BC846S

BC846S ... BC849S
BC846S ... BC849S
IC
= 100 mA
hFE ~ 290
Tjmax = 150°C
SMD General Purpose Dual NPN Transistors
SMD Universal-NPN-Doppeltransistoren
VCEO = 30...65 V
Ptot = 250 mW
Version 2016-04-13
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial grade 1)
2
±0.1
2 x 0.65
0.9±0.1
5
2
2.1
Type
Code
1
1.25±0.1
4
±0.1
6
3
6
5
4
T2
T1
Features
Two transistors in one package
General Purpose
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Universell anwendbar
Konform zu RoHS, REACH,
Pb
Konfliktmineralien 1
RoHS
EE
WE
2.4
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung 1)
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
Taped and reeled
3000 / 7“
Weight approx.
1
2
3
T1: E1 = 1, C1 = 6, B1 = 2
T2: E2 = 4, C2 = 3, B2 = 5
EL
V
SOT-363
Gegurtet auf Rolle
0.01 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
Per transistor – pro Transistor
BC846S
BC847S
BC848S
BC849S
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
B open
VCEO
65 V
45 V
30 V
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
E open
VCBO
80 V
50 V
30 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
C open
VEBO
6V
5V
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
250 mW 2)
Collector current – Kollektorstrom (dc)
IC
100 mA
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
ICM
200 mA
Junction/Storage temperature – Sperrschicht-/Lagerungstemperatur
Tj/S
-55...+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
per transistor – pro Transistor
Min.
Typ.
Max.
hFE
200
–
450
VCEsat
VCEsat
–
–
–
–
250 mV
650 mV
VBE
VBE
580 mV
–
–
–
700 mV
770 mV
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
VCE = 5 V, IC = 2 mA
3
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung )
IC = 10 mA, IB = 0.5 mA
IC = 100 mA, IB = 5 mA
Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung 3)
VCE = 5 V, IC = 2 mA
VCE = 5 V, IC = 10 mA
1
2
3
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BC846S ... BC849S
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
per transistor – pro Transistor
Min.
Typ.
Max.
ICBO
–
–
15 nA
IEBO
–
–
100 nA
fT
100 MHz
–
–
CCBO
–
–
4.5 pF
Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom
VCB = 30 V, (E open)
Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom
VEB = 5 V, (C open)
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren
< 420 K/W 1)
BC856S ... BC859S
120
[%]
100
80
60
40
20
Ptot
0
0
TA
50
100
150
[°C]
Power dissipation versus ambient temperature 1)
1
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
2
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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