English/Japanese

テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF200R17KE4
62mmC-Seriesモジュール高速トレンチ/フィールドストップIGBT4andエミッターコントロール4diode内蔵
62mmC-SeriesmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diode
暫定データ/PreliminaryData
VCES = 1700V
IC nom = 200A / ICRM = 400A
一般応用
• ハイパワーコンバータ
• モーター駆動
• UPSシステム
• 風力タービン
TypicalApplications
• HighPowerConverters
• MotorDrives
• UPSSystems
• WindTurbines
電気的特性
• 拡張された動作温度Tvjop
• 低VCEsat飽和電圧
• 優れたロバスト性
• 正温度特性を持ったVCEsat飽和電圧
ElectricalFeatures
• ExtendedOperationTemperatureTvjop
• LowVCEsat
• UnbeatableRobustness
• VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient
機械的特性
MechanicalFeatures
• 4kVAC1分 絶縁耐圧
• 4kVAC1minInsulation
• CTI(比較トラッキング指数)>400のモジュールパッケージ• PackagewithCTI>400
• 長い縁面/空間距離
• HighCreepageandClearanceDistances
• 絶縁されたベースプレート
• IsolatedBasePlate
• 標準ハウジング
• StandardHousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:MB
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:RO
revision:2.2
1
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF200R17KE4
暫定データ
PreliminaryData
IGBT- インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1700
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
200
310
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
400
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
1250
W
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 200 A, VGE = 15 V
IC = 200 A, VGE = 15 V
IC = 200 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 8,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,95
2,35
2,45
2,30
V
V
V
VGEth
5,2
5,8
6,4
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
2,30
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
3,8
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
18,0
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,58
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
td on
0,24
0,28
0,30
µs
µs
µs
tr
0,05
0,055
0,055
µs
µs
µs
td off
0,70
0,74
0,78
µs
µs
µs
tf
0,08
0,13
0,15
µs
µs
µs
ターンオン遅れ時間(誘導負荷)
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 200 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGon = 3,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間(誘導負荷)
Risetime,inductiveload
IC = 200 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGon = 3,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間(誘導負荷)
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 200 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGoff = 3,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間(誘導負荷)
Falltime,inductiveload
IC = 200 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGoff = 3,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 200 A, VCE = 900 V, LS = 60 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 3200 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 3,6 Ω
Tvj = 150°C
Eon
53,0
72,0
77,0
mJ
mJ
mJ
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
IC = 200 A, VCE = 900 V, LS = 60 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 3600 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 3,6 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
35,0
57,0
64,0
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,035
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:MB
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:RO
revision:2.2
2
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
900
A
0,12 K/W
K/W
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF200R17KE4
暫定データ
PreliminaryData
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM 1700
V
IF
200
A
IFRM
600
A
I²t
10000
9500
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,80
1,90
1,95
2,20
A²s
A²s
順電圧
Forwardvoltage
IF = 200 A, VGE = 0 V
IF = 200 A, VGE = 0 V
IF = 200 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VF
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 200 A, - diF/dt = 3200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
IRM
200
240
260
A
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 200 A, - diF/dt = 3200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Qr
50,0
85,0
90,0
µC
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 200 A, - diF/dt = 3200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Erec
23,0
45,0
50,0
mJ
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode(1素子当り)/perdiode
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,047
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:MB
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:RO
revision:2.2
3
V
V
V
0,16 K/W
K/W
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF200R17KE4
暫定データ
PreliminaryData
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
ベースプレート材質
Materialofmodulebaseplate
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
沿面距離
Creepagedistance
VISOL 4,0
kV
Cu
Al2O3
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
29,0
23,0
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
23,0
11,0
mm
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
CTI
> 400
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/モジュール/permodule
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,/スイッチ/perswitch
保存温度
Storagetemperature
min.
typ.
max.
RthCH
0,01
LsCE
20
nH
RCC'+EE'
0,70
mΩ
Tstg
-40
125
°C
K/W
取り付けネジ締め付けトルク
Mountingtorqueformodulmounting
取り付けネジM6
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,00
-
6,00
Nm
主端子ネジ締め付けトルク
Terminalconnectiontorque
取り付けネジM6
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
2,5
-
5,0
Nm
質量
Weight
G
340
g
preparedby:MB
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:RO
revision:2.2
4
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF200R17KE4
暫定データ
PreliminaryData
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
400
400
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
320
320
280
280
240
240
200
160
120
120
80
80
40
40
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
3,5
0
4,0
伝達特性IGBT- インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
200
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
360
280
140
240
120
E [mJ]
160
200
100
160
80
120
60
80
40
40
20
5
6
7
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
180
320
0
0,0
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=3.6Ω,RGoff=3.6Ω,VCE=900V
400
IC [A]
200
160
0
VGE = 20V
VGE = 15V
VGE =12 V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V
360
IC [A]
IC [A]
360
8
9
VGE [V]
10
11
12
0
13
preparedby:MB
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:RO
revision:2.2
5
0
40
80
120 160 200 240 280 320 360 400
IC [A]
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF200R17KE4
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=200A,VCE=900V
過渡熱インピーダンスIGBT- インバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
220
1
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
200
180
ZthJC : IGBT
160
0,1
ZthJC [K/W]
E [mJ]
140
120
100
80
0,01
60
40
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,00399 0,0184 0,085 0,0126
τi[s]:
0,0008 0,013 0,05 0,6
20
0
0
5
10
15
20
RG [Ω]
25
30
0,001
0,001
35
逆バイアス安全動作領域IGBT- インバータ(RBSOA))
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=3.6Ω,Tvj=150°C
1
10
400
IC, Modul
IC, Chip
450
400
320
350
280
300
240
250
200
200
160
150
120
100
80
50
40
0
200
400
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
360
IF [A]
IC [A]
0,1
t [s]
順電圧特性Diode、インバータ(typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
500
0
0,01
600
0
800 1000 1200 1400 1600 1800
VCE [V]
preparedby:MB
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:RO
revision:2.2
6
0,0
0,5
1,0
1,5
VF [V]
2,0
2,5
3,0
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF200R17KE4
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=3.6Ω,VCE=900V
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=200A,VCE=900V
70
60
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
55
60
50
45
50
40
35
E [mJ]
E [mJ]
40
30
30
25
20
20
15
10
10
5
0
0
50
100
150
200
IF [A]
250
300
350
0
400
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
1
ZthJC : Diode
ZthJC [K/W]
0,1
0,01
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,005324098 0,02454626 0,1132742 0,01685547
τi[s]:
0,0008
0,013
0,05
0,6
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
preparedby:MB
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:RO
revision:2.2
7
0
5
10
15
20
RG [Ω]
25
30
35
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF200R17KE4
暫定データ
PreliminaryData
回路図/circuit_diagram_headline
パッケージ概要/packageoutlines
In fin e o n
preparedby:MB
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:RO
revision:2.2
8
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF200R17KE4
暫定データ
PreliminaryData
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
利用規約
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保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。
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お問い合わせ願います。 (www.infineon.com参照)
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ー リスク 及び 品質の評価
ー 品質契約
ー アプリケーションの共同評価 上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。
必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。
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exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
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interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
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-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:MB
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:RO
revision:2.2
9
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