BAS16

BAS16
BAS16
Fast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes
Schnelle Si-Planar-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2015-05-12
+0.1
1.1 -0.2
2.9 ±0.1
Type
Code
1
1.3±0.1
3
2.4 ±0.2
0.4
+0.1
-0.05
2
1.9
Power dissipation – Verlustleistung
310 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
85 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
SOT-23
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
±0.1
Dimensions - Maße [mm]
1=A
2 = n.c. /frei 3 = C
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
BAS16
Power dissipation − Verlustleistung
Ptot
310 mW 1)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc)
IFAV
200 mA 1)
IFSM
IFSM
1A
2A
VRRM
85 V
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 µs
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
2
Forward voltage )
Durchlass-Spannung 2)
Leakage current
Sperrstrom
IF
IF
IF
IF
=
=
=
=
1 mA
10 mA
50 mA
150 mA
VF
VF
VF
VF
< 715 mV
< 855 mV
< 1.0 V
< 1.25 V
Tj = 25°C
VR = 75 V
IR
< 1 µA
Tj = 150°C
Tj = 150°C
VR = 25 V
VR = 75 V
IR
IR
< 30 µA
< 50 µA
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
CT
2 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
Trr
< 6 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 400 K/W 1)
1
2
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BAS16
Pinning – Anschlussbelegung
3
1
Marking – Stempelung
Fast Switching Single Diode
Schnelle Einzeldiode
1=A
2
2 = n.c./frei
BAS16 = A6 or/oder 5D
3=C
1
120
[%]
[A]
100
10-1
80
Tj = 125°C
10
-2
60
40
Tj = 25°C
10-3
20
IF
Ptot
0
0
TA
50
100
150
[°C]
10-4
1
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)
2
http://www.diotec.com/
0
VF
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
© Diotec Semiconductor AG
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