RAL1A ... RAL1M RAL1A ... RAL1M IFAV = 1 A VF < 1.3 V Tjmax = 175°C Controlled Avalanche Fast Recovery SMD Rectifier Diodes Schnelle SMD-Gleichrichterdioden mit Controlled Avalanche VRRM = 50...1000 V ERSM = 20 mJ trr < 150...500 ns Version 2015-10-19 Typical Applications Rectification of medium frequencies, Snubber or Bootstrap diodes Commercial grade 1) 1.6 0.4 RoHS Pb EE WE Features Package compatible to SOD-87 High power dissipation Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Typische Anwendungen Gleichrichtung mittlerer Frequenzen Beschaltungs- oder Bootstrapdioden Standardausführung 1) EL V ~ DO-213AA Plastic MiniMELF Besonderheiten Gehäuse kompatibel zu SOD-87 Hohe Leistungsabgabe Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanische Daten 1) 3.5 Mechanical Data 1) 0.4 Taped and reeled 2500 / 7“ Weight approx. Dimensions - Maße [mm] Gegurtet auf Rolle 0.04 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Marking: 1. red ring denotes “cathode” and “fast switching rectifier family” 2. colored ring denotes “repetitive peak reverse voltage” (see below) Kennzeichnung: 1. roter Ring kennzeichnet “Kathode” und “schnelle Gleichrichter” 2. farbiger Ring kennzeichnet “Periodische Spitzensperrspannung” (siehe unten) Maximum ratings2) Type Typ Grenzwerte 2) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Reverse avalanche breakdown voltage Sperrspannung im Durchbruch VRSM [V] 3) 2. Cathode ring 2. Kathodenring RAL1A 50 > 75 grey / grau RAL1B 100 > 150 red / rot RAL1D 200 > 250 orange / orange RAL1G 400 > 450 yellow / gelb RAL1J 600 > 650 green / grün RAL1K 800 > 850 blue / blau RAL1M 1000 > 1100 violet / violett Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 75°C IFAV 1 A 4) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 22/25 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 2.5 A2s Non-repetitive peak reverse avalanche energy Einmalige Impulsenergie in Sperr-Richtung IRSM = 1 mA TA = 25°C ERSM 20 mJ Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 4 Tj TS -50...+175°C -50...+175°C Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben IRSM = 1 mA, TA = 25°C Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 RAL1A ... RAL1M Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 A VF < 1.3 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 125°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 3 µA < 50 µA VR = 4 V Cj 4 pF RAL1A...G RAL1J RAL1K...M trr trr trr < 150 ns < 250 ns < 500 ns Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapzität Reverse recovery time Sperrverzugszeit IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 75 K/W 1) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss RthT < 40 K/W 10 120 [%] [A] 100 Tj = 125°C 1 80 Tj = 25°C 60 10-1 40 10-2 20 IF IFAV 0 0 TA 50 100 150 10-3 0.4 [°C] 1 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 10a-(0.5a-1.2v) VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG