SDA2AK, SDA4AK SDA2AK, SDA4AK SMD Bidirectional Clamping Diodes SMD Bidirektionale Spannungs-Begrenzer-Dioden PPPM = 300 W PM(AV) = 1.0 W Tjmax = 150°C VWM = 0.5 V, 1.0 V VBR = 0.9 V, 1.8 V Version 2016-05-30 Typical Applications Data line protection Reducing junction capacitance of TVS diodes Commercial grade 1) Besonderheiten Bidirektionales Begrenzen Kann in Reihe zu einer TVS geschaltet werden, um die Gesamtkapazität zu reduzieren Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Taped and reeled Mechanische Daten 1) 5000 / 13“ Weight approx. Dimensions - Maße [mm] RoHS Pb EL V 0.5 0.5 _ 0.4 Type Typ Features Bidirectional clamping Can be switched in series to a TVS, to reduce the total capacitance Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Typische Anwendungen Schutz von Datenleitungen Reduzierung der Sperrschichtkapazität von TVS-Dioden Standardausführung 1) EE WE 5.0 ±0.3 _ 0.4 0.1 2.5 +_ 0.2 ~ DO-213AB Plastic MELF Gegurtet auf Rolle 0.12 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 SDA2AK SDA4AK Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform) Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs) TA = 25°C PPPM 300 W 3) Steady state power dissipation Verlustleistung im Dauerbetrieb TA = 25°C PM(AV) 1 W 4) 4 Characteristics Kennwerte Type Typ Breakdown voltage Abbruch-Spannung at / bei IT = 1 A Stand-off voltage Sperrspannung Max. rev. current Max. Sperrstrom at / bei VWM Max. clamping voltage Max. Begrenzer-Spannung at / bei IPPM (10/1000 µs) VBRmin [V] VBRmax [V] VWM [V] ID [µA] VC [V] IPPM [A] SDA2AK 0.8 1.0 0.5 1000 2 40 SDA4AK 1.6 2.0 1.0 1000 4 40 1 2 3 4 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t), see e. g. datasheet TGL41 Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t), siehe z. B. Datenblatt TGL41 Mounted on P. C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 SDA2AK, SDA4AK Characteristics Kennwerte Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapzität VR = 0 V Thermal resistance junction to ambienWärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung Thermal resistance junction to terminal – Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss Tj TS -50...+150°C -50...+175°C Cj 800 pF RthA RthT < 45 K/W ) < 10 K/W 120 [%] tr = 10 µs 100 100 [%] 80 80 60 60 40 40 IPP IPP 20 20 PPP PPP 0 0 0 TA 50 100 150 [°C] IPPM/2 PPPM/2 tP 0 1 2 3 [ms] 4 10/1000µs - pulse waveform 10/1000µs - Impulsform Peak pulse power/current vs. ambient temperature1) Impuls-Spitzenleistung/Strom vs. Umgebungstemp.1) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG