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本ドキュメントはCypress (サイプレス) 製品に関する情報が記載されております。
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用されることを意図して設計・製造されています。(1) 極めて高度な安全性が要求され、仮に当該安全性が確保されない場合、社会的に重
大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危険性を伴う用途 (原子力施設における核反応制御, 航空機自動飛行制御, 航空交通管
制, 大量輸送システムにおける運行制御, 生命維持のための医療機器, 兵器システムにおけるミサイル発射制御等をいう) 、ならびに(2) 極
めて高い信頼性が要求される用途 (海底中継器, 宇宙衛星等をいう) に使用されるよう設計・製造されたものではありません。上記の製品
の使用法によって惹起されたいかなる請求または損害についても、Spansion は、お客様または第三者、あるいはその両方に対して責任を一
切負いません。半導体デバイスはある確率で故障が発生します。当社半導体デバイスが故障しても、結果的に人身事故, 火災事故, 社会的
な損害を生じさせないよう、お客様において、装置の冗長設計, 延焼対策設計, 過電流防止対策設計, 誤動作防止設計などの安全設計をお
願いします。本資料に記載された製品が、外国為替及び外国貿易法、米国輸出管理関連法規などの規制に基づき規制されている製品または
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せん。
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FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
DS709-00007-1v0-J
32-bit ARM® CortexTM-M4F based Microcontroller
MB9B360L シリーズ
MB9BF364K/L, MB9BF365K/L, MB9BF366K/L
 概要
MB9B360L シリーズは、高速処理と低コストを求める組込み制御用途向けに設計された、高集積
32 ビットマイクロコントローラです。
本シリーズは、CPU に ARM Cortex-M4F プロセッサを搭載し、フラッシュメモリおよび SRAM の
オンチップメモリとともに、周辺機能として、モータ制御用タイマ, A/D コンバータ, 各種通信
インタフェース(USB, UART, CSIO, I2C, LIN)により構成されます。
(注意事項) ・ARM is the registered trademark of ARM Limited in the EU and other countries.
・Cortex is the trademark of ARM Limited in the EU and other countries.
Copyright©2013 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED All rights reserved
2013.12
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
r1.0
MB9B360L シリーズ
 特長
・32 ビット ARM Cortex-M4F コア
・ プロセッサ版数 : r0p1
・ 最大動作周波数 : 160 MHz
・ FPU 搭載
・ DSP 命令対応
・ メモリ保護ユニット(MPU) : 組込みシステムの信頼性を向上させます。
・ ネスト型ベクタ割込みコントローラ(NVIC) : 1 チャネルの NMI(ノンマスカブル割込み)と
128 チャネルの周辺割込みに対応。16 の割込み優先度レベルを設定できます。
・ 24 ビットシステムタイマ(Sys Tick) : OS タスク管理用のシステムタイマです。
・オンチップメモリ
[フラッシュメモリ]
本シリーズは、2 つの独立したフラッシュメモリを搭載します。
・ メインフラッシュメモリ
・ 最大 512 K バイト
・ 16 K バイトのトレースバッファメモリを使用した、フラッシュメモリアクセラレータ機能を
内蔵
・ フラッシュメモリへのリードアクセスは、動作周波数 72 MHz までは 0 wait-cycle です。
72 MHz より大きい場合でも、フラッシュメモリアクセラレータ機能により、0 wait-cycle と
同等なアクセスを行えます。
・ コード保護用セキュリティ機能
・ ワークフラッシュメモリ
・ 32 K バイト
・ リードサイクル:
・ 6 wait-cycle 動作周波数が 120 MHz を超え、160 MHz 以下の場合
・ 4 wait-cycle 動作周波数が 72 MHz を超え、120 MHz 以下の場合
・ 2 wait-cycle 動作周波数が 40 MHz を超え、72 MHz 以下の場合
・ 0 wait-cycle 動作周波数が 40 MHz 以下の場合
・ セキュリティ機能はコード保護用セキュリティ機能と共有
[SRAM]
本シリーズのオンチップ SRAM は、3 つの独立した SRAM (SRAM0, SRAM1,SRAM2) により構成
されます。SRAM0 は、Cortex-M4F コアの I-Code バス, D-Code バスに接続します。SRAM1,SRAM2
は、Cortex-M4F コアの System バスに接続します。
・ SRAM0: 最大 32 K バイト
・ SRAM1: 最大 16 K バイト
・ SRAM2: 最大 16 K バイト
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FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
・USB インタフェース
USB インタフェースはファンクションとホストで構成されます。
[USB ファンクション]
・ USB2.0 Full-Speed 対応
・ 最大 6 本のエンドポイントをサポートします。
・ エンドポイント 0 はコントロール転送
・ エンドポイント 1, 2 はバルク転送, インタラプト転送, アイソクロナス転送を選択可能
・ エンドポイント 3~5 はバルク転送, インタラプト転送を選択可能
・ エンドポイント 1~5 はダブルバッファ構成
・ 各エンドポイントのサイズは下記のとおり
- エンドポイント 0, 2 ~ 5 : 64 バイト
- エンドポイント 1 : 256 バイト
[USB ホスト]
・ USB2.0 Full-Speed / Low-Speed 対応
・ バルク転送, インタラプト転送, アイソクロナス転送をサポート
・ USB デバイスの接続/切断の自動検出
・ IN/OUT トークン時のハンドシェークパケットの自動処理
・ 最大パケット長 256 バイトをサポート
・ ウェイクアップ機能をサポート
・マルチファンクションシリアルインタフェース(最大 6 チャネル)
・ 64 バイト FIFO あり(FIFO 段数は通信モード・ビット長の設定により可変)
・ チャネルごとに動作モードを次の中から選択できます。
・ UART
・ CSIO
・ LIN
・ I2 C
[UART]
・ 全二重ダブルバッファ
・ パリティあり/なし選択可能
・ 専用ボーレートジェネレータ内蔵
・ 外部クロックをシリアルクロックとして使用可能
・ ハードウェアフロー・コントロール : CTS/RTS による送受信自動制御(ch.4 のみ)
・ 豊富なエラー検出機能(パリティエラー, フレーミングエラー, オーバランエラー)
[CSIO]
・ 全二重ダブルバッファ
・ 専用ボーレートジェネレータ内蔵
・ オーバランエラー検出機能
・ シリアルチップセレクト機能(ch.6 のみ)
・ 高速 SPI 対応(ch.0, ch.6 のみ)
・ データ長 5~16 ビット
[LIN]
・ LIN プロトコル Rev.2.1 対応
・ 全二重ダブルバッファ
・ マスタ/スレーブモード対応
・ LIN break field 生成(13~16 ビット長に変更可能)
・ LIN break デリミタ生成(1~4 ビット長に変更可能)
・ 豊富なエラー検出機能(パリティエラー, フレーミングエラー, オーバランエラー)
2
[I C]
・ 標準モード(最大 100 kbps)/高速モード(最大 400 kbps)に対応
・ 高速モードプラス(Fm+) (最大 1000 kbps, ch.3=ch.A, ch.4=ch.B のみ)に対応
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3
r1.0
MB9B360L シリーズ
・DMA コントローラ(8 チャネル)
DMA コントローラは、CPU とは独立した DMA 専用バスを持ち、CPU と並列動作できます。
・ 8 つを独自に構成かつ動作可能なチャネル
・ ソフトウェア要求または内蔵周辺機能要求による転送開始可能
・ 転送アドレス空間:32 ビット(4 G バイト)
・ 転送モード : ブロック転送/ バースト転送/ デマンド転送
・ 転送データタイプ : バイト/ ハーフワード/ ワード
・ 転送ブロック数 : 1~16
・ 転送回数 : 1~65536
・DSTC (Descriptor System data Transfer Controller) (128 チャネル)
DSTC は、CPU を介さずにデータを高速に転送できます。Descriptor システム方式を採用しており、
あらかじめメモリ上に構築された Descriptor の指定内容に従って、メモリ/Peripheral デバイスに直
接アクセスを行い、データ転送動作を実行できます。
ソフトウェア起動, ハードウェア起動, Chain 起動機能サポート
・A/D コンバータ(最大 15 チャネル)
[12 ビット A/D コンバータ]
・ 逐次比較型
・ 2 ユニット搭載
・ 変換時間 : 0.5μs @5V
・ 優先変換可能(2 レベルの優先度)
・ スキャン変換モード
・ 変換データ格納用 FIFO 搭載(スキャン変換用 : 16 段, 優先変換用 : 4 段)
・DA コンバータ(最大 2 チャネル)
・ R-2R 型
・ 12 ビット分解能
・ベースタイマ(最大 8 チャネル)
チャネルごとに動作モードを次の中から選択できます。
・ 16 ビット PWM タイマ
・ 16 ビット PPG タイマ
・ 16/32 ビットリロードタイマ
・ 16/32 ビット PWC タイマ
・汎用 I/O ポート
本シリーズは、端子が外部バスまたは周辺機能に使用されていない場合、汎用 I/O ポートとして
使用できます。また、どの I/O ポートに周辺機能を割り当てるかを設定できるポートリロケート
機能を搭載しています。
・ 端子ごとにプルアップ制御可能
・ 端子レベルを直接読出し可能
・ ポートリロケート機能
・ 最大 48 本の高速汎用 I/O [email protected] Package
・ 一部のポートは、5V トレラントに対応
該当する端子については「端子機能一覧」と「入出力回路形式」を参照してください。
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DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
・多機能タイマ(最大 2 ユニット)
多機能タイマは、次のブロックで構成されます。
最小分解能: 6.25ns
・ 16 ビットフリーランタイマ×3 チャネル / ユニット
・ インプットキャプチャ×4 チャネル / ユニット
・ アウトプットコンペア×6 チャネル / ユニット
・ A/D 起動コンペア×6 チャネル / ユニット
・ 波形ジェネレータ×3 チャネル / ユニット
・ 16 ビット PPG タイマ×3 チャネル / ユニット
モータ制御を実現するために次の機能を用意しています。
・ PWM 信号出力機能
・ DC チョッパ波形出力機能
・ デッドタイマ機能
・ インプットキャプチャ機能
・ A/D コンバータ起動機能
・ DTIF(モータ緊急停止)割込み機能
・リアルタイムクロック(RTC : Real Time Clock)
01 年~99 年までの年/月/日/時/分/秒/曜日のカウントを行います。
・ 日時指定(年/月/日/時/分/秒/曜日)での割込み機能、年/月/日/時/分だけの個別設定も可能
・ 設定時間後/設定時間ごとのタイマ割込み機能
・ カウントを継続して時刻書換え可能
・ うるう年の自動カウント
・クアッドカウンタ (QPRC : Quadrature Position/Revolution Counter) (1 チャネル)
クアッドカウンタ(QPRC)は、ポジションエンコーダの位置を測定するために使います。また、
設定によりアップダウンカウンタとしても使用できます。
・ 3 つの外部イベント入力端子 AIN, BIN, ZIN の検出エッジを設定可能
・ 16 ビット位置カウンタ
・ 16 ビット回転カウンタ
・ 2 つの 16 ビットコンペアレジスタ
・デュアルタイマ(32/16 ビットダウンカウンタ)
デュアルタイマは、2 つのプログラム可能な 32/16 ビットダウンカウンタで構成されます。
各タイマチャネルの動作モードを次の中から選択できます。
・ フリーランモード
・ 周期モード(=リロードモード)
・ ワンショットモード
・時計カウンタ
時計カウンタは低消費電力モードからのウェイクアップに使用します。クロックソースはメイン
クロック/サブクロック/内蔵高速 CR クロック/内蔵低速 CR クロックから選択可能です。
インターバルタイマ : 最大 [email protected](32.768 kHz)
・外部割込み制御ユニット
・ 外部割込み入力端子 : 最大 16 本
・ ノンマスカブル割込み(NMI)入力端子 : 1 本
DS709-00007-1v0-J
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5
r1.0
MB9B360L シリーズ
・ウォッチドッグタイマ(2 チャネル)
ウォッチドッグタイマは、タイムアウト値に達すると割込みまたはリセットを発生します。
本シリーズには、"ハードウェア"ウォッチドッグと"ソフトウェア"ウォッチドッグの 2 つの異な
るウォッチドッグがあります。
"ハードウェア"ウォッチドッグタイマは内蔵低速 CR 発振で動作するため、STOP 以外のすべての
低消費電力モードで動作します。
・CRC (Cyclic Redundancy Check)アクセラレータ
CRC アクセラレータは、ソフト処理負荷の高い CRC 計算を行い、受信データおよびストレージ
の整合性確認処理負荷の軽減を実現します。
CCITT CRC16 と IEEE-802.3 CRC32 をサポートします。
・ CCITT CRC16 Generator Polynomial: 0x1021
・ IEEE-802.3 CRC32 Generator Polynomial: 0x04C11DB7
・クロック/リセット
[クロック]
5 種類のクロックソース(2 種類の外部発振, 2 種類の内蔵 CR 発振, メイン PLL)から選択できます。
・ メインクロック
・ サブクロック
・ 内蔵高速 CR クロック
・ 内蔵低速 CR クロック
・ メイン PLL クロック
: 4 MHz~48 MHz
: 32.768 kHz
: 4 MHz
: 100 kHz
[リセット]
・ INITX 端子からのリセット要求
・ 電源投入リセット
・ ソフトウェアリセット
・ ウォッチドッグタイマリセット
・ 低電圧検出リセット
・ クロックスーパバイザリセット
・クロック監視機能(CSV : Clock Super Visor)
内蔵 CR 発振による生成クロックを用いて外部クロックの異常を監視します。
・ 外部クロック異常(クロック停止)が検出されると、リセットがアサートされます。
・ 外部周波数異常が検出されると、割込みまたはリセットがアサートされます。
・低電圧検出機能(LVD : Low-Voltage Detect)
本シリーズは、2 段階で VCC の電圧を監視します。設定した電圧より VCC 端子の電圧が下がっ
た場合、低電圧検出機能により割込みまたはリセットが発生します。
・ LVD1 : 割込みによりエラーを報告
・ LVD2 : オートリセット動作
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DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
・低消費電力モード
6 種類の低消費電力モードに対応します。
・ スリープ
・ タイマ
・RTC
・ ストップ
・ディープスタンバイ RTC(RAM 保持あり・なし選択可能)
・ディープスタンバイストップ(RAM 保持あり・なし選択可能)
・VBAT
RTC(カレンダ回路)/32 kHz 発振回路に独立した電源を供給する端子を使って、RTC 動作時の消費
電力を低減できます。これには以下の回路が含まれます。
・ RTC
・ 32 kHz 発振回路
・ パワーオン回路
・ バックアップレジスタ: 32 バイト
・ ポート回路
・デバッグ
シリアル・ワイヤ JTAG デバッグ・ポート (SWJ-DP)
・ユニーク ID
41 ビットのデバイス固有の値を設定済
・電源
3 種類の電源
・ワイドレンジ電圧対応 : VCC
= 2.7V~5.5V
・USB I/O 用電源
: USBVCC = 3.0V~3.6V(USB 使用時)
= 2.7V~5.5V(GPIO 使用時)
・VBAT 用電源
: VBAT
= 2.7V~5.5V
DS709-00007-1v0-J
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7
r1.0
MB9B360L シリーズ
 品種構成
・メモリサイズ
品種名
メインフラッシュメモリ
ワークフラッシュメモリ
オンチップ SRAM
SRAM0
SRAM1
SRAM2
MB9BF364K/L
MB9BF365K/L
MB9BF366K/L
256 K バイト
32 K バイト
32 K バイト
16 K バイト
8 K バイト
8 K バイト
384 K バイト
32 K バイト
48 K バイト
24 K バイト
12 K バイト
12 K バイト
512 K バイト
32 K バイト
64 K バイト
32 K バイト
16 K バイト
16 K バイト
8
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DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
・ファンクション
MB9BF364K
MB9BF365K
MB9BF366K
品種名
端子数
CPU
周波数
電源電圧範囲
USB2.0 (Function/Host)
DMAC
DSTC
マルチファンクションシリアル
(UART/CSIO/LIN/I2C)
ベースタイマ
(PWC/リロードタイマ/PWM/PPG)
A/D 起動コンペア
6ch.
多
4ch.
機 インプットキャプチャ
3ch.
能 フリーランタイマ
タ アウトプットコンペア
6ch.
イ
3ch.
マ 波形ジェネレータ
PPG
3ch.
クアッドカウンタ
デュアルタイマ
リアルタイムクロック
時計カウンタ
CRC アクセラレータ
ウォッチドッグタイマ
外部割込み
I/O ポート
12 ビット A/D コンバータ
MB9BF364L
MB9BF365L
MB9BF366L
48
64
Cortex-M4F, MPU, NVIC 128ch.
160 MHz
2.7V~5.5V
1ch.
8ch.
128ch.
6ch. (最大)
6ch. (最大)
(ch.1 は I2C のみ使用可能)
8ch. (最大)
1 unit
2 unit (最大)
1ch.
1 unit
1 unit
1 unit
Yes
1ch. (SW) + 1ch. (HW)
15pin (最大) + NMI × 1
16pin (最大) + NMI × 1
33pin (最大)
48pin (最大)
8ch. (2 unit)
15ch. (2 unit)
12 ビット D/A コンバータ
2 unit (最大)
クロック監視機能(CSV)
Yes
低電圧検出機能(LVD)
2ch.
高速
4 MHz (±2%)
内蔵 CR
低速
100 kHz (標準)
デバッグ機能
SWJ-DP
ユニーク ID
Yes
(注意事項) 各製品に搭載される周辺機能の信号は、パッケージの端子数制限により、すべて割り当
てることはできません。ご使用される機能に応じて、I/O ポートのポートリロケート機能
を用いて、端子を割り当ててください。
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
9
r1.0
MB9B360L シリーズ
 パッケージと品種対応
品種名
パッケージ
LQFP: FPT-64P-M39 (0.65mm pitch)
LQFP: FPT-64P-M38 (0.5mm pitch)
LQFP: FPT-48P-M49 (0.5mm pitch)
QFN: LCC-64P-M24 (0.5mm pitch)
QFN: LCC-48P-M73 (0.5mm pitch)
MB9BF364K
MB9BF365K
MB9BF366K
MB9BF364L
MB9BF365L
MB9BF366L



-
-
-

-

 : 対応
(注意事項) 各パッケージの詳細は「パッケージ・外形寸法図」を参照してください。
10
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
 端子配列図
・ FPT-64P-M38/M39
VSS
P81/UDP0
P80/UDM0
USBVCC
P60/SCK1_1/NMIX/WKUP0/IC01_2
P61/AN14/ADTG_5/SOT1_1/INT15_1/UHCONX0/IC00_2
P62/AN13/SIN1_1/TIOB3_1/INT14_1
P63/AN12/SIN0_1/TIOA3_1/INT13_1/ADTG_4
P64/AN11/SOT0_1/TIOB2_1/INT12_1
P65/AN10/SCK0_1/TIOA2_1/INT11_1/RTCCO_0/SUBOUT_0
P66/AN09/INT10_1/IC13_0/CROUT_1
P00/TRSTX
P01/TCK/SWCLK
P02/TDI
P03/TMS/SWDIO
P04/TDO/SWO
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
(TOP VIEW)
VCC
1
48 P26/AN08/SIN1_0/INT09_1/IC12_0
P50/AIN0_0/INT00_0/TIOA0_0/CTS4_0
2
47 P25/AN07/SOT1_0/INT08_1/IC11_0/CROUT_0
P51/BIN0_0/INT01_0/TIOB0_0/RTS4_0
3
46 P24/AN06/SCK1_0/INT07_1/IC10_0
P52/IC00_0/ZIN0_0/INT02_0/TIOA1_0/SIN4_0
4
45 P23/AN05/SCK0_0/TIOB1_1/INT06_1/DTTI1X_0
P53/IC01_0/INT03_0/TIOB1_0/SOT4_0
5
44 P22/AN04/SOT0_0/TIOA1_1/INT05_1/FRCK1_0
P54/IC02_0/INT04_0/TIOA2_0/SCK4_0
6
43 P21/AN03/ADTG_3/SIN0_0/TIOB0_1/INT04_1/RTO15_0
P55/IC03_0/INT05_0/TIOB2_0/SIN3_0
7
P56/FRCK0_0/INT06_0/TIOA3_0/SOT3_0
8
P57/DTTI0X_0/INT07_0/TIOB3_0/SCK3_0/ADTG_0
9
40 AVSS
42 AVRH
LQFP - 64
41 AVRL
31
32
VSS
28
PE0/MD1
30
27
P41/TIOB7_0/INT15_0/ADTG_1/WKUP3
PE3/X1
26
P40/TIOA7_0/INT14_0
29
25
MD0
24
VCC
PE2/X0
23
C
33 VCC
VSS
34 P10/DA0/TIOA4_1/INT00_1/AIN0_2/RTO10_0/IC03_1
16
22
15
VSS
INITX
P35/WKUP2/RTO05_0/INT13_0/TIOB6_0/SCK4_1
21
35 P11/DA1/ADTG_2/SCS6_0/TIOB4_1/INT01_1/BIN0_2/RTO11_0/IC02_1
P49/VWAKEUP
14
20
36 P12/AN00/SCK6_0/TIOA7_1/INT02_1/ZIN0_2/RTO12_0/IC01_1
P34/RTO04_0/INT12_0/TIOA6_0/SOT4_1
P48/VREGCTL
13
19
37 P13/AN01/SOT6_0/TIOB7_1/RTO13_0/IC00_1
P33/RTO03_0/INT11_0/TIOB5_0/SIN4_1
18
12
17
38 P20/AN02/SIN6_0/TIOA0_1/INT03_1/RTO14_0/RTCCO_1/SUBOUT_1/WKUP1
P32/RTO02_0/ZIN0_1/INT10_0/TIOA5_0/SCK2_0
VBAT
39 AVCC
11
P47/X1A
10
P46/X0A
P30/RTO00_0/AIN0_1/INT08_0/TIOA4_0/SIN2_0
P31/RTO01_0/BIN0_1/INT09_0/TIOB4_0/SOT2_0
<注意事項>
XXX_1, XXX_2 のように「_ (アンダバー)」がついている端子の、「_」以降の数字はリロケー
ションポート番号を示しています。
これらの端子は 1 つのチャネルに複数の機能があり、それぞれの機能ごとに端子名があります。
拡張ポート機能レジスタ(EPFR)によって利用する端子名を選択してください。
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
11
r5.0
MB9B360L シリーズ
・ LCC-64P-M24
VSS
P81/UDP0
P80/UDM0
USBVCC
P60/SCK1_1/NMIX/WKUP0/IC01_2
P61/AN14/ADTG_5/SOT1_1/INT15_1/UHCONX0/IC00_2
P62/AN13/SIN1_1/TIOB3_1/INT14_1
P63/AN12/SIN0_1/TIOA3_1/INT13_1/ADTG_4
P64/AN11/SOT0_1/TIOB2_1/INT12_1
P65/AN10/SCK0_1/TIOA2_1/INT11_1/RTCCO_0/SUBOUT_0
P66/AN09/INT10_1/IC13_0/CROUT_1
P00/TRSTX
P01/TCK/SWCLK
P02/TDI
P03/TMS/SWDIO
P04/TDO/SWO
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
(TOP VIEW)
VCC
1
48 P26/AN08/SIN1_0/INT09_1/IC12_0
P50/AIN0_0/INT00_0/TIOA0_0/CTS4_0
2
47 P25/AN07/SOT1_0/INT08_1/IC11_0/CROUT_0
P51/BIN0_0/INT01_0/TIOB0_0/RTS4_0
3
46 P24/AN06/SCK1_0/INT07_1/IC10_0
P52/IC00_0/ZIN0_0/INT02_0/TIOA1_0/SIN4_0
4
45 P23/AN05/SCK0_0/TIOB1_1/INT06_1/DTTI1X_0
P53/IC01_0/INT03_0/TIOB1_0/SOT4_0
5
44 P22/AN04/SOT0_0/TIOA1_1/INT05_1/FRCK1_0
P54/IC02_0/INT04_0/TIOA2_0/SCK4_0
6
43 P21/AN03/ADTG_3/SIN0_0/TIOB0_1/INT04_1/RTO15_0
P55/IC03_0/INT05_0/TIOB2_0/SIN3_0
7
P56/FRCK0_0/INT06_0/TIOA3_0/SOT3_0
8
P57/DTTI0X_0/INT07_0/TIOB3_0/SCK3_0/ADTG_0
9
42 AVRH
40 AVSS
P30/RTO00_0/AIN0_1/INT08_0/TIOA4_0/SIN2_0
10
39 AVCC
P31/RTO01_0/BIN0_1/INT09_0/TIOB4_0/SOT2_0
11
38 P20/AN02/SIN6_0/TIOA0_1/INT03_1/RTO14_0/RTCCO_1/SUBOUT_1/WKUP1
P32/RTO02_0/ZIN0_1/INT10_0/TIOA5_0/SCK2_0
12
37 P13/AN01/SOT6_0/TIOB7_1/RTO13_0/IC00_1
P33/RTO03_0/INT11_0/TIOB5_0/SIN4_1
13
36 P12/AN00/SCK6_0/TIOA7_1/INT02_1/ZIN0_2/RTO12_0/IC01_1
P34/RTO04_0/INT12_0/TIOA6_0/SOT4_1
14
35 P11/DA1/ADTG_2/SCS6_0/TIOB4_1/INT01_1/BIN0_2/RTO11_0/IC02_1
P35/WKUP2/RTO05_0/INT13_0/TIOB6_0/SCK4_1
15
34 P10/DA0/TIOA4_1/INT00_1/AIN0_2/RTO10_0/IC03_1
VSS
16
33 VCC
QFN - 64
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
P46/X0A
P47/X1A
VBAT
P48/VREGCTL
P49/VWAKEUP
INITX
C
VSS
VCC
P40/TIOA7_0/INT14_0
P41/TIOB7_0/INT15_0/ADTG_1/WKUP3
PE0/MD1
MD0
PE2/X0
PE3/X1
VSS
41 AVRL
<注意事項>
XXX_1, XXX_2 のように「_ (アンダバー)」がついている端子の、「_」以降の数字はリロケー
ションポート番号を示しています。
これらの端子は 1 つのチャネルに複数の機能があり、それぞれの機能ごとに端子名があります。
拡張ポート機能レジスタ(EPFR)によって利用する端子名を選択してください。
12
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r5.0
MB9B360L シリーズ
・FPT-48P-M49
VSS
P81/UDP0
P80/UDM0
USBVCC
P60/SCK1_1/NMIX/WKUP0/IC01_2
P61/AN14/ADTG_5/SOT1_1/INT15_1/UHCONX0/IC00_2
P66/AN09/INT10_1/CROUT_1
P00/TRSTX
P01/TCK/SWCLK
P02/TDI
P03/TMS/SWDIO
P04/TDO/SWO
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
(TOP VIEW)
VCC
1
36 P23/AN05/SCK0_0/TIOB1_1/INT06_1
P54/IC02_0/INT04_0/TIOA2_0
2
35 P22/AN04/SOT0_0/TIOA1_1/INT05_1
34 P21/AN03/ADTG_3/SIN0_0/TIOB0_1/INT04_1
P55/IC03_0/INT05_0/TIOB2_0/SIN3_0
3
P56/FRCK0_0/INT06_0/TIOA3_0/SOT3_0
4
33 AVRH
P57/DTTI0X_0/INT07_0/TIOB3_0/SCK3_0/ADTG_0
5
32 AVRL
P30/RTO00_0/AIN0_1/INT08_0/TIOA4_0/SIN2_0
6
P31/RTO01_0/BIN0_1/INT09_0/TIOB4_0/SOT2_0
7
31 AVSS
P32/RTO02_0/ZIN0_1/INT10_0/TIOA5_0/SCK2_0
8
29 P20/AN02/SIN6_0/TIOA0_1/INT03_1/RTCCO_1/SUBOUT_1/WKUP1
P33/RTO03_0/INT11_0/TIOB5_0/SIN4_1
9
28 P13/AN01/SOT6_0/TIOB7_1/IC00_1
P34/RTO04_0/INT12_0/TIOA6_0/SOT4_1
10
27 P12/AN00/SCK6_0/TIOA7_1/INT02_1/ZIN0_2/IC01_1
P35/WKUP2/RTO05_0/INT13_0/TIOB6_0/SCK4_1
11
26 P11/DA1/ADTG_2/SCS6_0/TIOB4_1/INT01_1/BIN0_2/IC02_1
VSS
12
25 P10/DA0/TIOA4_1/INIT00_1/AIN0_2/IC03_1
LQFP - 48
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
P46/X0A
P47/X1A
VBAT
INITX
C
VSS
VCC
PE0/MD1
MD0
PE2/X0
PE3/X1
VSS
30 AVCC
<注意事項>
XXX_1, XXX_2 のように「_ (アンダバー)」がついている端子の、「_」以降の数字はリロケー
ションポート番号を示しています。
これらの端子は 1 つのチャネルに複数の機能があり、それぞれの機能ごとに端子名があります。
拡張ポート機能レジスタ(EPFR)によって利用する端子名を選択してください。
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
13
r5.0
MB9B360L シリーズ
・LCC-48P-M73
VSS
P81/UDP0
P80/UDM0
USBVCC
P60/SCK1_1/NMIX/WKUP0/IC01_2
P61/AN14/ADTG_5/SOT1_1/INT15_1/UHCONX0/IC00_2
P66/AN09/INT10_1/CROUT_1
P00/TRSTX
P01/TCK/SWCLK
P02/TDI
P03/TMS/SWDIO
P04/TDO/SWO
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
(TOP VIEW)
VCC
1
36 P23/AN05/SCK0_0/TIOB1_1/INT06_1
P54/IC02_0/INT04_0/TIOA2_0
2
35 P22/AN04/SOT0_0/TIOA1_1/INT05_1
34 P21/AN03/ADTG_3/SIN0_0/TIOB0_1/INT04_1
P55/IC03_0/INT05_0/TIOB2_0/SIN3_0
3
P56/FRCK0_0/INT06_0/TIOA3_0/SOT3_0
4
33 AVRH
P57/DTTI0X_0/INT07_0/TIOB3_0/SCK3_0/ADTG_0
5
32 AVRL
P30/RTO00_0/AIN0_1/INT08_0/TIOA4_0/SIN2_0
6
P31/RTO01_0/BIN0_1/INT09_0/TIOB4_0/SOT2_0
7
31 AVSS
P32/RTO02_0/ZIN0_1/INT10_0/TIOA5_0/SCK2_0
8
29 P20/AN02/SIN6_0/TIOA0_1/INT03_1/RTCCO_1/SUBOUT_1/WKUP1
QFN - 48
30 AVCC
16
17
18
19
20
21
22
23
24
C
VSS
VCC
PE0/MD1
MD0
PE2/X0
PE3/X1
VSS
25 P10/DA0/TIOA4_1/INIT00_1/AIN0_2/IC03_1
INITX
12
15
26 P11/DA1/ADTG_2/SCS6_0/TIOB4_1/INT01_1/BIN0_2/IC02_1
VSS
VBAT
11
14
27 P12/AN00/SCK6_0/TIOA7_1/INT02_1/ZIN0_2/IC01_1
P35/WKUP2/RTO05_0/INT13_0/TIOB6_0/SCK4_1
13
28 P13/AN01/SOT6_0/TIOB7_1/IC00_1
P47/X1A
9
10
P46/X0A
P33/RTO03_0/INT11_0/TIOB5_0/SIN4_1
P34/RTO04_0/INT12_0/TIOA6_0/SOT4_1
<注意事項>
XXX_1, XXX_2 のように「_ (アンダバー)」がついている端子の、「_」以降の数字はリロケー
ションポート番号を示しています。
これらの端子は 1 つのチャネルに複数の機能があり、それぞれの機能ごとに端子名があります。
拡張ポート機能レジスタ(EPFR)によって利用する端子名を選択してください。
14
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r5.0
MB9B360L シリーズ
 端子機能一覧
 端子番号別
XXX_1, XXX_2 のように、「_(アンダバー)」がついている端子の、「_」以降の数字はリロケー
ションポート番号を示しています。
これらの端子は 1 つのチャネルに複数の機能があり、それぞれの機能ごとに端子名があります。
拡張ポート機能レジスタ(EPFR)によって利用する端子名を選択してください。
端子番号
LQFP64
QFN64
LQFP48
QFN48
端子名
1
1
2
-
3
-
4
-
5
-
VCC
P50
AIN0_0
INT00_0
TIOA0_0
CTS4_0
P51
BIN0_0
INT01_0
TIOB0_0
RTS4_0
P52
IC00_0
ZIN0_0
INT02_0
TIOA1_0
SIN4_0
P53
IC01_0
INT03_0
TIOB1_0
SOT4_0
(SDA4_0)
P54
IC02_0
INT04_0
TIOA2_0
SCK4_0
(SCL4_0)
P55
IC03_0
INT05_0
TIOB2_0
SIN3_0
P56
FRCK0_0
INT06_0
TIOA3_0
SOT3_0
(SDA3_0)
2
6
-
7
3
8
4
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
入出力
回路
形式
-
端子状態
形式
-
E
K
E
K
I
K
N
K
N
K
I
K
N
K
15
r5.0
MB9B360L シリーズ
端子番号
LQFP64
QFN64
LQFP48
QFN48
9
5
10
6
11
7
12
8
13
9
14
10
15
11
端子名
P57
DTTI0X_0
INT07_0
TIOB3_0
SCK3_0
(SCL3_0)
ADTG_0
P30
RTO00_0
AIN0_1
INT08_0
TIOA4_0
SIN2_0
P31
RTO01_0
BIN0_1
INT09_0
TIOB4_0
SOT2_0
(SDA2_0)
P32
RTO02_0
ZIN0_1
INT10_0
TIOA5_0
SCK2_0
(SCL2_0)
P33
RTO03_0
INT11_0
TIOB5_0
SIN4_1
P34
RTO04_0
INT12_0
TIOA6_0
SOT4_1
(SDA4_1)
P35
WKUP2
RTO05_0
INT13_0
TIOB6_0
SCK4_1
(SCL4_1)
16
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
入出力
回路
形式
端子状態
形式
N
K
G
K
G
K
G
K
G
K
G
K
G
Q
DS709-00007-1v0-J
r5.0
MB9B360L シリーズ
端子番号
LQFP64
QFN64
LQFP48
QFN48
端子名
16
12
17
13
18
14
19
15
20
-
21
-
22
23
24
25
16
17
18
19
26
-
27
-
28
20
29
21
30
22
31
23
32
33
24
-
VSS
P46
X0A
P47
X1A
VBAT
P48
VREGCTL
P49
VWAKEUP
INITX
C
VSS
VCC
P40
TIOA7_0
INT14_0
P41
TIOB7_0
INT15_0
ADTG_1
WKUP3
PE0
MD1
MD0
PE2
X0
PE3
X1
VSS
VCC
P10
DA0
TIOA4_1
INT00_1
AIN0_2
IC03_1
RTO10_0
P11
DA1
ADTG_2
SCS6_0
TIOB4_1
INT01_1
BIN0_2
IC02_1
RTO11_0
34
25
-
35
26
-
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
入出力
回路
形式
-
端子状態
形式
-
P
S
Q
T
O
U
O
U
B
-
C
-
E
K
E
Q
C
E
J
D
A
A
A
B
-
-
R
J
R
J
17
r5.0
MB9B360L シリーズ
端子番号
LQFP64
QFN64
36
LQFP48
QFN48
27
-
37
28
-
38
39
40
41
42
43
29
30
31
32
33
34
-
44
35
-
45
36
-
端子名
P12
AN00
SCK6_0
TIOA7_1
INT02_1
ZIN0_2
IC01_1
RTO12_0
P13
AN01
SOT6_0
(SDA6_0)
TIOB7_1
IC00_1
RTO13_0
P20
AN02
SIN6_0
TIOA0_1
INT03_1
RTCCO_1
SUBOUT_1
WKUP1
RTO14_0
AVCC
AVSS
AVRL
AVRH
P21
AN03
ADTG_3
SIN0_0
TIOB0_1
INT04_1
RTO15_0
P22
AN04
SOT0_0
(SDA0_0)
TIOA1_1
INT05_1
FRCK1_0
P23
AN05
SCK0_0
(SCL0_0)
TIOB1_1
INT06_1
DTTI1X_0
18
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
入出力
回路
形式
端子状態
形式
M
M
M
L
F
O
-
-
F
M
F
M
F
M
DS709-00007-1v0-J
r5.0
MB9B360L シリーズ
端子番号
LQFP64
QFN64
LQFP48
QFN48
46
-
47
-
48
-
49
37
50
38
51
39
52
40
53
41
54
42
-
55
-
56
-
端子名
P24
AN06
SCK1_0
(SCL1_0)
INT07_1
IC10_0
P25
AN07
SOT1_0
(SDA1_0)
INT08_1
IC11_0
CROUT_0
P26
AN08
SIN1_0
INT09_1
IC12_0
P04
TDO
SWO
P03
TMS
SWDIO
P02
TDI
P01
TCK
SWCLK
P00
TRSTX
P66
AN09
INT10_1
CROUT_1
IC13_0
P65
AN10
SCK0_1
(SCL0_1)
TIOA2_1
INT11_1
RTCCO_0
SUBOUT_0
P64
AN11
SOT0_1
(SDA0_1)
TIOB2_1
INT12_1
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
入出力
回路
形式
端子状態
形式
F
M
F
M
F
M
E
G
E
G
E
G
E
G
E
G
F
M
L
M
L
M
19
r5.0
MB9B360L シリーズ
端子番号
LQFP64
QFN64
LQFP48
QFN48
57
-
58
-
59
43
60
44
61
45
62
46
63
47
64
48
端子名
P63
AN12
SIN0_1
TIOA3_1
INT13_1
ADTG_4
P62
AN13
SIN1_1
TIOB3_1
INT14_1
P61
AN14
ADTG_5
SOT1_1
(SDA1_1)
INT15_1
UHCONX0
IC00_2
P60
SCK1_1
(SCK1_1)
NMIX
WKUP0
IC01_2
USBVCC
P80
UDM0
P81
UDP0
VSS
20
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
入出力
回路
形式
端子状態
形式
F
M
F
M
F
M
I
F
-
-
H
R
H
R
-
-
DS709-00007-1v0-J
r5.0
MB9B360L シリーズ
 端子機能別
XXX_1, XXX_2 のように、「_(アンダバー)」がついている端子の、「_」以降の数字はリロケー
ションポート番号を示しています。
端子
機能
ADC
ベース
タイマ
0
ベース
タイマ
1
ベース
タイマ
2
ベース
タイマ
3
ベース
タイマ
4
端子名
ADTG_0
ADTG_1
ADTG_2
ADTG_3
ADTG_4
ADTG_5
AN00
AN01
AN02
AN03
AN04
AN05
AN06
AN07
AN08
AN09
AN10
AN11
AN12
AN13
AN14
TIOA0_0
TIOA0_1
TIOB0_0
TIOB0_1
TIOA1_0
TIOA1_1
TIOB1_0
TIOB1_1
TIOA2_0
TIOA2_1
TIOB2_0
TIOB2_1
TIOA3_0
TIOA3_1
TIOB3_0
TIOB3_1
TIOA4_0
TIOA4_1
TIOB4_0
TIOB4_1
機能説明
A/D コンバータ外部トリガ入力端子
A/D コンバータアナログ入力端子。
ANxx は ADC ch.xx を示す。
ベースタイマ ch.0 の TIOA 端子
ベースタイマ ch.0 の TIOB 端子
ベースタイマ ch.1 の TIOA 端子
ベースタイマ ch.1 の TIOB 端子
ベースタイマ ch.2 の TIOA 端子
ベースタイマ ch.2 の TIOB 端子
ベースタイマ ch.3 の TIOA 端子
ベースタイマ ch.3 の TIOB 端子
ベースタイマ ch.4 の TIOA 端子
ベースタイマ ch.4 の TIOB 端子
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
端子番号
LQFP64
QFN64
LQFP48
QFN48
9
27
35
43
57
59
36
37
38
43
44
45
46
47
48
54
55
56
57
58
59
2
38
3
43
4
44
5
45
6
55
7
56
8
57
9
58
10
34
11
35
5
26
34
43
27
28
29
34
35
36
42
43
29
34
35
36
2
3
4
5
6
25
7
26
21
r5.0
MB9B360L シリーズ
端子
機能
ベース
タイマ
5
ベース
タイマ
6
ベース
タイマ
7
端子名
LQFP48
QFN48
ベースタイマ ch.5 の TIOA 端子
12
8
TIOB5_0
ベースタイマ ch.5 の TIOB 端子
13
9
TIOA6_0
ベースタイマ ch.6 の TIOA 端子
14
10
TIOB6_0
ベースタイマ ch.6 の TIOB 端子
15
11
ベースタイマ ch.7 の TIOA 端子
26
36
27
37
27
28
52
40
50
38
49
52
51
49
50
53
2
34
3
35
4
36
5
38
6
43
7
44
8
45
9
46
10
47
11
48
12
54
13
55
37
40
39
37
38
41
25
26
27
29
2
34
3
35
4
36
5
6
7
8
42
9
-
TIOA7_0
TIOA7_1
TIOB7_0
TIOB7_1
SWDIO
外部
割込み
端子番号
LQFP64
QFN64
TIOA5_0
SWCLK
デバッガ
機能説明
SWO
TCK
TDI
TDO
TMS
TRSTX
INT00_0
INT00_1
INT01_0
INT01_1
INT02_0
INT02_1
INT03_0
INT03_1
INT04_0
INT04_1
INT05_0
INT05_1
INT06_0
INT06_1
INT07_0
INT07_1
INT08_0
INT08_1
INT09_0
INT09_1
INT10_0
INT10_1
INT11_0
INT11_1
ベースタイマ ch.7 の TIOB 端子
シリアルワイヤデバッグインタフェース
クロック入力端子
シリアルワイヤデバッグインタフェース
データ入出力端子
シリアルワイヤビューワ出力端子
J-TAG テストクロック入力端子
J-TAG テストデータ入力端子
J-TAG デバッグデータ出力端子
J-TAG テストモード状態入出力端子
J-TAG テストリセット入力端子
外部割込み要求 00 の入力端子
外部割込み要求 01 の入力端子
外部割込み要求 02 の入力端子
外部割込み要求 03 の入力端子
外部割込み要求 04 の入力端子
外部割込み要求 05 の入力端子
外部割込み要求 06 の入力端子
外部割込み要求 07 の入力端子
外部割込み要求 08 の入力端子
外部割込み要求 09 の入力端子
外部割込み要求 10 の入力端子
外部割込み要求 11 の入力端子
22
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r5.0
MB9B360L シリーズ
端子
機能
外部
割込み
GPIO
端子名
INT12_0
INT12_1
INT13_0
INT13_1
INT14_0
INT14_1
INT15_0
INT15_1
NMIX
P00
P01
P02
P03
P04
P10
P11
P12
P13
P20
P21
P22
P23
P24
P25
P26
P30
P31
P32
P33
P34
P35
P40
P41
P46
P47
P48
P49
P50
P51
P52
P53
P54
P55
P56
P57
機能説明
外部割込み要求 12 の入力端子
外部割込み要求 13 の入力端子
外部割込み要求 14 の入力端子
外部割込み要求 15 の入力端子
ノンマスカブル割込み入力端子
汎用入出力ポート 0
汎用入出力ポート 1
汎用入出力ポート 2
汎用入出力ポート 3
汎用入出力ポート 4
汎用入出力ポート 5
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
端子番号
LQFP64
QFN64
LQFP48
QFN48
14
56
15
57
26
58
27
59
60
53
52
51
50
49
34
35
36
37
38
43
44
45
46
47
48
10
11
12
13
14
15
26
27
17
18
20
21
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
43
44
41
40
39
38
37
25
26
27
28
29
34
35
36
6
7
8
9
10
11
13
14
2
3
4
5
23
r5.0
MB9B360L シリーズ
端子
機能
GPIO
端子名
P60
P61
P62
P63
P64
P65
P66
P80
P81
PE0
PE2
PE3
SIN0_0
SIN0_1
SOT0_0
(SDA0_0)
マルチ
ファンク
ション
シリアル
0
マルチ
ファンク
ション
シリアル
1
SOT0_1
(SDA0_1)
機能説明
汎用入出力ポート 6
汎用入出力ポート 8
汎用入出力ポート E
マルチファンクションシリアルインタフェース
ch.0 の入力端子
マルチファンクションシリアルインタフェース
ch.0 の出力端子。UART/CSIO/LIN 端子(動作
モード 0~3)として使用するときは SOT0 とし
て、I2C 端子(動作モード 4)として使用するとき
は SDA0 として機能します。
SCK0_1
(SCL0_1)
マルチファンクションシリアルインタフェース
ch.0 のクロック I/O 端子。CSIO 端子(動作
モード 2)として使用するときは SCK0 として、
I2C 端子(動作モード 4)として使用するときは
SCL0 として機能します。
SIN1_0
SIN1_1
マルチファンクションシリアルインタフェース
ch.1 の入力端子
SOT1_0
(SDA1_0)
マルチファンクションシリアルインタフェース
ch.1 の出力端子。UART/CSIO/LIN 端子(動作
モード 0~3)として使用するときは SOT1 とし
て、I2C 端子(動作モード 4)として使用するとき
は SDA1 として機能します。
SCK0_0
(SCL0_0)
SOT1_1
(SDA1_1)
SCK1_0
(SCL1_0)
SCK1_1
(SCL1_1)
マルチファンクションシリアルインタフェース
ch.1 のクロック I/O 端子。CSIO 端子(動作
モード 2)として使用するときは SCK1 として、
I2C 端子(動作モード 4)として使用するときは
SCL1 として機能します。
24
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
端子番号
LQFP64
QFN48
LQFP48
QFN48
60
59
58
57
56
55
54
62
63
28
30
31
43
57
44
43
42
46
47
20
22
23
34
-
44
35
56
-
45
36
55
-
48
58
-
47
-
59
43
46
-
60
44
DS709-00007-1v0-J
r5.0
MB9B360L シリーズ
端子
機能
端子名
SIN2_0
マルチ
ファンク
ション
シリアル
2
SOT2_0
(SDA2_0)
SCK2_0
(SCL2_0)
SIN3_0
マルチ
ファンク
ション
シリアル
3
SOT3_0
(SDA3_0)
SCK3_0
(SCL3_0)
SIN4_0
SIN4_1
SOT4_0
(SDA4_0)
マルチ
ファンク
ション
シリアル
4
SOT4_1
(SDA4_1)
SCK4_0
(SCL4_0)
SCK4_1
(SCL4_1)
CTS4_0
RTS4_0
機能説明
マルチファンクションシリアルインタフェース
ch.2 の入力端子
マルチファンクションシリアルインタフェース
ch.2 の出力端子。UART/CSIO/LIN 端子(動作
モード 0~3)として使用するときは SOT2 とし
て、I2C 端子(動作モード 4)として使用するとき
は SDA2 として機能します。
マルチファンクションシリアルインタフェース
ch.2 のクロック I/O 端子。CSIO 端子(動作
モード 2)として使用するときは SCK2 として、
I2C 端子(動作モード 4)として使用するときは
SCL2 として機能します。
マルチファンクションシリアルインタフェース
ch.3 の入力端子
マルチファンクションシリアルインタフェース
ch.3 の出力端子。UART/CSIO/LIN 端子(動作
モード 0~3)として使用するときは SOT3 とし
て、I2C 端子(動作モード 4)として使用するとき
は SDA3 として機能します。
マルチファンクションシリアルインタフェース
ch.3 のクロック I/O 端子。CSIO 端子(動作
モード 2)として使用するときは SCK3 として、
I2C 端子(動作モード 4)として使用するときは
SCL3 として機能します。
マルチファンクションシリアルインタフェース
ch.4 の入力端子
マルチファンクションシリアルインタフェース
ch.4 の出力端子。UART/CSIO/LIN 端子(動作
モード 0~3)として使用するときは SOT4 とし
て、I2C 端子(動作モード 4)として使用するとき
は SDA4 として機能します。
マルチファンクションシリアルインタフェース
ch.4 のクロック I/O 端子。CSIO 端子(動作モー
ド 2)として使用するときは SCK4 として、I2C
端子(動作モード 4)として使用するときは SCL4
として機能します。
マルチファンクションシリアルインタフェース
ch.4 の CTS 入力端子
マルチファンクションシリアルインタフェース
ch.4 の RTS 出力端子
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
端子番号
LQFP64
QFN64
LQFP48
QFN48
10
6
11
7
12
8
7
3
8
4
9
5
4
13
9
5
-
14
10
6
-
15
11
2
-
3
-
25
r5.0
MB9B360L シリーズ
端子
機能
端子名
SIN6_0
マルチ
ファンク
ション
シリアル
6
SOT6_0
(SDA6_0)
SCK6_0
(SCL6_0)
SCS6_0
DTTI0X_0
FRCK0_0
IC00_0
IC00_1
IC00_2
IC01_0
IC01_1
IC01_2
IC02_0
IC02_1
IC03_0
IC03_1
多機能
タイマ
0
RTO00_0
(PPG00_0)
RTO01_0
(PPG00_0)
RTO02_0
(PPG02_0)
RTO03_0
(PPG02_0)
RTO04_0
(PPG04_0)
RTO05_0
(PPG04_0)
機能説明
マルチファンクションシリアルインタフェース
ch.6 の入力端子
マルチファンクションシリアルインタフェース
ch.6 の出力端子。UART/CSIO/LIN 端子(動作
モード 0~3)として使用するときは SOT6 とし
て、I2C 端子(動作モード 4)として使用するとき
は SDA6 として機能します。
マルチファンクションシリアルインタフェース
ch.6 のクロック I/O 端子。CSIO 端子(動作モー
ド 2)として使用するときは SCK6 として、I2C
端子(動作モード 4)として使用するときは SCL6
として機能します。
マルチファンクションシリアルインタフェース
ch.6 のシリアルチップセレクト端子
多機能タイマ 0 の RTO00~RTO05 出力を制御す
る波形ジェネレータの入力信号
16 ビットフリーランタイマ ch.0 の外部クロッ
ク入力端子
多機能タイマ 0 の 16 ビットインプットキャプ
チャの入力端子。
ICxx は、チャネル数を示します。
多機能タイマ 0 の波形ジェネレータ出力端子。
PPG0 出力モードで使用するときは、PPG00 と
して機能します。
多機能タイマ 0 の波形ジェネレータ出力端子。
PPG0 出力モードで使用するときは、PPG00 と
して機能します。
多機能タイマ 0 の波形ジェネレータ出力端子。
PPG0 出力モードで使用するときは、PPG02 と
して機能します。
多機能タイマ 0 の波形ジェネレータ出力端子。
PPG0 出力モードで使用するときは、PPG02 と
して機能します。
多機能タイマ 0 の波形ジェネレータ出力端子。
PPG0 出力モードで使用するときは、PPG04 と
して機能します。
多機能タイマ 0 の波形ジェネレータ出力端子。
PPG0 出力モードで使用するときは、PPG04 と
して機能します。
26
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
端子番号
LQFP64
QGN64
LQFP48
QFN48
38
29
37
28
36
27
35
26
9
5
8
4
4
37
59
5
36
60
6
35
7
34
28
43
27
44
2
26
3
25
10
6
11
7
12
8
13
9
14
10
15
11
DS709-00007-1v0-J
r5.0
MB9B360L シリーズ
端子
機能
端子名
DTTI1X_0
FRCK1_0
IC10_0
IC11_0
IC12_0
IC13_0
RTO10_0
(PPG10_0)
多機能
タイマ
1
RTO11_0
(PPG10_0)
RTO12_0
(PPG12_0)
RTO13_0
(PPG12_0)
RTO14_0
(PPG14_0)
RTO15_0
(PPG14_0)
クアッド
カウンタ
0
AIN0_0
AIN0_1
AIN0_2
BIN0_0
BIN0_1
BIN0_2
ZIN0_0
ZIN0_1
ZIN0_2
機能説明
多機能タイマ 1 の RTO10~RTO15 出力を制御す
る波形ジェネレータの入力信号
16 ビットフリーランタイマ ch.1 の外部クロッ
ク入力端子
多機能タイマ 1 の 16 ビットインプットキャプ
チャの入力端子。
ICxx は、チャネル数を示します。
多機能タイマ 1 の波形ジェネレータ出力端子。
PPG1 出力モードで使用するときは、PPG10 と
して機能します。
多機能タイマ 1 の波形ジェネレータ出力端子。
PPG1 出力モードで使用するときは、PPG10 と
して機能します。
多機能タイマ 1 の波形ジェネレータ出力端子。
PPG1 出力モードで使用するときは、PPG12 と
して機能します。
多機能タイマ 1 の波形ジェネレータ出力端子。
PPG1 出力モードで使用するときは、PPG12 と
して機能します。
多機能タイマ 1 の波形ジェネレータ出力端子。
PPG1 出力モードで使用するときは、PPG14 と
して機能します。
多機能タイマ 1 の波形ジェネレータ出力端子。
PPG1 出力モードで使用するときは、PPG14 と
して機能します。
QPRC ch.0 の AIN 入力端子
QPRC ch.0 の BIN 入力端子
QPRC ch.0 の ZIN 入力端子
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
端子番号
LQFP64
QGN64
LQFP48
QFN48
45
-
44
-
46
47
48
54
-
34
-
35
-
36
-
37
-
38
-
43
-
2
10
34
3
11
35
4
12
36
6
25
7
26
8
36
27
r5.0
MB9B360L シリーズ
端子
機能
リアル
タイム
クロック
USB
低消費
電力
DAC
VBAT
RESET
端子名
RTCCO_0
RTCCO_1
SUBOUT_0
SUBOUT_1
UDM0
UDP0
UHCONX0
WKUP0
WKUP1
WKUP2
WKUP3
DA0
DA1
VREGCTL
VWAKEUP
INITX
MD1
MODE
MD0
POWER
VCC
USBVCC
GND
VSS
CLOCK
X0
X1
X0A
X1A
CROUT_0
CROUT_1
Analog
POWER
VBAT
POWER
Analog
GND
C 端子
AVCC
AVRH
VBAT
AVSS
AVRL
C
機能説明
リアルタイムクロックの 0.5 秒パルス出力端子
サブクロック出力端子
USB ファンクション/ホストの D - 端子
USB ファンクション/ホストの D + 端子
USB 外部プルアップ制御端子
ディープスタンバイモード復帰信号入力端子 0
ディープスタンバイモード復帰信号入力端子 1
ディープスタンバイモード復帰信号入力端子 2
ディープスタンバイモード復帰信号入力端子 3
D/A コンバータ ch.0 のアナログ出力端子
D/A コンバータ ch.1 のアナログ出力端子
オンボードレギュレータ制御用端子
ハイバネーション状態からの復帰信号入力端子
外部リセット入力端子。
INITX=L のとき、リセットが有効。
モード 1 端子。
フラッシュメモリのシリアル書込み時は、
MD1=L を入力してください。
モード 0 端子。
通常動作時は、MD0=L を入力してください。
フラッシュメモリのシリアル書込み時は、
MD0=H を入力してください。
電源端子
USB I/O のための 3.3V 電源供給ポート
GND 端子
メインクロック(発振)入力端子
メインクロック(発振) I/O 端子
サブクロック(発振)入力端子
サブクロック(発振) I/O 端子
高速内蔵 CR 発振クロック出力ポート
A/D コンバータ, D/A コンバータのアナログ電
源端子
A/D コンバータのアナログ基準電圧入力端子
VBAT 電源端子バックアップ電源(電池など)や
システム電源からの供給
A/D コンバータ, D/A コンバータの GND 端子
A/D コンバータのアナログ基準電圧入力端子
電源安定化容量端子
28
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
端子番号
LQFP64
QGN64
LQFP48
QFN48
55
38
55
38
62
63
59
60
38
15
27
34
35
20
21
29
29
46
47
43
44
29
11
25
26
-
22
16
28
20
29
21
1
25
33
61
16
24
32
64
30
31
17
18
47
54
1
19
45
12
18
24
48
22
23
13
14
42
39
30
42
33
19
15
40
41
23
31
32
17
DS709-00007-1v0-J
r5.0
MB9B360L シリーズ
 入出力回路形式
分類
回路
備考
メイン発振/GPIO 切換え可能
A
P-ch
P-ch
X1
N-ch
R
Digital output
メイン発振機能選択時
・発振帰還抵抗 : 約 1 MΩ
・スタンバイ制御あり
GPIO 機能選択時
・CMOS レベル出力
・CMOS レベルヒステリシス
入力
Digital output
・プルアップ抵抗制御あり
・スタンバイ制御あり
・プルアップ抵抗 :
約 50 kΩ
Pull-up resistor control
・IOH = -4 mA, IOL = 4 mA
Digital input
Standby mode control
Clock input
Standby mode control
Digital input
Standby mode control
R
P-ch
P-ch
Digital output
N-ch
Digital output
X0
Pull-up resistor control
・CMOS レベルヒステリシス
入力
・プルアップ抵抗 :
約 50 kΩ
B
Pull-up resistor
Digital input
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
29
r1.0
MB9B360L シリーズ
分類
回路
備考
C
Digital input
・オープンドレイン出力
・CMOS レベルヒステリシス
入力
Digital output
N-ch
E
P-ch
Digital output
P-ch
・CMOS レベル出力
・CMOS レベルヒステリシス
入力
・プルアップ抵抗制御あり
・スタンバイ制御あり
・プルアップ抵抗 :
約 50 kΩ
・IOH = -4 mA, IOL = 4 mA
Digital output
N-ch
R
Pull-up resistor control
Digital input
Standby mode control
F
P-ch
Digital output
P-ch
Digital output
N-ch
・CMOS レベル出力
・CMOS レベルヒステリシス
入力
・入力制御あり
・アナログ入力
・プルアップ抵抗制御あり
・スタンバイ制御あり
・プルアップ抵抗 :
約 50 kΩ
・ IOH = -4 mA, IOL = 4 mA
・ I2C 端子として使用すると
き、デジタル出力 P-ch トラ
ンジスタは常にオフです。
Pull-up resistor control
R
Digital input
Standby mode control
Analog input
Input control
30
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
分類
回路
備考
G
P-ch
P-ch
Digital output
Digital output
N-ch
R
・CMOS レベル出力
・CMOS レベルヒステリシ
ス入力
・プルアップ抵抗制御あり
・スタンバイ制御あり
・プルアップ抵抗 :
約 50 kΩ
・ IOH = -12 mA, IOL = 12 mA
・ I2C 端子として使用すると
き、デジタル出力 P-ch ト
ランジスタは常にオフで
す。
Pull-up resistor
control
Digital input
Standby mode
control
USB IO/GPIO 切換え可能
H
GPIO Digital output
GPIO Digital input/output direction
GPIO Digital input
USB IO 機能選択時
高速, 低速制御
GPIO Digital input circuit control
UDP output
UDP/Pxx
USB Full-speed/Low-speed control
UDP input
Differential
UDM/Pxx
Differential input
USB/GPIO select
GPIO 機能選択時
・CMOS レベル出力
・CMOS レベルヒステリシ
ス入力
・スタンバイ制御あり
・IOH = -20.5 mA,
IOL = 18.5 mA
UDM input
UDM output
USB Digital input/output direction
GPIO Digital output
GPIO Digital input/output direction
GPIO Digital input
GPIO Digital input circuit control
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
31
r1.0
MB9B360L シリーズ
分類
回路
備考
I
P-ch
P-ch
N-ch
Digital output
Digital output
R
・CMOS レベル出力
・CMOS レベルヒステリシ
ス入力
・プルアップ抵抗制御あり
・5V トレラント
・スタンバイ制御あり
・IOH = -4 mA, IOL = 4 mA
・ PZR レジスタ制御可能
・ I2C 端子として使用すると
き、デジタル出力 P-ch ト
ランジスタは常にオフで
す。
Pull-up resistor
control
Digital input
Standby mode control
CMOS レベルヒステリシス
入力
J
Mode input
L
P-ch
P-ch
N-ch
R
Digital output
Digital output
・CMOS レベル出力
・CMOS レベルヒステリシ
ス入力
・プルアップ抵抗制御あり
・スタンバイ制御あり
・プルアップ抵抗 :
約 50 kΩ
・ IOH = -8 mA, IOL = 8 mA
・ I2C 端子として使用すると
き、デジタル出力 P-ch ト
ランジスタは常にオフで
す。
Pull-up resistor
control
Digital input
Standby mode
control
32
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
分類
回路
備考
M
P-ch
P-ch
N-ch
Digital output
Digital output
・CMOS レベル出力
・CMOS レベルヒステリシ
ス入力
・入力制御あり
・アナログ入力
・プルアップ抵抗制御あり
・スタンバイ制御あり
・プルアップ抵抗 :
約 50 kΩ
・ IOH = -8 mA, IOL = 8 mA
・ I2C 端子として使用すると
き、デジタル出力 P-ch ト
ランジスタは常にオフで
す。
Pull-up resistor
control
Digital input
R
Standby mode
control
Analog input
Input control
N
P-ch
P-ch
N-ch
N-ch
R
Pull-up resistor
control
Digital output
Digital output
Fast mode
control
・CMOS レベル出力
・CMOS レベルヒステリシ
ス入力
・プルアップ抵抗制御あり
・スタンバイ制御あり
・プルアップ抵抗 :
約 50 kΩ
・IOH = -4 mA, IOL = 4 mA
(GPIO)
・ IOL = 20 mA
(Fast Mode Plus)
・ I2C 端子として使用すると
き、デジタル出力 P-ch ト
ランジスタは常にオフで
す。
Digital input
Standby mode
control
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
33
r1.0
MB9B360L シリーズ
分類
回路
備考
O
P-ch
P-ch
N-ch
Pull-up resistor
control
Digital output
Digital output
・CMOS レベル出力
・CMOS レベルヒステリシ
ス入力
・5V トレラント
・プルアップ抵抗制御あり
・スタンバイ制御あり
・プルアップ抵抗 :
約 50 kΩ
・IOH = -4 mA, IOL = 4 mA
・IO の設定はペリフェラル
マニュアル『本編』の
『VBAT ドメイン』の章
を参照してください
R
Digital input
Standby mode
control
P
P-ch
P-ch
X0A
N-ch
Pull-up resistor
control
Digital output
Digital output
・CMOS レベル出力
・CMOS レベルヒステリシ
ス入力
・プルアップ抵抗制御あり
・スタンバイ制御あり
・プルアップ抵抗 :
約 50 kΩ
・IOH = -4 mA, IOL = 4 mA
・IO の設定はペリフェラル
マニュアル『本編』の
『VBAT ドメイン』の章
を参照してください
R
Digital input
Standby mode
control
OSC
34
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
分類
回路
備考
サブ発振/GPIO 切換え可能
Q
Pull-up resistor
control
Digital output
P-ch
P-ch
X1A
Digital output
N-ch
R
Digital input
Standby mode
control
OSC
サブ発振機能選択時
・発振帰還抵抗 : 約 10 MΩ
・スタンバイ制御あり
GPIO 機能選択時
・CMOS レベル出力
・CMOS レベルヒステリシ
ス入力
・プルアップ抵抗制御あり
・スタンバイ制御あり
・プルアップ抵抗 :
約 50 kΩ
・IOH = -4 mA, IOL = 4 mA
・IO の設定はペリフェラル
マニュアル『本編』の
『VBAT ドメイン』の章
を参照してください
RX
Standby mode
control
Clock input
R
P-ch
P-ch
N-ch
R
Digital output
Digital output
・CMOS レベル出力
・CMOS レベルヒステリシ
ス入力
・入力制御あり
・アナログ出力
・プルアップ抵抗制御あり
・スタンバイ制御あり
・プルアップ抵抗 :
約 50 kΩ
・IOH = -12 mA, IOL = 12 mA
(4.5V~5.5V)
・IOH = -8 mA, IOL = 8 mA
(2.7V~4.5V)
Pull-up resistor
control
Digital input
Standby mode
control
Analog output
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
35
r1.0
MB9B360L シリーズ
 取扱上のご注意
半導体デバイスは、ある確率で故障します。また、半導体デバイスの故障は、使用される条件(回
路条件, 環境条件など)によっても大きく左右されます。
以下に、半導体デバイスをより信頼性の高い状態で使用していただくために、注意・配慮しなけ
ればならない事項について説明します。
1.
設計上の注意事項
ここでは、半導体デバイスを使用して電子機器の設計を行う際に注意すべき事項について述べま
す。

絶対最大定格の遵守
半導体デバイスは、過剰なストレス (電圧, 電流, 温度など) が加わると破壊する可能性がありま
す。この限界値を定めたものが絶対最大定格です。従って、定格を一項目でも超えることのない
ようご注意ください。

推奨動作条件の遵守
推奨動作条件は、半導体デバイスの正常な動作を保証する条件です。電気的特性の規格値は、全
てこの条件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で使用してください。この条件を越え
て使用すると、信頼性に悪影響を及ぼすことがあります。
本資料に記載されていない項目, 使用条件, 論理組み合わせでの使用は、保証していません。記
載されている以外の条件での使用をお考えの場合は、必ず事前に営業部門までご相談ください。

端子の処理と保護
半導体デバイスには、電源および各種入出力端子があります。これらに対して以下の注意が必要
です。
(1) 過電圧・過電流の防止
各端子に最大定格を超える電圧・電流が印加されると、デバイスの内部に劣化が生じ、著し
い場合には破壊に至ります。機器の設計の際には、このような過電圧・過電流の発生を防止
してください。
(2) 出力端子の保護
出力端子を電源端子または他の出力端子とショートしたり、大きな容量負荷を接続すると大
電流が流れる場合があります。この状態が長時間続くとデバイスが劣化しますので、このよ
うな接続はしないようにしてください。
(3) 未使用入力端子の処理
インピーダンスの非常に高い入力端子は、オープン状態で使用すると動作が不安定になる場
合があります。適切な抵抗を介して電源端子やグランド端子に接続してください。

ラッチアップ
半導体デバイスは、基板上に P 型と N 型の領域を形成することにより構成されます。外部から異
常な電圧が加えられた場合、内部の寄生 PNPN 接合 (サイリスタ構造) が導通して、数百 mA を越
える大電流が電源端子に流れ続けることがあります。これをラッチアップと呼びます。この現象
が起きるとデバイスの信頼性を損ねるだけでなく、破壊に至り発熱・発煙・発火の恐れもありま
す。これを防止するために、以下の点にご注意ください。
(1) 最大定格以上の電圧が端子に加わることが無いようにしてください。異常なノイズ, サージ
等にも注意してください。
(2) 電源投入シーケンスを考慮し、異常な電流が流れないようにしてください。
管理番号: DS00-00004-2a
36
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r1.2
MB9B360L シリーズ

安全等の規制と規格の遵守
世界各国では、安全や、電磁妨害等の各種規制と規格が設けられています。お客様が機器を設計
するに際しては、これらの規制と規格に適合するようお願いします。

フェイル・セーフ設計
半導体デバイスは、ある確率で故障が発生します。半導体デバイスが故障しても、結果的に人身
事故, 火災事故, 社会的な損害を生じさせないよう、お客様は、装置の冗長設計, 延焼対策設計,
過電流防止設計, 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。

用途に関する注意
本資料に記載された製品は、通常の産業用, 一般事務用, パーソナル用, 家庭用などの一般的用途
に使用されることを意図して設計・製造されています。極めて高度な安全性が要求され、仮に当
該安全性が確保されない場合、社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危
険性を伴う用途 (原子力施設における核反応制御, 航空機自動飛行制御,航空交通管制, 大量輸送
システムにおける運行制御, 生命維持のための医療機器, 兵器システムにおけるミサイル発射制
御をいう), ならびに極めて高い信頼性が要求される用途 (海底中継器, 宇宙衛星をいう) に使用
されるよう設計・製造されたものではありません。当社は、これらの用途に当該製品が使用され
たことにより発生した損害などについては、責任を負いかねますのでご了承ください。
2.
パッケージ実装上の注意事項
パッケージには、リード挿入形と表面実装形があります。いずれの場合も、はんだ付け時の耐熱
性に関する品質保証は,当社の推奨する条件での実装に対してのみ適用されます。実装条件の詳細
については営業部門までお問い合わせください。

リード挿入形
リード挿入形パッケージのプリント板への実装方法は、プリント板へ直接はんだ付けする方法と
ソケットを使用してプリント板に実装する方法とがあります。
プリント板へ直接はんだ付けする場合は、プリント板のスルーホールにリード挿入後、噴流はん
だによるフローはんだ方法 (ウェーブソルダリング法) が一般的に使用されます。この場合、は
んだ付け実装時には、通常最大定格の保存温度を上回る熱ストレスがリード部分に加わります。
当社の実装推奨条件で実装してください。
ソケット実装方法でご使用になる場合、ソケットの接点の表面処理と IC のリードの表面処理が異
なるとき、長時間経過後、接触不良を起こすことがあります。このため、ソケットの接点の表面
処理と IC のリードの表面処理の状態を確認してから実装することをお勧めします。

表面実装形
表面実装形パッケージは、リード挿入形と比較して、リードが細く薄いため、リードが変形し易
い性質をもっています。また、パッケージの多ピン化に伴い、リードピッチも狭く、リード変形
によるオープン不良や、はんだブリッジによるショート不良が発生しやすいため、適切な実装技
術が必要となります。
当社ははんだリフロー方法を推奨し、製品ごとに実装条件のランク分類を実施しています。当社
推奨のランク分類に従って実装してください。

鉛フリーパッケージ
BGA パッケージの Sn-Ag-Cu 系ボール品を Sn-Pb 共晶はんだにて実装した場合、使用状況により
接合強度が低下することがありますのでご注意願います。
DS709-00007-1v0-J
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37
r1.2
MB9B360L シリーズ

半導体デバイスの保管について
プラスチックパッケージは樹脂でできているため、自然の環境に放置することにより吸湿します。
吸湿したパッケージに実装時の熱が加わった場合、界面剥離発生による耐湿性の低下やパッケー
ジクラックが発生することがあります。以下の点にご注意ください。
(1) 急激な温度変化のある所では製品に水分の結露が起こります。このような環境を避けて、温
度変化の少ない場所に保管してください。
(2) 製品の保管場所はドライボックスの使用を推奨します。相対湿度 70%RH 以下, 温度 5°C~
30°C で保管をお願いします。ドライパッケージを開封した場合には湿度 40%~70%RH を推奨
いたします。
(3) 当社では必要に応じて半導体デバイスの梱包材として防湿性の高いアルミラミネート袋を用
い、乾燥剤としてシリカゲルを使用しております。半導体デバイスはアルミラミネート袋に
入れて密封して保管してください。
(4) 腐食性ガスの発生する場所や塵埃の多い所は避けてください。

ベーキングについて
吸湿したパッケージはベーキング (加熱乾燥) を実施することにより除湿することが可能です。
ベーキングは、当社の推奨する条件で実施してください。
条件:125°C/24 時間

静電気
半導体デバイスは静電気による破壊を起こしやすいため、以下の点についてご注意ください。
(1) 作業環境の相対湿度は 40 % ~ 70%RH にしてください。
除電装置 (イオン発生装置) の使用なども必要に応じて検討してください。
(2) 使用するコンベア, 半田槽, 半田ゴテ, および周辺付帯設備は大地に接地してください。
(3) 人体の帯電防止のため、指輪または腕輪などから高抵抗 (1 MΩ 程度) で大地に接地したり、
導電性の衣服・靴を着用し、床に導電マットを敷くなど帯電電荷を最小限に保つようにして
ください。
(4) 治具, 計器類は, 接地または帯電防止化を実施してください。
(5) 組立完了基板の収納時、発泡スチロールなどの帯電し易い材料の使用は避けてください。
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DS709-00007-1v0-J
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MB9B360L シリーズ
3.
使用環境に関する注意事項
半導体デバイスの信頼性は、先に述べました周囲温度とそれ以外の環境条件にも依存します。ご
使用にあたっては、以下の点にご注意ください。
(1) 湿度環境
高湿度環境下での長期の使用は、デバイス自身だけでなくプリント基板等にもリーク性の不
具合が発生する場合があります。高湿度が想定される場合は、防湿処理を施す等の配慮をお
願いします。
(2) 静電気放電
半導体デバイスの直近に高電圧に帯電したものが存在すると、放電が発生し誤動作の原因と
なることがあります。
このような場合、帯電の防止または放電の防止の処置をお願いします。
(3) 腐食性ガス, 塵埃, 油
腐食性ガス雰囲気中や、塵埃, 油等がデバイスに付着した状態で使用すると、化学反応により
デバイスに悪影響を及ぼす場合があります。このような環境下でご使用の場合は、防止策に
ついてご検討ください。
(4) 放射線・宇宙線
一般のデバイスは、設計上、放射線, 宇宙線にさらされる環境を想定しておりません。した
がって、これらを遮蔽してご使用ください。
(5) 発煙・発火
樹脂モールド型のデバイスは、不燃性ではありません。発火物の近くでは、ご使用にならな
いでください。発煙・発火しますと、その際に毒性を持ったガスが発生する恐れがありま
す。
その他、特殊な環境下でのご使用をお考えの場合は、営業部門にご相談ください。
最新の取扱上のご注意については、下記の URL にてご確認ください。
http://edevice.fujitsu.com/jp/handling-j.pdf
DS709-00007-1v0-J
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39
r1.2
MB9B360L シリーズ
 デバイス使用上の注意
・ 電源端子について
VCC, VSS 端子が複数ある場合、デバイス設計上はラッチアップなどの誤動作を防止するために
デバイス内部で同電位にすべきものどうしを接続してありますが、不要輻射の低減・グランドレ
ベルの上昇によるストローブ信号の誤動作の防止・総出力電流規格を遵守などのために、必ずそ
れらすべてを外部で電源およびグランドに接続してください。また、電流供給源からできる限り
低インピーダンスで本デバイスの各電源端子と GND 端子に接続してください。
さらに、本デバイスの近くで各電源端子 と GND 端子の間に 0.1 μF 程度のセラミックコンデンサ
をバイパスコンデンサとして接続することを推奨します。
・ 電源端子について
電源電圧の変動が VCC の推奨動作条件内においても、急激な変化があると誤動作することがあり
ます。安定化の基準として VCC は、商用周波数 (50 Hz~60 Hz) におけるリプル変動(ピークピー
ク値) を推奨動作条件内の 10%以内にしてください。かつ電源切換えによる瞬間変動の過渡変動
率は 0.1 V/μs 以下にしてください。
・ 水晶発振回路について
X0/X1, X0A/X1A 端子の近辺のノイズは本デバイスの誤動作の原因となります。X0/X1, X0A/X1A
端子および水晶発振子さらにグランドへのバイパスコンデンサはできる限り近くに配置するよう
にプリント板を設計してください。
また、X0/X1, X0A/X1A 端子の周りをグランドで囲むようなプリント板アートワークは安定した
動作を期待できるため、強く推奨します。
実装基板にて、使用する水晶振動子の発振評価を実施してください。
・ サブクロック用水晶振動子について
本シリーズのサブクロック発振回路は消費電流を低く抑えた設計を行っており、増幅度が低い回
路となっています。安定した発振をさせるためサブクロック用水晶振動子には、以下の条件を満
たす水晶振動子の使用を推奨します。
・ 表面実装タイプ
サイズ :3.2 mm × 1.5 mm 以上
負荷容量:6 pF~7 pF 程度
・ リードタイプ
負荷容量: 6 pF~7 pF 程度
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DS709-00007-1v0-J
r1.2
MB9B360L シリーズ
・ 外部クロック使用時の注意
メインクロックの入力として外部クロックを使用する場合は、X0/X1 端子を外部クロック入力に
設定し、X0 端子にクロックを入力してください。X1(PE3)端子は汎用 I/O ポートとして使用でき
ます。
同様にサブクロックの入力として外部クロックを使用する場合は、X0A/X1A 端子を外部クロック
入力に設定し、X0A 端子にクロックを入力してください。X1A(P47)端子は汎用 I/O ポートとして
使用できます。
・外部クロック使用例
本デバイス
X0(X0A)
汎用 I/O ポートと
して使用可能
X1(PE3), X1A(P47)
外部クロック入力
に設定
・ マルチファンクションシリアル端子を I2C 端子として使用する場合の扱いについて
マルチファンクションシリアル端子を I2C 端子として使用する場合、デジタル出力 P-ch トランジ
スタは常にディセーブルです。しかし、I2C 端子もほかの端子と同様に、デバイスの電気的特性
を守り、電源をオフにしたまま外部 I2C バスシステムへ接続してはいけません。
・ C 端子について
本シリーズはレギュレータを内蔵しています。必ず C 端子と GND 端子の間にレギュレータ用の平
滑コンデンサ(CS)を接続してください。平滑コンデンサにはセラミックコンデンサまたは同程度
の周波数特性のコンデンサを使用してください。
なお、積層セラミックコンデンサは、温度による容量値の変化幅に特性(F 特性, Y5V 特性)を持つ
ものがあります。コンデンサの温度特性を確認し、使用条件において規格値を満たすコンデンサ
を使用してください。
本シリーズでは 4.7 μF 程度の平滑コンデンサを推奨します。
C
本デバイス
CS
VSS
GND
・ モード端子(MD0)について
モード端子(MD0)は VCC 端子または VSS 端子に直接接続してください。内蔵フラッシュメモリ書
換えなどの目的で、モード端子レベルを変更できるようにプルアップまたはプルダウンをする場
合には、ノイズによりデバイスが意図せずテストモードに入るのを防止するため、プルアップま
たはプルダウンに使用する抵抗値はできるだけ低く抑えると共に、モード端子から VCC 端子また
は VSS 端子への距離を最小にし、できるだけ低インピーダンスで接続するようにプリント基板を
設計してください。
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
41
r1.2
MB9B360L シリーズ
・ 電源投入時について
電源を投入/切断する際は同時か、あるいは次の順番で投入/切断を行ってください。
なお、A/D コンバータおよび D/A コンバータを使用しない場合でも、AVCC = VCC レベル,
AVSS = VSS レベルに接続してください。
投入時 : VBAT → VCC → USBVCC
VCC → AVCC → AVRH
切断時 : USBVCC → VCC → VBAT
AVRH → AVCC → VCC
・ シリアル通信について
シリアル通信においては、ノイズなどにより間違ったデータを受信する可能性があります。その
ため、ノイズを抑えるボードの設計をしてください。
また、万が一ノイズなどの影響により誤ったデータを受信した場合を考慮し、最後にデータの
チェックサムなどを付加してエラー検出を行ってください。エラーが検出された場合には、再送
を行うなどの処理をしてください。
・ メモリサイズの異なる製品間およびフラッシュメモリ製品と MASK 製品の特性差について
メモリサイズの異なる製品間およびフラッシュメモリ製品と MASK 製品ではチップレイアウトや
メモリ構造の違いにより消費電流や ESD, ラッチアップ, ノイズ特性, 発振特性等を含めた電気的
特性が異なります。
お客様にて同一シリーズの別製品に切り換えて使用する際は、電気的特性の評価を行ってくださ
い。
・ 5V トレラント I/O のプルアップ機能について
5V トレラント I/O のプルアップ機能使用時は VCC 電圧以上の信号を入力してはいけません。
・ デバッグ機能を兼用している端子について
TDO/TMS/TDI/TCK/TRSTX, SWO/SWDIO/SWCLK と兼用している端子は出力のみで使用してくだ
さい。入力として使用してはいけません。
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DS709-00007-1v0-J
r1.2
MB9B360L シリーズ
 ブロックダイヤグラム
MB9BF364K/L, F365K/L, F366K/L
TRSTX,TCK,
TDI,TMS
TDO
SRAM0
16/24/32 Kbytes
SWJ-DP
ROM
Table
SRAM1
8/12/16 Kbytes
Cortex-M4F Core I
@160 MHz(Max)
MPU NVIC
Multi-layer AHB (Max 160 MHz)
D
FPU
Sys
AHB-APB Bridge:
APB0(Max 80 MHz)
Dual-Timer
Watchdog Timer
(Software)
Clock Reset
Generator
INITX
Watchdog Timer
(Hardware)
SRAM2
8/12/16 Kbytes
MainFlash I/F
MainFlash
512 Kbytes/
384 Kbytes/
256 Kbytes
Trace Buffer
(16 Kbytes)
Security
WorkFlash
32 Kbytes
WorkFlash I/F
USB2.0
(Host/
Func)
CSV
PHY
USBVCC
UDP0,UDM0
UHCONX0
DMAC
8ch.
CLK
DSTC
X0A
X1A
Main
Osc
PLL
VBAT Domain
Sub
Osc
AHB-AHB Bridge
Source Clock
X0
X1
CR
100 kHz
CR
4 MHz
GPIO
PIN-FunctionCtrl
CROUT
ADTGx
TIOAx
TIOBx
AINx
BINx
ZINx
12-bit A/D Converter
Unit 0
Base Timer
16-bit 16ch./
32-bit 8ch.
QPRC
1ch.
A/D Activation Compare
6ch.
ICxx
FRCKx
USB Clock Ctrl
Unit 1
16-bit Input Capture
4ch.
16-bit Free-run Timer
3ch.
16-bit Output Compare
6ch.
DTTIxX
RTOxx
PLL
.
.
.
PEx
Power-On
Reset
LVD Ctrl
LVD
IRQ-Monitor
Regulator
C
CRC Accelerator
AHB-APB Bridge : APB2 (Max 80 MHz)
ANxx
AHB-APB Bridge : APB1 (Max 160 MHz)
AVCC,
AVSS,
AVRH
P0x,
P1x,
Waveform Generator
3ch.
16-bit PPG
3ch.
Multi-function Timer × 2
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
Watch Counter
Deep Standby Ctrl
WKUPx
Peripheral Clock Gating
Low-speed CR Prescaler
VBAT Domain
Real-Time Clock
Port Ctrl.
VWAKEUP
VREGCTL
RTCCO,
SUBOUT
External Interrupt
Controller
16pin + NMI
INTxx
NMIX
MODE-Ctrl
MD0,
MD1
Multi-function Serial I/F
6ch.
HW flow control(ch.4)
SCKx
SINx
SOTx
CTS4
RTS4
12-bit D/A Converter
2units
DAx
43
r1.0
MB9B360L シリーズ
 メモリサイズ
メモリサイズについては、
「品種構成」の「メモリサイズ」を参照してください。
 メモリマップ
 メモリマップ (1)
Peripherals Area
0x41FF_FFFF
Reserved
0x4007_0000
0x4006_F000
GPIO
Reserved
0xFFFF_FFFF
Reserved
0xE010_0000
0xE000_0000
Cortex-M4F Private
Peripherals
0x4006_2000
0x4006_1000
0x4006_0000
0x4005_0000
0x4004_0000
External Device
Area
0x6000_0000
Reserved
0x4400_0000
0x4200_0000
32 Mbytes
Bit band alias
Peripherals
0x4000_0000
Reserved
0x2400_0000
0x2200_0000
32 Mbytes
Bit band alias
Reserved
0x2010_0000
0x200E_0000
0x200C_0000
メモリサイズの 詳細は
次項の「●メモリマップ(2)」
を参照してください。
0x2004_4000
0x2004_0000
0x2003_C000
0x2000_0000
0x1FFF_8000
0x0050_0000
0x0040_0000
WorkFlash I/F
WorkFlash
Reserved
SRAM2
SRAM1
Reserved
SRAM0
Reserved
Security/CR Trim
MainFlash
0x0000_0000
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
Reserved
USB ch.0
Reserved
0x4003_C800
0x4003_C100 Peripheral Clock Gating
0x4003_C000 Low Speed CR Prescaler
0x4003_B000
RTC/Port Ctrl
0x4003_A000
Watch Counter
0x4003_9000
CRC
0x4003_8000
MFS
Reserved
0x4003_7000
0x4003_6000
USB Clock ctrl
0x4003_5000
LVD/DS mode
Reserved
0x4003_4000
0x4003_3000
D/AC
Reserved
0x4003_2000
0x4003_1000
Int-Req.Read
0x4003_0000
EXTI
0x4002_F000
Reserved
0x4002_E000
CR Trim
0x4002_8000
0x4002_7000
0x4002_6000
0x4002_5000
0x4002_4000
0x4002_2000
0x4002_1000
0x4002_0000
0x4001_6000
0x4001_5000
0x4001_3000
0x4001_2000
0x4001_1000
0x4001_0000
0x4000_1000
0x4000_0000
44
DSTC
DMAC
Reserved
A/DC
QPRC
Base Timer
PPG
Reserved
MFT Unit1
MFT Unit0
Reserved
Dual Timer
Reserved
SW WDT
HW WDT
Clock/Reset
Reserved
MainFlash I/F
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
 メモリマップ(2)
MB9BF366K/L
0x2008_0000
MB9BF365K/L
0x2008_0000
Reserved
0x200C_8000
0x200C_0000
0x2008_0000
Reserved
0x200C_8000
WorkFlash
32 Kbytes
MB9BF364K/L
0x200C_0000
Reserved
Reserved
0x200C_8000
WorkFlash
32 Kbytes
0x200C_0000
Reserved
0x2004_4000
WorkFlash
32 Kbytes
Reserved
0x2004_3000
SRAM2
16 Kbytes
0x2004_0000
0x2004_0000
SRAM1
16 Kbytes
0x2003_D000
SRAM2
12 Kbytes
SRAM1
12 Kbytes
0x2004_2000
0x2004_0000
0x2003_E000
SRAM2
8 Kbytes
SRAM1
8 Kbytes
0x2003_C000
0x2000_0000
0x2000_0000
SRAM0
32 Kbytes
Reserved
Reserved
Reserved
0x1FFF_A000
0x2000_0000
SRAM0
24 Kbytes
0x1FFF_C000
SRAM0
16 Kbytes
0x1FFF_8000
0x0050_0000
0x0040_2000
0x0040_0000
0x0050_0000
CR trimming
Security
Reserved
Reserved
Reserved
0x0040_2000
0x0040_0000
0x0050_0000
CR trimming
Security
0x0040_2000
0x0040_0000
CR trimming
Security
Reserved
Reserved
0x0008_0000
Reserved
0x0006_0000
MainFlash
512 Kbytes
0x0000_0000
0x0004_0000
MainFlash
384 Kbytes
0x0000_0000
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
MainFlash
256 Kbytes
0x0000_0000
45
r1.0
MB9B360L シリーズ
 ペリフェラル・アドレスマップ
スタート
アドレス
エンド
アドレス
0x4000_0000
0x4000_1000
0x4001_0000
0x4001_1000
0x4001_2000
0x4001_3000
0x4001_5000
0x4001_6000
0x4002_0000
0x4002_1000
0x4002_2000
0x4002_4000
0x4002_5000
0x4002_6000
0x4002_7000
0x4002_8000
0x4002_E000
0x4002_F000
0x4003_0000
0x4003_1000
0x4003_2000
0x4003_3000
0x4003_4000
0x4003_5000
0x4003_5800
0x4003_6000
0x4003_7000
0x4003_8000
0x4003_9000
0x4003_A000
0x4003_B000
0x4003_C000
0x4003_C100
0x4003_C800
0x4004_0000
0x4005_0000
0x4006_0000
0x4006_1000
0x4006_2000
0x4006_F000
0x4006_7000
0x200E_0000
0x4000_0FFF
0x4000_FFFF
0x4001_0FFF
0x4001_1FFF
0x4001_2FFF
0x4001_4FFF
0x4001_5FFF
0x4001_FFFF
0x4002_0FFF
0x4002_1FFF
0x4003_FFFF
0x4002_4FFF
0x4002_5FFF
0x4002_6FFF
0x4002_7FFF
0x4002_DFFF
0x4002_EFFF
0x4002_FFFF
0x4003_0FFF
0x4003_1FFF
0x4003_4FFF
0x4003_3FFF
0x4003_4FFF
0x4003_57FF
0x4003_5FFF
0x4003_6FFF
0x4003_7FFF
0x4003_8FFF
0x4003_9FFF
0x4003_AFFF
0x4003_BFFF
0x4003_C0FF
0x4003_C7FF
0x4003_FFFF
0x4004_FFFF
0x4005_FFFF
0x4006_0FFF
0x4006_1FFF
0x4006_EFFF
0x4006_FFFF
0x41FF_FFFF
0x200E_FFFF
バス
AHB
APB0
APB1
APB2
AHB
46
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
周辺機能
MainFlash I/F レジスタ
予約
クロック・リセット制御
ハードウェアウォッチドッグタイマ
ソフトウェアウォッチドッグタイマ
予約
デュアルタイマ
予約
多機能タイマ unit0
多機能タイマ unit1
予約
PPG
ベースタイマ
クアッドカウンタ
A/D コンバータ
予約
内蔵 CR トリミング
予約
外部割込み
割込み要因確認レジスタ
予約
D/A コンバータ
予約
低電圧検出
ディープスタンバイ制御部
USB クロック生成回路
予約
マルチファンクションシリアル
CRC
時計カウンタ
RTC/Port Ctrl
低速 CR 補正
周辺クロック停止
予約
USB ch.0
予約
DMAC レジスタ
DSTC レジスタ
予約
GPIO
予約
WorkFlash I/F レジスタ
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
 各 CPU ステートにおける端子状態
端子の状態として使用している語句は、以下の意味を持ちます。
・ INITX=0
INITX 端子が"L"レベルの期間です。
・ INITX=1
INITX 端子が"H"レベルの期間です。
・ SPL=0
スタンバイモードコントロールレジスタ(STB_CTL)のスタンバイ端子レベル設定ビット(SPL)
が"0"に設定された状態です。
・ SPL=1
スタンバイモードコントロールレジスタ(STB_CTL)のスタンバイ端子レベル設定ビット(SPL)
が"1"に設定された状態です。
・ 入力可
入力機能が使用可能な状態です。
・ 内部入力"0"固定
入力機能が使用できない状態です。内部入力は"L"に固定されます。
・ Hi-Z
端子駆動用トランジスタを駆動禁止状態にし、端子を Hi-Z にします。
・ 設定不可
設定できません。
・ 直前状態保持
本モードに遷移する直前の状態を保持します。
内蔵されている周辺機能が動作中であれば、その周辺機能にしたがいます。
ポートとして使用している場合は、その状態を保持します。
・ アナログ入力可
アナログ入力が許可されています。
・ トレース出力
トレース機能が使用可能な状態です。
・ GPIO 選択
ディープスタンバイモード時、汎用 I/O ポートに切り換わります。
・ 設定禁止
仕様制限により設定禁止です。
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
47
r1.0
MB9B360L シリーズ
・ 端子状態一覧表
端子
状態
形式
グループ
機能名
パワーオン
リセット
または
低電圧検出
状態
INITX
入力
状態
デバイス
内部
リセット
状態
ランモード
または
スリープ
モード
状態
タイマモード,
RTC モード
または
ストップモード
状態
電源安定
INITX=1
‐
電源安定
INITX=1
SPL=0
SPL=1
電源不安定
電源安定
‐
INITX=0
INITX=1
‐
‐
‐
A
B
ディープスタンバイ
ディープ
RTC モード
スタンバイ
または
モード
ディープスタンバイ
復帰直後
ストップモード
状態
状態
電源安定
INITX=1
SPL=0
SPL=1
GPIO 選択
Hi-Z/
Hi-Z/
内部入力 内部入力 内部入力
"0"固定
"0"固定
"0"固定
電源安定
INITX=1
-
GPIO 選択時
設定不可
設定不可
設定不可
直前状態
保持
直前状態
保持
メイン水晶
発振入力端子/
外部メイン
クロック入力
選択時
入力可
入力可
入力可
入力可
入力可
GPIO 選択時
設定不可
設定不可
設定不可
直前状態
保持
直前状態
保持
GPIO 選択
Hi-Z/
Hi-Z/
内部入力 内部入力 内部入力
"0"固定
"0"固定
"0"固定
GPIO 選択
外部メイン
クロック入力
選択時
設定不可
設定不可
設定不可
直前状態
保持
直前状態
保持
Hi-Z/
内部入力
"0"固定
直前状態
保持
Hi-Z/
内部入力
"0"固定
直前状態 直前状態 直前状態 直前状態 直前状態 直前状態
保持/
保持/
保持/
保持/
保持/
保持/
発振
発振
発振
発振
発振
発振
Hi-Z/
内部入力 停止時*1 は 停止時*1 は 停止時*1 は 停止時*1 は 停止時*1 は 停止時*1 は
"0"固定 Hi-Z/内部 Hi-Z/内部 Hi-Z/内部 Hi-Z/内部 Hi-Z/内部 Hi-Z/内部
入力
入力
入力
入力
入力
入力
"0"固定
"0"固定
"0"固定
"0"固定
"0"固定
"0"固定
メイン水晶
発振出力端子
C
INITX
入力端子
D
Hi-Z/
内部入力
"0"固定
または
入力可
入力可
入力可
入力可
直前状態
保持
Hi-Z/
内部入力
"0"固定
GPIO 選択
入力可
プルアップ/ プルアップ/ プルアップ/ プルアップ/ プルアップ/ プルアップ/ プルアップ/ プルアップ/ プルアップ/
入力可
入力可
入力可
入力可
入力可
入力可
入力可
入力可
入力可
モード
入力端子
入力可
入力可
入力可
入力可
入力可
入力可
入力可
入力可
入力可
モード
入力端子
入力可
入力可
入力可
入力可
入力可
入力可
入力可
入力可
入力可
GPIO 選択時
設定不可
設定不可
設定不可
直前状態
保持
直前状態
保持
Hi-Z/
入力可
GPIO 選択
Hi-Z/
入力可
GPIO 選択
E
48
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
端子
状態
形式
グループ
機能名
パワーオン
リセット
または
低電圧検出
状態
INITX
入力
状態
デバイス
内部
リセット
状態
ランモード
または
スリープ
モード
状態
タイマモード,
RTC モード
または
ストップモード
状態
電源安定
INITX=1
‐
電源安定
INITX=1
SPL=0
SPL=1
電源不安定
電源安定
‐
INITX=0
INITX=1
‐
‐
‐
NMIX 選択時
設定不可
設定不可
ディープスタンバイ
ディープ
RTC モード
スタンバイ
または
モード
ディープスタンバイ
復帰直後
ストップモード
状態
状態
電源安定
INITX=1
SPL=0
SPL=1
電源安定
INITX=1
-
直前状態
保持
設定不可
GPIO 選択
F
上記以外の
リソース選択時
Hi-Z
Hi-Z/
入力可
Hi-Z/
入力可
直前状態
直前状態
保持
保持
GPIO 選択時
JTAG
選択時
Hi-Z
直前状態
保持
プルアップ/ プルアップ/
入力可
入力可
直前状態
保持
G
GPIO 選択時
設定不可
設定不可
直前状態
保持
設定不可
アナログ出力
選択時
*2
設定不可
設定不可
直前状態
保持
J
上記以外の
リソース選択時
直前状態
保持
Hi-Z/
内部入力
"0"固定
設定不可
設定不可
設定不可
直前状態
保持
直前状態
保持
Hi-Z/
入力可
直前状態
保持
直前状態
保持
直前状態
保持
GPIO 選択
Hi-Z/
内部入力 内部入力
"0"固定
"0"固定
Hi-Z/
入力可
Hi-Z
直前状態
保持
直前状態
保持
GPIO 選択
*3
Hi-Z/
入力可
GPIO 選択時
K
WKUP
入力可
GPIO 選択
Hi-Z/
Hi-Z/
内部入力 内部入力 内部入力
"0"固定
"0"固定
"0"固定
Hi-Z
上記以外の
リソース選択時
WKUP
入力可
設定不可
外部割込み
許可選択時
外部割込み
許可選択時
Hi-Z/
内部入力
"0"固定
Hi-Z/
Hi-Z/
入力可
GPIO 選択時
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
直前状態
保持
Hi-Z/
内部入力
"0"固定
GPIO 選択
Hi-Z/
内部入力 内部入力
"0"固定
"0"固定
GPIO 選択
GPIO 選択
49
r1.0
MB9B360L シリーズ
端子
状態
形式
グループ
機能名
アナログ入力
選択時
パワーオン
リセット
または
低電圧検出
状態
ディープスタンバイ
ディープ
RTC モード
スタンバイ
または
モード
ディープスタンバイ
復帰直後
ストップモード
状態
状態
ランモード
または
スリープ
モード
状態
タイマモード,
RTC モード
または
ストップモード
状態
電源不安定
電源安定
‐
INITX=0
INITX=1
‐
‐
‐
電源安定
INITX=1
‐
電源安定
INITX=1
SPL=0
SPL=1
Hi-Z
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
設定不可
設定不可
設定不可
直前状態
保持
直前状態
保持
GPIO 選択
Hi-Z/
Hi-Z/
内部入力 内部入力 内部入力
"0"固定
"0"固定
"0"固定
GPIO 選択
Hi-Z
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
GPIO 選択
Hi-Z/
内部入力 内部入力
"0"固定
"0"固定
GPIO 選択
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
WKUP
入力可
WKUP
入力可
INITX
入力
状態
デバイス
内部
リセット
状態
電源安定
INITX=1
SPL=0
SPL=1
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
電源安定
INITX=1
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
L
上記以外の
リソース選択時
GPIO 選択時
アナログ入力
選択時
M
外部割込み
許可選択時
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
直前状態
保持
上記以外の
設定不可
リソース選択時
設定不可
設定不可
直前状態
保持
直前状態
保持
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定
GPIO 選択時
アナログ入力
選択時
Hi-Z
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
WKUP 許可時
設定不可
O
設定不可
直前状態
保持
設定不可
外部割込み
許可選択時
直前状態
保持
上記以外の
リソース選択時
Hi-Z
Hi-Z/
入力可
Hi-Z/
入力可
GPIO 選択時
50
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
直前状態
保持
Hi-Z/
内部入力
"0"固定
GPIO 選択
Hi-Z/
内部入力 内部入力
"0"固定
"0"固定
GPIO 選択
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
端子
状態
形式
グループ
機能名
パワーオン
リセット
または
低電圧検出
状態
電源不安定
アナログ入力
選択時
P
INITX
入力
状態
デバイス
内部
リセット
状態
タイマモード,
RTC モード
または
ストップモード
状態
電源安定
電源安定
電源安定
電源安定
INITX=1
INITX=1
INITX=1
電源安定
‐
INITX=0
INITX=1
INITX=1
‐
‐
‐
‐
SPL=0
SPL=1
SPL=0
SPL=1
-
Hi-Z
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
直前状態
保持
WKUP
入力可
Hi-Z/
WKUP
入力可
WKUP 許可時
上記以外の
設定不可
リソース選択時
設定不可
設定不可
直前状態
保持
直前状態
保持
GPIO 選択時
WKUP 許可時
設定不可
設定不可
直前状態
保持
Q
上記以外の
リソース選択時
Hi-Z
Hi-Z/
入力可
Hi-Z/
入力可
Hi-Z
Hi-Z/
入力可
Hi-Z/
入力可
直前状態
保持
GPIO 選択時
直前状態
保持
R
USB I/O 端子
設定不可
設定不可
設定不可
GPIO 選択
Hi-Z/
Hi-Z/
内部入力 内部入力 内部入力
"0"固定
"0"固定
"0"固定
直前状態
保持
設定不可
外部割込み許可
選択時
GPIO 選択時
ディープスタンバイ
ディープ
RTC モード
スタンバイ
または
モード
ディープスタンバイ
復帰直後
ストップモード
状態
状態
ランモード
または
スリープ
モード
状態
WKUP
入力可
Hi-Z/
WKUP
入力可
GPIO 選択
Hi-Z/
内部入力 内部入力
Hi-Z/
"0"固定
"0"固定
内部入力
"0"固定
直前状態
保持
GPIO 選択
Hi-Z/
Hi-Z/
内部入力 内部入力 内部入力
"0"固定
"0"固定
"0"固定
送信時は
送信時は
Hi-Z/
入力可/
受信時は
内部入力
"0"固定
Hi-Z/
入力可/
受信時は
内部入力
"0"固定
Hi-Z/
入力可
GPIO 選択
Hi-Z/
入力可
GPIO 選択
GPIO 選択
Hi-Z/
入力可
*1 : サブタイマ, 低速 CR タイマモード, ストップモード, RTC モード, ディープスタンバイ RTC
モード, ディープスタンバイストップモードは発振が停止します。
*2 : タイマモード状態は直前状態保持、RTC モードまたはストップモード状態は GPIO 選択/内部入力
"0"固定です。
*3 : タイマモード状態は直前状態保持、RTC モードまたはストップモード状態は Hi-Z/内部入力"0"
固定です。
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
51
r1.0
MB9B360L シリーズ
VBAT 端子状態形式
・ VBAT ドメイン端子状態一覧表
グループ
機能名
VBAT
パワーオン
リセット
INITX
入力
状態
電源不安定 電源安定 電源安定 電源安定
‐
INITX=0 INITX=1 INITX=1
‐
‐
‐
‐
GPIO 選択時
タイマモード,
RTC モード
または
ストップモード
状態
ディープスタンバイ
RTC モード
または
ディープスタンバイ
ストップモード
状態
電源安定
INITX=1
SPL=0
SPL=1
電源安定
INITX=1
SPL=0
SPL=1
ランモード
デバイス
または
内部
スリープ
リセット
モード
状態
状態
設定不可 設定不可 設定不可
直前状態
直前状態
保持
保持
入力可
入力可
直前状態
直前状態
保持
保持
直前状態
直前状態
保持
保持
Hi-Z/
GPIO 選択
Hi-Z/
内部入力
内部入力
内部入力
"0"固定
"0"固定
"0"固定
入力可
入力可
入力可
ディープ
VBAT
スタンバイ
RTC
モード
モード
復帰直後
状態
状態
VBAT
RTC
モード
復帰直後
状態
電源安定 電源安定 電源安定
INITX=1
GPIO 選択 設定禁止
-
サブ水晶
S
発振入力端子/
外部サブ
入力可
入力可
入力可
入力可
クロック入力
直前状態 直前状態
保持
保持
選択時
GPIO 選択時
設定不可 設定不可 設定不可
外部サブ
クロック入力 設定不可 設定不可 設定不可
選択時
T
サブ水晶
発振出力端子
"0"固定
または
Hi-Z/
Hi-Z/
内部入力 内部入力
"0"固定
"0"固定
直前状態
保持
入力可
GPIO 選択
Hi-Z/
内部入力
内部入力
"0"固定
"0"固定
"0"固定
Hi-Z/
内部入力
"0"固定
直前状態
保持
Hi-Z/
内部入力
"0"固定
GPIO 選択 設定禁止
保持
直前状態
直前状態
直前状態
直前状態
保持/
保持/
保持/
保持/
保持/
発振
発振
発振
発振
発振
停止時*は 停止時*は 停止時*は 停止時*は 停止時*は
Hi-Z/
Hi-Z/
Hi-Z/
Hi-Z/
内部入力
内部入力
内部入力
"0"固定
"0"固定
"0"固定
直前状態
直前状態
直前状態
直前状態
保持
保持
保持
保持
-
直前状態 直前状態 直前状態
直前状態
Hi-Z/
内部入力
Hi-Z/
内部入力
保持
保持
直前状態 直前状態
保持
保持
Hi-Z/
内部入力 内部入力
"0"固定
"0"固定
リソース
選択時
U
直前状態 直前状態 直前状態
Hi-Z
保持
保持
保持
直前状態 直前状態 直前状態
保持
保持
保持
GPIO 選択時
*: ストップモード, ディープスタンバイストップモードは発振が停止します。
52
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
 電気的特性
1.
絶対最大定格
項目
電源電圧*1 ,*2
電源電圧(USB 用) *1 ,*3
電源電圧(VBAT) *1 ,*4
アナログ電源電圧*1 ,*5
アナログ基準電圧*1 ,*5
記号
VCC
USBVCC
VBAT
AVCC
AVRH
定格値
最小
最大
VSS - 0.5
VSS - 0.5
VSS - 0.5
VSS - 0.5
VSS - 0.5
VSS + 6.5
VSS + 6.5
VSS + 6.5
VSS + 6.5
VSS + 6.5
VCC + 0.5
(≦6.5V)
USBVCC + 0.5
(≦6.5V)
VSS + 6.5
AVCC + 0.5
(≦6.5V)
VCC + 0.5
(≦6.5V)
10
20
20
22.4
4
8
12
20
100
50
- 10
- 20
- 20
-4
-8
- 12
- 100
- 50
+ 150
VSS - 0.5
入力電圧*1
VI
VSS - 0.5
VSS - 0.5
アナログ端子入力電圧*1
VIA
VSS - 0.5
出力電圧*1
VO
VSS - 0.5
"L"レベル最大出力電流*6
IOL
-
"L"レベル平均出力電流*7
IOLAV
-
∑IOL
∑IOLAV
-
"H"レベル最大出力電流*6
IOH
-
"H"レベル平均出力電流*7
IOHAV
-
"L"レベル最大総出力電流
"L"レベル平均総出力電流*8
単位
備考
V
V
V
V
V
V
USB 端子を除く
V
USB 端子
V
5V トレラント
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
°C
4mA タイプ
8mA タイプ
12mA タイプ
I2C Fm+
4mA タイプ
8mA タイプ
12mA タイプ
I2C Fm+
4mA タイプ
8mA タイプ
12mA タイプ
4mA タイプ
8mA タイプ
12mA タイプ
"H"レベル最大総出力電流
∑IOH
8
"H"レベル平均総出力電流*
∑IOHAV
保存温度
TSTG
- 55
*1 : VSS = AVSS = 0V を基準にした値です。
*2 : VCC は VSS - 0.5V より低くなってはいけません。
*3 : USBVCC は VSS - 0.5V より低くなってはいけません。
*4 : VBAT は VSS - 0.5V より低くなってはいけません。
*5 : 電源投入時など VCC + 0.5V を超えてはいけません。
*6 : 最大出力電流は、該当する端子 1 本のピーク値を規定します。
*7 : 平均出力電流は、該当する端子 1 本に流れる電流の 100ms の期間内での平均電流を規定します。
*8 : 平均総出力電流は、該当する端子すべてに流れる電流の 100ms の期間内での平均電流を規定します。
<注意事項>
絶対最大定格を超えるストレス (電圧, 電流, 温度など) の印加は、半導体デバイスを破壊する可
能性があります。したがって、定格を一項目でも超えることのないようご注意ください。
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
53
r1.0
MB9B360L シリーズ
2.
推奨動作条件
項目
記号
条件
VCC
-
USBVCC
-
電源電圧
規格値
最小
最大
2.7
5.5
3.6
(≦VCC)
3.0
電源電圧(USB 用)
5.5
(≦VCC)
2.7
単位
備考
V
*1
V
*2
電源電圧(VBAT)
VBAT
2.7
5.5
V
アナログ電源電圧
AVCC
2.7
5.5
V
AVCC=VCC
アナログ基準電圧
AVRH
*3
AVCC
V
ジャンクション温度
Tj
- 40
+ 125
°C
動作温度
周囲温度
Ta
- 40
*4
°C
*1 : P81/UDP0, P80/UDM0 端子を USB 端子(UDP0, UDM0)として使用する場合
*2 : P81/UDP0, P80/UDM0 端子を GPIO 端子(P81, P80)として使用する場合
*3 : アナログ基準電圧は、コンペアクロック周期によって規格値が異なります。
詳細は 「5. 12 ビット A/D コンバータ」を参照してください。
*4 : 周囲温度(Ta)の最大温度は、ジャンクション温度(Tj)を超えない範囲まで保証可能です。
周囲温度(Ta)の計算式を以下に示します。
Ta(Max) = Tj(Max) - Pd(Max) × θja
Pd : 消費電力(W)
θja : パッケージ熱抵抗(°C/W)
Pd(Max) = VCC × ICC (Max) + Σ (IOL×VOL) + Σ ((VCC-VOH) × (- IOH))
IOL : "L"レベル出力電流
IOH : "H"レベル出力電流
VOL : "L"レベル出力電圧
VOH : "H"レベル出力電圧
各パッケージにおけるパッケージ熱抵抗と最大許容電力を以下に示します。
半導体デバイスは最大許容電力以下で動作が保証されます。
・ パッケージ熱抵抗と最大許容電力表
パッケージ
FPT-48P-M49
(0.5mm pitch)
LCC-48P-M73
(0.5mm pitch)
FPT-64P-M38
(0.5mm pitch)
FPT-64P-M39
(0.65mm pitch)
LCC-64P-M24
(0.5mm pitch)
基板
熱抵抗 θja
(°C/W)
単層両面
4層
単層両面
4層
単層両面
4層
単層両面
4層
単層両面
4層
87
53
30
24
70
45
61
40
24
21
54
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
最大許容電力(mW)
Ta=+85°C
Ta=+105°C
460
755
1333
1667
571
889
656
1000
1667
1905
230
377
667
833
286
444
328
500
833
952
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
<注意事項>
推奨動作条件は、半導体デバイスの正常な動作を確保するための条件です。電気的特性の規格値
は、すべてこの条件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で使用してください。この条
件を超えて使用すると、信頼性に悪影響を及ぼすことがあります。
データシートに記載されていない項目, 使用条件, 論理の組合せでの使用は、保証していません。
記載されている以外の条件での使用をお考えの場合は、必ず事前に営業部門までご相談くださ
い。
・消費電力(Pd)の算出方法
消費電力は以下の式で表されます。
Pd = VCC × ICC + Σ (IOL × VOL) + Σ ((VCC - VOH) × (- IOH))
IOL : "L"レベル出力電流
IOH : "H"レベル出力電流
VOL : "L"レベル出力電圧
VOH : "H"レベル出力電圧
ICC はデバイス内で消費される電流です。
以下に分解できます。
ICC = ICC(INT) + ΣICC(IO)
ICC(INT) : レギュレータを通して内部 Logic, メモリなどで消費される電流
ΣICC(IO) : 出力端子にて消費される電流(I/O スイッチング電流)の合計
ICC(INT)については「3.直流規格」の「(1)電流規格」によって予測できます (本規格の値は端子固
定時の値のため、ICC(IO)は含んでいません)。
ICC(IO)についてはお客様のシステムに依存します。
以下の計算式により算出してください。
ICC(IO) = (CINT + CEXT) × VCC × fsw
CINT : 端子内部負荷容量
CEXT : 出力端子の外部負荷容量
fSW : 端子スイッチング周波数
項目
端子内部負荷容量
記号
CINT
条件
容量値
4mA タイプ
1.93pF
8mA タイプ
3.45pF
12mA タイプ
3.42pF
お客様ご自身で消費電力を評価可能な場合には、ICC(Max)の値は以下のように算出してください。
(1) 常温(+25°C)にて電流値 ICC(Typ)を測定
(2) (1)の値に動作時最大リーク電流値 ICC(leak_max)を加算
ICC(Max) = ICC(Typ) + ICC(leak_max)
項目
動作時最大リーク電流
記号
条件
電流値
ICC(leak_max)
Tj = +125°C
Tj = +105°C
Tj = +85°C
28mA
17mA
13mA
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
55
r1.0
MB9B360L シリーズ
・ 電流説明図
Pd = VCC×ICC + Σ(IOL×VOL) + Σ((VCC-VOH)×(-IOH))
ICC = ICC(INT) + ΣICC(IO)
VCC
A
ICC
Chip
ICC(INT)
ΣICC(IO)
A IOL
Regulator
V VOL
・・・
Flash
VOH V
IOH
・・・
Logic
A
RAM
ICC(IO)
CEXT
・・・
56
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
3.
直流規格
(1) 電流規格
項目
電源電流
項目
電源電流
記号
ICC
記号
ICC
端子名
VCC
端子名
VCC
条件
周波数*4
通常動作*5,*6
(PLL)
160MHz
144MHz
120MHz
100MHz
80MHz
60MHz
40MHz
20MHz
8MHz
4MHz
160MHz
144MHz
120MHz
100MHz
80MHz
60MHz
40MHz
20MHz
8MHz
4MHz
条件
周波数*7
通常動作*8
(PLL)
160MHz
144MHz
120MHz
100MHz
80MHz
60MHz
40MHz
20MHz
8MHz
4MHz
160MHz
144MHz
120MHz
100MHz
80MHz
60MHz
40MHz
20MHz
8MHz
4MHz
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
規格値
標準*1 最大*2
44
72
40
67
34
60
29
55
23
48
18
42
13
37
7.7
31
4.6
27
3.6
26
30
58
27
54
23
49
20
46
16
41
13
38
9
33
5.7
30
3.7
27
3
26
規格値
標準*1 最大*2
64
101
60
96
52
88
46
81
39
73
32
65
25
58
15
47
7.8
39
5.2
36
47
80
43
75
39
71
35
66
30
61
25
55
20
50
13
42
6.7
36
4.6
34
単位
備考
mA
*3
周辺クロック
すべて ON 時
mA
*3
周辺クロック
すべて OFF 時
単位
備考
mA
*3
周辺クロック
すべて ON 時
mA
*3
周辺クロック
すべて OFF 時
57
r1.0
MB9B360L シリーズ
*1:Ta=+25°C,VCC=3.3V
*2:Tj=+125°C,VCC=5.5V
*3:全ポート固定時
*4:周波数は HCLK の値です。PCLK0=PCLK1=PCLK2=HCLK/2。
*5: フラッシュアクセラレータモード, トレースバッファ機能動作
(FRWTR.RWT = 10, FBFCR.BE = 1)のとき
*6: メインフラッシュメモリへのデータアクセスなし。
*7:周波数は HCLK の値です。PCLK0=PCLK2=HCLK/2, PCLK1=HCLK。
*8: フラッシュアクセラレータモード, トレースバッファ機能停止
(FRWTR.RWT = 10, FBFCR.BE = 0)のとき
項目
電源電流
記号
ICC
端子名
VCC
条件
周波数*4
通常動作*5
(PLL)
72MHz
60MHz
48MHz
36MHz
24MHz
12MHz
8MHz
4MHz
72MHz
60MHz
48MHz
36MHz
24MHz
12MHz
8MHz
4MHz
規格値
標準*1 最大*2
41
75
36
69
31
64
25
57
18
50
11
42
8.1
39
5.4
37
32
63
28
58
24
54
20
50
15
45
9.1
38
6.9
36
4.6
34
単位
備考
mA
*3
周辺クロック
すべて ON 時
mA
*3
周辺クロック
すべて OFF 時
*1:Ta=+25°C,VCC=3.3V
*2:Tj=+125°C,VCC=5.5V
*3:全ポート固定時
*4:周波数は HCLK の値です。PCLK0=PCLK1=PCLK2=HCLK。
*5: 0 wait-cycle (FRWTR.RWT = 00, FSYNDN.SD = 000)のとき
58
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
項目
記号
端子名
条件
通常動作*5
(内蔵高速 CR)
電源電流
ICC
VCC
通常動作*5
(サブ発振)
通常動作*5
(内蔵低速 CR)
周波数*4
規格値
標準*1 最大*2
単位
3.3
29
mA
2.8
29
mA
0.51
27
mA
0.50
27
mA
0.54
27
mA
0.52
27
mA
4MHz
32kHz
100kHz
備考
*3
周辺クロック
すべて ON 時
*3
周辺クロック
すべて OFF 時
*3
周辺クロック
すべて ON 時
*3
周辺クロック
すべて OFF 時
*3
周辺クロック
すべて ON 時
*3
周辺クロック
すべて OFF 時
*1:Ta=+25°C,VCC=3.3V
*2:Tj=+125°C,VCC=5.5V
*3:全ポート固定時
*4:周波数は HCLK の値です。PCLK0=PCLK1=PCLK2=HCLK/2。
*5: 0 wait-cycle (FRWTR.RWT = 00, FSYNDN.SD = 000)のとき
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
59
r1.0
MB9B360L シリーズ
項目
電源電流
項目
電源電流
記号
ICCS
記号
ICCS
端子名
VCC
端子名
VCC
条件
周波数*4
SLEEP 動作
(PLL)
160MHz
144MHz
120MHz
100MHz
80MHz
60MHz
40MHz
20MHz
8MHz
4MHz
160MHz
144MHz
120MHz
100MHz
80MHz
60MHz
40MHz
20MHz
8MHz
4MHz
条件
周波数*5
SLEEP 動作
(PLL)
72MHz
60MHz
48MHz
36MHz
24MHz
12MHz
8MHz
4MHz
72MHz
60MHz
48MHz
36MHz
24MHz
12MHz
8MHz
4MHz
規格値
標準*1 最大*2
28
58
25
55
21
50
18
46
15
43
12
39
8.8
36
5.6
32
3.8
30
3.2
29
14
44
13
43
11
40
9.7
38
8.1
36
6.7
34
5.2
32
3.7
30
2.9
29
2.6
29
規格値
標準*1 最大*2
19
47
16
43
13
40
10
37
7.8
34
5.2
31
4.3
30
3.5
29
8.8
36
7.7
35
6.6
34
5.5
32
4.4
31
3.4
30
3
29
2.7
29
単位
備考
mA
*3
周辺クロック
すべて ON 時
mA
*3
周辺クロック
すべて OFF 時
単位
備考
mA
*3
周辺クロック
すべて ON 時
mA
*3
周辺クロック
すべて OFF 時
*1:Ta=+25°C,VCC=3.3V
*2:Tj=+125°C,VCC=5.5V
*3:全ポート固定時
*4:周波数は HCLK の値です。PCLK0=PCLK1=PCLK2=HCLK/2。
*5:周波数は HCLK の値です。PCLK0=PCLK1=PCLK2=HCLK。
60
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
項目
記号
端子名
条件
SLEEP 動作
(内蔵高速 CR)
電源電流
ICCS
VCC
SLEEP 動作
(サブ発振)
SLEEP 動作
(内蔵低速 CR)
周波数*4
規格値
標準*1 最大*2
単位
1.3
27
mA
0.91
27
mA
0.49
27
mA
0.48
27
mA
4MHz
32kHz
備考
*3
周辺クロック
すべて ON 時
*3
周辺クロック
すべて OFF 時
*3
周辺クロック
すべて ON 時
*3
周辺クロック
すべて OFF 時
0.51
27
mA
*3
周辺クロック
すべて ON 時
0.49
27
mA
*3
周辺クロック
すべて OFF 時
100kHz
*1:Ta=+25°C, VCC=3.3V
*2:Tj=+125°C, VCC=5.5V
*3:全ポート固定時
*4:周波数は HCLK の値です。PCLK0=PCLK1=PCLK2=HCLK/2。
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
61
r1.0
MB9B360L シリーズ
項目
記号
端子名
条件
ストップモード
ICCH
タイマモード
(内蔵高速 CR)
電源電流
ICCT
VCC
タイマモード
(サブ発振)
タイマモード
(内蔵低速 CR)
ICCR
RTC モード
(サブ発振)
周波数
-
4MHz
32kHz
100kHz
32kHz
規格値
標準*1 最大*2
単位
0.25
1.0
mA
-
11
mA
-
14
mA
0.54
1.54
mA
-
12
mA
-
15
mA
0.25
1.0
mA
-
11
mA
-
14
mA
0.26
1.0
mA
-
11
mA
-
14
mA
0.25
1.0
mA
-
11
mA
-
14
mA
備考
*3, *4
Ta=+25°C
*3, *4
Ta=+85°C
*3, *4
Ta=+105°C
*3, *4
Ta=+25°C
*3, *4
Ta=+85°C
*3, *4
Ta=+105°C
*3, *4
Ta=+25°C
*3, *4
Ta=+85°C
*3, *4
Ta=+105°C
*3, *4
Ta=+25°C
*3, *4
Ta=+85°C
*3, *4
Ta=+105°C
*3, *4
Ta=+25°C
*3, *4
Ta=+85°C
*3, *4
Ta=+105°C
*1:VCC=3.3V
*2:VCC=5.5V
*3:全ポート固定時
*4:LVD OFF 時
62
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
項目
記号
端子名
条件
周波数
ディープ
スタンバイ
ストップ
モード
(RAM OFF 時)
ICCHD
ディープ
スタンバイ
ストップ
モード
(RAM ON 時)
規格値
単位
標準*1 最大*2
27
140
μA
-
590
μA
-
770
μA
32
180
μA
-
870
μA
-
1200
μA
27
140
μA
-
590
μA
-
770
μA
32
180
μA
-
870
μA
-
1200
μA
0.015
0.14
μA
-
4.0
μA
-
9.4
μA
1.3
2.4
μA
-
6.2
μA
-
12
μA
-
VCC
ディープ
スタンバイ
RTC モード
(RAM OFF 時)
電源電流
ICCRD
32kHz
ディープ
スタンバイ
RTC モード
(RAM ON 時)
RTC 停止
ICCVBAT
VBAT
-
RTC 動作
備考
*3, *4
Ta=+25°C
*3, *4
Ta=+85°C
*3, *4
Ta=+105°C
*3, *4
Ta=+25°C
*3, *4
Ta=+85°C
*3, *4
Ta=+105°C
*3, *4
Ta=+25°C
*3, *4
Ta=+85°C
*3, *4
Ta=+105°C
*3, *4
Ta=+25°C
*3, *4
Ta=+85°C
*3, *4
Ta=+105°C
*3, *4, *5
Ta=+25°C
*3, *4, *5
Ta=+85°C
*3, *4, *5
Ta=+105°C
*3, *4
Ta=+25°C
*3, *4
Ta=+85°C
*3, *4
Ta=+105°C
*1:VCC=3.3V
*2:VCC=5.5V
*3:全ポート固定時
*4:LVD OFF 時
*5:サブ発振 OFF 時
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
63
r1.0
MB9B360L シリーズ
項目
記号
低電圧
検出回路
(LVD)
電源電流
ICCLVD
メインフラッ
シュメモリ
書込み/消去
電流
ワークフラッ
シュメモリ
書込み/消去
電流
端子名
ICCFLASH
条件
VCC
ICCWFLASH
最小
規格値
単位
標準 最大
動作時
-
4
7
μA
書込み/
消去時
-
13.4
15.9
mA
書込み/
消去時
-
11.5
13.6
mA
備考
割込み発生用
・ ペリフェラル消費電流
クロック
系列
HCLK
PCLK1
PCLK2
周波数(MHz)
40
80
160
ペリフェラル
単位
GPIO
全ポート
0.21
0.43
0.92
DMAC
-
0.71
1.43
2.74
DSTC
-
0.36
0.72
1.46
USB
1ch.
0.42
0.80
1.60
ベースタイマ
4ch.
0.18
0.36
0.70
多機能タイマ/PPG
1unit/4ch.
0.57
1.13
2.24
クアッドカウンタ
1unit
0.04
0.08
0.16
A/DC
1unit
0.21
0.40
0.79
マルチファンク
ションシリアル
1ch.
0.33
0.67
-
64
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
単位
備考
mA
mA
mA
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
(2) 端子特性
(VCC = USBVCC = AVCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = AVSS = 0V)
項目
"H"レベル
入力電圧
(ヒステリシ
ス入力)
"L"レベル
入力電圧
(ヒステリシ
ス入力)
記号
VIHS
VILS
端子名
CMOS
ヒステリシ
ス入力端子,
MD0, MD1
5V
トレラント
入力端子
I2C Fm+
兼用
入力端子
CMOS
ヒステリシ
ス入力端子,
MD0, MD1
5V
トレラント
入力端子
I2C Fm+
兼用
入力端子
4mA
タイプ
8mA
タイプ
"H"レベル
出力電圧
VOH
12mA
タイプ
USB I/O
兼用
I2C Fm+
兼用
最小
規格値
標準
最大
-
VCC×0.8
-
VCC + 0.3
V
-
VCC×0.8
-
VSS + 5.5
V
-
VCC×0.7
-
VSS + 5.5
V
-
VSS - 0.3
-
VCC×0.2
V
-
VSS- 0.3
-
VCC×0.2
V
-
VSS
-
VCC×0.3
V
VCC - 0.5
-
VCC
V
VCC - 0.5
-
VCC
V
VCC - 0.5
-
VCC
V
USBVCC 0.4
-
USBVCC
V
VCC - 0.5
-
VCC
V
条件
VCC ≧ 4.5 V,
IOH = - 4mA
VCC < 4.5 V,
IOH = - 2mA
VCC ≧ 4.5 V,
IOH = - 8mA
VCC < 4.5 V,
IOH = - 4mA
VCC ≧ 4.5 V,
IOH = - 12mA
VCC < 4.5 V,
IOH = - 8mA
USBVCC ≧ 4.5 V,
IOH = - 20.5mA
USBVCC < 4.5 V,
IOH = -13.0mA
VCC ≧ 4.5 V,
IOH = - 4mA
VCC < 4.5 V,
IOH = - 3mA
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
単位
備考
GPIO 時
65
r1.0
MB9B360L シリーズ
項目
記号
端子名
4mA
タイプ
8mA
タイプ
"L"レベル
出力電圧
VOL
12mA
タイプ
USB I/O
兼用
I2C Fm+
兼用
条件
VCC ≧ 4.5 V,
IOL = 4mA
VCC < 4.5 V,
IOL = 2mA
VCC ≧ 4.5 V,
IOH = 8mA
Vcc < 4.5 V,
IOH = 4mA
VCC ≧ 4.5 V,
IOL = 12mA
VCC < 4.5 V,
IOL = 8mA
USBVCC ≧ 4.5 V,
IOL = 18.5mA
USBVCC < 4.5 V,
IOL = 10.5mA
VCC ≧ 4.5 V,
IOH = 4mA
VCC < 4.5 V,
IOH = 3mA
VCC ≦ 5.5 V,
IOH = 20mA
規格値
最小 標準 最大
VSS
-
0.4
V
VSS
-
0.4
V
VSS
-
0.4
V
VSS
-
0.4
V
VSS
-
0.4
V
I2C
Fm+時
IIL
-
-
-5
-
+5
プルアップ
抵抗値
RPU
プルアップ
端子
VCC ≧ 4.5 V
25
50
100
VCC < 4.5 V
30
80
200
CIN
VCC,
USBVCC,
VBAT,
VSS,
AVCC,
AVSS, AVRH
以外
-
-
5
15
66
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
備考
GPIO 時
入力リーク
電流
入力容量
単位
μA
kΩ
pF
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
4.
交流規格
(1) メインクロック入力規格
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号 端子名
入力周波数
FCH
入力クロック周期
tCYLH
入力クロック
パルス幅
入力クロック
立上り, 立下り
時間
内部動作クロック*
周波数
X0,
X1
tCF,
tCR
条件
規格値
最小
最大
VCC≧4.5V
VCC < 4.5V
VCC≧4.5V
VCC < 4.5V
VCC≧4.5V
VCC < 4.5V
PWH/tCYLH,
PWL/tCYLH
4
4
4
4
20.83
50
48
20
48
20
250
250
45
-
-
FCC
-
-
-
FCP0
FCP1
FCP2
-
-
-
tCYCC
-
-
6.25
1
内部動作クロック*1
サイクル時間
単位
備考
MHz
水晶発振子接続時
MHz
外部クロック時
ns
外部クロック時
55
%
外部クロック時
5
ns
外部クロック時
ベースクロック
(HCLK/FCLK)
80
MHz APB0 バスクロック*2
160
MHz APB1 バスクロック*2
80
MHz APB2 バスクロック*2
ベースクロック
ns
(HCLK/FCLK)
APB0 バスクロック*2
ns
APB1 バスクロック*2
ns
APB2 バスクロック*2
ns
ペリフェラルマニュアル』の『CHAPTER:
160
MHz
tCYCP0
12.5
tCYCP1
6.25
tCYCP2
12.5
*1: 各内部動作クロックの詳細については、『FM4 ファミリ
クロック』を参照してください。
*2: 各ペリフェラルが接続されている APB バスについては「■ブロックダイヤグラム」を参照してく
ださい。
X0
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
67
r1.0
MB9B360L シリーズ
(2) サブクロック入力規格
(VBAT = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号 端子名
1/
tCYLL
tCYLL
入力周波数
入力クロック周期
入力クロックパルス幅
条件
PWH/tCYLL,
PWL/tCYLL
X0A,
X1A
-
0.8 × VBAT
最小
規格値
標準
最大
32
10
32.768
-
45
-
単位
備考
100
31.25
kHz
kHz
μs
水晶発振接続時
外部クロック時
外部クロック時
55
%
外部クロック時
VBAT
X0A
VBAT
VBAT
VBAT
(3) 内蔵 CR 発振規格
・内蔵高速 CR
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
クロック周波数
記号
FCRH
条件
規格値
最小 標準 最大
Ta = - 20°C ~ + 105°C
3.92
4
4.08
Ta = - 40°C ~ + 125°C
3.88
4
4.12
Ta = - 40°C ~ + 125°C
3
4
5
単位
備考
トリミング時*
MHz
非トリミング時
*: 出荷時に設定されるフラッシュメモリ内の CR トリミング領域の値を周波数トリミング値/温度トリ
ミング値に使用した場合
・内蔵低速 CR
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
条件
クロック周波数
FCRL
-
68
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
規格値
最小 標準 最大
50
100
150
単位
備考
kHz
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
(4-1) メイン PLL の使用条件(PLL の入力クロックにメインクロックを使用)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
規格値
単位
最小 標準 最大
備考
PLL 発振安定待ち時間*1
tLOCK
200
μs
(LOCK UP 時間)
4
16
PLL 入力クロック周波数
FPLLI
MHz
13
80
PLL 逓倍率
逓倍
200
320 MHz
PLL マクロ発振クロック周波数
FPLLO
160 MHz
メイン PLL クロック周波数*2
FCLKPLL
*1 : PLL の発振が安定するまでの待ち時間
*2: メイン PLL クロック(CLKPLL)の詳細については、『FM4 ファミリ ペリフェラルマニュアル』の
『CHAPTER:クロック』を参照してください。
(4-2) USB 用 PLL の使用条件(PLL の入力クロックにメインクロックを使用)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
規格値
単位
最小 標準 最大
備考
PLL 発振安定待ち時間*1
tLOCK
100
μs
(LOCK UP 時間)
4
16
PLL 入力クロック周波数
FPLLI
MHz
13
80
PLL 逓倍率
逓倍
200
320
PLL マクロ発振クロック周波数
FPLLO
MHz
48
USB クロック周波数*2
FCLKSPLL
MHz
*1 : PLL の発振が安定するまでの待ち時間
*2: USB クロックの詳細については、『FM4 ファミリ ペリフェラルマニュアル 通信マクロ編』の
『CHAPTER:USB クロック生成』を参照してください。
(4-3) メイン PLL の使用条件(メイン PLL の入力クロックに内蔵高速 CR クロックを使用)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
規格値
最小 標準 最大
単位
備考
PLL 発振安定待ち時間*1
tLOCK
200
μs
(LOCK UP 時間)
4.2 MHz
PLL 入力クロック周波数
FPLLI
3.8
4
75 逓倍
PLL 逓倍率
50
320 MHz
PLL マクロ発振クロック周波数
FPLLO
190
160 MHz
メイン PLL クロック周波数*2
FCLKPLL
*1 : PLL の発振が安定するまでの待ち時間
*2: メイン PLL クロック(CLKPLL)の詳細については、『FM4 ファミリ ペリフェラルマニュアル』の
『CHAPTER:クロック』を参照してください。
(注意事項) メイン PLL のソースクロックには、必ず周波数トリミングおよび温度トリミングを行った
高速 CR クロック(CLKHC)を入力してください。
(5) リセット入力規格
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
リセット入力時間
記号
端子名
条件
tINITX
INITX
-
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
規格値
最小
最大
500
-
単位
備考
ns
69
r1.0
MB9B360L シリーズ
(6) パワーオンリセットタイミング
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
電源立上り時間
電源断時間
パワーオンリセット
解除までの時間
規格値
端子名
単位
最小
最大
Tr
0
-
ms
Toff
1
-
ms
0.33
0.60
ms
VCC
Tprt
備考
VCC_minimum
VCC
VDL_minimum
0.2V
0.2V
0.2V
Tr
Tprt
Internal RST
Toff
RST Active
Release
CPU Operation
start
用語解説
・ VCC_minimum: 推奨動作条件(VCC)の下限電圧
・ VDL_minimum: 低電圧検出リセット検出電圧最小値。
「8.低電圧検出特性」を参照してください。
(7) GPIO 出力規格
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
出力周波数
記号
端子名
条件
tPCYCLE
Pxx*
VCC ≧ 4.5 V
VCC < 4.5 V
規格値
最小
最大
-
50
32
単位
MHz
MHz
*: GPIO が対象です。
Pxx
tPCYCLE
70
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
(8) ベースタイマ入力タイミング
・ タイマ入力タイミング
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
入力パルス幅
記号
端子名
条件
tTIWH,
tTIWL
TIOAn/TIOBn
(ECK, TIN として
使用するとき)
-
tTIWH
規格値
最小
最大
2tCYCP
-
単位
備考
ns
tTIWL
ECK
TIN
VIHS
VIHS
VILS
VILS
・ トリガ入力タイミング
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
端子名
条件
入力パルス幅
tTRGH,
tTRGL
TIOAn/TIOBn
(TGIN として
使用するとき)
-
tTRGH
TGIN
VIHS
規格値
最小
最大
2tCYCP
-
単位
備考
ns
tTRGL
VIHS
VILS
VILS
(注意事項) tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
ベースタイマが接続されている APB バス番号については「■ブロックダイヤグラム」を
参照してください。
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
71
r1.0
MB9B360L シリーズ
(9) UART タイミング
・ 同期シリアル(SPI = 0, SCINV = 0)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号 端子名
シリアルクロック
サイクルタイム
tSCYC
SCK↓→SOT 遅延時間
tSLOVI
SIN→SCK↑
セットアップ時間
tIVSHI
SCK↑→SIN ホールド時間
tSHIXI
シリアルクロック
"L"パルス幅
シリアルクロック
"H"パルス幅
SCKx,
SOTx 内部シフト
SCKx, クロック動作
SINx
SCKx,
SINx
SCKx
tSHSL
SCKx
tSLOVE
SIN→SCK↑
セットアップ時間
tIVSHE
SCK↑→SIN ホールド時間
tSHIXE
SCK 立下り時間
SCK 立上り時間
SCKx
tSLSH
SCK↓→SOT 遅延時間
tF
tR
条件
SCKx,
SOTx 外部シフト
SCKx, クロック動作
SINx
SCKx,
SINx
SCKx
SCKx
VCC < 4.5V
最小
最大
VCC≧4.5V
単位
最小
最大
4tCYCP
-
4tCYCP
-
ns
- 30
+ 30
- 20
+ 20
ns
50
-
30
-
ns
0
-
0
-
ns
-
ns
-
ns
2tCYCP 10
tCYCP +
10
-
2tCYCP 10
tCYCP +
10
-
50
-
30
ns
10
-
10
-
ns
20
-
20
-
ns
-
5
5
-
5
5
ns
ns
(注意事項) ・CLK 同期モード時の交流規格です。
・tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
UART が接続されている APB バス番号については「ブロックダイヤグラム」を参照し
てください。
・本規格は同リロケート・ポート番号のみの保証です。
例えば SCLKx_0, SOTx_1 の組み合わせは保証外です。
・外部負荷容量 CL = 30pF 時
72
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
tSCYC
VOH
SCK
VOL
VOL
tSLOVI
VOH
VOL
SOT
tIVSHI
tSHIXI
VIH
VIL
VIH
VIL
SIN
MS ビット = 0
tSLSH
SCK
VIH
tF
SOT
SIN
tSHSL
VIL
VIL
VIH
VIH
tR
tSLOVE
VOH
VOL
tIVSHE
VIH
VIL
tSHIXE
VIH
VIL
MS ビット = 1
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
73
r1.0
MB9B360L シリーズ
・ 同期シリアル(SPI = 0, SCINV = 1)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号 端子名
シリアルクロック
サイクルタイム
tSCYC
SCK↑→SOT 遅延時間
tSHOVI
SIN→SCK↓
セットアップ時間
tIVSLI
SCK↓→SIN ホールド時間
tSLIXI
シリアルクロック
"L"パルス幅
シリアルクロック
"H"パルス幅
SCKx,
内部シフト
SOTx
SCKx, クロック動作
SINx
SCKx,
SINx
SCKx
tSHSL
SCKx
tSHOVE
SIN→SCK↓
セットアップ時間
tIVSLE
SCK↓→SIN ホールド時間
tSLIXE
SCK 立下り時間
SCK 立上り時間
SCKx
tSLSH
SCK↑→SOT 遅延時間
tF
tR
条件
SCKx,
外部シフト
SOTx
SCKx, クロック動作
SINx
SCKx,
SINx
SCKx
SCKx
VCC < 4.5V
最小 最大
VCC≧4.5V
単位
最小 最大
4tCYCP
-
4tCYCP
-
ns
- 30
+ 30
- 20
+ 20
ns
50
-
30
-
ns
0
-
0
-
ns
-
ns
-
ns
2tCYCP 10
tCYCP +
10
-
2tCYCP 10
tCYCP +
10
-
50
-
30
ns
10
-
10
-
ns
20
-
20
-
ns
-
5
5
-
5
5
ns
ns
(注意事項) ・CLK 同期モード時の交流規格です。
・tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
UART が接続されている APB バス番号については「ブロックダイヤグラム」を参照し
てください。
・本規格は同リロケート・ポート番号のみの保証です。
例えば SCLKx_0, SOTx_1 の組み合わせは保証外です。
・外部負荷容量 CL = 30pF 時
74
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
tSCYC
VOH
SCK
VOH
VOL
tSHOVI
VOH
VOL
SOT
tIVSLI
VIH
VIL
SIN
tSLIXI
VIH
VIL
MS ビット = 0
tSHSL
SCK
VIL
tR
SOT
tSLSH
VIH
VIH
VIL
VIL
tF
tSHOVE
VOH
VOL
tIVSLE
VIH
VIL
SIN
tSLIXE
VIH
VIL
MS ビット = 1
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
75
r1.0
MB9B360L シリーズ
・ 同期シリアル(SPI = 1, SCINV = 0)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号 端子名
シリアルクロック
サイクルタイム
tSCYC
SCK↑→SOT 遅延時間
tSHOVI
SIN→SCK↓
セットアップ時間
tIVSLI
SCK↓→SIN ホールド時間
tSLIXI
SOT→SCK↓遅延時間
tSOVLI
シリアルクロック
"L"パルス幅
シリアルクロック
"H"パルス幅
SCKx,
SOTx
SCKx, 内部シフト
SINx クロック動作
SCKx,
SINx
SCKx,
SOTx
SCKx
tSHSL
SCKx
tSHOVE
SIN→SCK↓
セットアップ時間
tIVSLE
SCK↓→SIN ホールド時間
tSLIXE
SCK 立下り時間
SCK 立上り時間
SCKx
tSLSH
SCK↑→SOT 遅延時間
tF
tR
条件
SCKx,
SOTx 外部シフト
SCKx, クロック動作
SINx
SCKx,
SINx
SCKx
SCKx
VCC < 4.5V
最小
最大
VCC≧4.5V
単位
最小
最大
4tCYCP
-
4tCYCP
-
ns
- 30
+ 30
- 20
+ 20
ns
50
-
30
-
ns
0
-
0
-
ns
-
ns
-
ns
-
ns
2tCYCP 30
2tCYCP 10
tCYCP +
10
-
2tCYCP 30
2tCYCP 10
tCYCP +
10
-
50
-
30
ns
10
-
10
-
ns
20
-
20
-
ns
-
5
5
-
5
5
ns
ns
(注意事項) ・CLK 同期モード時の交流規格です。
・tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
UART が接続されている APB バス番号については「ブロックダイヤグラム」を参照し
てください。
・本規格は同リロケート・ポート番号のみの保証です。
例えば SCLKx_0, SOTx_1 の組み合わせは保証外です。
・外部負荷容量 CL = 30pF 時
76
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
tSCYC
VOH
SCK
SOT
VOL
tSOVLI
VOH
VOL
VOH
VOL
tIVSLI
tSLIXI
VIH
VIL
SIN
VOL
tSHOVI
VIH
VIL
MS ビット = 0
tSLSH
SCK
VIH
tR
VIH
tSHOVE
VOH
VOL
VOH
VOL
tIVSLE
SIN
VIH
VIL
tF
*
SOT
VIL
tSHSL
tSLIXE
VIH
VIL
VIH
VIL
MS ビット = 1
* : TDR レジスタにライトすると変化
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
77
r1.0
MB9B360L シリーズ
・ 同期シリアル(SPI = 1, SCINV = 1)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号 端子名
シリアルクロック
サイクルタイム
tSCYC
SCK↓→SOT 遅延時間
tSLOVI
SIN→SCK↑
セットアップ時間
tIVSHI
SCK↑→SIN ホールド時間
tSHIXI
SOT→SCK↑遅延時間
tSOVHI
シリアルクロック
"L"パルス幅
シリアルクロック
"H"パルス幅
SCKx,
SOTx
SCKx, 内部シフト
SINx クロック動作
SCKx,
SINx
SCKx,
SOTx
SCKx
tSHSL
SCKx
tSLOVE
SIN→SCK↑
セットアップ時間
tIVSHE
SCK↑→SIN ホールド時間
tSHIXE
SCK 立下り時間
SCK 立上り時間
SCKx
tSLSH
SCK↓→SOT 遅延時間
tF
tR
条件
SCKx,
外部シフト
SOTx
SCKx, クロック動作
SINx
SCKx,
SINx
SCKx
SCKx
VCC < 4.5V
最小
最大
VCC≧4.5V
単位
最小 最大
4tCYCP
-
4tCYCP
-
ns
- 30
+ 30
- 20
+ 20
ns
50
-
30
-
ns
0
-
0
-
ns
-
ns
-
ns
-
ns
2tCYCP 30
2tCYCP 10
tCYCP +
10
-
2tCYCP 30
2tCYCP 10
tCYCP +
10
-
50
-
30
ns
10
-
10
-
ns
20
-
20
-
ns
-
5
5
-
5
5
ns
ns
(注意事項) ・CLK 同期モード時の交流規格です。
・tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
UART が接続されている APB バス番号については「ブロックダイヤグラム」を参照し
てください。
・本規格は同リロケート・ポート番号のみの保証です。
例えば SCLKx_0, SOTx_1 の組み合わせは保証外です。
・外部負荷容量 CL = 30pF 時
78
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
tSCYC
VOH
SCK
tSOVHI
SOT
tSLOVI
VOH
VOL
VOH
VOL
tSHIXI
tIVSHI
VIH
VIL
SIN
VOH
VOL
VIH
VIL
MS ビット = 0
tSHSL
tR
SCK
VIL
VIH
tSLSH
VIH
VIL
tF
VIL
VIH
tSLOVE
SOT
VOH
VOL
VOH
VOL
tIVSHE
SIN
tSHIXE
VIH
VIL
VIH
VIL
MS ビット = 1
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
79
r1.0
MB9B360L シリーズ
・ 高速同期シリアル(SPI = 0, SCINV = 0)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
Vcc≧4.5V
最小 最大
単
位
4tCYCP
-
4tCYCP
-
ns
- 10
+ 10
- 10
+ 10
ns
14
12.5*
-
12.5
-
ns
記号
端子名
シリアルクロック
サイクルタイム
tSCYC
SCKx
SCK↓→SOT 遅延時間
tSLOVI
SCKx,
SOTx
SIN→SCK↑
セットアップ時間
tIVSHI
SCKx,
SINx
SCK↑→SIN ホールド時間
tSHIXI
SCKx,
SINx
5
-
5
-
ns
tSLSH
SCKx
2tCYCP
-5
-
2tCYCP
-5
-
ns
tSHSL
SCKx
tCYCP +
10
-
tCYCP +
10
-
ns
SCK↓→SOT 遅延時間
tSLOVE
SCKx,
SOTx
-
15
-
15
ns
SIN→SCK↑
セットアップ時間
tIVSHE
SCKx,
SINx
5
-
5
-
ns
SCK↑→SIN ホールド時間
tSHIXE
5
-
5
-
ns
-
5
5
-
5
5
ns
ns
シリアルクロック
"L"パルス幅
シリアルクロック
"H"パルス幅
SCK 立下り時間
SCK 立上り時間
tF
tR
SCKx,
SINx
SCKx
SCKx
条件
Vcc < 4.5V
最小 最大
内部シフト
クロック動作
外部シフト
クロック動作
(注意事項) ・CLK 同期モード時の交流規格です。
・tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
UART が接続されている APB バス番号については「ブロックダイヤグラム」を参照し
てください。
・本規格は以下の端子のみの保証です。
・チップセレクトなし:SIN0_1, SOT0_1, SCK0_1
・チップセレクトあり:SIN6_0, SOT6_0, SCK6_0, SCS6_0
・外部負荷容量 CL = 30pF 時(*は CL=10pF 時)
80
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
tSCYC
VOH
SCK
VOL
VOL
tSLOVI
VOH
VOL
SOT
tIVSHI
tSHIXI
VIH
VIL
VIH
VIL
SIN
MS ビット = 0
tSLSH
SCK
VIH
tF
SOT
SIN
tSHSL
VIL
VIL
VIH
VIH
tR
tSLOVE
VOH
VOL
tIVSHE
VIH
VIL
tSHIXE
VIH
VIL
MS ビット = 1
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
81
r1.0
MB9B360L シリーズ
・ 高速同期シリアル(SPI = 0, SCINV = 1)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
VCC≧4.5V
最小 最大
単
位
4tCYCP
-
4tCYCP
-
ns
- 10
+ 10
- 10
+ 10
ns
14
12.5*
-
12.5
-
ns
記号
端子名
シリアルクロック
サイクルタイム
tSCYC
SCKx
SCK↑→SOT 遅延時間
tSHOVI
SCKx,
SOTx
SIN→SCK↓
セットアップ時間
tIVSLI
SCKx,
SINx
SCK↓→SIN ホールド時間
tSLIXI
SCKx,
SINx
5
-
5
-
ns
シリアルクロック
"L"パルス幅
tSLSH
SCKx
2tCYCP
-5
-
2tCYCP
-5
-
ns
シリアルクロック
"H"パルス幅
tSHSL
SCKx
tCYCP +
10
-
tCYCP +
10
-
ns
SCK↑→SOT 遅延時間
tSHOVE
SCKx,
SOTx
-
15
-
15
ns
SIN→SCK↓
セットアップ時間
tIVSLE
SCKx,
SINx
5
-
5
-
ns
SCK↓→SIN ホールド時間
tSLIXE
SCKx,
SINx
5
-
5
-
ns
tF
tR
SCKx
SCKx
-
5
5
-
5
5
ns
ns
SCK 立下り時間
SCK 立上り時間
条件
VCC < 4.5V
最小 最大
内部シフト
クロック動作
外部シフト
クロック動作
(注意事項) ・CLK 同期モード時の交流規格です。
・tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
UART が接続されている APB バス番号については「ブロックダイヤグラム」を参照し
てください。
・本規格は以下の端子のみの保証です。
・チップセレクトなし:SIN0_1, SOT0_1, SCK0_1
・チップセレクトあり:SIN6_0, SOT6_0, SCK6_0, SCS6_0
・外部負荷容量 CL = 30pF 時(*は CL=10pF 時)
82
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
tSCYC
VOH
SCK
VOH
VOL
tSHOVI
VOH
VOL
SOT
tIVSLI
VIH
VIL
SIN
tSLIXI
VIH
VIL
MS ビット = 0
tSHSL
SCK
VIL
tR
SOT
tSLSH
VIH
VIH
VIL
VIL
tF
tSHOVE
VOH
VOL
tIVSLE
VIH
VIL
SIN
tSLIXE
VIH
VIL
MS ビット = 1
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
83
r1.0
MB9B360L シリーズ
・ 高速同期シリアル(SPI = 1, SCINV = 0)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
VCC≧4.5V
最小 最大
単
位
記号
端子名
シリアルクロック
サイクルタイム
tSCYC
SCKx
4tCYCP
-
4tCYCP
-
ns
SCK↑→SOT 遅延時間
tSHOVI
SCKx,
SOTx
- 10
+ 10
- 10
+ 10
ns
SIN→SCK↓
セットアップ時間
tIVSLI
SCKx,
SINx
14
12.5*
-
12.5
-
ns
SCK↓→SIN ホールド時間
tSLIXI
SCKx,
SINx
5
-
5
-
ns
SOT→SCK↓遅延時間
tSOVLI
SCKx,
SOTx
2tCYCP
- 10
-
2tCYCP
- 10
-
ns
シリアルクロック
"L"パルス幅
tSLSH
SCKx
2tCYCP
-5
-
2tCYCP
-5
-
ns
シリアルクロック
"H"パルス幅
tSHSL
SCKx
tCYCP +
10
-
tCYCP +
10
-
ns
SCK↑→SOT 遅延時間
tSHOVE
SCKx,
SOTx
-
15
-
15
ns
SIN→SCK↓
セットアップ時間
tIVSLE
SCKx,
SINx
5
-
5
-
ns
SCK↓→SIN ホールド時間
tSLIXE
SCKx,
SINx
5
-
5
-
ns
tF
tR
SCKx
SCKx
-
5
5
-
5
5
ns
ns
SCK 立下り時間
SCK 立上り時間
条件
VCC < 4.5V
最小 最大
内部シフト
クロック動作
外部シフト
クロック動作
(注意事項) ・CLK 同期モード時の交流規格です。
・tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
UART が接続されている APB バス番号については「ブロックダイヤグラム」を参照し
てください。
・本規格は以下のリロケート・ポート番号組み合わせのみの保証です。
・チップセレクトなし:SIN0_1, SOT0_1, SCK0_1
・チップセレクトあり:SIN6_0, SOT6_0, SCK6_0, SCS6_0
・外部負荷容量 CL = 30pF 時(*は CL=10pF 時)
84
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
tSCYC
VOH
SCK
SOT
VOL
tSOVLI
VOH
VOL
VOH
VOL
tIVSLI
tSLIXI
VIH
VIL
SIN
VOL
tSHOVI
VIH
VIL
MS ビット = 0
tSLSH
SCK
VIH
tR
VIH
tSHOVE
VOH
VOL
VOH
VOL
tIVSLE
SIN
VIH
VIL
tF
*
SOT
VIL
tSHSL
tSLIXE
VIH
VIL
VIH
VIL
MS ビット = 1
* : TDR レジスタにライトすると変化
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
85
r1.0
MB9B360L シリーズ
・ 高速同期シリアル(SPI = 1, SCINV = 1)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
VCC≧4.5V
最小 最大
単
位
記号
端子名
シリアルクロック
サイクルタイム
tSCYC
SCKx
4tCYCP
-
4tCYCP
-
ns
SCK↓→SOT 遅延時間
tSLOVI
SCKx,
SOTx
- 10
+ 10
- 10
+ 10
ns
SIN→SCK↑
セットアップ時間
tIVSHI
SCKx,
SINx
14
12.5*
-
12.5
-
ns
SCK↑→SIN ホールド時間
tSHIXI
SCKx,
SINx
5
-
5
-
ns
SOT→SCK↑遅延時間
tSOVHI
SCKx,
SOTx
2tCYCP
- 10
-
2tCYCP
- 10
-
ns
シリアルクロック
"L"パルス幅
tSLSH
SCKx
2tCYCP
-5
-
2tCYCP
-5
-
ns
シリアルクロック
"H"パルス幅
tSHSL
SCKx
tCYCP +
10
-
tCYCP +
10
-
ns
SCK↓→SOT 遅延時間
tSLOVE
SCKx,
SOTx
-
15
-
15
ns
SIN→SCK↑
セットアップ時間
tIVSHE
SCKx,
SINx
5
-
5
-
ns
SCK↑→SIN ホールド時間
tSHIXE
SCKx,
SINx
5
-
5
-
ns
tF
tR
SCKx
SCKx
-
5
5
-
5
5
ns
ns
SCK 立下り時間
SCK 立上り時間
条件
VCC < 4.5V
最小 最大
内部シフト
クロック動作
外部シフト
クロック動作
(注意事項) ・CLK 同期モード時の交流規格です。
・tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
UART が接続されている APB バス番号については「ブロックダイヤグラム」を参照し
てください。
・本規格は以下のリロケート・ポート番号組み合わせのみの保証です。
・チップセレクトなし:SIN0_1, SOT0_1, SCK0_1
・チップセレクトあり:SIN6_0, SOT6_0, SCK6_0, SCS6_0
・外部負荷容量 CL = 30pF 時(*は CL=10pF 時)
86
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
tSCYC
VOH
SCK
tSOVHI
SOT
tSLOVI
VOH
VOL
VOH
VOL
tSHIXI
tIVSHI
VIH
VIL
SIN
VOH
VOL
VIH
VIL
MS ビット = 0
tSHSL
tR
SCK
VIL
VIH
tSLSH
VIH
VIL
tF
VIL
VIH
tSLOVE
SOT
VOH
VOL
VOH
VOL
tIVSHE
SIN
tSHIXE
VIH
VIL
VIH
VIL
MS ビット = 1
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
87
r1.0
MB9B360L シリーズ
・ 高速同期シリアル
チップセレクト使用時(SPI = 1, SCINV = 0, MS=0, CSLVL=1)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
条件
tCSSI
内部シフト
クロック
動作
SCS↓→SCK↓セットアップ
時間
SCK↑→SCS↑ホールド時間
tCSHI
SCS ディセレクト時間
tCSDI
SCS↓→SCK↓セットアップ
時間
SCK↑→SCS↑ホールド時間
SCS ディセレクト時間
SCS↓→SOT 遅延時間
SCS↑→SOT 遅延時間
tCSSE
tCSHE
tCSDE
tDSE
tDEE
外部シフト
クロック
動作
VCC < 4.5V
最小
最大
VCC≧4.5V
最小
最大
単
位
(*1)-20
(*1)+0
(*1)-20
(*1)+0
ns
(*2)+0
(*3)-20
+5tCYCP
(*2)+20
(*3)+20
+5tCYCP
(*2)+0
(*3)-20
+5tCYCP
(*2)+20
(*3)+20
+5tCYCP
ns
3tCYCP+15
-
3tCYCP+15
-
ns
0
25
-
0
25
-
ns
ns
ns
ns
3tCYCP+15
0
3tCYCP+15
0
ns
(*1):CSSU ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(*2):CSHD ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(*3):CSDS ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(注意事項) ・tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
UART が接続されている APB バス番号については「ブロックダイヤグラム」を参照し
てください。
・CSSU, CSHD, CSDS, シリアルチップセレクトタイミング動作クロックは『FM4
ファミリ ペリフェラルマニュアル』を参照してください。
・外部負荷容量 CL = 30pF 時
88
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
SCS 出力
tCSDI
tCSSI
tCSHI
tCSSE
tCSHE
SCK 出力
SOT
(SPI=0)
SOT
(SPI=1)
SCS 入力
tCSDE
SCK 入力
tDEE
SOT
(SPI=0)
tDSE
SOT
(SPI=1)
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
89
r1.0
MB9B360L シリーズ
・ 高速同期シリアル
チップセレクト使用時(SPI = 1, SCINV = 1, MS=0, CSLVL=1)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
条件
tCSSI
内部シフト
クロック
動作
SCS↓→SCK↑セットアップ
時間
SCK↓→SCS↑ホールド時間
tCSHI
SCS ディセレクト時間
tCSDI
SCS↓→SCK↑セットアップ
時間
SCK↓→SCS↑ホールド時間
SCS ディセレクト時間
SCS↓→SOT 遅延時間
SCS↑→SOT 遅延時間
tCSSE
tCSHE
tCSDE
tDSE
tDEE
外部シフト
クロック
動作
VCC < 4.5V
最小
最大
VCC≧4.5V
最小
最大
単
位
(*1)-20
(*1)+0
(*1)-20
(*1)+0
ns
(*2)+0
(*3)-20
+5tCYCP
(*2)+20
(*3)+20
+5tCYCP
(*2)+0
(*3)-20
+5tCYCP
(*2)+20
(*3)+20
+5tCYCP
ns
3tCYCP+15
-
3tCYCP+15
-
ns
0
25
-
0
25
-
ns
ns
ns
ns
3tCYCP+15
0
3tCYCP+15
0
ns
(*1):CSSU ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(*2):CSHD ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(*3):CSDS ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(注意事項) ・tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
UART が接続されている APB バス番号については「ブロックダイヤグラム」を参照し
てください。
・CSSU, CSHD, CSDS, シリアルチップセレクトタイミング動作クロックは『FM4
ファミリ ペリフェラルマニュアル』を参照してください。
・外部負荷容量 CL = 30pF 時
90
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
SCS 出力
tCSDI
tCSSI
tCSHI
SCK 出力
SOT
(SPI=0)
SOT
(SPI=1)
SCS 入力
tCSDE
tCSSE
tCSHE
SCK 入力
tDEE
SOT
(SPI=0)
tDSE
SOT
(SPI=1)
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
91
r1.0
MB9B360L シリーズ
・ 高速同期シリアル
チップセレクト使用時(SPI = 1, SCINV = 0, MS=0, CSLVL=0)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
条件
tCSSI
内部シフト
クロック
動作
SCS↑→SCK↓セットアップ
時間
SCK↑→SCS↓ホールド時間
tCSHI
SCS ディセレクト時間
tCSDI
SCS↑→SCK↓セットアップ
時間
SCK↑→SCS↓ホールド時間
SCS ディセレクト時間
SCS↑→SOT 遅延時間
SCS↓→SOT 遅延時間
tCSSE
tCSHE
tCSDE
tDSE
tDEE
外部シフト
クロック
動作
VCC < 4.5V
最小
最大
VCC≧4.5V
最小
最大
単
位
(*1)-20
(*1)+0
(*1)-20
(*1)+0
ns
(*2)+0
(*3)-20
+5tCYCP
(*2)+20
(*3)+20
+5tCYCP
(*2)+0
(*3)-20
+5tCYCP
(*2)+20
(*3)+20
+5tCYCP
ns
3tCYCP+15
-
3tCYCP+15
-
ns
0
25
-
0
25
-
ns
ns
ns
ns
3tCYCP+15
0
3tCYCP+15
0
ns
(*1):CSSU ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(*2):CSHD ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(*3):CSDS ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(注意事項) ・tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
UART が接続されている APB バス番号については「ブロックダイヤグラム」を参照し
てください。
・CSSU, CSHD, CSDS, シリアルチップセレクトタイミング動作クロックは『FM4
ファミリ ペリフェラルマニュアル』を参照してください。
・外部負荷容量 CL = 30pF 時
92
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
tCSDI
SCS 出力
tCSSI
tCSHI
SCK 出力
SOT
(SPI=0)
SOT
(SPI=1)
tCSDE
SCS 入力
tCSSE
tCSHE
SCK 入力
tDEE
SOT
(SPI=0)
SOT
(SPI=1)
tDSE
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
93
r1.0
MB9B360L シリーズ
・ 高速同期シリアル
チップセレクト使用時(SPI = 1, SCINV = 1, MS=0, CSLVL=0)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
条件
tCSSI
内部シフト
クロック
動作
SCS↑→SCK↑セットアップ
時間
SCK↓→SCS↓ホールド時間
tCSHI
SCS ディセレクト時間
tCSDI
SCS↑→SCK↑セットアップ
時間
SCK↓→SCS↓ホールド時間
SCS ディセレクト時間
SCS↑→SOT 遅延時間
SCS↓→SOT 遅延時間
tCSSE
tCSHE
tCSDE
tDSE
tDEE
外部シフト
クロック
動作
VCC < 4.5V
最小
最大
VCC≧4.5V
最小
最大
単
位
(*1)-20
(*1)+0
(*1)-20
(*1)+0
ns
(*2)+0
(*3)-20
+5tCYCP
(*2)+20
(*3)+20
+5tCYCP
(*2)+0
(*3)-20
+5tCYCP
(*2)+20
(*3)+20
+5tCYCP
ns
3tCYCP+15
-
3tCYCP+15
-
ns
0
25
-
0
25
-
ns
ns
ns
ns
3tCYCP+15
0
3tCYCP+15
0
ns
(*1):CSSU ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(*2):CSHD ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(*3):CSDS ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(注意事項) ・tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
UART が接続されている APB バス番号については「ブロックダイヤグラム」を参照し
てください。
・CSSU, CSHD, CSDS, シリアルチップセレクトタイミング動作クロックは『FM4
ファミリ ペリフェラルマニュアル』を参照してください。
・外部負荷容量 CL = 30pF 時
94
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
tCSDI
SCS 出力
tCSSI
tCSHI
SCK 出力
SOT
(SPI=0)
SOT
(SPI=1)
SCS 入力
tCSDE
tCSSE
tCSHE
SCK 入力
tDEE
SOT
(SPI=0)
SOT
(SPI=1)
tDSE
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FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
95
r1.0
MB9B360L シリーズ
・
外部クロック(EXT = 1) : 非同期時のみ
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
シリアルクロック"L"パルス幅
シリアルクロック"H"パルス幅
SCK 立下り時間
SCK 立上り時間
tSLSH
tSHSL
tF
tR
tR
SCK
VIL
規格値
最小
最大
条件
CL = 30pF
tCYCP + 10
tCYCP + 10
-
tSHSL
VIH
96
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
5
5
VIL
備考
ns
ns
ns
ns
tF
tSLSH
VIH
単位
VIL
VIH
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
(10) 外部入力タイミング
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
端子名
条件
規格値
単位
最小
最大
備考
A/D コンバータトリガ
入力
1
フリーランタイマ入力
2tCYCP*
ns
FRCKx
クロック
インプットキャプチャ
ICxx
tINH,
入力パルス幅
1
tINL
波形ジェネレータ
DTTIxX
2tCYCP*
ns
2tCYCP + 100*1 ns
外部割込み,
INT00 ~ INT31,
NMIX
500*2
ns
NMI
ディープスタンバイ
WKUPx
500*3
ns
ウェイクアップ
*1 : tCYCP は APB バスクロックのサイクル時間です(タイマモード, ストップモードの停止時を除く)。
A/D コンバータ, 多機能タイマ, 外部割込みが接続されている APB バス番号については
「■ブロックダイヤグラム」を参照してください。
*2 : タイマモード, ストップモード時
*3 : ディープスタンバイ RTC モード, ディープスタンバイストップモード時
ADTG
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97
r1.0
MB9B360L シリーズ
(11) クアッドカウンタ タイミング
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
規格値
条件
最小値
最大値
単位
AIN 端子"H"幅
tAHL
AIN 端子"L"幅
tALL
BIN 端子"H"幅
tBHL
BIN 端子"L"幅
tBLL
AIN"H"レベルから
PC_Mode2 または
tAUBU
BIN 立上り時間
PC_Mode3
BIN"H"レベルから
PC_Mode2 または
tBUAD
AIN 立下り時間
PC_Mode3
AIN"L"レベルから
PC_Mode2 または
tADBD
BIN 立下り時間
PC_Mode3
BIN"L"レベルから
PC_Mode2 または
tBDAU
AIN 立上り時間
PC_Mode3
BIN"H"レベルから
PC_Mode2 または
tBUAU
AIN 立上り時間
2tCYCP*
ns
PC_Mode3
AIN"H"レベルから
PC_Mode2 または
tAUBD
BIN 立下り時間
PC_Mode3
BIN"L"レベルから
PC_Mode2 または
tBDAD
AIN 立下り時間
PC_Mode3
AIN"L"レベルから
PC_Mode2 または
tADBU
BIN 立上り時間
PC_Mode3
ZIN 端子"H"幅
tZHL
QCR:CGSC="0"
ZIN 端子"L"幅
tZLL
QCR:CGSC="0"
ZIN レベル確定から
AIN/BIN 立下り立上り
tZABE
QCR:CGSC="1"
時間
AIN/BIN 立下り立上り
tABEZ
QCR:CGSC="1"
時間から ZIN レベル確定
* : tCYCP は APB バスクロックのサイクル時間です(タイマモード, ストップモード時を除く)。
クアッドカウンタが接続されている APB バス番号については「■ブロックダイヤグラム」を
参照してください。
tALL
tAHL
AIN
tAUBU
tADBD
tBUAD
tBDAU
BIN
tBHL
98
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tBLL
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
tBLL
tBHL
BIN
tBUAU
tBDAD
tAUBD
tADBU
AIN
tAHL
tALL
ZIN
ZIN
AIN/BIN
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99
r1.0
MB9B360L シリーズ
2
(12) I C タイミング
・標準モード, 高速モード
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
高速モード
最小
最大
記号
SCL クロック周波数
(反復)「スタート」条件
ホールド時間
SDA↓→SCL↓
SCL クロック"L"幅
SCL クロック"H"幅
反復「スタート」条件
セットアップ時間
SCL↑→SDA↓
データホールド時間
SCL↓→SDA↓↑
データセットアップ時間
SDA↓↑→SCL↑
「ストップ」条件
セットアップ時間
SCL↑→SDA↑
「ストップ」条件と
「スタート」条件との間の
バスフリー時間
FSCL
0
100
0
400
kHz
tHDSTA
4.0
-
0.6
-
μs
tLOW
tHIGH
4.7
4.0
-
1.3
0.6
-
μs
μs
tSUSTA
4.7
-
0.6
-
μs
0
3.45*2
0
0.9*3
μs
tSUDAT
250
-
100
-
ns
tSUSTO
4.0
-
0.6
-
μs
tBUF
4.7
-
1.3
-
μs
tHDDAT
条件
標準モード
最小
最大
項目
CL = 30pF,
R = (Vp/IOL)*1
単位 備考
2MHz ≦
2tCYCP*4
2tCYCP*4
ns
tCYCP<40MHz
40MHz ≦
4tCYCP*4
4tCYCP*4
ns
tCYCP<60MHz
60MHz ≦
6tCYCP*4
6tCYCP*4
ns
tCYCP<80MHz
80MHz ≦
8tCYCP*4
8tCYCP*4
ns
tCYCP<100MHz
ノイズフィルタ
tSP
*5
100MHz ≦
10tCYCP*4
10tCYCP*4
ns
tCYCP<120MHz
120MHz ≦
12tCYCP*4
12tCYCP*4
ns
tCYCP<140MHz
140MHz ≦
14tCYCP*4
14tCYCP*4
ns
tCYCP<160MHz
160MHz ≦
16tCYCP*4
16tCYCP*4
ns
tCYCP<180MHz
*1 : R, CL は、SCL, SDA ラインのプルアップ抵抗、負荷容量です。Vp はプルアップ抵抗の電源電圧,
IOL は VOL 保証電流を示します。
*2 : 最大 tHDDAT は少なくともデバイスの SCL 信号の"L"区間(tLOW)を延長していないということを満た
していなければなりません。
*3 : 高速モード I2C バスデバイスは標準モード I2C バスシステムに使用できますが、要求される条件
tSUDAT≧250ns を満足しなければなりません。
*4 : tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
I2C が接続されている APB バス番号については「■ブロックダイヤグラム」を参照してください。
標準モード使用時は、周辺バスクロックは 2MHz 以上にしてください。
高速モード使用時は、周辺バスクロックは 8MHz 以上にしてください。
*5 : ノイズフィルタ時間はレジスタの設定により切り換えることができます。
APB バスクロック周波数に応じて、ノイズフィルタ段数の変更をしてください。
100
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
・高速モードプラス(Fm+)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
記号
SCL クロック周波数
(反復)「スタート」条件
ホールド時間
SDA↓→SCL↓
SCL クロック"L"幅
SCL クロック"H"幅
反復「スタート」条件
セットアップ時間
SCL↑→SDA↓
データホールド時間
SCL↓→SDA↓↑
データセットアップ時間
SDA↓↑→SCL↑
「ストップ」条件
セットアップ時間
SCL↑→SDA↑
「ストップ」条件と
「スタート」条件との間の
バスフリー時間
FSCL
0
1000
kHz
tHDSTA
0.26
-
μs
tLOW
tHIGH
0.5
0.26
-
μs
μs
tSUSTA
0.26
-
μs
0
0.45*2, *3
μs
tSUDAT
50
-
ns
tSUSTO
0.26
-
μs
tBUF
0.5
-
μs
tHDDAT
条件
高速モード
プラス(Fm+)*6
最小
最大
項目
CL = 30pF,
R = (Vp/IOL)*1
単位
備考
60MHz ≦
6 tCYCP*4
ns
tCYCP<80MHz
80MHz ≦
8 tCYCP*4
ns
tCYCP<100MHz
100MHz ≦
10 tCYCP*4
ns
tCYCP<120MHz
ノイズフィルタ
tSP
*5
120MHz ≦
12 tCYCP*4
ns
tCYCP<140MHz
140MHz ≦
14 tCYCP*4
ns
tCYCP<160MHz
160MHz ≦
16 tCYCP*4
ns
tCYCP<180MHz
*1 : R, CL は、SCL, SDA ラインのプルアップ抵抗、負荷容量です。Vp はプルアップ抵抗の電源電圧,
IOL は VOL 保証電流を示します。
*2 : 最大 tHDDAT は少なくともデバイスの SCL 信号の"L"区間(tLOW)を延長していないということを満た
していなければなりません。
*3 : 高速モード I2C バスデバイスは標準モード I2C バスシステムに使用できますが、要求される条件
tSUDAT≧250ns を満足しなければなりません。
*4 : tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
I2C が接続されている APB バス番号については「■ブロックダイヤグラム」を参照してください。
高速モードプラス(Fm+)使用時は、周辺バスクロックは 64MHz 以上にしてください。
*5 : ノイズフィルタ時間はレジスタの設定により切り換えることができます。
APB バスクロック周波数に応じて、ノイズフィルタ段数の変更をしてください。
*6 : 高速モードプラス(Fm+)使用時は、I/O 端子を EPFR レジスタにて I2C Fm+に対応したモードに設定
してください。詳細は『FM4 ファミリ ペリフェラルマニュアル』の『CHAPTER: I/O ポート』の
章を参照してください。
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
101
r1.0
MB9B360L シリーズ
SDA
SCL
102
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
(13) JTAG タイミング
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
TMS, TDI
セットアップ時間
TMS, TDI
ホールド時間
記号
端子名
TCK,
TMS, TDI
TCK,
tJTAGH
TMS, TDI
TCK
TDO 遅延時間
tJTAGD
TDO
(注意事項) 外部負荷容量 CL = 30pF 時
tJTAGS
条件
VCC≧4.5V
VCC < 4.5V
VCC≧4.5V
VCC < 4.5V
VCC≧4.5V
VCC < 4.5V
規格値
最小
最大
単位
15
-
ns
15
-
ns
-
25
45
ns
備考
TCK
TMS/TDI
TDO
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
103
r1.0
MB9B360L シリーズ
5.
12 ビット A/D コンバータ
・A/D 変換部電気的特性
(VCC = AVCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = AVSS = AVRL = 0V)
項目
記号
端子名
分解能
積分直線性誤差
微分直線性誤差
ゼロトランジ
ション電圧
フルスケールト
ランジション電圧
変換時間
-
AN00 ~
AN14
AN00 ~
AN14
VZT
VFST
-
-
サンプリング時間
Ts
-
コンペアクロック
周期*3
Tcck
-
Tstt
-
動作許可状態遷移
時間
電源電流
(アナログ + デジタ
ル)
-
AVCC
最小
規格値
標準
最大
- 4.5
- 2.5
-
12
+ 4.5
+ 2.5
bit
LSB
LSB
- 15
-
+ 15
mV
AVRH - 15
-
AVRH + 15
mV
0.5*1
-
-
μs
*2
*2
25
50
-
10
μs
1000
1000
ns
1.0
-
-
μs
-
0.69
0.92
mA
A/D 1unit 動作時
-
0.3
12
μA
A/D 停止時
1.1
1.97
mA
0.2
4.2
μA
単位
AVCC≧4.5V
AVCC < 4.5V
AVCC≧4.5V
AVCC < 4.5V
-
アナログ入力容量
CAIN
-
-
-
10
pF
アナログ入力抵抗
RAIN
-
-
-
1.2
1.8
kΩ
-
-
-
-
4
LSB
-
-
5
μA
AVSS
-
AVRH
V
チャネル間ばらつ
き
アナログポート入
力電流
アナログ入力電圧
-
AN00 ~
AN14
AN00 ~
AN14
-
AVRH = 2.7V ~
5.5V
AVCC≧4.5V
基準電源電流
(AVRH ~ AVSS 間)
AVRH
備考
A/D 1unit 動作時
AVRH=5.5V
A/D 停止時
AVCC≧4.5V
AVCC < 4.5V
4.5
AVCC
Tcck < 50ns
V
Tcck≧50ns
2.7
AVCC
*1: 変換時間は サンプリング時間 (Ts) + コンペア時間 (Tc) の値です。
最小変換時間の条件は、サンプリング時間 : 150ns, コンペア時間 : 350ns (AVCC≧4.5V)の値です。
必ずサンプリング時間(Ts), コンペアクロック周期(Tcck)の規格を満足するようにしてください。
サンプリング時間, コンペアクロック周期の設定*4 については、『FM4 ファミリ ペリフェラルマ
ニュアル アナログマクロ編』の『CHAPTER: A/D コンバータ』の章を参照してください。
A/D コンバータのレジスタの設定は周辺クロックタイミングで反映されます。
サンプリングおよびコンペアクロックはベースクロック(HCLK)にて設定されます。
*2: 外部インピーダンスにより必要なサンプリング時間は変わります。
必ず(式 1)を満たすようにサンプリング時間を設定してください。
*3: コンペア時間(Tc) は (式 2)の値です。
*4: A/D コンバータのレジスタの設定は APB バスクロックのタイミングで反映されます。
サンプリングおよびコンペアクロックはベースクロック(HCLK)にて設定されます。
A/D コンバータが接続されている APB バス番号については「■ブロックダイヤグラム」を参照し
てください。
基準電圧
-
AVRH
104
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r1.0
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アナログ
信号発生源
Rext
AN00 ~ AN14
アナログ入力端子
コンパレータ
RAIN
CAIN
(式 1) Ts ≧ ( RAIN + Rext ) × CAIN × 9
Ts : サンプリング時間
RAIN : A/D の入力抵抗 = 1.2kΩ 4.5V ≦ AVCC ≦ 5.5V の場合
A/D の入力抵抗 = 1.8kΩ 2.7V ≦ AVCC ≦ 4.5V の場合
CAIN : A/D の入力容量 = 10pF 2.7V ≦ AVCC ≦ 5.5V の場合
Rext : 外部回路の出力インピーダンス
(式 2) Tc=Tcck × 14
Tc : コンペア時間
Tcck : コンペアクロック周期
DS709-00007-1v0-J
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105
r1.0
MB9B360L シリーズ
・12 ビット A/D コンバータの用語の定義
・ 分解能
: A/D コンバータにより識別可能なアナログ変化
・ 積分直線性誤差 : ゼロトランジション点(0b000000000000 ←→ 0b000000000001)とフルス
ケールトランジション点(0b111111111110 ←→ 0b111111111111)を結んだ
直線と実際の変換特性との偏差
・ 微分直線性誤差 : 出力コードを 1LSB 変化させるのに必要な入力電圧の理想値からの偏差
積分直線性誤差
0xFFF
微分直線性誤差
実際の変換特性
0xFFE
実際の変換特性
{1 LSB(N-1) + VZT}
VFST
(実測値)
VNT
0x004
(実測値)
0x003
デジタル出力
デジタル出力
0xFFD
0x(N+1)
0xN
理想特性
V(N+1)T
0x(N-1)
(実測値)
実際の変換特性
0x002
VNT
理想特性
(実測値)
0x(N-2)
0x001
VZT (実測値)
実際の変換特性
AVss
AVRH
AVss
アナログ入力
デジタル出力 N の積分直線性誤差
=
デジタル出力 N の微分直線性誤差
=
1LSB =
N
VZT
VFST
VNT
:
:
:
:
AVRH
アナログ入力
VNT - {1LSB × (N - 1) + VZT}
1LSB
V(N + 1) T - VNT
1LSB
[LSB]
- 1 [LSB]
VFST - VZT
4094
A/D コンバータデジタル出力値
デジタル出力が 0x000 から 0x001 に遷移する電圧
デジタル出力が 0xFFE から 0xFFF に遷移する電圧
デジタル出力が 0x (N - 1)から 0xN に遷移する電圧
106
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DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
6.
12 ビット D/A コンバータ
 D/A 変換部電気的特性
(VCC = AVCC = 2.7V~5.5V, VSS = AVSS = 0V)
項目
記号
分解能
積分直線性誤差*
微分直線性誤差*
出力電圧オフセッ
ト
アナログ出力イン
ピーダンス
INL
DNL
電源電流*
IDDA
VOFF
端子名
DAx
RO
IDSA
AVCC
最小
規格値
標準
最大
- 16
- 0.98
- 20.0
3.10
2.0
3.80
-
12
+ 16
+ 1.5
10.0
+ 1.4
4.50
-
bit
LSB
LSB
mV
mV
kΩ
MΩ
260
330
410
μA
400
519
620
μA
-
-
14
μA
単位
備考
0x000 設定時
0xFFF 設定時
D/A 動作時
D/A 停止時
D/A 1unit 動作時
AVCC=3.3V
D/A 1unit 動作時
AVCC=5.0V
D/A 停止時
*: 無負荷時
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107
r1.0
MB9B360L シリーズ
7.
USB 特性
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, USBVCC = 3.0V ~ 3.6V, VSS = 0V)
項目
記号 端子名
条件
規格値
最小
最大
入力"H"レベル電圧
VIH
-
2.0
入力特性 入力"L"レベル電圧
差動入力感度
VIL
-
VSS - 0.3
USBVCC +
0.3
0.8
VDI
-
0.2
差動コモンモードレンジ
VCM
出力"H"レベル電圧
VOH
出力"L"レベル電圧
VOL
外部
プルダウン
抵抗= 15kΩ
外部
プルアップ
UDP0,
抵抗=
1.5kΩ
UDM0
Full-Speed
Full-Speed
単位 備考
V
*1
V
*1
-
V
*2
0.8
2.5
V
*2
2.8
3.6
V
*3
0.0
0.3
V
*3
クロスオーバ電圧
VCRS
1.3
2.0
V *4
立上り時間
tFR
4
20
ns *5
出力特性
立下り時間
tFF
4
20
ns *5
立上り/立下り時間
tFRFM
Full-Speed
90
111.11
% *5
マッチング
出力インピーダンス
ZDRV
Full-Speed
28
44
Ω *6
立上り時間
tLR
Low-Speed
75
300
ns *7
立下り時間
tLF
Low-Speed
75
300
ns *7
立上り/立下り時間
tLRFM
Low-Speed
80
125
% *7
マッチング
*1 : USB I/O の Single-End-Receiver のスイッチング・スレッショルド電圧は VIL(Max)=0.8V,
VIH(Min)=2.0V(TTL 入力規格)の範囲内に設定されています。また、ノイズ感度を低下させるため
ヒステリシス特性を持たせています。
最小差動入力感度[V]
*2 : USB 差動データ信号の受信には、Differential-Receiver を使用します。
Differential-Receiver は、差動データ入力がローカル・グランド・リファレンス レベルに対し、
0.8V ~ 2.5V の範囲内にあるときには、200mV の差動入力感度があります。
上記電圧範囲は、コモン・モード入力電圧範囲と言われています。
コモン・モード入力電圧 [V]
108
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
*3 :ドライバの出力駆動能力は、Low-State(VOL)で 0.3V 以下(対 3.6V, 1.5kΩ 負荷)、High-State(VOH)で
2.8V 以上(対グランド, 15kΩ 負荷)です。
*4 : USB I/O の外部差動出力信号(D+/D-)のクロス電圧は、1.3V ~ 2.0V の範囲内にあります。
VCRS 規格範囲
*5 : Full-Speed 差動データ信号の立上り(Trise)と立下り(Tfall)時間規定です。
出力信号電圧の 10% ~ 90%間の時間で定義されます。
また Full-speed Buffer に関しては、Tr/Tf は、RFI 放射を最小にするために、Tr/Tf 比を±10%以内と
規定されています。
立上り時間
DS709-00007-1v0-J
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立下り時間
109
r1.0
MB9B360L シリーズ
*6 : USB Full-speed 接続は、90Ω ± 15%の特性インピーダンス(Differential Mode)で、シールドされた
ツイスト・ペアケーブルを介して行われます。
USB 規格は、USB Driver の出力インピーダンスは 28Ω ~ 44Ω の範囲内になければならないことを
規定しており、上記規格を満足し、バランスをとるために、ディスクリート直列抵抗器(Rs)を
付加することを規定しています。
本 USB I/O をご使用の際には、直列抵抗 Rs として 25Ω ~ 30Ω(推奨値 27Ω)を付加しご使用くださ
い。
28Ω ~ 44Ω Equiv. Imped.
28Ω ~ 44Ω Equiv. Imped.
外付け抵抗として実装してください。
Rs 直列抵抗値 25Ω ~ 30Ω
推奨値として 27Ω の直列抵抗を付加してください。
また、
「E24 系列で誤差 5%以内の抵抗」をご使用ください。
*7 : Low-Speed 差動データ信号の立上り(Trise)と立下り(Tfall)時間規定です。
出力信号電圧の 10% ~ 90%間の時間で定義されます。
立上り時間
立下り時間
外部負荷条件は、「・Low-Speed Load (Compliance Load)」を参照してください。
110
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DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
・ Low-Speed Load (Upstream Port Load) - Reference 1
CL = 50pF ~ 150pF
CL = 50pF ~ 150pF
・ Low-Speed Load (Downstream Port Load) - Reference 2
CL =
200pF ~ 600pF
CL =
200pF ~ 600pF
・ Low-Speed Load (Compliance Load)
CL = 200pF ~ 450pF
CL = 200pF ~ 450pF
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
111
r1.0
MB9B360L シリーズ
8.
低電圧検出特性
(1) 低電圧検出リセット
項目
検出電圧
解除電圧
記号
条件
VDL
VDH
-
規格値
最小 標準 最大
2.25
2.30
2.45
2.50
2.65
2.70
単位
V
V
備考
電圧降下時
電圧上昇時
(2) 低電圧検出割込み
項目
記号
検出電圧
解除電圧
検出電圧
解除電圧
検出電圧
解除電圧
検出電圧
解除電圧
検出電圧
解除電圧
検出電圧
解除電圧
検出電圧
解除電圧
検出電圧
解除電圧
VDL
VDH
VDL
VDH
VDL
VDH
VDL
VDH
VDL
VDH
VDL
VDH
VDL
VDH
VDL
VDH
LVD 安定待ち時間
TLVDW
条件
SVHI = 00111
SVHI = 00100
SVHI = 01100
SVHI = 01111
SVHI = 01110
SVHI = 01001
SVHI = 01000
SVHI = 11000
最小
規格値
標準 最大
単位
2.58
2.67
2.76
2.85
2.94
3.04
3.31
3.40
3.40
3.50
3.68
3.77
3.77
3.86
3.86
3.96
2.8
2.9
3.0
3.1
3.2
3.3
3.6
3.7
3.7
3.8
4.0
4.1
4.1
4.2
4.2
4.3
3.02
3.13
3.24
3.34
3.45
3.56
3.88
3.99
3.99
4.10
4.32
4.42
4.42
4.53
4.53
4.64
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
-
-
4480×
tCYCP*
μs
-
備考
電圧降下時
電圧上昇時
電圧降下時
電圧上昇時
電圧降下時
電圧上昇時
電圧降下時
電圧上昇時
電圧降下時
電圧上昇時
電圧降下時
電圧上昇時
電圧降下時
電圧上昇時
電圧降下時
電圧上昇時
*: tCYCP は APB2 バスクロックのサイクル時間です。
112
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DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
9.
メインフラッシュメモリ書込み/消去特性
(VCC = 2.7V ~ 5.5V)
項目
セクタ消去
時間
ハーフワード
(16 ビット)
書込み時間
Large Sector
Small Sector
書込み
サイクル
≦100
書込み
サイクル
> 100
チップ消去時間
規格値
最小 標準 最大
単位
0.7
0.3
s
内部での消去前書込み時間を含む
μs
システムレベルのオーバヘッド時間は
除く
s
内部での消去前書込み時間を含む
-
3.7
1.1
備考
100
-
12
200
-
8.0
38.4
書込みサイクルとデータ保持時間
消去/書込みサイクル(cycle)
保持時間(年)
1,000
20 *
10,000
10 *
100,000
5*
* : 信頼性評価結果からの換算値です(アレニウスの式を使用し、高温加速試験結果を平均温度+85°C
へ換算しています)。
10. ワークフラッシュメモリ書込み/消去特性
(VCC = 2.7V ~ 5.5V)
規格値
最小 標準 最大
項目
単位
備考
セクタ消去時間
-
0.3
1.5
s
内部での消去前書込み時間を含む
ハーフワード(16 ビット)
書込み時間
-
20
200
μs
システムレベルのオーバヘッド時間は
除く
チップ消去時間
-
1.2
6
s
内部での消去前書込み時間を含む
書込みサイクルとデータ保持時間
消去/書込みサイクル(cycle)
保持時間(年)
1,000
20 *
10,000
10 *
100,000
5*
* : 信頼性評価結果からの換算値です(アレニウスの式を使用し、高温加速試験結果を平均温度+85°C
へ換算しています)。
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113
r1.0
MB9B360L シリーズ
11. スタンバイ復帰時間
(1)復帰要因: 割込み/WKUP
内部回路の復帰要因受付からプログラム動作開始までの時間を示します。
・復帰カウント時間
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
規格値
標準
最大*
単位
HCLK×1
μs
スリープモード
備考
高速 CR タイマモード
メインタイマモード
PLL タイマモード
40
80
μs
低速 CR タイマモード
450
900
μs
サブタイマモード
881
1136
μs
270
581
μs
240
480
μs
308
667
μs
RAM 保持あり
308
667
μs
RAM 保持あり
RTC モード
ストップモード
(メイン/高速 CR/PLL ランモード復帰)
Ticnt
RTC モード
ストップモード
(サブ/低速 CR ランモード)
ディープスタンバイ RTC モード
ディープスタンバイストップモード
*: 規格値の最大値は内蔵 CR の精度に依存します。
・スタンバイ復帰動作例(外部割込み復帰時*)
Ext.INT
Interrupt factor
accept
Active
Ticnt
CPU
Operation
Interrupt factor
clear by CPU
Start
*: 外部割込みは立下りエッジ検出設定時
114
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DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
・スタンバイ復帰動作例(内部リソース割込み復帰時*)
Internal
Resource INT
Interrupt factor
accept
Active
Ticnt
CPU
Operation
Interrupt factor
clear by CPU
Start
*:低消費電力モードのとき、内部リソースからの割込みは復帰要因に含まれません。
(注意事項) ・復帰要因は低消費電力モードごとに異なります。
各低消費電力モードからの復帰要因は『FM4 ファミリ ペリフェラルマニュアル』の
『CHAPTER: 低消費電力モード』のスタンバイモード動作説明を参照してください。
・割込み復帰時、CPU が復帰する動作モードは低消費電力モード遷移前の状態に依存
します。詳細は『FM4 ファミリ ペリフェラルマニュアル』の『CHAPTER: 低消費
電力モード』を参照してください。
DS709-00007-1v0-J
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115
r1.0
MB9B360L シリーズ
(2)復帰要因: リセット
リセット解除からプログラム動作開始までの時間を示します。
・復帰カウント時間
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
規格値
標準
最大*
単位
備考
スリープモード
116
266
μs
高速 CR タイマモード
メインタイマモード
PLL タイマモード
116
266
μs
258
567
μs
258
567
μs
258
567
μs
308
667
μs
RAM 保持あり
308
667
μs
RAM 保持あり
低速 CR タイマモード
サブタイマモード
Trcnt
RTC モード
ストップモード
ディープスタンバイ RTC モード
ディープスタンバイストップモード
:
* 規格値の最大値は内蔵 CR の精度に依存します。
・スタンバイ復帰動作例(INITX 復帰時)
INITX
Internal RST
RST Active
Release
Trcnt
CPU
Operation
116
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Start
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
・スタンバイ復帰動作例(内部リソースリセット復帰時*)
Internal
Resource RST
Internal RST
RST Active
Release
Trcnt
CPU
Operation
Start
*:低消費電力モードのとき、内部リソースからのリセット発行は復帰要因に含まれません。
(注意事項) ・復帰要因は低消費電力モードごとに異なります。
各低消費電力モードからの復帰要因は『FM4 ファミリ ペリフェラルマニュアル』の
『CHAPTER:低消費電力モード』のスタンバイモード動作説明を参照してください。
・パワーオンリセット/低電圧検出リセット時は、復帰要因には含まれません。パワー
オンリセット/低電圧検出リセット時は、「■電気的特性 4. 交流規格 (6)パワーオン
リセットタイミング」を参照してください。
・リセットからの復帰時、CPU は高速 CR ランモードに遷移します。
メインクロックや PLL クロックを使用する場合、追加でメインクロック発振安定待
ち時間や、メイン PLL クロックの安定待ち時間が必要になります。
・内部リソースリセットとはウォッチドッグリセット, CSV リセットを指します。
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
117
r1.0
MB9B360L シリーズ
 オーダ型格
型格
パッケージ
MB9BF364LPMC1
プラスチック・LQFP (0.5mm ピッチ), 64 ピン
(FPT-64P-M38)
MB9BF365LPMC1
MB9BF366LPMC1
MB9BF364LPMC
MB9BF365LPMC
プラスチック・LQFP (0.65mm ピッチ), 64 ピン
(FPT-64P-M39)
MB9BF366LPMC
MB9BF364KPMC
MB9BF365KPMC
プラスチック・LQFP (0.5mm ピッチ), 48 ピン
(FPT-48P-M49)
MB9BF366KPMC
MB9BF364LQN
MB9BF365LQN
プラスチック・QFN (0.5mm ピッチ), 64 ピン
(LCC-64P-M24)
MB9BF366LQN
MB9BF364KQN
MB9BF365KQN
プラスチック・QFN (0.5mm ピッチ), 48 ピン
(LCC-48P-M73)
MB9BF366KQN
118
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r2.1
MB9B360L シリーズ
 パッケージ・外形寸法図
プラスチック・LQFP, 64 ピン
リードピッチ
0.50 mm
パッケージ幅×
パッケージ長さ
10.00 mm × 10.00 mm
リード形状
ガルウィング
リード曲げ方向
正曲げ
封止方法
プラスチックモールド
取付け高さ
1.70 mm Max.
質量
0.32 g
(FPT-64P-M38)
プラスチック・LQFP, 64ピン
(FPT-64P-M38)
注 1)* 印寸法はレジン残りを含まず。
注 2)端子幅および端子厚さはメッキ厚を含む。
注 3)端子幅はタイバ切断残りを含まず。
12.00 ± 0.20(.472 ± .008)SQ
10.00 ± 0.10(.394 ± .004)SQ
48
0.145± 0.055
(.006 ± .002)
33
49
Details of "A" part
32
0.08(.003)
+0.20
1.50 –0.10
(Mounting height)
+.008
.059 –.004
0.25(.010)
0~8°
INDEX
64
1
0.22 ± 0.05
(.009 ± .002)
0.10 ± 0.10
(.004 ± .004)
(Stand off)
"A"
16
0.50(.020)
C
0.50 ± 0.20
(.020 ± .008)
0.60 ± 0.15
(.024 ± .006)
17
0.08(.003)
M
2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F64038S-c-1-2
単位:mm(inches)
注意:括弧内の値は参考値です。
最新の外形寸法図については、下記の URL にてご確認ください。
http://edevice.fujitsu.com/package/jp-search/
DS709-00007-1v0-J
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119
r1.0
MB9B360L シリーズ
最新の外形寸法図については、下記の URL にてご確認ください。
http://edevice.fujitsu.com/package/jp-search/
120
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
プラスチック・QFN, 64ピン
リードピッチ
0.50 mm
パッケージ幅×
パッケージ長さ
9.00 mm×9.00 mm
封止方法
プラスチックモールド
取付け高さ
0.90 mm Max.
質量
―
(LCC-64P-M24)
プラスチック・QFN, 64ピン
(LCC-64P-M24)
9.00±0.10
(.354±.004)
6.00±0.10
(.236±.004)
9.00±0.10
(.354±.004)
0.25±0.05
(.010±.002)
6.00±0.10
(.236±.004)
INDEX AREA
0.45 (.018)
1PIN ID
(0.20R (.008R))
0.85±0.05
(.033±.002)
0.05 (.002) MAX
C
0.50 (.020)
(TYP)
0.40±0.05
(.016±.002)
(0.20 (.008))
2011 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED HMbC64-24Sc-2-1
単位:mm(inches)
注意:括弧内の値は参考値です。
最新の外形寸法図については、下記の URL にてご確認ください。
http://edevice.fujitsu.com/package/jp-search/
DS709-00007-1v0-J
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121
r1.0
MB9B360L シリーズ
プラスチック・LQFP, 48ピン
リードピッチ
0.50 mm
パッケージ幅×
パッケージ長さ
7.00 mm × 7.00 mm
リード形状
ガルウィング
リード曲げ方向
正曲げ
封止方法
プラスチックモールド
取付け高さ
1.70 mm Max.
質量
0.17 g
(FPT-48P-M49)
プラスチック・LQFP, 48ピン
(FPT-48P-M49)
注 1)* 印寸法はレジン残りを含まず。
注 2)端子幅および端子厚さはメッキ厚を含む。
注 3)端子幅はタイバ切断残りを含まず。
9.00 ± 0.20(.354 ± .008)SQ
*7.00 ± 0.10(.276 ± .004)SQ
36
0.145± 0.055
(.006 ± .002)
25
37
24
0.08(.003)
48
13
"A"
1
C
+0.20
1.50 –0.10 (Mounting height)
+.008
.059 –.004
INDEX
0.50(.020)
Details of "A" part
0°~8°
0.10 ± 0.10
(.004 ± .004)
(Stand off)
12
0.22 ± 0.05
(.008 ± .002)
0.08(.003)
0.25(.010)
M
2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED HMbF48-49Sc-1-2
0.60 ± 0.15
(.024 ± .006)
単位:mm (inches)
注意:括弧内の値は参考値です。
最新の外形寸法図については、下記の URL にてご確認ください。
http://edevice.fujitsu.com/package/jp-search/
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r1.0
MB9B360L シリーズ
最新の外形寸法図については、下記の URL にてご確認ください。
http://edevice.fujitsu.com/package/jp-search/
DS709-00007-1v0-J
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123
r1.0
MB9B360L シリーズ
 本版での主な変更内容
変更箇所は、本文中のページ左側の|によって示しています。
ページ
場所
-
-
3
■特長
・USB インタフェース
[USB ファンクション]
変更箇所
PRELIMINARY → 正式版
下記の記述を追加:
・各エンドポイントのサイズは下記のとおり
- エンドポイント 0, 2~5:64 バイト
- エンドポイント 1:256 バイト
■入出力回路形式
30~33
分類 F, G, I, L, M, N の備考に下記の記述を追加:
・I2C 端子として使用するとき、デジタル出力 P-ch
トランジスタは常にオフです。
分類 O, P, Q の備考に下記の記述を追加:
34~35
・IO の設定はペリフェラルマニュアル『本編』の
『VBAT ドメイン』の章を参照してください
■デバイス使用上の注意
・デバッグ機能を兼用している端子
について
項目追加
42
43
■ブロックダイヤグラム
ブロック図を変更
54
■電気的特性
2.推奨動作条件
アナログ基準電圧の最小値を注釈に変更
“パッケージ熱抵抗と最大許容電力表”を変更
動作時最大リーク電流の規格値の TBD を変更
55
■電気的特性
3.直流規格
(1)電流規格
・規格値の TBD を変更
・
「ICC」の通常動作(PLL)FBFCT.BE=0 のときに注記
追加
・「ICCVBAT」に注記追加
68
■電気的特性
4.交流規格
(2)サブクロック入力規格
VCC → VBAT
68
■電気的特性
4.交流規格
(3)内蔵 CR 発振規格
・規格値の TBD を変更
・「内蔵高速 CR」の表と注記を変更
・表と注記を変更
69
■電気的特性
4.交流規格
(4-1)メイン PLL の使用条件(PLL の
入力クロックにメインクロックを使
用)
(4-2)USB 用 PLL の使用条件(PLL
の入力クロックにメインクロックを
使用)
57~63
124
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DS709-00007-1v0-J
r1.0
MB9B360L シリーズ
ページ
場所
・規格値の TBD を変更
・表と注記を変更
69
■電気的特性
4.交流規格
(4-3)メイン PLL の使用条件(メイン
PLL クロックに内蔵高速 CR クロッ
クを使用)
104
■電気的特性
5.12 ビット A/D コンバータ
・A/D 変換部電気的特性
・規格値の TBD を変更
・特性表の条件を変更
・基準電圧の記載を変更
107
■電気的特性
6.12 ビット D/A コンバータ
・D/A 変換部電気的特性
・規格値の TBD を変更
・特性表の条件を変更
・「IDDA」の備考を変更
114
■電気的特性
11.スタンバイ復帰時間
(1)復帰要因: 割込み/WKUP
・規格値の TBD を変更
・復帰カウント時間の表を変更
116
■電気的特性
11.スタンバイ復帰時間
(2)復帰要因: リセット
・規格値の TBD を変更
・復帰カウント時間の表を変更
DS709-00007-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
変更箇所
125
r1.0
MB9B360L シリーズ
126
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r1.0
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127
r1.0
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器システムにおけるミサイル発射制御など), または極めて高い信頼性が要求される用途(海底中継器, 宇宙衛星など)に使用されるよう設
計・製造されたものではありません。したがって,これらの用途へのご使用をお考えのお客様は, 必ず事前に当社営業窓口までご相談くださ
い。ご相談なく使用されたことにより発生した損害などについては, 当社は責任を負いません。
半導体デバイスには, ある確率で故障や誤動作が発生します。
本資料に記載の製品を含め当社半導体デバイスをご使用いただく場合は, 当
社半導体デバイスに故障や誤動作が発生した場合も, 結果的に人身事故, 火災事故, 社会的な損害などを生じさせないよう, お客様の責任
において, 装置の冗長設計, 延焼対策設計, 過電流防止対策設計, 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。
本資料に記載された製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は, 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規
などの規制をご確認の上, 必要な手続きをおとりください。
本資料に記載されている社名および製品名などの固有名詞は, 各社の商標または登録商標です。
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
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