BC817W

BC817W / BC818W
BC817W / BC818W
IC
= 500 mA
hFE ~ 180/290/520
Tjmax = 150°C
SMD General Purpose NPN Transistors
SMD Universal-PNP-Transistoren
VCEO = 25...45 V
Ptot = 200 mW
Version 2016-04-13
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial grade 1)
2±0.1
0.3
1±0.1
±0.1
2.1
2
Features
General Purpose
Three current gain groups
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Mechanische Daten 1)
Taped and reeled
2=E
Pb
Mechanical Data 1)
1.3
1=B
Besonderheiten
Universell anwendbar
Drei Stromverstärkungsklassen
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1
RoHS
EE
WE
Type
Code
1
1.25±0.1
3
EL
V
SOT-323
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung 1)
3=C
Dimensions - Maße [mm]
3000 / 7“
Weight approx.
Gegurtet auf Rolle
0.01 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
BC817W
BC818W
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
E-B short
VCES
50 V
30 V
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
B open
VCEO
45 V
25 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
C open
VEBO
5V
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
200 mW 2)
Collector current – Kollektorstrom (dc)
IC
500 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
hFE
hFE
hFE
100
160
250
–
–
–
250
400
600
hFE
40
–
–
–
–
0.7 V
3
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis )
VCE = 1 V, IC = 100 mA
Group -16
Group -25
Group -40
VCE = 1 V, IC = 500 mA
all groups
3
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. )
IC = 500 mA, IB = 50 mA
1
2
3
VCEsat
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BC817W / BC818W
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
.
Min.
Typ.
Max.
VBE
–
–
1.2 V
ICBO
–
–
100 nA
IEBO
–
–
100 nA
fT
100 MHz
–
–
CCBO
–
–
5 pF
1
Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung )
2
VCE = 1 V, IC = 500 mA
Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom
VCB = 20 V, (E open)
Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom
VEB = 5 V, (C open)
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
< 625 K/W 1)
RthA
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren
BC807W / BC808W
120
[%]
100
80
60
40
20
Ptot
0
0
TA
50
100
150
[°C]
Power dissipation versus ambient temperature 1)
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
2
2
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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