップコンバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Boost(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
10
80
ZthJH : Diode
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
70
60
IC [A]
ZthJH [K/W]
50
1
40
30
20
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,15
0,323 0,739 0,588
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
0,00
10
出力特性IGBT,アップコンバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Boost(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
2,00
2,50
80
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
70
60
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
70
60
50
IC [A]
50
IC [A]
1,00
1,50
VCE [V]
伝達特性IGBT,アップコンバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Boost(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
80
40
40
30
30
20
20
10
10
0
0,50
0,0
0,5
1,0
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
0
3,0
preparedby:CM
dateofpublication:2014-07-21
approvedby:MB
revision:2.0
11
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
12
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FD-DF80R12W1H3_B52
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失IGBT,アップコンバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Boost(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=6.8Ω,RGoff=6.8Ω,VCE=350V
スイッチング損失IGBT,アップコンバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Boost(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=40A,VCE=350V
2,4
5,0
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
2,2
2,0
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
4,5
4,0
1,8
3,5
1,6
3,0
E [mJ]
E [mJ]
1,4
1,2
1,0
2,5
2,0
0,8
1,5
0,6
1,0
0,4
0,5
0,2
0,0
0
10
20
30
40
IC [A]
50
60
70
0,0
80
過渡熱インピーダンスIGBT,アップコンバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Boost
ZthJH=f(t)
0
10
20
30
40
RG [Ω]
50
60
70
逆バイアス安全動作領域IGBT,アップコンバータ(RBSOA))
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Boost(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=6.8Ω,Tvj=150°C
10
120
ZthJH = f (t)
IC, Modul
IC, Chip
110
100
1
90
70
IC [A]
ZthJH [K/W]
80
0,1
60
50
40
0,01
30
20
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,084 0,195 0,587 0,585
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
10
preparedby:CM
dateofpublication:2014-07-21
approvedby:MB
revision:2.0
12
0
100
200
300
400 500
VCE [V]
600
700
800
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FD-DF80R12W1H3_B52
暫定データ
PreliminaryData
順電圧特性Diode-、チョッパー(typical)
forwardcharacteristicofDiode-Chopper(typical)
IF=f(VF)
過渡熱インピーダンスDiode-、チョッパー
transientthermalimpedanceDiode-Chopper
ZthJH=f(t)
30
10
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ZthJH : Diode
25
ZthJH [K/W]
IF [A]
20
15
1
10
5
0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,2803 0,8541 1,581 0,9342
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1
0,001
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2
VF [V]
順電圧特性Diode,アップコンバータ(typical)
forwardcharacteristicofDiode,Boost(typical)
IF=f(VF)
0,01
0,1
t [s]
1
10
スイッチング損失Diode,アップコンバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Boost(typical)
Erec=f(IF)
RGon=6.8Ω,VCE=350V
50
0,8
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
45
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
0,7
40
0,6
35
0,5
E [mJ]
IF [A]
30
25
20
0,4
0,3
15
0,2
10
0,1
5
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
0,0
2,5
VF [V]
preparedby:CM
dateofpublication:2014-07-21
approvedby:MB
revision:2.0
13
0
5
10
15
20
25 30
IF [A]
35
40
45
50
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FD-DF80R12W1H3_B52
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失Diode,アップコンバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Boost(typical)
Erec=f(RG)
IF=25A,VCE=350V
過渡熱インピーダンスDiode,アップコンバータ
transientthermalimpedanceDiode,Boost
ZthJC=f(t)
0,6
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
ZthJC : Diode
0,5
1
ZthJC [K/W]
E [mJ]
0,4
0,3
0,2
0,1
0,1
0,0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,3013 0,7006 1,3873 0,9109
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05
0,2
0
10
20
30
RG [Ω]
40
50
0,01
0,001
60
NTC-サーミスタサーミスタの温度特性
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp
R[Ω]
10000
1000
100
0
20
40
60
80
100
TC [°C]
120
140
160
preparedby:CM
dateofpublication:2014-07-21
approvedby:MB
revision:2.0
14
0,01
0,1
t [s]
1
10
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FD-DF80R12W1H3_B52
暫定データ
PreliminaryData
回路図/circuit_diagram_headline
パッケージ概要/packageoutlines
Infineon
preparedby:CM
dateofpublication:2014-07-21
approvedby:MB
revision:2.0
15
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
FD-DF80R12W1H3_B52
暫定データ
PreliminaryData
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
利用規約
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ー リスク 及び 品質の評価
ー 品質契約
ー アプリケーションの共同評価
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Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted
exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof
ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
salesoffice,whichisresponsibleforyou.
ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please
note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:CM
dateofpublication:2014-07-21
approvedby:MB
revision:2.0
16
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