GBU8A ... GBU8M GBU8A ... GBU8M Single Phase Bridge Rectifier Einphasen-Brückengleichrichter IFAV = 8 A VF < 1.0 V Tjmax = 150°C VRRM = 50...1000 V IFSM = 180/200 A trr ~ 1500 ns Version 2016-01-29 – 5.3 +0.5 5.6 3.6±0.2 ±0.7 18.2 ±0.3 21.5 ±0.1 1.7 ±0.1 3.4 GBU ... ~ ~ + +0.2 0.5 +0.1 1.1 +0.2 - 0.1 1.8 1.8+0.7 5.08 Dimensions - Maße [mm] Typische Anwendung 50/60 Hz Netzgleichrichtung, Stromversorgungen Standardausführung 1) Features UL recognized, File E175067 For free-standing or heatsink assembly Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheit UL-anerkannt, Liste E175067 Montage freistehend oder auf Kühlkörper Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EE WE 2.2 Typical Application 50/60 Hz Mains Rectification, Power Supplies Commercial grade 1) EL V GBU Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Packed in cardboard trays 1000 Verpackt in Einlagekartons Weight approx. 3.8 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] 3) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 4) GBU8A 35 50 GBU8B 70 100 GBU8D 140 200 GBU8G 280 400 GBU8J 420 600 GBU8K 560 800 GBU8M 700 1000 Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 36 A 5) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Tj = 25°C IFSM 180/200 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Tj = 25°C i2t 162 A2s Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment M3 9 ± 10% lb.in. 1 ± 10% Nm 1 2 3 4 5 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben Eventual superimposed voltage peaks must not exceed VRRM Evtl. überlagerte Spannungsspitzen dürfen VRRM nicht überschreiten Valid per diode – Gültig pro Diode Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG GBU8A ... GBU8M Characteristics Kennwerte Max. rectified output current without cooling fin Dauergrenzstrom am Brückenausgang ohne Kühlblech TA = 50°C R-load C-load IFAV IFAV 5.6 A 1) 4.5 A 1) Max. rectified output current with cooling fin 300 cm² Dauergrenzstrom am Brückenausgang mit Kühlblech 300 cm2 TA = 50°C R-load C-load IFAV IFAV 8.0 A 6.4 A Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 8 A VF < 1.0 V 2) Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 5 µA 2) trr typ. 1500 ns 2) Cj 80 pF 2) Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität VR = 4 V Thermal resistance junction to case – Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse Type Typ Rt 3) ~ _ + ~ CL 4) RthC Recomm. protective resistance Empf. Schutzwiderstand Rt [Ω] 3) < 3.0 K/W Admiss. load capacitor at Rt Zul. Ladekondensator mit Rt CL [µF] 4) GBU8A 0.2 20000 GBU8B 0.4 10000 GBU8D 0.8 5000 GBU8G 1.6 2500 GBU8J 2.4 1500 GBU8K 3.2 1000 GBU8M 4.0 800 120 103 [%] [A] 100 Tj = 125°C 102 80 Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 0 0 TA 50 100 150 10-1 0.4 [°C] Rated forward current versus ambient temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. 270a-(12a-1v) VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet 1 2 3 4 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Valid per diode – Gültig pro Diode Rt = VRRM / IFSM Rt is the equivalent resistance of any protective element which ensures that IFSM is not exceeded Rt ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von IFSM verhindert CL = 5 ms / Rt If the Rt CL time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, CL can be charged completely in a single half wave of the mains. Hence, IFSM occurs as a single pulse only! Falls die Rt CL Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann CL innerhalb einer einzigen Netzhalbwelle komplett geladen werden. IFSM tritt dann nur als Einzelpuls auf! http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG