1N4001S ... 1N4007S 1N4001S ... 1N4007S IFAV = 1 A VRRM = 50...1000 V VF < 1.0 V IFSM = 30 A Tjmax = 150°C trr ~ 1500 ns Standard Recovery Rectifier Diodes Gleichrichterdioden mit Standard-Sperrverzug Version 2016-02-23 +0.1 5.1+0.1 -0.9 Type Ø 0.54±0.04 Typische Anwendung 50/60 Hz Netzgleichrichtung, Stromversorgungen, Verpolschutz Standardausführung 1) Features Thin lead wires Special grade 1N400xGP available Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheit Dünne Anschlussdrähte Sonderversion 1N400xGP erhältlich Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EE WE 62.5-7.5 Ø 2.6 -0.6 Typical Application 50/60 Hz Mains Rectification, Power Supplies, Polarity Protection Commercial grade 1) EL V ~A-405 Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped in ammo pack 5000 Gegurtet in Ammo-Pack Weight approx. 0.4 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 1N4001S 50 50 1N4002S 100 100 1N4003S 200 200 1N4004S 400 400 1N4005S 600 600 1N4006S 800 800 1N4007S 1000 1000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 75°C TA = 100°C IFAV 1 A 1) 0.8 A 3) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 5.4 A 3) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 27/30 A Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 3.6 A2s Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 1N4001S ... 1N4007S Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 A VF < 1.0 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 5 µA < 50 µA VR = 4 V Cj 15 pF trr typ. 1500 ns Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 50 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 25 K/W Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapzität Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A 102 120 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 Tj = 25°C 1 60 40 10-1 20 IF IFAV 0 0 TA 50 100 150 50a-(1a-1.1v) 10-2 0.4 [°C] VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Rated forward current versus ambient temperature1) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 2 10 [A] 10 îF 1 1 10 10 2 [n] 10 3 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet 1 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG