SMZ1

SMZ1 ... SMZ200
SMZ1 ... SMZ200
Ptot = 2 W
VZ = 1 V ... 200 V
Tjmax = 150°C
SMD Zener Diodes (non-planar technology)
Flächendiffundierte SMD Zener-Dioden
Version 2016-03-21
Typical Applications
Voltage stabilization and regulators
(For overvoltage protection
– uni- and bi-directional – see
TVS diodes TGL41 series)
Commercial grade 1)
0.5
_
0.4
RoHS
Pb
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
Taped and reeled
5000 / 13“
Weight approx.
Dimensions - Maße [mm]
Type: Zxx where xx = VZ
Typ: Zxx mit xx = VZ
Besonderheiten
Hohe Leistungsfähigkeit
VZ bis zu 200 V
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
EL
V
Type
Typ
Features
High power dissipation
VZ up to 200 V
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Typische Anwendungen
Spannungsstabilisierung und -regler
(Für Überspannungsschutz
– uni-und bidirektional – siehe
TVS-Diodenreihe TGL41)
Standardausführung 1)
EE
WE
5.0±0.3
0.5
_
0.4
0.1
2.5 +_ 0.2
~ DO-213AB
Plastic MELF
Gegurtet auf Rolle
0.12 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~ ±5%) standard.
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen
Reihe E 24 (~ ±5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
Power dissipation – Verlustleistung
TA = 25°C
Ptot
2 W 3)
Non repetitive peak power dissipation, t < 1 ms
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 1 ms
TA = 25°C
PZSM
60 W
Tj
TS
+150°C
-50...+175°C
Max. operating j unction temperature – Max. Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Characteristics
Kennwerte
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 45 K/W 3)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
RthT
< 15 K/W
Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite
45
1
2
3
4
5
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen
The SMZ1 is a diode operated in forward mode. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”.
The cathode, indicated by a white band, has to be connected to the negative pole.
Die SMZ1 ist eine in Durchlass betriebene Si-Diode. Daher ist bei allen Kenn- und Grenzwerten der Index
"F” anstatt “Z” zu setzten. Die mit weißem Balken gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
SMZ1 ... SMZ200
Characteristics
Kennwerte
(Tj = 25°C unless otherwise specified)
Zener voltage 4)
Zener-Spannung 4)
IZ = IZtest
Type
Typ
(Tj = 25°C wenn nicht anders spezifiziert)
Test current
Mess-Strom
Dynamic resistance
Diff. Widerstand
IZtest / f = 1 kHz
Temp. Coeffiz.
of Z-voltage
…der Z-Spannung
Reverse volt.
Sperrspanng.
IR = 1 μA
Z-current 3)
Z-Strom 3)
TA = 50°C
VR [V]
IZmax [mA]
Vzmin [V]
Vzmax [V]
IZtest [mA]
rzj [Ω]
αVZ [10-4 /°C]
SMZ1 )
0.71
0.82
100
0.5 (<1)
–26…–16
–
1200
SMZ5.6
5.2
6.0
100
1 (<3)
–3…+5
> 0.5 / 3 µA
333
SMZ6.2
5.8
6.6
100
1 (<2)
–1…+6
> 1.5
303
SMZ6.8
6.4
7.2
100
1 (<2)
0…+7
>2
278
SMZ7.5
7.0
7.9
100
1 (<2)
0…+7
>2
253
SMZ8.2
7.7
8.7
100
1 (<2)
+3…+8
> 3.5
230
SMZ9.1
8.5
9.6
50
2 (<4)
+3…+8
> 3.5
208
SMZ10
9.4
10.6
50
2 (<4)
+5…+9
>5
189
SMZ11
10.4
11.6
50
4 (<7)
+5…+10
>5
172
SMZ12
11.4
12.7
50
4 (<7)
+5…+10
>7
157
SMZ13
12.4
14.1
50
5 (<10)
+5…+10
>7
142
SMZ15
13.8
15.6
50
5 (<10)
+5…+10
> 10
128
SMZ16
15.3
17.1
25
6 (<15)
+6…+11
> 10
117
SMZ18
16.8
19.1
25
6 (<15)
+6…+11
> 10
105
SMZ20
18.8
21.2
25
6 (<15)
+6…+11
> 10
94
SMZ22
20.8
23.3
25
6 (<15)
+6…+11
> 12
86
SMZ24
22.8
25.6
25
7 (<15)
+6…+11
> 12
78
SMZ27
25.1
28.9
25
7 (<15)
+6…+11
> 14
69
SMZ30
28
32
25
8 (<15)
+6…+11
> 14
63
SMZ33
31
35
25
8 (<15)
+6…+11
> 17
57
SMZ36
34
38
10
16 (<40)
+6…+11
> 17
53
SMZ39
37
41
10
20 (<40)
+6…+11
> 20
49
SMZ43
40
46
10
24 (<45)
+7…+12
> 20
43
SMZ47
44
50
10
24 (<45)
+7…+12
> 24
40
SMZ51
48
54
10
25 (<60)
+7…+12
> 24
37
SMZ56
52
60
10
25 (<60)
+7…+12
> 28
33
SMZ62
58
66
10
25 (<80)
+8…+13
> 28
30
SMZ68
64
72
10
25 (<80)
+8…+13
> 34
28
SMZ75
70
79
10
30 (<100)
+8…+13
> 34
25
SMZ82
77
88
10
30 (<100)
+8…+13
> 41
23
SMZ91
85
96
5
40 (<200)
+9…+13
> 41
21
SMZ100
94
106
5
60 (<200)
+9…+13
> 50
19
SMZ110
104
116
5
80 (<250)
+9…+13
> 50
17
SMZ120
114
127
5
80 (<250)
+9…+13
> 60
16
SMZ130
124
141
5
90 (<300)
+9…+13
> 60
14
SMZ150
138
156
5
100 (<300)
+9…+13
> 75
13
SMZ160
153
171
5
110 (<350)
+9…+13
> 75
12
SMZ180
168
191
5
120 (<350)
+9…+13
> 90
10
SMZ200
188
212
5
150 (<350)
+9…+13
> 90
9
5
3,4,5
3,4,5 Notes see previous page – Fußnoten siehe vorhergehende Seite
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
SMZ1 ... SMZ200
101
120
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
10
80
Tj = 25°C
1
60
40
10-1
20
IF
Ptot
0
0
TA
100
50
150
10-2
0.4
[°C]
1
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1 )
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
300
IZmax
Tj = 25°C
[mA]
30a-(1a-1.1v)
VF
8,2
6,8
Tj = 25°C
f = 1.0 MHz
[pF]
9,1
7,5
VR = 0V
200
VR = 4V
IZT
100
IZ
VR = 20V
IZ = 5 mA
0
0
4
5
7
VZ
2
3
6
8
Typical breakdown characteristic – tested with pulses
Typische Abbruchspannung – gemessen mit Impulsen
[V]
VR = 40V
10
Cj
VZ
10
18
24
30
36
[V]
Junction capacitance vs. zener voltage (typical)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Zenerspg. (typ.)
IZmax
43
51
56
62
68
75
91
82
100
IZT
Typ. Zener voltage vs. zener current – Typ. Abbruchspannung über Zenerstrom
1
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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