MR820

MR820 ... MR828
MR820 ... MR828
IFAV = 5 A
VRRM = 50...800 V
VF
< 1.2 V IFSM = 300/220 A
Tjmax = 150°C trr
< 300 ns
Fast Recovery Rectifier Diodes
Gleichrichterdioden mit schnellem Sperrverzug
Version 2015-11-19
7,5 ±0.1
62.5
±0.1
Type
Features
High forward surge current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
±0.05
Besonderheit
Hohe Stoßstromfestigkeit
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
RoHS
Pb
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
Taped in ammo pack
Ø 1.2
Typische Anwendung
Gleichrichtung mittlerer Frequenzen
Beschaltungs- oder Bootstrapdioden
Standardausführung 1)
EE
WE
±0.5
Ø8
Typical Application
Rectification of medium frequencies,
Snubber or Bootstrap diodes
Commercial grade 1)
EL
V
Ø 8 x 7.5 (~P600)
500
Weight approx.
Gegurtet in Ammo-Pack
1.7 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings 2)
Type
Typ
Grenzwerte 2)
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
MR820
50
50
MR821
100
100
MR822
200
200
MR824
400
400
MR826
600
600
MR828
800
800
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C
IFAV
5 A 3)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
60 A 3)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
300/330 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
450 A2s
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+175°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
3
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
MR820 ... MR828
Characteristics
Kennwerte
Forward Voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 5 A
VF
< 1.2 V
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
< 10 µA
VR = 4 V
Cj
15 pF
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to IR = 0.25 A
trr
< 300 ns
Typical junction capacitance
Typische Sperrschichtkapzität
Reverse recovery time
Sperrverzug
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 16 K/W 1)
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
RthL
< 5 K/W
120
103
[%]
[A]
100
102
80
Tj = 125°C
10
60
40
Tj = 25°C
1
20
IF
IFAV
0
0
TA
50
100
150
10-1
[°C]
300a-(5a-1.2v)
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Rated forward current versus ambient temperature1)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
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Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG