P6SMB220 ... P6SMB550CA P6SMB220 ... P6SMB550CA SMD Transient Voltage Suppressor Diodes SMD Spannungs-Begrenzer-Dioden PPPM = 600 W PM(AV) = 5.0 W Tjmax = 150°C VWM = 175 ... 495 V VBR = 220 ... 550 V Version 2016-05-31 ~ SMB / ~ DO-214AA ± 0.5 2.2± 0.2 2.1± 0.1 5.4 0.15 3.7 Type Typ 2 ± 0.3 1.1 Typical Applications Over-voltage protection ESD protection Free-wheeling diodes Commercial grade 1) Typische Anwendungen Schutz gegen Überspannung ESD-Schutz Freilauf-Dioden Standardausführung 1) Features Besonderheiten Uni- and Bidirectional versions Uni- und Bidirektionale Versionen Peak pulse power of 600 W 600 W Impuls-Verlustleistung (10/1000 µs waveform) (10/1000 µs Strom-Impuls) Very fast response time Sehr schnelle Ansprechzeit Further available: P6SMBJ5.0...170CA Auch erhältlich: P6SMBJ5.0...170CA having VWM = 5.0 ... 170 V mit VWM = 5.0 ... 170 V Compliant to RoHS, REACH, Konform zu RoHS, REACH, Pb Conflict Minerals 1) Konfliktmineralien 1) EE WE 4.6 EL V RoHS ± 0.5 Mechanical Data 1) Dimensions - Maße [mm] Type Code = VBR. Cathode mark only at unidirectional types Typ-Code = VBR. Kathoden-Markierung nur bei unidirektionalen Typen Taped and reeled Weight approx. Mechanische Daten 1) 3000 / 13“ Gegurtet auf Rolle 0.1 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 For bidirectional types (suffix “C” or “CA”), electrical characteristics apply in both directions. Für bidirektionale Dioden (mit Suffix “C” oder “CA”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen. Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform) Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs) TA = 25°C PPPM 600 W 3) Steady state power dissipation – Verlustleistung im Dauerbetrieb TT = 75°C PM(AV) 5W Peak forward surge current (half sine) – Stoßstrom (Sinushalbw.) 60 Hz TA = 25°C IFSM 100 A 4) Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Characteristics Kennwerte Max. instantaneous forward voltage Augenblickswert der Durchlass-Spannung IF = 25 A VBR ≤ 550 V Thermal resistance junction to ambien – Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung Thermal resistance junction to terminal – Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss 1 2 3 4 5 VF < 3.0 V 4) RthA RthT < 45 K/W 5) < 15 K/W Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t) Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t) Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 P6SMB220 ... P6SMB550CA Characteristics (Tj = 25°C) Type Typ unidirectional Kennwerte (Tj = 25°C) Breakdown voltage at IT = 1 mA Abbruch-Spannung bei IT = 1 mA Stand-off voltage Sperrspannung VBR [V] VWM [V] bidirectional P6SMBJ5.0 ... P6SMBJ170CA Max. rev. current Max. clamping voltage Max. Sperrstrom Max. Begrenzer-Spannung at / bei VWM at / bei IPPM (10/1000 µs) ID [µA] VC [V] IPPM [A] VWM = 5.0 ... 170V P6SMB220 P6SMB220C 220 ± 10% 198...242 175 5 344 1.7 P6SMB220A P6SMB220CA 220 ± 5% 209...231 185 5 328 1.8 P6SMB250 P6SMB250C 250 ± 10% 225...275 202 5 360 1.7 P6SMB250A P6SMB250CA 250 ± 5% 237...263 214 5 344 1.7 P6SMB300 P6SMB300C 300 ± 10% 270...330 243 5 430 1.4 P6SMB300A P6SMB300CA 300 ± 5% 285...315 256 5 414 1.4 P6SMB350 P6SMB350C 350 ± 10% 315...385 284 5 504 1.2 P6SMB350A P6SMB350CA 350 ± 5% 332...368 300 5 482 1.2 P6SMB400 P6SMB400C 400 ± 10% 360...440 324 5 574 1.0 P6SMB400A P6SMB400CA 400 ± 5% 380...420 342 5 548 1.1 P6SMB440 P6SMB440C 440 ± 10% 396...484 356 5 631 1.0 P6SMB440A P6SMB440CA 440 ± 5% 418...462 376 5 602 1.0 P6SMB480 P6SMB480C 480 ± 10% 432...528 388 5 686 0.87 P6SMB480A P6SMB480CA 480 ± 5% 456...504 408 5 658 0.91 P6SMB530 P6SMB530C 530 ± 10% 477...583 429 5 764 0.79 P6SMB530A P6SMB530CA 530 ± 5% 503...556 477 5 729 0.82 P6SMB550 P6SMB550C 550 ± 10% 495...605 445 5 793 0.76 P6SMB550A P6SMB550CA 550 ± 5% 522...577 495 5 760 0.79 TVS diodes having stand-off voltage VWM = 5.0 ... 170 V: please refer to datasheet P6SMBJ5.0 ... 170CA TVS-Dioden mit Sperrspannung VWM = 5.0 ... 170 V: siehe Datenblatt P6SMBJ5.0 ... 170CA 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG P6SMB220 ... P6SMB550CA 120 [%] tr = 10 µs 100 100 [%] 80 80 60 60 40 40 IPP IPP 20 20 PPP PPP 0 0 0 TA 50 100 150 [°C] IPPM/2 PPPM/2 tP 0 1 2 3 [ms] 4 10/1000µs - pulse waveform 10/1000µs - Impulsform 1 Peak pulse power/current vs. ambient temperature ) Impuls-Spitzenleistung/Strom vs. Umgebungstemp.1) 2 10 [kW] 10 1 1 PPP 0.1 0.1µs tP 1µs 10µs 100µs 1ms 10ms Non repetitive peak pulse power versus pulse width (10/1000 wave form) Einzel-Impuls-Spitzenleistung in Abh. von der Pulsdauer (10/1000-Impuls) unidir. bidir. VR = 4 V [pF] Cj [V] VBR Junction capacitance vs. breakdown voltage (typ.) Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Abbruchspg. (typ.) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3