1N4933

1N4933 ... 1N4937
1N4933 ... 1N4937
IFAV = 1 A
VF
< 1.2 V
Tjmax = 150°C
Fast Recovery Rectifier Diodes
Gleichrichterdioden mit schnellem Sperrverzug
VRRM = 50...600 V
IFSM = 30/33 A
trr
< 200 ns
Version 2015-11-03
-0.1
5.1
Type
+0.5
±0.1
Ø 0.77±0.07
Features
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Typische Anwendung
Gleichrichtung mittlerer Frequenzen
Beschaltungs- oder Bootstrapdioden
Standardausführung 1)
Besonderheit
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
RoHS
Pb
EE
WE
62.5 -4.5
Ø 2.6
Typical Application
Rectification of medium frequencies,
Snubber or Bootstrap diodes
Commercial grade 1)
EL
V
~DO-41 / ~DO-204AC
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
Taped in ammo pack
5000
Gegurtet in Ammo-Pack
Weight approx.
0.4 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL: N/A
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings 2)
Type
Typ
Grenzwerte 2)
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
1N4933
50
50
1N4934
100
100
1N4935
200
200
1N4936
400
400
1N4937
600
600
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 75°C
IFAV
1 A 3)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
10 A 3)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
30/33 A
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
4.5 A2s
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+175°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
3
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
1N4933 ... 1N4937
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 1 A
VF
< 1.2 V
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 5 µA
< 100 µA
VR = 4 V
Cj
15 pF
trr
< 200 ns
Typical junction capacitance
Typische Sperrschichtkapzität
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 45 K/W 1)
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
RthL
< 15 K/W
2
10
120
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
10
80
Tj = 25°C
1
60
40
10-1
20
IF
IFAV
0
0
TA
50
100
150
10-2
0.4
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
30a-(1a-1.2v)
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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