English/Japanese

テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF650R17IE4
PrimePACK™2モジュールandNTCサーミスタ
PrimePACK™2moduleandNTC
VCES = 1700V
IC nom = 650A / ICRM = 1300A
一般応用
• 3レベル アプリケーション
• スタティックインバーター
• ハイパワーコンバータ
• モーター駆動
• 風力タービン
TypicalApplications
• 3-Level-Applications
• AuxiliaryInverters
• HighPowerConverters
• MotorDrives
• WindTurbines
電気的特性
• 拡張された動作温度Tvjop
• 高いDC電圧での安定性
• 高い電流密度
• 低スイッチング損失
• Tvjop=150°C
• 低VCEsat飽和電圧
ElectricalFeatures
• ExtendedOperationTemperatureTvjop
• HighDCStability
• HighCurrentDensity
• LowSwitchingLosses
• Tvjop=150°C
• LowVCEsat
機械的特性
MechanicalFeatures
• CTI(比較トラッキング指数)>400のモジュールパッケージ• PackagewithCTI>400
• 長い縁面/空間距離
• HighCreepageandClearanceDistances
• 高いパワー/サーマルサイクル耐量
• HighPowerandThermalCyclingCapability
• 高いパワー密度
• HighPowerDensity
• 銅ベースプレート
• CopperBasePlate
• 標準ハウジング
• StandardHousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:TA
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:PL
revision:3.3
1
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF650R17IE4
IGBT- インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1700
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
650
930
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
1300
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
4,15
kW
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 650 A, VGE = 15 V
IC = 650 A, VGE = 15 V
IC = 650 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 24,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VCE sat
A
A
typ.
max.
2,00
2,35
2,45
2,45
2,80
V
V
V
VGEth
5,2
5,8
6,4
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
7,00
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
2,3
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
54,0
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
1,70
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
5,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
td on
0,55
0,60
0,60
µs
µs
µs
tr
0,09
0,11
0,12
µs
µs
µs
td off
1,00
1,25
1,30
µs
µs
µs
tf
0,29
0,49
0,57
µs
µs
µs
ターンオン遅れ時間(誘導負荷)
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 650 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間(誘導負荷)
Risetime,inductiveload
IC = 650 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間(誘導負荷)
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 650 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGoff = 2,7 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間(誘導負荷)
Falltime,inductiveload
IC = 650 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGoff = 2,7 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 650 A, VCE = 900 V, LS = 45 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 5000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 1,8 Ω
Tvj = 150°C
Eon
205
300
320
mJ
mJ
mJ
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
IC = 650 A, VCE = 900 V, LS = 45 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 3200 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 2,7 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
140
205
230
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
14,0
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:TA
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:PL
revision:3.3
2
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
2700
A
36,0 K/kW
K/kW
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF650R17IE4
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
最大損失
Maximumpowerdissipation
Tvj = 125°C
VRRM 1700
V
IF
650
A
IFRM
1300
A
I²t
70,5
kA²s
PRQM 650
kW
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,85
1,95
1,95
2,25
2,35
順電圧
Forwardvoltage
IF = 650 A, VGE = 0 V
IF = 650 A, VGE = 0 V
IF = 650 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VF
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 650 A, - diF/dt = 5200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
IRM
695
760
805
A
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 650 A, - diF/dt = 5200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Qr
160
265
310
µC
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 650 A, - diF/dt = 5200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Erec
76,0
135
160
mJ
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode(1素子当り)/perdiode
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
27,0
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
150
min.
typ.
max.
R25
5,00
kΩ
∆R/R
-5
5
%
P25
20,0
mW
V
V
V
71,5 K/kW
K/kW
°C
NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor
電気的特性/CharacteristicValues
定格抵抗値
Ratedresistance
TC = 25°C
R100の偏差
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
損失
Powerdissipation
TC = 25°C
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
適切なアプリケーションノートによる仕様
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:TA
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:PL
revision:3.3
3
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF650R17IE4
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
ベースプレート材質
Materialofmodulebaseplate
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
沿面距離
Creepagedistance
VISOL 4,0
kV
Cu
Al2O3
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
33,0
33,0
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
19,0
19,0
mm
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
CTI
> 400
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/モジュール/permodule
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,/スイッチ/perswitch
保存温度
Storagetemperature
min.
typ.
RthCH
4,50
LsCE
18
nH
RCC'+EE'
0,30
mΩ
Tstg
-40
150
°C
3,00
-
6,00
Nm
1,8
-
2,1
Nm
8,0
-
10
Nm
825
g
取り付けネジ締め付けトルク
Mountingtorqueformodulmounting
取り付けネジM5
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
主端子ネジ締め付けトルク
Terminalconnectiontorque
取り付けネジM4
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
取り付けネジM8
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
質量
Weight
G
preparedby:TA
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:PL
revision:3.3
4
max.
K/kW
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF650R17IE4
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
1300
1300
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1200
1100
1100
900
900
800
800
700
700
IC [A]
1000
IC [A]
1000
600
600
500
500
400
400
300
300
200
200
100
100
0
0,0
0,5
1,0
VGE = 20V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V
1200
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
3,5
0
4,0
伝達特性IGBT- インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=1.8Ω,RGoff=2.7Ω,VCE=900V
1300
550
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1200
1100
Eon, Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
500
450
1000
400
900
350
700
E [mJ]
IC [A]
800
600
500
300
250
200
400
150
300
100
200
50
100
0
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
0
12
preparedby:TA
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:PL
revision:3.3
5
0
200
400
600
800
IC [A]
1000
1200
5,0
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF650R17IE4
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=650A,VCE=900V
過渡熱インピーダンスIGBT- インバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
1000
100
Eon, Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
900
800
ZthJC : IGBT
700
10
ZthJC [K/kW]
E [mJ]
600
500
400
1
300
200
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 1,2
5,5
25,5 3,8
τi[s]:
0,0008 0,013 0,05 0,6
100
0
0
2
4
6
8
10
12
0,1
0,001
14
0,01
0,1
t [s]
RG [Ω]
逆バイアス安全動作領域IGBT- インバータ(RBSOA))
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=2.7Ω,Tvj=150°C
1
10
順電圧特性Diode、インバータ(typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
1400
1300
IC, Modul
IC, Chip
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1200
1200
1100
1000
1000
900
800
IF [A]
IC [A]
800
600
700
600
500
400
400
300
200
200
100
0
0
200
400
600
0
800 1000 1200 1400 1600 1800
VCE [V]
preparedby:TA
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:PL
revision:3.3
6
0,0
0,5
1,0
1,5
VF [V]
2,0
2,5
3,0
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF650R17IE4
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=1.8Ω,VCE=900V
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=650A,VCE=900V
220
220
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
180
180
160
160
140
140
120
120
100
100
80
80
60
60
40
40
20
20
0
0
200
400
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
200
E [mJ]
E [mJ]
200
600
IF [A]
800
1000
0
1200
0
2
4
6
8
10
12
14
RG [Ω]
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
安全動作領域Diode、インバータ(SOA)
safeoperationareaDiode,Inverter(SOA)
IR=f(VR)
Tvj=150°C
1000
ZthJC : Diode
1400
IR, Modul
1200
1000
IR [A]
ZthJC [K/kW]
100
800
600
10
400
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 4,5
17
45
5
τi[s]:
0,0008 0,013 0,05 0,6
1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
200
0
10
preparedby:TA
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:PL
revision:3.3
7
0
200
400
600
800 1000 1200 1400 1600 1800
VR [V]
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF650R17IE4
NTC-サーミスタサーミスタの温度特性
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp
R[Ω]
10000
1000
100
0
20
40
60
80
100
TC [°C]
120
140
160
preparedby:TA
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:PL
revision:3.3
8
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF650R17IE4
回路図/circuit_diagram_headline
パッケージ概要/packageoutlines
preparedby:TA
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:PL
revision:3.3
9
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF650R17IE4
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
利用規約
このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が
使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。
このデータシートには、保証されている特性が記述されております。
その他、保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます。
保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。
実際のアプリケーションでの利用に関しては、必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください。
追加の技術的情報、アプリケーションでの使用方法について、ご質問がある際には、最寄のセールスオフィスに
お問い合わせ願います。 (www.infineon.com参照)
製品にご興味頂き必要があれば、アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります。
技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、
製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。
航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。
ー リスク 及び 品質の評価
ー 品質契約
ー アプリケーションの共同評価 上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。
必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。
インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。
Terms&Conditionsofusage
Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill
havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch
application.
Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted
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preparedby:TA
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:PL
revision:3.3
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