339 KB

S6E2DH シリーズ
32-bit ARM® Cortex®-M4F based Microcontroller
Data Sheet
Errata Sheet
ページ
場所
訂正内容
Original document code: DS709-00029-1v0-J
Rev. 1.0 June 25, 2015
67 9. デバイス 「サブクロック用水晶振動子について」に以下の
で示す説明文を追加。
使用上の注
意
94
14.3.1 電流
■表面実装タイプ
サイズ:
負荷容量:
負荷容量:
3.2 mm × 1.5 mm 以上
6 pF~7 pF 程度 標準設定(CCS/CCB=11001110)のとき
4 pF~7 pF 程度 低消費電力設定(CCS/CCB=00000100)のとき
■リードタイプ
負荷容量:
負荷容量:
6 pF~7 pF 程度 標準設定(CCS/CCB=11001110)のとき
4 pF~7 pF 程度 低消費電力設定(CCS/CCB=00000100)のとき
Table 14-10 に以下の
で示す規格及び説明文を追加。
規格
Table 14-10 ディープスタンバイストップモード, ディープスタンバイ RTC モード, VBAT の標準と最大の消費電流
項目
記号
端子名
条件
周波数
RTC 停止
電源電流
ICCVBAT
VBAT
RTC 動作*6
RTC 動作*7
*1: VCC=3.3 V
*2: VCC=3.6 V
*3: 全ポート固定時
*4: LVD OFF 時
*5: サブ発振 OFF 時
*6: 水晶振動子(32 kHz)使用時(発振回路の消費電流を含む)
*7: 水晶振動子(32 kHz)使用時(発振回路の消費電流を含む)
Publication Number S6E2DH_DS709-00029-1v0-J-DE
CONFIDENTIAL
Revision 2.0
-
規格値
単位
備考
標準
最大
0.009
0.032
μA
*3, *4, *5
TA=+25°C
-
0.994
μA
*3, *4, *5
TA=+85°C
-
1.491
μA
*3, *4, *5
TA=+105°C
1.0
1.636
μA
*3, *4
TA=+25°C
-
2.828
μA
*3, *4
TA=+85°C
-
4.242
μA
*3, *4
TA=+105°C
0.7
1.153
μA
*3, *4
TA=+25°C
-
2.277
μA
*3, *4
TA=+85°C
-
3.416
μA
*3, *4
TA=+105°C
標準設定(CCS/CCB=11001110)のとき
低消費電力設定(CCS/CCB=00000100)のとき
Issue Date September 16, 2015
E R R A T A
ページ
場所
181 15.オーダ
S H E E T
訂正内容
オーダ型格を以下の
に示すように訂正。
型格
(誤)
型格
パッケージ
S6E2DH5G0AGV20000
プラスチック・LQFP (0.50 mm ピッチ), 120 ピン
S6E2DH5GJAMV20000
(FPT-120P-M21)
S6E2DH5J0AGV20000
S6E2DH5G0AGB30000
S6E2DH5G0AGZ20000
プラスチック・LQFP (0.50 mm ピッチ), 176 ピン
(FPT-176P-M07)
プラスチック・PFBGA (0.50 mm ピッチ), 161 ピン
(FDJ161)
プラスチック・Ex_LQFP (0.50 mm ピッチ), 120 ピン
(LEM120)
(正)
型格
S6E2DH5G0AGV20000
プラスチック・LQFP (0.50 mm ピッチ), 120 ピン
S6E2DH5GJAMV20000
(FPT-120P-M21)
S6E2DH5J0AGV20000
S6E2DH5G0AGB30000
S6E2DH5G0AGE20000
2
CONFIDENTIAL
パッケージ
プラスチック・LQFP (0.50 mm ピッチ), 176 ピン
(FPT-176P-M07)
プラスチック・PFBGA (0.50 mm ピッチ), 161 ピン
(FDJ161)
プラスチック・Ex_LQFP (0.50 mm ピッチ), 120 ピン
(LEM120)
S6E2DH_DS709-00029-1v0-J-DE2, September 16, 2015
E R R A T A
ページ
場所
Rev. 2.0
September 16, 2015
11
2. 特長
S H E E T
訂正内容
注意事項を以下の
に示すように追加。
(誤)
GDC ユニット
■
■
■
■
■
■
■
グラフィックス・ディスプレイコントローラを搭載
2D ブロックイメージ転送処理ハードウェアアクセラレータを搭載
最大 512KB 内蔵ビデオメモリを搭載
外部メモリ接続用 HighSpeed Quad SPI を搭載
外部メモリ接続用 SDRAM インタフェースを搭載
外部メモリ接続用 HyperBus インタフェースを搭載
最高動作周波数 160 MHz
(正)
GDC ユニット
■
■
■
■
■
■
■
グラフィックス・ディスプレイコントローラを搭載
2D ブロックイメージ転送処理ハードウェアアクセラレータを搭載
最大 512KB 内蔵ビデオメモリを搭載
外部メモリ接続用 HighSpeed Quad SPI を搭載
外部メモリ接続用 SDRAM インタフェースを搭載
外部メモリ接続用 HyperBus インタフェースを搭載
最高動作周波数 160 MHz
<注意事項>
−
GDC はグラフィックスデータの書き込み先として、内蔵 VRAM と外部 HyperRAM を使用できま
す。
16
4.パッケー
ジと品種対
パッケージと品種対応の表を以下の
(誤)
に示すように訂正。
応
品種名
パッケージ
LQFP:
FPT-120P-M21
(0.5 mm pitch)
LQFP:
FPT-176P-M07
(0.5 mm pitch)
PFBGA:
S6E2DH5G0A

-

FDJ161 (0.5 mm pitch)
Ex_LQFP(TEQFP): LEM120 (0.5 mm pitch)
S6E2DH5J0A
-
S6E2DH5GJA


-
-
-
S6E2DH5J0A
S6E2DH5GJA

: 使用可能
(正)
品種名
パッケージ
LQFP:
FPT-120P-M21
(0.5 mm pitch)
LQFP:
FPT-176P-M07
(0.5 mm pitch)
FBGA:
FDJ161 (0.5 mm pitch)
Ex_LQFP(TEQFP): LEM120 (0.5 mm pitch)
: 使用可能、
17, 19 5.端子配列
図

-


-

-
-

-
-
-
:開発中
信号名を以下のように訂正。
(誤) GE_SPCSX_0
(正) GE_SPCSX0
(誤) GE_HBCSX_0
(正) GE_HBCSX0
(誤) GE_HBCSX_1
(正) GE_HBCSX1
September 16, 2015, S6E2DH_DS709-00029-1v0-J-DE2
CONFIDENTIAL
S6E2DH5G0A
3
E R R A T A
ページ
場所
22, 24, 6.端子機能
51 一覧
70
10.ブロック
ダイヤグラ
ム
95
14.3 直流
規格
S H E E T
訂正内容
信号名を以下のように訂正。
(誤) GE_SPCSX_0
(正) GE_SPCSX0
(誤) GE_HBCSX_0
(正) GE_HBCSX0
(誤) GE_HBCSX_1
(正) GE_HBCSX1
信号名を以下のように訂正。
(誤) GE_SPCSX_0
(正) GE_SPCSX0
(誤) GE_HBCSX_0/1
(正) GE_HBCSX0/1
VFLASH メモリスタンバイ電流を以下の
(誤)
項目
記号
端子
スタンバイ電流
VFLASH メモリ
読出し電流
ICCVFLASH
条件
名
VFLASH メモリ
VCC
VFLASH メモリ
書込み/消去電流
に示すように訂正。
規格値
最小
標準
最大
スタンバイ時
-
15
25
リード時
-
書込み/消去時
-
9
14
13
20
20
25
単位
備考
mA
mA
40MHz 時
80MHz 時
mA
(正)
項目
記号
端子
VFLASH メモリ
スタンバイ電流
VFLASH メモリ
読出し電流
VFLASH メモリ
書込み/消去電流
165, 14.4 交流規
166, 格
167
4
CONFIDENTIAL
ICCVFLASH
条件
名
VCC
規格値
最小
標準
最大
スタンバイ時
-
15
35
リード時
-
9
14
13
20
書込み/消去時
-
20
25
単位
備考
μA
mA
40MHz 時
80MHz 時
mA
信号名を以下のように訂正。
(誤) GE_SPCSX_0
(正) GE_SPCSX0
(誤) GE_HBCSX_0
(正) GE_HBCSX0
(誤) GE_HBCSX_1
(正) GE_HBCSX1
S6E2DH_DS709-00029-1v0-J-DE2, September 16, 2015
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