本ドキュメントはCypress (サイプレス) 製品に関する情報が記載されております。 FUJITSU SEMICONDUCTOR DATA SHEET DS07–12626–3 8 ビット・マイクロコントローラ CMOS ® MB95220H シリーズ MB95F222H/F223H MB95F222K/F223K ■ 概要 MB95220H シリーズは , コンパクトな命令体系に加えて , 豊富な周辺機能を内蔵した汎用ワンチップマイクロコント ローラです。 (注意事項)F2MC は FUJITSU Flexible Microcontroller の略で , 富士通セミコンダクター株式会社の登録商標です。 ■ 特長 ・F2MC-8FX CPU コア コントローラに最適な命令体系 ・ 乗除算命令 ・ 16 ビット演算 ・ ビットテストによるブランチ命令 ・ ビット操作命令など ・クロック ・ 選択可能なメインクロックソース 外部クロック ( 最大 32.5 MHz, 最大マシンクロック周波数:16.25 MHz) 内部メイン CR クロック (1/8/10 MHz ± 3%, 最大マシンクロック周波数:10 MHz) ・ 選択可能なサブクロックソース 外部クロック (32.768 kHz) 内部サブ CR クロック ( 標準:100 kHz, 最小:50 kHz, 最大:200 kHz) ・タイマ ・ 8/16 ビット複合タイマ ・ タイムベースタイマ ・ 時計プリスケーラ ・LIN-UART (MB95F222H/F222K/F223H/F223K) ・ 全二重ダブルバッファ ・ クロック同期のシリアルデータ転送およびクロック非同期のシリアルデータ転送が可能 (続く) 富士通セミコンダクターのマイコンを効率的に開発するための情報を下記 URL にてご紹介いたします。 ご採用を検討中 , またはご採用いただいたお客様に有益な情報を公開しています。 http://edevice.fujitsu.com/micom/jp-support/ Copyright©2008-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED All rights reserved 2010.7 MB95220H シリーズ (続き) ・外部割込み ・ エッジ検出による割込み ( 立上りエッジ , 立下りエッジ , および両エッジから選択可能 ) ・ 各種の低消費電力 ( スタンバイ ) モードからの解除としても使用可能 ・8/10 ビット A/D コンバータ ・ 8 ビットまたは 10 ビット分解能の選択可能 ・低消費電力 ( スタンバイ ) モード ・ ストップモード ・ スリープモード ・ 時計モード ・ タイムベースタイマモード ・I/O ポート ( 最大ポート数:13 本 ) (MB95F222K/F223K) ・ 汎用入出力ポート ( 最大 ) : CMOS 入出力:11 本 , N-ch オープンドレイン:2 本 ・I/O ポート ( 最大ポート数:12 本 )(MB95F222H/F223H) ・ 汎用入出力ポート ( 最大 ) : CMOS 入出力:11 本 , N-ch オープンドレイン:1 本 ・オンチップデバッグ ・ 1 線式シリアル制御 ・ シリアル書込みサポート ( 非同期モード ) ・ハードウェア / ソフトウェアウォッチドッグタイマ ・ ハードウェアウォッチドッグタイマ内蔵 ・低電圧検出リセット回路 ・ 低電圧検出器内蔵 ・クロックスーパバイザカウンタ ・ クロックスーパバイザカウンタ機能内蔵 ・ポートの入力電圧レベルを変更可能 ・ CMOS 入力レベル / ヒステリシス入力レベル ・フラッシュメモリセキュリティ機能 ・ フラッシュメモリ内容を保護 2 DS07–12626–3 MB95220H シリーズ ■ 品種構成 品種 MB95F223H MB95F222H MB95F223K MB95F222K 項目 分類 フラッシュメモリ品 クロックスーパ メインクロックの発振を監視 バイザカウンタ 8 KB 4 KB 8 KB 4 KB ROM 容量 496 B 240 B 496 B 240 B RAM 容量 低電圧検出 なし あり リセット リセット入力 専用のリセット入力あり ソフトウェア選択 基本命令数 :136 命令 命令ビット長 :8 ビット 命令長 :1 ∼ 3 バイト CPU 機能 データビット長 :1, 8, 16 ビット長 最小命令実行時間 :61.5 ns ( マシンクロック周波数 16.25 MHz 時 ) 割込み処理時間 :0.6 µs ( マシンクロック周波数 16.25 MHz 時 ) I/O ポート ( 最大 ):12 本 I/O ポート ( 最大 ):13 本 汎用入出力 CMOS:11 本 , CMOS:11 本 , N-ch:1 本 N-ch:2 本 タイムベース 割込み周期 0.256 ms ∼ 8.3 s ( 外部クロック 4 MHz 時 ) タイマ ハードウェア / リセット発生周期 ソフトウェア メイン発振クロック 10 MHz 時:105 ms ( 最小 ) ウォッチドッグ サブ CR クロックをハードウェアウォッチドッグのソースクロックとして使用可能 タイマ ワイルド 3 バイト分のデータ置換え可能 レジスタ 専用リロードタイマによって広範囲の通信速度の選択が可能 全二重ダブルバッファ搭載 LIN-UART クロック同期のシリアルデータ転送およびクロック同期非のシリアルデータ転送が可能 LIN 機能は LIN マスタまたは LIN スレーブとして使用可能 5 チャネル 8/10 ビット A/D コンバータ 8 ビットまたは 10 ビット分解能の選択が可能 1 チャネル タイマは 8 ビットタイマ× 2 チャネル , または 16 ビットタイマ× 1 チャネルとして構成可能 8/16 ビット タイマ機能 , PWC 機能 , PWM 機能および入力キャプチャ機能内蔵 複合タイマ カウントクロック:内部クロック (7 種類 ) および外部クロックから選択可能 方形波出力可能 6 チャネル 外部割込み エッジ検出による割込み ( 立上りエッジ , 立下りエッジ , または両エッジから選択可能 ) スタンバイモードからの解除としても使用可能 オンチップ 1線式シリアル制御 デバッグ シリアル書込みをサポート ( 非同期モード ) (続く) DS07–12626–3 3 MB95220H シリーズ (続き) 品種 MB95F223H 項目 時計 プリスケーラ MB95F222H MB95F223K MB95F222K 8 種類のインターバル時間から選択可能 フラッシュ メモリ 自動プログラミング , Embedded Algorithm, 書込み / 消去 / 消去一時停止 / 消去再開コマンドをサポート アルゴリズム完了を示すフラグ 書込み / 消去回数:100000 回 データ保持期間:20 年間 書込み / 消去には , 外部 Vpp ( + 10 V) 入力が必要 フラッシュ内容を保護するフラッシュセキュリティ機能 スタンバイ モード スリープモード , ストップモード , 時計モード , タイムベースタイマモード パッケージ 4 DIP-16P-M06 FPT-16P-M06 DS07–12626–3 MB95220H シリーズ ■ パッケージと品種対応 品種 MB95F223H MB95F222H MB95F223K MB95F222K DIP-16P-M06 ○ ○ ○ ○ FPT-16P-M06 ○ ○ ○ ○ 項目 ○:使用可能 DS07–12626–3 5 MB95220H シリーズ ■ 品種間の相違点と品種選択時の注意事項 ・ 消費電流 オンチップデバッグ機能を使用する場合は , フラッシュ消去 / プログラムの消費電流を考慮してください。 消費電流の詳細は ,「■電気的特性」を参照してください。 ・ パッケージ 各パッケージの詳細は ,「■パッケージと品種対応」および「■パッケージ・外形寸法図」を参照してください。 ・ 動作電圧 動作電圧は , オンチップデバッグ機能を使用するか使用しないかによって異なります。 動作電圧の詳細は ,「■電気的特性」を参照してください。 ・ オンチップデバッグ機能 オンチップデバッグ機能を使用する場合は . VCC, VSS, および 1 本のシリアルケーブルを評価ツールに接続する必要があ ります。さらに , フラッシュメモリデータの更新を行う場合は , RST/PF2 端子も同じ評価ツールに接続する必要がありま す。 6 DS07–12626–3 MB95220H シリーズ ■ 端子配列図 X0/PF0 X1/PF1 Vss X1A/PG2 X0A/PG1 Vcc RST/PF2 C DS07–12626–3 1 2 3 4 5 6 7 8 (TOP VIEW) 16 ピン 16 15 14 13 12 11 10 9 P12/EC0/DBG P07/INT07 P06/INT06/TO01 P05/INT05/AN05/TO00/HCLK2 P04/INT04/AN04/SIN/HCLK1/EC0 P03/INT03/AN03/SOT P01/AN01 P02/INT02/AN02/SCK 7 MB95220H シリーズ ■ 端子機能説明 (MB95220H シリーズ ) 端子番号 1 2 3 4 5 6 端子名 PF0 X0 PF1 X1 VSS PG2 X1A PG1 X0A VCC 入出力 回路形式 * B 8 RST C B INT02 AN02 C P01 AN01 C INT03 AN03 リセット端子です。 MB95F222H/F223H の専用リセット端子です。 — コンデンサ接続端子です。 汎用入出力ポートです。 E 外部割込み入力端子です。 A/D コンバータアナログ入力端子です。 LIN-UART クロック入出力端子です。 E 汎用入出力ポートです。 A/D コンバータアナログ入力端子です。 汎用入出力ポートです。 E 外部割込み入力端子です。 A/D コンバータアナログ入力端子です。 SOT LIN-UART データ出力端子です。 P04 汎用入出力ポートです。 AN04 SIN 外部割込み入力端子です。 F A/D コンバータアナログ入力端子です。 LIN-UART データ出力端子です。 外部クロック入力端子です。 EC0 8/16 ビット複合タイマ ch.0 クロック入力端子です。 P05 汎用入出力ポートです。 大電流ポートです。 INT05 AN05 外部割込み入力端子です。 E TO00 外部クロック入力端子です。 汎用入出力ポートです。 大電流ポートです。 P06 INT06 TO01 A/D コンバータアナログ入力端子です。 8/16 ビット複合タイマ ch.0 クロック入力端子です。 HCLK2 14 電源端子です。 汎用入出力ポートです。 HCLK1 13 汎用入出力ポートです。 A INT04 12 汎用入出力ポートです。 サブクロック用入力発振端子です。 — P03 11 電源 (GND) 端子です。 サブクロック用入出力発振端子です。 SCK 10 汎用入出力ポートです。 メインクロック用入出力発振端子です。 — P02 9 汎用入出力ポートです。 メインクロック用入力発振端子です。 PF2 7 機能 G 外部割込み入力端子です。 8/16 ビット複合タイマ ch.0 クロック入力端子です。 (続く) 8 DS07–12626–3 MB95220H シリーズ (続き) 端子番号 15 端子名 P07 INT07 入出力 回路形式 * G EC0 DBG 汎用入出力ポートです。 外部割込み入力端子です。 P12 16 機能 汎用入出力ポートです。 H 8/16 ビット複合タイマ ch.0 クロック入力端子です。 DBG 入力端子です。 * :入出力回路形式については「■ 入出力回路形式」を参照してください。 DS07–12626–3 9 MB95220H シリーズ ■ 入出力回路形式 分類 回路 備考 A リセット入力 / ヒステリシス出力 リセット出力 / デジタル出力 ・ N-ch オープンドレイン出力 ・ ヒステリシス入力 ・ リセット出力 N-ch B P-ch ポート選択 デジタル出力 N-ch ・ 発振回路 ・ 高速側 ・ 帰還抵抗:約 1 MΩ デジタル出力 スタンバイ制御 ヒステリシス入力 ・ CMOS 出力 ・ ヒステリシス入力 クロック入力 X1 X0 スタンバイ制御 / ポート選択 P-ch ポート選択 デジタル出力 N-ch デジタル出力 スタンバイ制御 ヒステリシス入力 C ポート選択 R P-ch プルアップ制御 ・ 発振回路 ・ 低速側 ・ 帰還抵抗:約 10 MΩ P-ch デジタル出力 N-ch デジタル出力 スタンバイ制御 ヒステリシス入力 ・ CMOS 出力 ・ ヒステリシス入力 ・ プルアップ制御あり クロック入力 X1A X0A スタンバイ制御 / ポート選択 ポート選択 R プルアップ制御 デジタル出力 P-ch デジタル出力 N-ch デジタル出力 スタンバイ制御 ヒステリシス入力 (続く) 10 DS07–12626–3 MB95220H シリーズ (続き) 分類 回路 D P-ch 備考 デジタル出力 ・ CMOS 出力 ・ ヒステリシス入力 デジタル出力 N-ch スタンバイ制御 ヒステリシス入力 E プルアップ制御 R P-ch デジタル出力 P-ch ・ CMOS 出力 ・ ヒステリシス入力 ・ プルアップ制御あり デジタル出力 N-ch アナログ入力 A/D 制御 スタンバイ制御 ヒステリシス入力 F プルアップ制御 R P-ch デジタル出力 P-ch N-ch ・ CMOS 出力 ・ ヒステリシス入力 ・ CMOS 入力 ・ プルアップ制御あり デジタル出力 アナログ入力 A/D 制御 スタンバイ制御 ヒステリシス入力 CMOS 入力 G プルアップ制御 R P-ch ・ ヒステリシス入力 ・ CMOS 出力 ・ プルアップ制御あり デジタル出力 P-ch デジタル出力 N-ch スタンバイ制御 ヒステリシス入力 H スタンバイ制御 ヒステリシス入力 ・ N-ch オープンドレイン出力 ・ ヒステリシス入力 デジタル出力 N-ch DS07–12626–3 11 MB95220H シリーズ ■ デバイス使用上の注意 ・ラッチアップの防止 使用に際して , 印加する電圧が最大定格電圧を超えないようにしてください。 CMOS IC では , 中耐圧端子でも高耐圧端子でもない入出力端子に VCC より高い電圧や VSS より低い電圧が印加された 場合 , または 「■電気的特性」の「1. 絶対最大定格」に示す電源電圧の定格範囲外の電圧が VCC 端子または VSS 端子に印加さ れた場合 , ラッチアップ現象が発生することがあります。 ラッチアップ現象が発生すると電源電流が激増し , 素子が熱破壊する恐れがあります。 ・供給電圧の安定化 供給電圧は , 安定させてください。 電源電圧が急激に変動すると , たとえ変動が VCC 電源電圧の動作保証範囲内であっても , 誤動作を生じることがありま す。 電圧安定化の基準として , 商用周波数 (50Hz/60 Hz) での VCC リプル変動 (P-P 値 ) は , 標準 VCC 値の 10 % 以下に , また 電源の切換え時などの瞬時変化においては , 過渡変動率が 0.1 V/ms 以下になるよう電圧変動を抑えてください。 ・外部クロック使用時の注意 外部クロック使用時において , パワーオンリセット , サブクロックモードまたはストップモード解除時には , 発振安定 待ち時間が発生します。 ■ 端子接続について ・未使用端子の処理 入力に用いる未使用端子を開放のままにしておくと , 誤動作およびラッチアップ現象による永久破壊の原因になること があります。使用していない入力端子は 2 kΩ 以上の抵抗を介してプルアップまたはプルダウンの処理をしてください。使 用していない入出力端子は,出力状態に設定して開放とするか,入力状態に設定して入力端子と同じ処理をしてください。 使用していない出力端子は,開放としてください。 ・電源端子 不要輻射の低減, グランドレベルの上昇によるストローブ信号の誤動作の防止, 総出力電流規格を遵守などのために,必 ず VCC 端子と VSS 端子をデバイスの外部で電源とグランドに接続してください。また,電流供給源と VCC 端子および VSS 端 子は低インピーダンスで接続してください。 本デバイスに近い位置で,VCC 端子と VSS 端子の間に 0.1 µF 程度のセラミックコンデンサをバイパスコンデンサとして 接続することをお勧めいたします。 ・DBG 端子 DBG 端子を外部のプルアップ抵抗に直接接続してください。 ノイズによってデバイスが意図せずにデバッグモードに入るのを防止するため,プリント基板のレイアウトを設計する ときは , DBG 端子から VCC 端子または VSS 端子への距離を最小限にしてください。 パワーオン後 , リセット出力が解除されるまでは , DBG 端子が「L」レベルのままにならないようにしてください。 ・RST 端子 RST を外部のプルアップ抵抗に直接接続してください。 ノイズによってデバイスが意図せずにリセットモードに入るのを防止するため,プリント基板のレイアウトを設計する ときは , RST 端子から VCC 端子または VSS 端子への距離を最小限にしてください。 パワーオン後 , RST/PF2 端子はリセット入出力端子として機能します。また , リセット出力は SYSC レジスタの RSTOE ビットによって許可でき , リセット入力機能または汎用入出力機能は SYSC レジスタの RSTEN ビットによって選択でき ます。 12 DS07–12626–3 MB95220H シリーズ ・C 端子 セラミックコンデンサまたは同程度の周波数特性のコンデンサを使用してください。Vcc 端子のバイパスコンデンサ は、CS より大きい容量値のコンデンサを使用してください。平滑コンデンサ CS への接続は下図を参照してください。ノイ ズによってデバイスが意図せずに不明なモードに入るのを防止するため,プリント基板のレイアウトを設計するときは、 C 端子から CS への距離および CS から VSS 端子への距離を最小限にしてください。 ・DBG/RST/C 端子接続図 DBG C RST Cs DS07–12626–3 13 MB95220H シリーズ ■ ブロックダイヤグラム (MB95220H シリーズ ) F2MC-8FX CPU PF2*1/RST*2 LVD 付きリセット セキュリティ付きフラッシュ (8/4 K バイト ) PF1/X1*2 PF0/X0*2 RAM(496/240 バイト ) 発振器回路 CR 発振器 割込みコントローラ PG2/X1A*2 PG1/X0A*2 (P05*3/TO00) (P04/HCLK1) (P05*3/HCLK2) (P12/DBG) 8/16 ビット 複合タイマ (0) クロック制御 (P06*3/TO01) P12*1/EC0, (P04/EC0) オンチップデバッグ P02/INT02 ~ P07/INT07 外部割込み 内部バス (P01/AN00 ~ P05*3/AN05) ワイルドレジスタ 8/10 ビット A/D コンバータ (P02/SCK) (P03/SOT) LIN-UART (P04/SIN) C ポート ポート VCC VSS * 1:PF2 と P12 は N-ch オープンドレイン端子です。 * 2: ソフトウェアオプション * 3:P05, P06 は大電流ポートです。 14 DS07–12626–3 MB95220H シリーズ ■ CPU コア ・メモリ空間 MB95220H シリーズのメモリ空間は 64 K バイト で , I/O 領域 , データ領域とプログラム領域によって構成されます。メ モリ空間の中には汎用レジスタ , ベクタテーブルなど特定の用途に使用される領域があります。MB95220H シリーズのメ モリマップを以下に示します。 ・メモリマップ MB95F223H/F223K 0000H I/O 0080H アクセス禁止 0090H RAM496 バイト 0100H レジスタ 0200H 0280H 0F80H MB95F222H/F222K 0000H I/O 0080H アクセス禁止 0090H RAM240 バイト 0100H 0180H アクセス禁止 アクセス禁止 0F80H 拡張 I/O 拡張 I/O 1000H 1000H アクセス禁止 E000H FFFFH DS07–12626–3 レジスタ フラッシュ メモリ 8 K バイト アクセス禁止 F000H FFFFH フラッシュメモリ 4 K バイト 15 MB95220H シリーズ ■ I/O マップ (MB95220H シリーズ ) R/W 初期値 ポート 0 データレジスタ R/W 00000000B ポート 0 方向レジスタ R/W 00000000B PDR1 ポート 1 データレジスタ R/W 00000000B 0003H DDR1 ポート 1 方向レジスタ R/W 00000000B 0004H ⎯ ⎯ ⎯ 0005H WATR R/W 11111111B アドレス レジスタ略称 0000H PDR0 0001H DDR0 0002H 0006H ⎯ 0007H SYCC レジスタ名称 ( 使用禁止 ) 発振安定待ち時間設定レジスタ ⎯ ⎯ システムクロック制御レジスタ R/W 0000X011B R/W 00000XXXB R XXXXXXXXB ( 使用禁止 ) 0008H STBC スタンバイ制御レジスタ 0009H RSRR リセット要因レジスタ 000AH TBTC タイムベースタイマ制御レジスタ R/W 00000000B 000BH WPCR 時計プリスケーラ制御レジスタ R/W 00000000B 000CH WDTC ウォッチドッグタイマ制御レジスタ R/W 00000000B 000DH SYCC2 システムクロック制御レジスタ 2 R/W XX100011B 000EH ∼ 0015H ⎯ ( 使用禁止 ) ⎯ ⎯ 0016H ⎯ ( 使用禁止 ) ⎯ ⎯ 0017H ⎯ ( 使用禁止 ) ⎯ ⎯ ⎯ ( 使用禁止 ) ⎯ ⎯ 0018H ∼ 0027H 0028H PDRF ポート F データレジスタ R/W 00000000B 0029H DDRF ポート F 方向レジスタ R/W 00000000B 002AH PDRG ポート G データレジスタ R/W 00000000B 002BH DDRG ポート G 方向レジスタ R/W 00000000B 002CH PUL0 ポート 0 プルアップレジスタ R/W 00000000B ⎯ ⎯ ポート G プルアップレジスタ R/W 00000000B 002DH ∼ 0034H ⎯ 0035H PULG 0036H T01CR1 8/16 ビット複合タイマ 01 ステータス制御レジスタ 1 ch.0 R/W 00000000B 0037H T00CR1 8/16 ビット複合タイマ 00 ステータス制御レジスタ 1 ch.0 R/W 00000000B 0038H ⎯ ( 使用禁止 ) ⎯ ⎯ 0039H ⎯ ( 使用禁止 ) ⎯ ⎯ ∼ 0048H ⎯ ( 使用禁止 ) ⎯ ⎯ 0049H EIC10 外部割込み回路制御レジスタ ch.2/ch.3 R/W 00000000B 004AH EIC20 外部割込み回路制御レジスタ ch.4/ch.5 R/W 00000000B 004BH EIC30 外部割込み回路制御レジスタ ch.6/ch.7 R/W 00000000B ⎯ ⎯ ( 使用禁止 ) 003AH 004CH ∼ 004FH ⎯ ( 使用禁止 ) 0050H SCR LIN-UART シリアル制御レジスタ R/W 00000000B 0051H SMR LIN-UART シリアルモードレジスタ R/W 00000000B 0052H SSR LIN-UART シリアルステータスレジスタ R/W 00001000B (続く) 16 DS07–12626–3 MB95220H シリーズ R/W 初期値 LIN-UART 受信 / 送信データレジスタ R/W 00000000B ESCR LIN-UART 拡張ステータス制御レジスタ R/W 00000100B ECCR LIN-UART 拡張通信制御レジスタ R/W 000000XXB — — アドレス レジスタ略称 0053H RDR/TDR 0054H 0055H レジスタ名称 0056H ∼ 006BH — 006CH ADC1 8/10 ビット A/D コンバータ制御レジスタ 1 R/W 00000000B 006DH ADC2 8/10 ビット A/D コンバータ制御レジスタ 2 R/W 00000000B 006EH ADDH 8/10 ビット A/D コンバータデータレジスタ ( 上位 ) R/W 00000000B 006FH ADDL 8/10 ビット A/D コンバータデータレジスタ ( 下位 ) R/W 00000000B 0070H, 0071H ⎯ ⎯ ⎯ 0072H FSR R/W 000X0000B ⎯ ⎯ ( 使用禁止 ) ( 使用禁止 ) フラッシュメモリステータスレジスタ 0073H ∼ 0075H ⎯ 0076H WREN ワイルドレジスタアドレス比較許可レジスタ R/W 00000000B 0077H WROR ワイルドレジスタデータテスト設定レジスタ R/W 00000000B 0078H ⎯ ⎯ ⎯ 0079H ILR0 割込みレベル設定レジスタ 0 R/W 11111111B 007AH ILR1 割込みレベル設定レジスタ 1 R/W 11111111B 007BH ILR2 割込みレベル設定レジスタ 2 R/W 11111111B 007CH ⎯ ⎯ ⎯ 007DH ILR4 割込みレベル設定レジスタ 4 R/W 11111111B 007EH ILR5 割込みレベル設定レジスタ 5 R/W 11111111B 007FH ⎯ ⎯ ⎯ 0F80H WRARH0 ワイルドレジスタアドレス設定レジスタ ( 上位 ) ch.0 R/W 00000000B 0F81H WRARL0 ワイルドレジスタアドレス設定レジスタ ( 下位 ) ch.0 R/W 00000000B ( 使用禁止 ) レジスタバンクポインタ (RP) とダイレクトバンクポインタ (DP) のミラー ( 使用禁止 ) ( 使用禁止 ) 0F82H WRDR0 ワイルドレジスタデータ設定レジスタ ch.0 R/W 00000000B 0F83H WRARH1 ワイルドレジスタアドレス設定レジスタ ( 上位 ) ch.1 R/W 00000000B 0F84H WRARL1 ワイルドレジスタアドレス設定レジスタ ( 下位 ) ch.1 R/W 00000000B 0F85H WRDR1 ワイルドレジスタデータ設定レジスタ ch.1 R/W 00000000B 0F86H WRARH2 ワイルドレジスタアドレス設定レジスタ ( 上位 ) ch.2 R/W 00000000B 0F87H WRARL2 ワイルドレジスタアドレス設定レジスタ ( 下位 ) ch.2 R/W 00000000B 0F88H WRDR2 ワイルドレジスタデータ設定レジスタ ch.2 R/W 00000000B ⎯ ⎯ 0F89H ∼ 0F91H ⎯ 0F92H T01CR0 8/16 ビット複合タイマ 01 ステータス制御レジスタ 0 ch.0 R/W 00000000B 0F93H T00CR0 8/16 ビット複合タイマ 00 ステータス制御レジスタ 0 ch.0 R/W 00000000B 0F94H T01DR 8/16 ビット複合タイマ 01 データレジスタ ch.0 R/W 00000000B 0F95H T00DR 8/16 ビット複合タイマ 00 データレジスタ ch.0 R/W 00000000B ( 使用禁止 ) (続く) DS07–12626–3 17 MB95220H シリーズ (続き) アドレス レジスタ略称 0F96H TMCR0 0F97H ⎯ 0F98H ⎯ 0F99H ⎯ 0F9AH ⎯ 0F9BH ⎯ ∼ 0FBBH ⎯ 0FBCH BGR1 0FBDH BGR0 R/W 初期値 R/W 00000000B ( 使用禁止 ) ⎯ ⎯ ( 使用禁止 ) ⎯ ⎯ ( 使用禁止 ) ⎯ ⎯ ( 使用禁止 ) ⎯ ⎯ ( 使用禁止 ) ⎯ ⎯ ( 使用禁止 ) ⎯ ⎯ LIN-UART ボーレートジェネレータレジスタ 1 R/W 00000000B LIN-UART ボーレートジェネレータレジスタ 0 R/W 00000000B ⎯ ⎯ R/W 00000000B ⎯ ⎯ レジスタ名称 8/16 ビット複合タイマ 00/01 タイマモード制御レジスタ ch.0 0F9CH 0FBEH ∼ 0FC2H ⎯ 0FC3H AIDRL ( 使用禁止 ) A/D 入力禁止レジスタ ( 下位 ) 0FC4H ∼ 0FE3H ⎯ 0FE4H CRTH メイン CR クロックトリミングレジスタ ( 上位 ) R/W 1XXXXXXXB 0FE5H CRTL メイン CR クロックトリミングレジスタ ( 下位 ) R/W 000XXXXXB 0FE6H, 0FE7H ⎯ ⎯ ⎯ 0FE8H SYSC システム構成レジスタ R/W 11000011B 0FE9H CMCR クロック監視制御レジスタ R/W 00000000B 0FEAH CMDR クロック監視データレジスタ R/W 00000000B 0FEBH WDTH ウォッチドッグタイマ選択 ID レジスタ ( 上位 ) R/W XXXXXXXXB 0FECH WDTL ウォッチドッグタイマ選択 ID レジスタ ( 下位 ) R/W XXXXXXXXB 0FEDH ⎯ 0FEEH ILSR ( 使用禁止 ) ( 使用禁止 ) ( 使用禁止 ) 入力レベル選択レジスタ ⎯ ⎯ R/W 00000000B ⎯ ⎯ 0FEFH ∼ 0FFFH ⎯ ( 使用禁止 ) ・R/W についての説明 R/W :リード / ライト可能 R :リードオンリ W :ライトオンリ ・初期値についての説明 0 :この ビットの初期値は “0” です。 1 :この ビットの初期値は “1” です。 X :この ビットの初期値は不定です。 (注意事項)“( 使用禁止 ) ” のアドレスへの書込みは行わないでください。“ ( 使用禁止 ) ” のアドレスを読み出した場合は 不定が読み出されます。 18 DS07–12626–3 MB95220H シリーズ ■ 割込み要因のテーブル (MB95220H シリーズ ) 割込み要因 割込み 要求番号 ベクタテーブルの アドレス 上位 下位 割込みレベル 同一レベル割込み 設定レジスタの 要因の優先順位 ビット名 ( 同時発生時 ) 外部割込み ch.4 IRQ0 FFFAH FFFBH L00 [1:0] 外部割込み ch.5 IRQ1 FFF8H FFF9H L01 [1:0] IRQ2 FFF6H FFF7H L02 [1:0] IRQ3 FFF4H FFF5H L03 [1:0] IRQ4 FFF2H FFF3H L04 [1:0] 8/16 ビット複合タイマ ch.0 ( 下位 ) IRQ5 FFF0H FFF1H L05 [1:0] 8/16 ビット複合タイマ ch.0 ( 上位 ) IRQ6 FFEEH FFEFH L06 [1:0] LIN-UART ( 受信 ) IRQ7 FFECH FFEDH L07 [1:0] LIN-UART ( 送信 ) IRQ8 FFEAH FFEBH L08 [1:0] ⎯ IRQ9 FFE8H FFE9H L09 [1:0] ⎯ IRQ10 FFE6H FFE7H L10 [1:0] ⎯ IRQ11 FFE4H FFE5H L11 [1:0] ⎯ IRQ12 FFE2H FFE3H L12 [1:0] ⎯ IRQ13 FFE0H FFE1H L13 [1:0] ⎯ IRQ14 FFDEH FFDFH L14 [1:0] ⎯ IRQ15 FFDCH FFDDH L15 [1:0] ⎯ IRQ16 FFDAH FFDBH L16 [1:0] ⎯ IRQ17 FFD8H FFD9H L17 [1:0] 8/10 ビット A/D コンバータ IRQ18 FFD6H FFD7H L18 [1:0] タイムベースタイマ IRQ19 FFD4H FFD5H L19 [1:0] 時計プリスケーラ IRQ20 FFD2H FFD3H L20 [1:0] ⎯ IRQ21 FFD0H FFD1H L21 [1:0] ⎯ IRQ22 FFCEH FFCFH L22 [1:0] IRQ23 FFCCH FFCDH L23 [1:0] 外部割込み ch.2 外部割込み ch.6 外部割込み ch.3 外部割込み ch.7 ⎯ フラッシュメモリ DS07–12626–3 高い 低い 19 MB95220H シリーズ ■ 電気的特性 1. 絶対最大定格 項目 電源電圧 *1 入力電圧 *1 出力電圧 * 1 最大クランプ電流 最大総クランプ電流 記号 単位 最大 VCC VSS − 0.3 VSS + 6 V VI1 VSS − 0.3 VCC + 0.3 V PF2 以外 *2 VI2 VSS − 0.3 10.5 V PF2 VO VSS − 0.3 VSS + 6 V *2 ICLAMP −2 +2 mA 該当端子 *3 Σ|ICLAMP| ⎯ 20 mA 該当端子 *3 IOL2 ⎯ IOLAV1 15 15 mA 4 ⎯ “L” レベル平均電流 mA 12 IOLAV2 “L” レベル最大総出力電流 ΣIOL ⎯ 100 mA “L” レベル平均総出力電流 ΣIOLAV ⎯ 50 mA IOH1 “H” レベル最大出力電流 備考 最小 IOL1 “L” レベル最大出力電流 定格値 IOH2 ⎯ IOHAV1 − 15 IOHAV2 P05, P06 P05, P06 以外 平均出力電流= 動作電流×動作率 ( 端子 1 本 ) P05, P06 平均出力電流= 動作電流×動作率 ( 端子 1 本 ) 平均総出力電流= 動作電流×動作率 ( 端子の総数 ) P05, P06 以外 − 15 P05, P06 −4 P05, P06 以外 平均出力電流= 動作電流×動作率 ( 端子 1 本 ) ⎯ “H” レベル平均電流 mA P05, P06 以外 mA −8 “H” レベル最大総出力電流 ΣIOH ⎯ − 100 mA “H” レベル平均総出力電流 ΣIOHAV ⎯ − 50 mA 消費電力 Pd ⎯ 320 mW 動作温度 TA − 40 + 85 °C 保存温度 Tstg − 55 + 150 °C P05, P06 平均出力電流= 動作電流×動作率 ( 端子 1 本 ) 平均総出力電流= 動作電流×動作率 ( 端子の総数 ) (続く) 20 DS07–12626–3 MB95220H シリーズ (続き) * 1:VSS = 0.0 V を基準にしています。 * 2:VI, VO は VCC + 0.3 V を超えてはいけません。VI は定格電圧を超えてはいけません。ただし , 外部の部品を使用し て入力への電流または入力からの電流の最大値を制限する場合は , VI 定格に代わって ICLAMP 定格が適用されます。 * 3:該当端子:P01 ∼ P07, PG1,PG2, PF0, PF1 ・推奨動作条件下で使用してください。 ・直流電圧 ( 電流 ) で使用してください。 ・HV (High Voltage) 信号は,VCC 電圧を超える入力信号です。HV (High Voltage) 信号とマイクロコントローラの間に は , 必ず制限抵抗を接続し HV (High Voltage) 信号を印加してください。 ・HV (High Voltage) 入力時にマイクロコントローラ端子に入力される電流が , 瞬時・定常を問わず規格値以下にな るように制限抵抗の値を設定してください。 ・低消費電力モードなど , マイクロコントローラの駆動電流が少ない動作状態では , HV (High Voltage) 入力電位が保 護ダイオードを通して VCC 端子の電位を上昇させ , 他の機器へ影響を及ぼします。 ・マイクロコントローラ電源が OFF 時 (0 V に固定していない場合 ) に HV (High Voltage) 入力がある場合は , 端子か ら電源が供給されているため , 不完全な動作を行う可能性があります。 ・電源投入時に HV (High Voltage) 入力がある場合は , 端子から電源が供給されているため , パワーオンリセットが 動作しない電源電圧になる可能性があります。 ・HV (High Voltage) 入力端子は , 開放状態にならないようにしてください。 ・推奨回路例 ・入出力等価回路 保護ダイオード VCC 制限 抵抗 P-ch HV (High Voltage) 入力 (0 V ∼ 16 V) N-ch R <注意事項> 絶対最大定格を超えるストレス ( 電圧 , 電流 , 温度など ) の印加は , 半導体デバイスを破壊する可能性があ ります。したがって , 定格を一項目でも超えることのないようご注意ください。 DS07–12626–3 21 MB95220H シリーズ 2. 推奨動作条件 (VSS = 0.0 V) 項目 電源電圧 記号 VCC 平滑コンデンサ CS 動作温度 TA 規格値 最小 最大 2.4*1*2 5.5*1 2.3 5.5 2.9 5.5 2.3 5.5 0.022 1 − 40 + 85 +5 + 35 単位 備考 通常動作の場合 V ストップモードでの状態保持 通常動作の場合 ストップモードでの状態保持 µF °C オンチップデバッグモード 以外 オンチップデバッグモード *3 オンチップデバッグモード以外 オンチップデバッグモード * 1:動作周波数 , マシンクロックおよびアナログ保証範囲により異なります。 * 2:低電圧検出リセット使用時は , 2.88 V となります。 * 3:セラミックコンデンサまたは同程度の周波数特性のコンデンサを使用してください。VCC 端子のバイパスコンデン サは CS より大きい容量値のコンデンサを使用してください。平滑コンデンサ CS への接続は下図を参照してくださ い。ノイズによってデバイスが意図せずに不明なモードに入るのを防止するため,プリント基板のレイアウトを設 計するときは , C 端子から CS への距離および CS から VSS 端子への距離を最小限にしてください。 ・DBG/RST/C 端子配列図 * DBG C RST Cs *:DBG 端子は , デバッグモード時に通信端子となりますので , P12/DBG の入出力規格に合わせたプルアップ 抵抗値を設定してください。 <注意事項> 推奨動作条件は , 半導体デバイスの正常な動作を保証する条件です。電気的特性の規格値は , すべてこの条 件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で使用してください。この条件を超えて使用すると , 信頼 性に悪影響を及ぼすことがあります。 データシートに記載されていない項目 , 使用条件 , 論理の組合せでの使用は , 保証していません。記載され ている以外の条件での使用をお考えの場合は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。 22 DS07–12626–3 MB95220H シリーズ 3. 直流規格 (VCC = 5.0 V ± 10%, VSS = 0.0 V, TA =− 40 °C ∼ + 85 °C) 項目 記号 規格値 最小 標準 最大 単位 備考 VIHI P04 *1 0.7 VCC ⎯ VCC + 0.3 V VIHS P01 ∼ P07, P12, PF0 ,PF1, PG1, PG2 *1 0.8 VCC ⎯ VCC + 0.3 V ヒステリシス入力 VIHM PF2 ⎯ 0.7 VCC ⎯ 10.5 V ヒステリシス入力 *3 VIL P04 *1 VSS − 0.3 ⎯ 0.3 VCC V CMOS 入力レベル ( ヒステリシス入力 ) が選択されている場 合 VILS P01 ∼ P07, P12, PF0 ,PF1, PG1 ,PG2 *1 VSS − 0.3 ⎯ 0.2 VCC V ヒステリシス入力 VILM PF2 ⎯ VSS − 0.3 ⎯ 0.3 VCC V ヒステリシス入力 PF2, P12 ⎯ VSS − 0.3 ⎯ VSS + 5.5 V “L” レベル 入力電圧 オープン ドレイン 出力印加 電圧 “L” レベル 出力電圧 条件 CMOS 入力レベル ( ヒステリシス入力 ) が選択されている場 合 “H” レベル 入力電圧 “H” レベル 出力電圧 端子名 VD VOH1 P05, P06, P12 および PF2 以外 の出力端子 *2 IOH =− 4 mA VCC − 0.5 ⎯ ⎯ V VOH2 P05, P06 IOH =− 8 mA VCC − 0.5 ⎯ ⎯ V VOL1 P05, P06 以外の 出力端子 IOL = 4 mA ⎯ ⎯ 0.4 V VOL2 P05, P06 IOL = 12 mA ⎯ ⎯ 0.4 V すべての入力 端子 0.0 V < VI < VCC −5 ⎯ +5 µA プルアップ抵抗が 禁止されている場合 P01 ∼ P07, PG1, PG2 VI = 0 V 25 50 100 kΩ プルアップ抵抗が 許可されている場合 VCC, VSS 以外 f = 1 MHz ⎯ 5 15 pF 入力リーク 電流 (Hi-Z 出力リーク 電流 ) ILI プルアップ 抵抗 RPULL 入力容量 CIN (続く) DS07–12626–3 23 MB95220H シリーズ (VCC = 5.0 V ± 10%, VSS = 0.0 V, TA =− 40 °C ∼ + 85 °C) 項目 記号 端子名 条件 規格値 単位 備考 最小 標準 最大 ⎯ 13 17 mA フラッシュメモリ品 ( 書込み , 消去以外の 場合 ) ⎯ 33.5 39.5 mA フラッシュメモリ品 ( 書込み , 消去の場合 ) ⎯ 15 21 mA A/D 変換時 ⎯ 5.5 9 mA ICCL VCC = 5.5 V VCC FCL = 32 kHz ( 外部クロック FMPL = 16 kHz サブクロックモード 動作 ) (2 分周 ) TA =+ 25 °C ⎯ 65 153 µA ICCLS VCC = 5.5 V FCL = 32 kHz FMPL = 16 kHz サブスリープモード (2 分周 ) TA =+ 25 °C ⎯ 10 84 µA ICCT VCC = 5.5 V FCL = 32 kHz 時計モード メインストップモード TA =+ 25 °C ⎯ 5 30 µA VCC = 5.5 V FCRH = 10 MHz FMP = 10 MHz メイン CR クロック モード ⎯ 8.6 ⎯ mA VCC = 5.5 V サブ CR クロックモード (2 分周 ) TA =+ 25 °C ⎯ 110 410 µA ⎯ 1.1 3 mA ⎯ 3.5 22.5 µA VCC = 5.5 V FCH = 32 MHz FMP = 16 MHz メインクロックモード (2 分周 ) ICC VCC = 5.5 V FCH = 32 MHz FMP = 16 MHz メインスリープモード (2 分周 ) ICCS 電源電流 *2 ICCMCR VCC ICCSCR ICCTS ICCH VCC = 5.5 V FCH = 32 MHz タイムベースタイマ VCC モード ( 外部クロック TA =+ 25 °C 動作 ) VCC = 5.5 V サブストップモード TA =+ 25 °C 1 系統クロック品の場 合はメインストップ モード (続く) 24 DS07–12626–3 MB95220H シリーズ (続き) (VCC = 5.0 V ± 10%, VSS = 0.0 V, TA =− 40 °C ∼ + 85 °C) 項目 記号 端子名 ILVD 電源電流 *2 ICRH ICRL VCC 条件 規格値 単位 最小 標準 最大 低電圧検出回路のみ の場合の消費電流 — 37 54 µA 内蔵メイン CR 発振 器の場合の消費電流 ⎯ 0.5 0.6 mA 内蔵サブ CR 発振器 を 100 kHz で発振さ せる場合の消費電流 ⎯ 20 72 µA 備考 * 1:P04 の入力レベルは「CMOS 入力レベル」と「ヒステリシス入力レベル」の間で切替え可能です。2 つの入力レベ ルの切替えには入力レベル選択レジスタ (ILSR) を使用します。 * 2:・ 電源電流は外部クロックで規定されています。低電圧検出オプションを選択された場合は , 低電圧検出回路の消 費電流 (ILVD) の値を ICC から ICCH の値に足した合計が電源電流となります。また , 低電圧検出オプションと CR 発 振器の両方を選択された場合は , 低電圧検出回路の消費電流 , CR 発振器の消費電流 (ICRH, ICRL) および規格値を足 した合計が電源電流となります。オンチップデバッグモードでは , CR 発振器 (ICRH) と低電圧検出回路も常に動作 するため , それに応じて消費電流が増大します。 ・ FCH と FCL は , 「4. 交流規格 (1) クロックタイミング」を参照してください。 ・ FMP と FMPL は , 「4. 交流規格 (2) ソースクロック / マシンクロック」を参照してください。 * 3:PF2 は , フラッシュメモリ書込み / 消去動作中に高電圧印加端子として機能します。この端子は , 高電圧入力に対応 しています。詳細は「6. フラッシュメモリ書込み / 消去特性」を参照してください。 DS07–12626–3 25 MB95220H シリーズ 4. 交流規格 (1) クロックタイミング (VCC = 2.4 V ∼ 5.5 V, VSS = 0.0 V, TA =− 40 °C ∼+ 85 °C) 項目 記号 FCH 端子名 tLCYL 入力クロック パルス幅 tWH1 tWL1 tWH2 tWL2 入力クロックの 立上り時間と 立下り時間 tCR tCF 標準 最大 1 ⎯ 16.25 X0, HCLK1, HCLK2 X1 開放 1 ⎯ 12 X0, X1, HCLK1, HCLK2 ⎯ ⎯ X0A, X1A 単位 備考 MHz メイン発振回路使用の場合 MHz メイン外部クロック使用の 場合 ⎯ ⎯ 1 ⎯ 32.5 MHz 9.7 10 10.3 MHz メイン CR クロック使用の場合 7.76 8 8.24 MHz 0.97 1 1.03 MHz (0 °C ≦ Ta ≦+ 40 °C) 9.5 10 10.5 7.6 8 8.4 0.95 1 1.05 MHz メイン CR クロック使用の場合 2.4 V ≦ Vcc < 5.5 V MHz ( − 40 °C ≦ Ta < 0 °C, MHz + 40 °C < Ta ≦+ 85 °C) ⎯ 32.768 ⎯ kHz サブ発振回路使用の場合 ⎯ 32.768 ⎯ kHz サブ外部クロック使用の 場合 2.4 V ≦ Vcc < 5.5V ⎯ ⎯ 50 100 200 kHz サブ CR クロック使用の場 合 X0, X1 ⎯ 61.5 ⎯ 1000 ns メイン発振回路使用の場合 X0, HCLK1, HCLK2 X1 開放 83.4 ⎯ 1000 ns FCRL クロックサイクル タイム 最小 ⎯ FCRH tHCYL 規格値 X0, X1 クロック周波数 FCL 条件 外部クロック使用の場合 X0, X1, HCLK1, HCLK2 ⎯ 30.8 ⎯ 1000 ns X0A, X1A ⎯ ⎯ 30.5 ⎯ µs X0, HCLK1, HCLK2 X1 開放 33.4 ⎯ ⎯ ns X0, X1, HCLK1, HCLK2 ⎯ 12.4 ⎯ ⎯ ns X0A ⎯ ⎯ 15.2 ⎯ µs X1 開放 ⎯ ⎯ 5 ns X0, HCLK1, HCLK2 X0, X1 HCLK1, HCLK2 サブクロック使用の場合 外部クロック使用の場合 , デューティ比は 40 % ∼ 60 % の範囲としてくださ い。 外部クロック使用の場合 ⎯ ⎯ ⎯ 5 ns (続く) 26 DS07–12626–3 MB95220H シリーズ (続き) 項目 記号 端子名 条件 tCRHWK ⎯ tCRLWK ⎯ 規格値 単位 備考 最小 標準 最大 ⎯ ⎯ ⎯ 80 µs メイン CR クロック使用の 場合 ⎯ ⎯ ⎯ 10 µs サブ CR クロック使用の場 合 CR 発振開始時間 tHCYL tWH1 tWL1 tCR X0, X1, HCLK1, HCLK2 tCF 0.8 VCC 0.8 VCC 0.2 VCC 0.2 VCC 0.2 VCC ・メインクロック入力ポート外部接続図 水晶振動子使用時または セラミック振動子使用時 X0 外部クロック使用時 (X1 開放 ) X0 X1 外部クロック使用時 X1 X0 外部クロック使用時 HCLK1/HCLK2 X1 開放 FCH FCH FCH FCH tLCYL tWH2 tCR tWL2 tCF X0A 0.8 VCC 0.8 VCC 0.2 VCC 0.2 VCC 0.2 VCC ・サブクロック入力ポート外部接続図 水晶振動子使用時または セラミック振動子使用時 X0A X1A FCL 外部クロック使用時 X0A X1A 開放 FCL DS07–12626–3 27 MB95220H シリーズ (2) ソースクロック / マシンクロック (VCC = 5.0 V ± 10%, VSS = 0.0 V, TA =− 40 °C ∼+ 85 °C) 項目 ソースクロック サイクルタイム *1 記号 tSCLK 端子 名 ⎯ FSP ソースクロック 周波数 ⎯ FSPL マシンクロック サイクルタイム *2 ( 最小命令実行 時間 ) tMCLK ⎯ FMPL 単位 備考 最小 標準 最大 61.5 ⎯ 2000 ns メイン外部クロック使用の場合 最小:FCH = 32.5 MHz, 2 分周 最大:FCH = 1 MHz, 2 分周 100 ⎯ 1000 ns メイン CR クロック使用の場合 最小:FCRH = 10 MHz 最大:FCRH = 1 MHz ⎯ 61 ⎯ µs サブ発振クロック使用の場合 FCL = 32.768 kHz, 2 分周 ⎯ 20 ⎯ µs サブ CR クロック使用の場合 FCRL = 100 kHz, 2 分周 0.5 ⎯ 16.25 MHz メイン発振クロック使用の場合 1 ⎯ 10 MHz メイン CR クロック使用の場合 ⎯ 16.384 ⎯ kHz サブ発振クロック使用の場合 ⎯ 50 ⎯ kHz サブ CR クロック使用の場合 FCRL = 100 kHz, 2 分周 61.5 ⎯ 32000 ns メイン発振クロック使用の場合 最小:FSP = 16.25 MHz, 分周なし 最大:FSP = 0.5 MHz, 16 分周 100 ⎯ 16000 ns メイン CR クロック使用の場合 最小:FSP = 10 MHz 最大:FSP = 1 MHz, 16 分周 61 ⎯ 976.5 µs サブ発振クロック使用の場合 最小:FSPL = 16.384 kHz, 分周なし 最大:FSPL = 16.384 kHz, 16 分周 20 ⎯ 320 µs サブ CR クロック使用の場合 最小:FSPL = 50 kHz, 分周なし 最大:FSPL = 50 kHz, 16 分周 0.031 ⎯ 16.25 MHz メイン発振クロック使用の場合 0.0625 ⎯ 10 MHz メイン CR クロック使用の場合 1.024 ⎯ 16.384 kHz サブ発振クロック使用の場合 3.125 ⎯ 50 kHz サブ CR クロック使用の場合 FCRL = 100 kHz ⎯ FMP マシンクロック 周波数 規格値 * 1:マシンクロック分周比選択ビット (SYCC:DIV1, DIV0) によって設定される分周比にしたがって分周される前のク ロックです。本ソースクロックがマシンクロック分周比選択ビット (SYCC:DIV1, DIV0) によって設定される分周 比にしたがって分周され , マシンクロックとなります。なお , ソースクロックは , 以下から選択できます。 ・メインクロックの 2 分周 ・メイン CR クロック ・サブクロックの 2 分周 ・サブ CR クロックの 2 分周 * 2:マイクロコントローラの動作クロックです。マシンクロックは , 以下から選択できます。 ・ソースクロック ( 分周なし ) ・ソースクロックの 4 分周 ・ソースクロックの 8 分周 ・ソースクロックの 16 分周 28 DS07–12626–3 MB95220H シリーズ ・クロック生成部の概略図 FCH ( メイン発振 ) 2 分周 FCRH ( 内蔵メイン CR クロック ) FCL ( サブ発振 ) FCRL ( 内蔵サブ CR クロック ) SCLK ( ソースクロック ) 2 分周 分周 回路 ×1 × 1/4 × 1/8 × 1/16 MCLK ( マシンクロック ) 2 分周 マシンクロック分周比 選択ビット (SYCC:DIV1, DIV0) クロックモード 選択ビット (SYCC2:RCS1, RCS0) ・ 動作電圧 - 動作周波数 (TA =− 40 °C ∼+ 85 °C) MB95220H( オンチップデバッグ機能なし ) 5.5 5.0 動作電圧 (V) A/D コンバータ動作範囲 4.0 3.5 3.0 2.4 16 kHz 3 MHz 10 MHz 16.25 MHz ソースクロック周波数 (FSP/FSPL) ・ 動作電圧 - 動作周波数 (TA =− 40 °C ∼+ 85 °C MB95220H( オンチップデバッグ機能あり ) 5.5 5.0 動作電圧 (V) A/D コンバータ動作範囲 4.0 3.5 2.9 3.0 16 kHz 3 MHz 12.5 MHz 16.25 MHz ソースクロック周波数 (FSP) DS07–12626–3 29 MB95220H シリーズ (3) 外部リセット (VCC = 5.0 V ± 10%, VSS = 0.0 V, TA =− 40 °C ∼+ 85 °C) 項目 規格値 記号 RST “L” レベルパル ス幅 tRSTL 単位 備考 最小 最大 2 tMCLK*1 ⎯ ns 通常動作の場合 振動子の発振時間 *2 + 100 ⎯ µs ストップモード , サブクロック モード , サブスリープモード , 時計モード , 電源投入の場合 100 ⎯ µs タイムベースタイマモードの場合 * 1:tMCLK については「 (2) ソースクロック / マシンクロック」を参照してください。 * 2:振動子の発振時間は , 振幅の 90 % に達するまでの時間です。水晶振動子は数 ms ∼ 数十 ms, セラミック振動子は 数百 µs ∼数 ms, 外部クロックは 0ms, CR 発振器は数 µs ∼数 ms となります。 ・通常動作の場合 RST tRSTL 0.2 VCC 0.2 VCC ・ストップモード , サブクロックモード , サブスリープモード , 時計モード , 電源投入の場合 RST tRSTL 0.2 VCC X0 0.2 VCC 振幅の 90% 内部動作 クロック 振動子の 発振時間 100 μs 発振安定待ち時間 命令実行 内部リセット 30 DS07–12626–3 MB95220H シリーズ (4) パワーオンリセット (VSS = 0.0 V, TA =− 40 °C ∼+ 85 °C) 項目 電源立上り時間 電源断時間 記号 条件 tR tOFF tR 規格値 単位 最小 最大 ⎯ ⎯ 50 ms ⎯ 1 ⎯ ms 備考 電源投入までの待ち時間 tOFF 2.5 V VCC 0.2 V 0.2 V 0.2 V (注意事項)電源電圧を急激に変化させると , パワーオンリセットが起動される場合があります。動作中に電源電圧を変 化させる場合は , 下図のように立上りの傾きを , 30 mV/ms 以下にしてください。 VCC 立上りの傾きを , 30 mV/ms 以下にしてください。 2.3 V ストップモードでの状態保持 VSS DS07–12626–3 31 MB95220H シリーズ (5) 周辺入力タイミング (VCC = 5.0 V ± 10%, VSS = 0.0 V, TA =− 40 °C ∼+ 85 °C) 項目 周辺入力 “H” パルス幅 周辺入力 “L” パルス幅 記号 規格値 端子名 最小 tILIH INT02 ∼ INT07, EC0 tIHIL 最大 単位 2 tMCLK* ⎯ ns * ⎯ ns 2 tMCLK *:tMCLK については , 「 (2) ソースクロック / マシンクロック」を参照してください。 tILIH INT02 ~ INT07, EC0 32 0.8 VCC tIHIL 0.8 VCC 0.2 VCC 0.2 VCC DS07–12626–3 MB95220H シリーズ (6) LIN-UART タイミング (MB95F222H/F222K/F223H/F223K でのみ使用可能 ) サンプリングクロックの立上りエッジでサンプリングを行い *1, シリアルクロック遅延を禁止する場合 *2 (ESCR レジスタ:SCES ビット= 0, ECCR レジスタ:SCDE ビット= 0) (VCC = 5.0 V ± 10%, AVSS = VSS = 0.0 V, TA =− 40 °C ∼+ 85 °C) 項目 記号 シリアルクロックサイクルタイム tSCYC 端子名 条件 SCK 内部クロック動作 出力端子: CL = 80 pF + 1 TTL 規格値 単位 最小 最大 5 tMCLK*3 ⎯ ns − 95 + 95 ns tMCLK*3 + 190 ⎯ ns 0 ⎯ ns SCK ↓→ SOT 遅延時間 tSLOVI SCK, SOT 有効 SIN → SCK ↑ tIVSHI SCK, SIN SCK ↑→ 有効 SIN ホールド時間 tSHIXI SCK, SIN シリアルクロック “L” パルス幅 tSLSH SCK 3 tMCLK*3 − tR ⎯ ns シリアルクロック “H” パルス幅 tSHSL SCK tMCLK*3 + 95 ⎯ ns SCK ↓ → SOT 遅延時間 tSLOVE SCK, SOT ⎯ 2 tMCLK*3 + 95 ns 有効 SIN → SCK ↑ tIVSHE SCK, SIN 190 ⎯ ns SCK ↑→ 有効 SIN ホールド時間 tSHIXE SCK, SIN tMCLK*3 + 95 ⎯ ns 外部クロック動作 出力端子: CL = 80 pF + 1 TTL SCK 立下り時間 tF SCK ⎯ 10 ns SCK 立上り時間 tR SCK ⎯ 10 ns * 1: 受信データのサンプリングをシリアルクロックの立上りで行うか , 立下りで行うかを選択する機能があります。 * 2: シリアルクロック遅延機能は , シリアルクロックの出力信号を半クロック遅延させる機能です。 * 3: tMCLK については , 「 (2) ソースクロック / マシンクロック」を参照してください。 DS07–12626–3 33 MB95220H シリーズ ・内部シフトクロックモード tSCYC 2.4 V SCK 0.8 V 0.8 V tSLOVI 2.4 V SOT 0.8 V tIVSHI tSHIXI 0.8 VCC 0.8 VCC 0.2 VCC 0.2 VCC SIN ・外部シフトクロックモード tSLSH tSHSL 0.8 VCC 0.8 VCC 0.8 VCC SCK 0.2 VCC 0.2 VCC tR tF tSLOVE 2.4 V SOT 0.8 V tIVSHE tSHIXE 0.8 VCC 0.8 VCC 0.2 VCC 0.2 VCC SIN 34 DS07–12626–3 MB95220H シリーズ サンプリングクロックの立下りエッジでサンプリングを行い *1, シリアルクロック遅延を禁止する場合 *2 (ESCR レジスタ:SCES ビット= 1, ECCR レジスタ:SCDE ビット= 0) (VCC = 5.0 V ± 10%, VSS = 0.0 V, TA =− 40 °C ∼ + 85 °C) 項目 記号 シリアルクロックサイクルタイム tSCYC 端子名 条件 SCK 内部クロック動作 出力端子: CL = 80 pF + 1 TTL 規格値 単位 最小 最大 5 tMCLK*3 ⎯ ns − 95 + 95 ns 3 tMCLK* + 190 ⎯ ns 0 ⎯ ns SCK ↑→ SOT 遅延時間 tSHOVI SCK, SOT 有効 SIN → SCK ↓ tIVSLI SCK, SIN SCK ↓→ 有効 SIN ホールド時間 tSLIXI SCK, SIN シリアルクロック “H” パルス幅 tSHSL SCK 3 tMCLK* − tR ⎯ ns シリアルクロック “L” パルス幅 tSLSH SCK 3 ⎯ ns SCK ↑ → SOT 遅延時間 tSHOVE SCK, SOT ⎯ 3 2 tMCLK* + 95 ns 有効 SIN → SCK ↓ tIVSLE SCK, SIN 190 ⎯ ns SCK ↓→ 有効 SIN ホールド時間 tSLIXE SCK, SIN 3 tMCLK* + 95 ⎯ ns 3 tMCLK* + 95 外部クロック動作 出力端子: CL = 80 pF + 1 TTL SCK 立下り時間 tF SCK ⎯ 10 ns SCK 立上り時間 tR SCK ⎯ 10 ns * 1:受信データのサンプリングをシリアルクロックの立上りで行うか , 立下りで行うかを選択する機能があります。 * 2:シリアルクロック遅延機能は , シリアルクロックの出力信号を半クロック遅延させる機能です。 * 3:tMCLK については , 「 (2) ソースクロック / マシンクロック」を参照してください。 DS07–12626–3 35 MB95220H シリーズ ・内部シフトクロックモード tSCYC 2.4 V 2.4 V SCK 0.8 V tSHOVI 2.4 V SOT 0.8 V tIVSLI tSLIXI 0.8 VCC 0.8 VCC 0.2 VCC 0.2 VCC SIN ・内部シフトクロックモード tSHSL 0.8 VCC tSLSH 0.8 VCC SCK 0.2 VCC 0.2 VCC 0.2 VCC tF tR tSHOVE 2.4 V SOT 0.8 V tIVSLE tSLIXE 0.8 VCC 0.8 VCC 0.2 VCC 0.2 VCC SIN 36 DS07–12626–3 MB95220H シリーズ サンプリングクロックの立上りエッジでサンプリングを行い *1, シリアルクロック遅延を許可する場合 *2 (ESCR レジスタ:SCES ビット= 0, ECCR レジスタ:SCDE ビット= 1) (VCC = 5.0 V ± 10%, VSS = 0.0 V, TA =− 40 °C ∼ + 85 °C) 項目 記号 シリアルクロックサイクルタイム tSCYC SCK SCK ↑→ SOT 遅延時間 tSHOVI SCK, SOT 有効 SIN → SCK ↓ tIVSLI SCK, SIN SCK ↓→ 有効 SIN ホールド時間 tSLIXI SCK, SIN tSOVLI SOT → SCK ↓ 遅延時間 端子名 規格値 条件 内部クロック動作 出力端子: CL = 80 pF + 1 TTL 単位 最小 最大 5 tMCLK*3 ⎯ ns − 95 + 95 ns 3 tMCLK* + 190 ⎯ ns 0 ⎯ ⎯ SCK, SOT ns 3 4 tMCLK* ns * 1:受信データのサンプリングをシリアルクロックの立上りで行うか , 立下りで行うかを選択する機能があります。 * 2:シリアルクロック遅延機能は , シリアルクロックの出力信号を半クロック遅延させる機能です。 * 3:tMCLK については , 「 (2) ソースクロック / マシンクロック」を参照してください。 tSCYC 2.4 V SCK 0.8 V SOT 2.4 V 2.4 V 0.8 V 0.8 V tIVSLI SIN DS07–12626–3 0.8 V tSHOVI tSOVLI tSLIXI 0.8 VCC 0.8 VCC 0.2 VCC 0.2 VCC 37 MB95220H シリーズ サンプリングクロックの立下りエッジでサンプリングを行い *1, シリアルクロック遅延を許可する場合 *2 (ESCR レジスタ:SCES ビット= 1, ECCR レジスタ:SCDE ビット= 1) (VCC = 5.0 V ± 10%, VSS = 0.0 V, TA =− 40 °C ∼ + 85 °C) 項目 記号 シリアルクロックサイクルタイム tSCYC SCK SCK ↓→ SOT 遅延時間 tSLOVI SCK, SOT 有効 SIN → SCK ↑ tIVSHI SCK, SIN SCK ↑→ 有効 SIN ホールド時間 tSHIXI SCK, SIN tSOVHI SOT → SCK ↑ 遅延時間 端子名 規格値 条件 内部クロック動作 出力端子: CL = 80 pF + 1 TTL 単位 最小 最大 5 tMCLK*3 ⎯ ns − 95 + 95 ns 3 tMCLK* + 190 ⎯ ns 0 ⎯ ⎯ SCK, SOT ns 3 4 tMCLK* ns * 1:受信データのサンプリングをシリアルクロックの立上りで行うか , 立下りで行うかを選択する機能があります。 * 2:シリアルクロック遅延機能は , シリアルクロックの出力信号を半クロック遅延させる機能です。 * 3:tMCLK については , 「 (2) ソースクロック / マシンクロック」を参照してください。 tSCYC 2.4 V SCK 2.4 V 0.8 V tSOVHI SOT 2.4 V 0.8 V 0.8 V tIVSHI SIN 38 tSLOVI 2.4 V tSHIXI 0.8 VCC 0.8 VCC 0.2 VCC 0.2 VCC DS07–12626–3 MB95220H シリーズ (7) 低電圧検出 (VSS = 0.0 V, TA =− 40 °C ∼ + 85 °C) 項目 記号 規格値 最小 標準 最大 単位 備考 解除電圧 VDL + 2.52 2.7 2.88 V 電源上昇の場合 検出電圧 VDL − 2.42 2.6 2.78 V 電源降下の場合 ヒステリシス幅 VHYS 70 100 ⎯ mV 電源開始電圧 Voff ⎯ ⎯ 2.3 V 電源到達電圧 Von 4.9 ⎯ ⎯ V 1 ⎯ ⎯ µs リセット解除信号が発生する電源の傾き ⎯ 3000 ⎯ µs リセット解除信号が規格内 (VDL+) で発生 する電源の傾き 300 ⎯ ⎯ µs リセット検出信号が発生する電源の傾き ⎯ 300 ⎯ µs リセット検出信号が規格内 (VDL-) で発生 する電源の傾き 電源電圧変化時間 ( 電源上昇の場合 ) tr 電源電圧変化時間 ( 電源降下の場合 ) tf リセット解除遅延時間 td1 ⎯ ⎯ 300 µs リセット検出遅延時間 td2 ⎯ ⎯ 20 µs DS07–12626–3 39 MB95220H シリーズ VCC Von Voff 時間 tf tr VDL+ VHYS VDL- 内部リセット信号 時間 td2 40 td1 DS07–12626–3 MB95220H シリーズ 5. A/D コンバータ (1) A/D コンバータ電気的特性 (VCC = 4.0 V ∼ 5.5 V, VSS = 0.0 V, TA =− 40 °C ∼ + 85 °C) 項目 記号 分解能 総合誤差 直線性誤差 ⎯ 微分直線性誤差 規格値 単位 最小 標準 最大 ⎯ ⎯ 10 bit −3 ⎯ +3 LSB − 2.5 ⎯ + 2.5 LSB − 1.9 ⎯ + 1.9 LSB 備考 ゼロトランジション 電圧 VOT VSS − 1.5 LSB VSS + 0.5 LSB VSS + 2.5 LSB V フルスケールトランジ ション電圧 VFST VCC − 4.5 LSB VCC − 2 LSB VCC + 0.5 LSB V 0.9 ⎯ 16500 µs 4.5 V ≦ VCC ≦ 5.5 V 1.8 ⎯ 16500 µs 4.0 V ≦ VCC < 4.5 V 0.6 ⎯ ∞ µs 4.5 V ≦ Vcc ≦ 5.5 V, 外部インピーダンス < 5.4 kΩ の場合 1.2 ⎯ ∞ µs 4.0 V ≦ Vcc ≦ 4.5 V, 外部インピーダンス < 2.4 kΩ の場合 コンペア時間 サンプリング時間 ⎯ ⎯ アナログ入力電流 IAIN − 0.3 ⎯ + 0.3 µA アナログ入力電圧 VAIN VSS ⎯ VCC V DS07–12626–3 41 MB95220H シリーズ (2) A/D コンバータの注意事項 ・アナログ入力の外部インピーダンスとサンプリング時間について ・ MB95220HシリーズのA/Dコンバータはサンプルホールド付きのものです。外部インピーダンスが高くサンプリング時 間を十分に確保できない場合には , 内部サンプルホールド用コンデンサに十分にアナログ電圧が充電されず , A/D 変換 精度に影響を及ぼします。したがって , A/D 変換精度規格を満たすために , 外部インピーダンスと最小サンプリング時 間の関係から , サンプリング時間を最小値より長くなるようにレジスタ値と動作周波数を調整するか , 外部インピーダ ンスを下げてご使用ください。また , サンプリング時間を十分に確保できない場合は , アナログ入力端子に 0.1 µF 程度 のコンデンサを接続してください。 ・アナログ入力等価回路 アナログ入力 コンパレータ R C サンプリング時 :ON 4.5 V ≦ VCC ≦ 5.5 V : R ≈1.95 kΩ ( 最大 ), C ≈17 pF ( 最大 ) 4.0 V ≦ VCC < 4.5 V : R ≈8.98 kΩ ( 最大 ), C ≈17 pF ( 最大 ) (注意事項)数値は参考値です。 ・外部インピーダンスと最小サンプリング時間の関係 [ 外部インピーダンス= 0 kΩ ∼ 20 kΩ の場合 ] 100 20 90 18 外部インピーダンス [kΩ] 外部インピーダンス [kΩ] [ 外部インピーダンス= 0 kΩ ∼ 100 kΩ の場合 ] 80 70 60 (VCC > = 4.5 V) 50 (VCC > = 4.0 V) 40 30 20 10 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 14 12 (VCC > = 4.5 V) 10 (VCC > = 4.0 V) 8 6 4 2 0 0 最小サンプリング時間 [μs] 1 2 3 4 最小サンプリング時間 [μs] ・A/D 変換誤差について |VCC − VSS| が小さくなるに従って , A/D 変換の誤差は大きくなります。 42 DS07–12626–3 MB95220H シリーズ (3) A/D コンバータの用語の定義 ・ 分解能 A/D コンバータにより識別可能なアナログ変化を示します。 10 ビットなら , アナログ電圧を 210 = 1024 の部分に分解可能です。 ・ 直線性誤差 ( 単位:LSB) デバイスのゼロトランジション点 (“00 0000 0000” ← → “00 0000 0001”) と , 同じデバイスのフルスケールトランジション点 (“11 1111 1111” ← → “11 1111 1110”) とを 結んだ直線と , 実際の変換値との誤差がどの程度かを示します。 ・ 微分直線性誤差 ( 単位:LSB) 出力コードを 1LSB 変化させるのに必要な入力電圧の理想値からの偏差がどの程度かを示します。 ・ 総合誤差 ( 単位:LSB) 実際の値と理論値との差を示し , ゼロトランジション誤差 / フルスケールトランジション誤差 / 直線性誤差 / 量子誤差 および雑音に起因する誤差です。 理想入出力特性 3FF 総合誤差 3FF VFST 3FE 2.0 LSB 3FD 004 VOT 003 デジタル出力 デジタル出力 3FE 実際の変換特性 3FD {1 LSB x (N-1) + 0.5 LSB} 004 VNT 003 1 LSB 002 実際の変換特性 002 理想特性 001 001 0.5 LSB VSS VCC VSS アナログ入力 1 LSB = VCC − VSS 1024 VCC アナログ入力 (V) VNT − {1 LSB × (N − 1) + 0.5 LSB} デジタル出力 = [LSB] N の総合誤差 1 LSB N :A/D コンバータデジタル出力値 VNT :デジタル出力が (N − 1) から N に遷移する電圧 (続く) DS07–12626–3 43 MB95220H シリーズ (続き) フルスケールトランジション誤差 ゼロトランジション誤差 理想特性 004 実際の変換特性 3FF 実際の変換特性 デジタル出力 デジタル出力 003 002 実際の変換特性 理想特性 3FE VFST ( 実測値 ) 3FD 001 実際の変換特性 3FC VOT ( 実測値 ) VSS VCC VSS アナログ入力 微分直線性誤差 直線性誤差 理想特性 実際の変換特性 3FF N+1 3FE {1 LSB x N + VOT} VFST ( 実測値 ) VNT 004 実際の変換特性 デジタル出力 実際の変換特性 3FD デジタル出力 VCC アナログ入力 V(N+1)T N VNT N-1 003 理想特性 002 実際の変換特性 N-2 001 VOT ( 実測値 ) VSS VCC VSS アナログ入力 デジタル出力 N の直線性誤差 = VCC アナログ入力 VNT − {1 LSB × N + VOT} 1 LSB デジタル出力 N の微分直線性誤差 = V (N + 1) T − VNT −1 1 LSB N : A/D コンバータデジタル出力値 VNT:デジタル出力が (N − 1) から N に遷移する電圧 VOT ( 理想値 ) = Vss + 0.5 LSB [V] VFST ( 理想値 ) = Vcc − 2.0 LSB [V] 44 DS07–12626–3 MB95220H シリーズ 6. フラッシュメモリ書込み / 消去特性 項目 規格値 単位 備考 15*2 s 内部での消去前書込み時間は除きます。 32 3600 µs システムレベルのオーバヘッド時間は 除きます。 9.5 10 10.5 V 消去 / 書込み時には PF2 端子に消去 / 書込み電圧を印加する必要があります。 PF2 端子上の高電圧値 ⎯ ⎯ 5.0 mA 消去 / 書込みサイクル ⎯ 100000 ⎯ cycle 消去 / 書込み時の電源電圧 3.0 ⎯ 5.5 V ⎯ ⎯ year 最小 標準 最大 チップ消去時間 ⎯ 1*1 バイト書込み時間 ⎯ 消去 / 書込み電圧 フラッシュメモリデータ保持時間 3 20* フラッシュメモリへのデータ書込み / 消去動作中の PF2 端子の消費電流 平均 TA =+ 85 °C * 1:TA =+ 25 °C, VCC = 5.0 V, 100000 サイクル * 2:TA =+ 85 °C, VCC = 4.5 V, 100000 サイクル * 3:テクノロジ信頼性評価結果からの換算値です ( アレニウスの式を使用し , 高温加速試験結果を平均温度 + 85 °C へ 換算しています ) 。 DS07–12626–3 45 MB95220H シリーズ ■ 特性例 ・電源電流特性・温度特性 ICC - VCC TA=+25°C, FMP=2, 4, 8, 10, 16 MHz (2分周) メインクロックモード,外部クロック動作時 ICC - TA VCC=5.5 V, FMP=10, 16 MHz (2分周) メインクロックモード, 外部クロック動作時 20 20 15 15 FMP=16 MHz 10 FMP=10 MHz FMP=8 MHz 5 ICC[mA] ICC[mA] FMP=16 MHz 0 2 3 4 5 6 -50 7 0 +50 +100 +150 VCC[V] TA[°C] ICCS - VCC TA=+25°C, FMP=2, 4, 8, 10, 16 MHz (2分周) メインスリープモード,外部クロック動作時 ICCS - TA VCC=5.5 V, FMP=10, 16 MHz (2分周) メインスリープモード, 外部クロック動作時 20 20 15 15 ICCS[mA] ICCS[mA] FMP=10 MHz 5 FMP=4 MHz FMP=2 MHz 0 10 FMP=16 MHz FMP=10 MHz FMP=8 MHz FMP=4 MHz FMP=2 MHz 5 0 2 3 4 5 6 10 FMP=16 MHz 5 FMP=10 MHz 0 -50 7 0 +50 +100 +150 VCC[V] TA[°C] ICCL - VCC TA=+25°C, FMPL=16 kHz (2分周) サブクロックモード,外部クロック動作時 ICCL - TA VCC=5.5 V, FMPL=16 kHz (2分周) サブクロックモード,外部クロック動作時 100 100 75 75 ICCL[µA] ICCL[µA] 10 50 50 25 25 0 0 2 3 4 5 VCC[V] 6 7 -50 0 +50 +100 +150 TA[°C] (続く) 46 DS07–12626–3 MB95220H シリーズ ICCLS - VCC TA=+25°C, FMPL=16 kHz (2分周) サブスリープモード, 外部クロック動作時 ICCLS - TA VCC=5.5 V, FMPL=16 kHz (2分周) サブスリープモード, 外部クロック動作時 75 75 ICCLS[µA] 100 ICCLS[µA] 100 50 50 25 25 0 0 2 3 4 5 6 -50 7 0 100 100 75 75 ICCT[µA] ICCT[µA] +100 +150 ICCT - TA V=5.5 V, FMPL=16 kHz (2分周) クロックモード,外部クロック動作時 ICCT - VCC TA=+25°C, FMPL=16 kHz (2分周) クロックモード, 外部クロック動作時 50 25 50 25 0 0 2 3 4 5 6 7 -50 0 VCC[V] +50 +100 +150 TA[°C] ICTS - VCC TA=+25°C, FMP=2, 4, 8, 10, 16 MHz (2分周) タイムベースタイマモード,外部クロック動作時 ICTS - TA V=5.5 V, FMP=10, 16 MHz (2分周) タイムベースタイマモード,外部クロック動作時 2.0 2.0 1.5 1.5 1.0 FMP=16 MHz 0.5 FMP=10 MHz FMP=8 MHz ICTS[mA] ICTS[mA] +50 TA[°C] VCC[V] FMP=16 MHz 1.0 FMP=10 MHz 0.5 FMP=4 MHz FMP=2 MHz 0.0 0.0 2 3 4 5 VCC[V] 6 7 -50 0 +50 +100 +150 TA[°C] (続く) DS07–12626–3 47 MB95220H シリーズ (続き) ICCH - TA V=5.5 V, FMPL=(停止) サブストップモード,外部クロック停止時 20 20 15 15 ICCH[µA] ICCH[µA] ICCH - VCC TA=+25°C, FMPL=(停止) サブストップモード,外部クロック停止時 10 10 5 5 0 0 2 3 4 5 6 7 -50 0 VCC[V] ICCMCR - VCC TA=+25°C, FMP=1, 8, 10 MHz (分周なし) メインクロックモード,内部メインCRクロック動作時 20 20 15 15 10 FMP=10 MHz FMP=8 MHz +150 10 FMP=10 MHz FMP=8 MHz 5 5 FMP=1 MHz FMP=1 MHz 0 0 2 3 4 5 6 7 -50 0 +50 VCC[V] +100 +150 TA[°C] 200 200 150 150 FMPL=50 kHz 100 ICCSCR[µA] ICCSCR - TA VCC=5.5 V, FMPL=50 kHz (2分周) サブクロックモード,内部サブCRクロック動作時 ICCSCR[µA] ICCSCR - VCC TA=+25°C, FMPL=50 kHz (2分周) サブクロックモード,内部サブCRクロック動作時 50 FMPL=50 kHz 100 50 0 0 2 3 4 5 VCC[V] 48 +100 ICCMCR - TA V=5.5 V, FMPL=1, 8, 10 MHz (分周なし) メインクロックモード,内部メインCRクロック動作時 ICCMCR[mA] ICCMCR[mA] +50 TA[°C] 6 7 -50 0 +50 +100 +150 TA[°C] DS07–12626–3 MB95220H シリーズ ・入力電圧特性 VIHS - VCC および VILS - VCC TA=+25°C 5 5 4 4 VIHI 3 VIHS/VILS[V] VIHI/VILI[V] VIHI - VCC および VILI - VCC TA=+25°C VILI 2 1 VIHS 3 VILS 2 1 0 0 2 3 4 5 6 7 2 3 VCC[V] 4 5 6 7 VCC[V] VIHM - VCC および VILM - VCC TA=+25°C 5 VIHM/VILM[V] 4 3 VIHM VILM 2 1 0 2 3 4 5 6 7 VCC[V] DS07–12626–3 49 MB95220H シリーズ ・出力電圧特性 (VCC-VOH2) - IOH TA=+25°C (VCC-VOH1) - IOH TA=+25°C 1.0 1.0 0.8 VCC-VOH2[V] VCC-VOH1[V] 0.8 0.6 0.4 0.6 0.4 0.2 0.2 0.0 0.0 0 -2 -4 -6 -8 0 -10 -2 -4 -10 VOL2 - IOL TA=+25°C 1.0 1.0 0.8 0.8 0.6 0.6 VOL2[V] VOL1[V] -8 VCC=2.4 V VCC=2.7 V VCC=3.5 V VCC=4.5 V VCC=5.0 V VCC=5.5 V VOL1 - IOL TA=+25°C 0.4 0.2 0.4 0.2 0.0 0.0 0 50 -6 IOH[mA] IOH[mA] VCC=2.4 V VCC=2.7 V VCC=3.5 V VCC=4.5 V VCC=5.0 V VCC=5.5 V 2 4 6 8 10 0 2 4 6 IOL[mA] IOL[mA] VCC=2.4 V VCC=2.7 V VCC=3.5 V VCC=4.5 V VCC=5.0 V VCC=5.5 V VCC=2.4 V VCC=2.7 V VCC=3.5 V VCC=4.5 V VCC=5.0 V VCC=5.5 V 8 10 12 DS07–12626–3 MB95220H シリーズ ・プルアップ特性 RPULL - VCC TA=+25°C 250 RPULL[kΩ] 200 150 100 50 0 2 3 4 5 6 VCC[V] DS07–12626–3 51 MB95220H シリーズ ■ マスクオプション No. 52 品種名 MB95F222H MB95F223H MB95F222K MB95F223K 選択可/不可 選択不可 選択不可 1 低電圧検出リセット ・ 低電圧検出リセットあり ・ 低電圧検出リセットなし 低電圧検出リセットなし 低電圧検出リセットあり 2 リセット ・ 専用のリセット入力あり ・ 専用のリセット入力なし 専用のリセット入力あり 専用のリセット入力なし DS07–12626–3 MB95220H シリーズ ■ オーダ型格 品種名 パッケージ MB95F222HPH-G-SNE2 MB95F222KPH-G-SNE2 MB95F223HPH-G-SNE2 MB95F223KPH-G-SNE2 プラスチック・DIP, 16 ピン (DIP-16P-M06) MB95F222HPF-G-SNE1 MB95F222KPF-G-SNE1 MB95F223HPF-G-SNE1 MB95F223KPF-G-SNE1 プラスチック・SOP, 16 ピン (FPT-16P-M06) DS07–12626–3 53 MB95220H シリーズ ■ パッケージ・外形寸法図 プラスチック・DIP, 16ピン リードピッチ 2.54 mm 封止方法 プラスチックモールド (DIP-16P-M06) プラスチック・DIP, 16ピン (DIP-16P-M06) 19.55 .770 +0.20 –0.30 +.008 –.012 INDEX 6.35±0.25 (.250±.010) 7.62(.300) TYP. 0.50(.020) MIN 4.36(.172)MAX 0.25±0.05 (.010±.002) 3.00(.118)MIN 1.52 –0 MAX .060 –0 +.012 +0.30 0.99 –0 +.012 .039 –0 C +0.30 1.27(.050) 0.46±0.08 (.018±.003) 2.54(.100) TYP. 2006-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED D16125S-c-1-3 15° MAX 単位:mm(inches) 注意:括弧内の値は参考値です。 最新の外形寸法図については , 下記 URL にてご確認ください。 http://edevice.fujitsu.com/package/jp-search/ (続く) 54 DS07–12626–3 MB95220H シリーズ (続き) プラスチック・SOP, 16ピン (FPT-16P-M06) プラスチック・SOP, 16ピン (FPT-16P-M06) +0.25 リードピッチ 1.27 mm パッケージ幅× パッケージ長さ 5.3 × 10.15 mm リード形状 ガルウィング 封止方法 プラスチックモールド 取付け高さ 2.25 mm MAX 質量 0.20 g コード(参考) P-SOP16-5.3×10.15-1.27 注1)*1印寸法はレジン残りを含む。 注2)*2印寸法はレジン残りを含まず。 注3)端子幅および端子厚さはメッキ厚を含む。 注4)端子幅はタイバ切断残りを含まず。 +.010 +0.03 *110.15 –0.20 .400 –.008 0.17 –0.04 +.001 16 .007 –.002 9 *2 5.30±0.30 7.80±0.40 (.209±.012) (.307±.016) INDEX Details of "A" part +0.25 2.00 –0.15 +.010 .079 –.006 1 "A" 8 1.27(.050) 0.47±0.08 (.019±.003) 0.13(.005) (Mounting height) 0.25(.010) 0~8° M 0.50±0.20 (.020±.008) 0.60±0.15 (.024±.006) +0.10 0.10 –0.05 +.004 .004 –.002 (Stand off) 0.10(.004) C 2002-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F16015S-c-4-9 単位:mm(inches) 注意:括弧内の値は参考値です。 最新の外形寸法図については , 下記 URL にてご確認ください。 http://edevice.fujitsu.com/package/jp-search/ DS07–12626–3 55 MB95220H シリーズ ■ 本版での主な変更内容 ページ 20 場所 ■ 電気的特性 変更箇所 「入力電圧」の項目を変更 1. 絶対最大定格 3. 直流規格 23 PF2 端子の “H” レベル入力電圧の規格値を訂正 VCC + 0.3 → 10.5 オープンドレイン出力印加電圧の最大値を訂正 0.2Vcc → Vss + 5.5 25 注釈文に *3 を追加 27 4. 交流規格 (1) クロックタイミング メインクロック入力ポート外部接続図に HCLK1/HCLK2 の図を追加 29 (2) ソースクロック / マシンクロック 動作電圧 - 動作周波数 ( オンチップデバッグ機能あり ) のグラフを訂正 ( 動作電圧の傾きを修正 ) 30 (3) 外部リセット 表中備考欄に「電源投入の場合」を追加 6. フラッシュメモリ書込み / 消去特性 「PF2 端子上の高電圧値」の行を追加 45 消去 / 書込み時の電源電圧の規格値 ( 最小 ) を訂正 4.5 → 3.0 変更箇所は , 本文中のページ左側の|によって示しています。 56 DS07–12626–3 MB95220H シリーズ MEMO DS07–12626–3 57 MB95220H シリーズ MEMO 58 DS07–12626–3 MB95220H シリーズ MEMO DS07–12626–3 59 MB95220H シリーズ 富士通セミコンダクター株式会社 〒 222-0033 神奈川県横浜市港北区新横浜 2-10-23 野村不動産新横浜ビル http://jp.fujitsu.com/fsl/ 電子デバイス製品に関するお問い合わせ先 0120-198-610 受付時間 : 平日 9 時∼ 17 時 ( 土・日・祝日 , 年末年始を除きます ) 携帯電話・PHS からもお問い合わせができます。 ※電話番号はお間違えのないよう , お確かめのうえおかけください。 本資料の記載内容は , 予告なしに変更することがありますので , ご用命の際は営業部門にご確認ください。 本資料に記載された動作概要や応用回路例は , 半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので , 実際に使用する機器での動作を保証するも のではありません。従いまして , これらを使用するにあたってはお客様の責任において機器の設計を行ってください。これらの使用に起因する損害な どについては , 当社はその責任を負いません。 本資料に記載された動作概要・回路図を含む技術情報は , 当社もしくは第三者の特許権 , 著作権等の知的財産権やその他の権利の使用権または実施 権の許諾を意味するものではありません。また , これらの使用について , 第三者の知的財産権やその他の権利の実施ができることの保証を行うもので はありません。したがって , これらの使用に起因する第三者の知的財産権やその他の権利の侵害について , 当社はその責任を負いません。 本資料に記載された製品は , 通常の産業用 , 一般事務用 , パーソナル用 , 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造されてい ます。極めて高度な安全性が要求され , 仮に当該安全性が確保されない場合 , 社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危険性を 伴う用途(原子力施設における核反応制御 , 航空機自動飛行制御 , 航空交通管制 , 大量輸送システムにおける運行制御 , 生命維持のための医療機器 , 兵 器システムにおけるミサイル発射制御をいう), ならびに極めて高い信頼性が要求される用途(海底中継器 , 宇宙衛星をいう)に使用されるよう設計・ 製造されたものではありません。したがって , これらの用途にご使用をお考えのお客様は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。ご相談なく使用 されたことにより発生した損害などについては , 責任を負いかねますのでご了承ください。 半導体デバイスはある確率で故障が発生します。当社半導体デバイスが故障しても , 結果的に人身事故 , 火災事故 , 社会的な損害を生じさせないよ う , お客様は , 装置の冗長設計 , 延焼対策設計 , 過電流防止対策設計 , 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。 本資料に記載された製品を輸出または提供する場合は , 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規等の規制をご確認の上 , 必要な手続き をおとりください。 本書に記載されている社名および製品名などの固有名詞は , 各社の商標または登録商標です。 編集 プロモーション推進部