EAL1A

EAL1A ... EAL1M
EAL1A ... EAL1M
IFAV = 1.0 A
VF1 < 1.25 V
Tjmax = 175°C
Controlled Avalanche Superfast Recovery SMD Rectifier Diodes
Superschnelle SMD-Gleichrichterdioden mit Controlled Avalanche
VRRM = 50...1000 V
ERSM = 20 mJ
trr
< 50...75 ns
Version 2015-10-21
Typical Applications
Rectification of higher frequencies,
High speed switching
Commercial grade 1)
0.4
1.6
Besonderheiten
Gehäuse kompatibel zu SOD-87
Hohe Leistungsabgabe
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
RoHS
Pb
EE
WE
Features
Package compatible to SOD-87
High power dissipation
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Typische Anwendungen
Gleichrichtung hoher Frequenzen
Schnelles Schalten
Standardausführung 1)
EL
V
~ DO-213AA
Plastic MiniMELF
Mechanische Daten 1)
3.5
Mechanical Data 1)
0.4
Taped and reeled
2500 / 7“
Weight approx.
Dimensions - Maße [mm]
Gegurtet auf Rolle
0.04 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Marking:
1. green ring denotes “cathode” and “superfast switching rectifier family”
2. colored ring denotes “repetitive peak reverse voltage” (see below)
Kennzeichnung:
1. grüner Ring kennzeichnet “Kathode” und “superschnelle Gleichrichter”
2. farbiger Ring kennzeichnet “Periodische Spitzensperrspannung” (siehe unten)
Maximum ratings
Grenzwerte
(Tj = 25°C unless otherwise specified)
Type
Typ
(Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben)
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Reverse avalanche breakdown voltage
Sperrspannung im Durchbruch
VRSM [V] at/bei IRSM = 1 mA
2. Cathode ring
2. Kathodenring
EAL1A
50
> 75
gray / grau
EAL1B
100
> 150
red / rot
EAL1D
200
> 250
orange / orange
EAL1G
400
> 450
yellow / gelb
EAL1J
600
> 650
green / grün
EAL1K
800
> 850
blue / blau
EAL1M
1000
> 1100
violett / violet
EAL1A...EAL1G
TA = 75°C
IFAV
1 A 2)
EAL1J...EAL1M
TA = 50°C
IFAV
1 A 2)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
8 A 2)
Peak forward surge current (half sine)– Stoßstrom (Sinus-Halbwelle) 50/60 Hz
TA = 25°C
IFSM
25/30 A
Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
2
Non-repetitive peak reverse avalanche energy – Einmalige Sperr-Impulsenergie
IRSM = 1 mA
Max. average forward rectified current
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung
Junction/Storage temperature – Sperrschicht-/Lagerungstemperatur
1
2
it
4.5 A2s
ERSM
20 mJ
Tj/S
-50...+175°C
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal – Mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
EAL1A ... EAL1M
Characteristics
Kennwerte
Type
Typ
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
Tj = 25°C
Forward voltage
Durchlass-Spannung
trr [ns] 1)
VF [V]
EAL1A ... EAL1D
< 50
< 1.25
1
EAL1G
< 50
< 1.35
1
EAL1J ... EAL1M
< 75
< 1.8
1
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 125°C
Typical junction capacitance
Typische Sperrschichtkapzität
Non-repetitive peak reverse avalanche energy
Einmalige Impulsenergie in Sperr-Richtung
at / bei
IF [A]
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 3 µA
< 50 µA
VR = 4 V
Cj
4 pF
IRSM = 1 mA
TA = 25°C
ERSM
20 mJ
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 75 K/W 2)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss
RthT
< 40 K/W
10
120
[% ]
[A]
EAL1A...EAL1G
100
EAL1A...D
1
80
EAL1G
EAL1J...EAL1M
EAL1J...M
60
10
-1
40
10 -2
20
IF
IFAV
0
0
TA
50
100
150
10 -3
0.4
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature )
1
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
Tj = 25°C
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
2
2
IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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