SD101AW ... SD101CW SD101AW ... SD101CW IFAV = 15 mA VF1 < 0.39 V Tjmax = 125°C SMD Schottky Barrier Diodes SMD Schottky-Dioden VRRM = 40...60 V IFSM = 2 A trr ~ 1 ns Version 2016-02-03 Typical Applications Signal processing, High-speed switching Commercial grade 1) Besonderheiten Extrem schnelles Schalten Niedrige Sperrschicht-Kapazität Niedriger Sperrstrom Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Taped and reeled Dimensions - Maße [mm] RoHS Pb EE WE Type Code 1 .6 ±0 .1 0.6 ±0.1 3.8±0.2 Features Very high switching speed Low junction capacitance Low leakage current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schnelles Schalten Standardausführung 1) EL V 1 .1 ±0.1 2.7±0.1 0 .1 2 ~ SOD-123 Weight approx. Solder & assembly conditions Type code: SM Mechanische Daten 1) 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle 0.01 g 260°C/10s Gewicht ca. Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] SD101CW 40 40 SD101BW 50 50 SD101AW 60 60 Power dissipation Verlustleistung TA = 25°C Ptot 400 mW 3) Max. average forward current Dauergrenzstrom TA = 25°C IFAV 15 mA 3) Peak forward surge current, 10 µs square pulse Stoßstrom für einen 10 µs Rechteckimpuls Tj = 25°C IFSM 2A Tj TS -55...+125°C -55...+125°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben Mounted with 3 mm2 copper pads at each terminal – Montage mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 SD101AW ... SD101CW Characteristics Kennwerte SD101CW SD101BW SD101AW Forward voltage Durchlass-Spannung IF = 1 mA VF < 0.39 V < 0.4 V < 0.41 V IF = 15 mA VF < 0.9 V < 0.95 V <1V Leakage current – Sperrstrom VR = VRRM IR Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapazität VR = 0 V f = 1 MHz Cj Reverse recovery time – Sperrverzug Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung < 200 nA 2.2 pF 2.1 pF 2 pF trr typ. 1 ns 1) RthA < 300 K/W 2) 1 120 [%] [A] 100 10-1 80 60 10-2 40 10-3 20 IF Ptot 0 Tj = 25°C 0 TA 50 100 150 10 [°C] -4 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Power dissipation versus ambient temperature 1) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 IF = 5 mA through/über IR = 5 mA to IR = 0.5 mA Mounted with 3 mm2 copper pads at each terminal – Montage mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG