English/Japanese

テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
F3L150R07W2E3_B11
EasyPACKモジュール高速トレンチ/フィールドストップIGBT3andエミッターコントロール3diode内蔵and
PressFIT/NTCサーミスタ
EasyPACKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandPressFIT/NTC
暫定データ/PreliminaryData
J
VCES = 650V
IC nom = 150A / ICRM = 300A
一般応用
• 3レベル アプリケーション
• ソーラーアプリケーション
• UPSシステム
TypicalApplications
• 3-Level-Applications
• SolarApplications
• UPSSystems
電気的特性
• 650Vに増加したブロッキング電圧
• 低インダクタンスデザイン
• 低スイッチング損失
• 低VCEsat飽和電圧
ElectricalFeatures
• Increasedblockingvoltagecapabilityto650V
• Lowinductivedesign
• LowSwitchingLosses
• LowVCEsat
機械的特性
• 低熱インピーダンスのAl2O3 DCB
• コンパクトデザイン
• PressFIT接合技術
• 固定用クランプによる強固なマウンティング
MechanicalFeatures
• Al2O3SubstratewithLowThermalResistance
• Compactdesign
• PressFITContactTechnology
• Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.1
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
1
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
F3L150R07W2E3_B11
暫定データ
PreliminaryData
IGBT- インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
650
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
150
150
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
300
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
335
W
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 150 A, VGE = 15 V
IC = 150 A, VGE = 15 V
IC = 150 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 2,40 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,45
1,60
1,70
1,90
V
V
V
VGEth
4,9
5,8
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
1,60
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
2,0
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
9,30
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,285
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
td on
0,085
0,10
0,11
µs
µs
µs
tr
0,04
0,045
0,045
µs
µs
µs
td off
0,30
0,33
0,34
µs
µs
µs
tf
0,09
0,13
0,14
µs
µs
µs
ターンオン遅れ時間(誘導負荷)
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 150 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 3,3 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間(誘導負荷)
Risetime,inductiveload
IC = 150 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 3,3 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間(誘導負荷)
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 150 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 3,3 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間(誘導負荷)
Falltime,inductiveload
IC = 150 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 3,3 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 150 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 2400 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 3,3 Ω
Tvj = 150°C
Eon
1,20
1,75
1,95
mJ
mJ
mJ
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
IC = 150 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 3600 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 3,3 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
4,15
5,10
5,40
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
1100
750
A
A
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
RthJC
0,40
0,45 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,45
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.1
2
tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
F3L150R07W2E3_B11
暫定データ
PreliminaryData
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM 650
V
IF
150
A
IFRM
300
A
I²t
1700
1450
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,55
1,50
1,45
1,95
A²s
A²s
順電圧
Forwardvoltage
IF = 150 A, VGE = 0 V
IF = 150 A, VGE = 0 V
IF = 150 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VF
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 150 A, - diF/dt = 2400 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
IRM
80,0
105
110
A
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 150 A, - diF/dt = 2400 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Qr
6,90
11,5
13,5
µC
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 150 A, - diF/dt = 2400 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Erec
1,40
2,50
3,00
mJ
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode(1素子当り)/perdiode
RthJC
0,55
0,60 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,50
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.1
3
150
V
V
V
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
F3L150R07W2E3_B11
暫定データ
PreliminaryData
ダイオード、D5-D6/Diode,D5-D6
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM 650
V
IF
150
A
IFRM
300
A
I²t
2450
2150
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,55
1,50
1,45
1,95
A²s
A²s
順電圧
Forwardvoltage
IF = 150 A, VGE = 0 V
IF = 150 A, VGE = 0 V
IF = 150 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VF
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 150 A, - diF/dt = 2400 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
80,0
105
110
A
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 150 A, - diF/dt = 2400 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
6,90
11,5
13,5
µC
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 150 A, - diF/dt = 2400 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
1,40
2,50
3,00
mJ
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode(1素子当り)/perdiode
RthJC
0,50
0,55 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,45
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
150
min.
typ.
max.
R25
5,00
kΩ
∆R/R
-5
5
%
P25
20,0
mW
V
V
V
°C
NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor
電気的特性/CharacteristicValues
定格抵抗値
Ratedresistance
TC = 25°C
R100の偏差
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
損失
Powerdissipation
TC = 25°C
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
適切なアプリケーションノートによる仕様
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.1
4
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
F3L150R07W2E3_B11
暫定データ
PreliminaryData
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
沿面距離
Creepagedistance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
11,5
6,3
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
10,0
5,0
mm
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
CTI
> 200
VISOL kV
2,5
min.
typ.
max.
LsCE
15
nH
RCC'+EE'
2,00
mΩ
Tstg
-40
125
°C
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
40
-
80
N
質量
Weight
G
39
g
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,/スイッチ/perswitch
保存温度
Storagetemperature
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin.
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.1
5
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
F3L150R07W2E3_B11
暫定データ
PreliminaryData
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
300
300
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
240
240
210
210
180
180
150
120
90
90
60
60
30
30
0,0
0,4
0,8
1,2
1,6
VCE [V]
2,0
2,4
0
2,8
伝達特性IGBT- インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
11
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
270
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
10
9
240
8
210
7
E [mJ]
180
150
120
6
5
4
90
3
60
2
30
0
0,0
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=3.3Ω,RGoff=3.3Ω,VCE=300V
300
IC [A]
150
120
0
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
270
IC [A]
IC [A]
270
1
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
0
12
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.1
6
0
30
60
90
120 150 180 210 240 270 300
IC [A]
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
F3L150R07W2E3_B11
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=150A,VCE=300V
過渡熱インピーダンスIGBT- インバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJH=f(t)
18
10
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
16
ZthJH : IGBT
14
1
ZthJH [K/W]
E [mJ]
12
10
8
6
0,1
4
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,028 0,052 0,269 0,501
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
2
0
0
3
6
9
12
15 18
RG [Ω]
21
24
27
30
0,01
0,001
33
逆バイアス安全動作領域IGBT- インバータ(RBSOA))
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=3.3Ω,Tvj=150°C
1
10
300
IC, Modul
IC, Chip
300
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
270
270
240
240
210
210
180
180
IF [A]
IC [A]
0,1
t [s]
順電圧特性Diode、インバータ(typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
330
150
150
120
120
90
90
60
60
30
30
0
0,01
0
100
200
300
400
VCE [V]
500
600
0
700
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.1
7
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0 1,2
VF [V]
1,4
1,6
1,8
2,0
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
F3L150R07W2E3_B11
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=3.3Ω,VCE=300V
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=150A,VCE=300V
5,0
4,0
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
4,5
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
3,5
4,0
3,0
3,5
2,5
E [mJ]
E [mJ]
3,0
2,5
2,0
2,0
1,5
1,5
1,0
1,0
0,5
0,5
0,0
0
30
60
90
0,0
120 150 180 210 240 270 300
IF [A]
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJ3=f(t)
0
3
6
9
12
15 18
RG [Ω]
21
24
27
30
1,6
1,8
2,0
順電圧特性ダイオード、D5-D6(typical)
forwardcharacteristicofDiode,D5-D6(typical)
IF=f(VF)
10
300
ZthJH : Diode
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
270
240
210
1
IF [A]
ZthJH [K/W]
180
150
120
0,1
90
60
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,049 0,113 0,408 0,48
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
30
0
10
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.1
8
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0 1,2
VF [V]
1,4
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
F3L150R07W2E3_B11
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失ダイオード、D5-D6(Typical)
switchinglossesDiode,D5-D6(typical)
Erec=f(IF)
RGon=3.3Ω,VCE=300V
スイッチング損失ダイオード、D5-D6(Typical)
switchinglossesDiode,D5-D6(typical)
Erec=f(RG)
IF=150A,VCE=300V
5,0
4,0
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
4,5
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
3,5
4,0
3,0
3,5
2,5
E [mJ]
E [mJ]
3,0
2,5
2,0
2,0
1,5
1,5
1,0
1,0
0,5
0,5
0,0
0
30
60
90
0,0
120 150 180 210 240 270 300
IF [A]
過渡熱インピーダンスダイオード、D5-D6
transientthermalimpedanceDiode,D5-D6
ZthJH=f(t)
0
3
6
9
12
15 18
RG [Ω]
21
24
27
30
33
NTC-サーミスタサーミスタの温度特性
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
10
100000
ZthJH : Diode
Rtyp
10000
R[Ω]
ZthJH [K/W]
1
0,1
1000
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,043 0,099 0,366 0,443
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
100
10
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.1
9
0
20
40
60
80
100
TC [°C]
120
140
160
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
F3L150R07W2E3_B11
暫定データ
PreliminaryData
回路図/circuit_diagram_headline
J
パッケージ概要/packageoutlines
In fin e o n
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.1
10
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
F3L150R07W2E3_B11
暫定データ
PreliminaryData
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
利用規約
このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が
使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。
このデータシートには、保証されている特性が記述されております。
その他、保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます。
保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。
実際のアプリケーションでの利用に関しては、必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください。
追加の技術的情報、アプリケーションでの使用方法について、ご質問がある際には、最寄のセールスオフィスに
お問い合わせ願います。 (www.infineon.com参照)
製品にご興味頂き必要があれば、アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります。
技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、
製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。
航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。
ー リスク 及び 品質の評価
ー 品質契約
ー アプリケーションの共同評価 上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。
必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。
インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。
Terms&Conditionsofusage
Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill
havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch
application.
Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted
exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof
ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
salesoffice,whichisresponsibleforyou.
ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please
note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.1
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