BAS16 BAS16 Fast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes Schnelle Si-Planar-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2015-05-12 +0.1 1.1 -0.2 2.9 ±0.1 Type Code 1 1.3±0.1 3 2.4 ±0.2 0.4 +0.1 -0.05 2 1.9 Power dissipation – Verlustleistung 310 mW Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 85 V Plastic case Kunststoffgehäuse SOT-23 (TO-236) Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert ±0.1 Dimensions - Maße [mm] 1=A 2 = n.c. /frei 3 = C Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) BAS16 Power dissipation − Verlustleistung Ptot 310 mW 1) Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) IFAV 200 mA 1) IFSM IFSM 1A 2A VRRM 85 V Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert tp ≤ 1 s tp ≤ 1 µs Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) 2 Forward voltage ) Durchlass-Spannung 2) Leakage current Sperrstrom IF IF IF IF = = = = 1 mA 10 mA 50 mA 150 mA VF VF VF VF < 715 mV < 855 mV < 1.0 V < 1.25 V Tj = 25°C VR = 75 V IR < 1 µA Tj = 150°C Tj = 150°C VR = 25 V VR = 75 V IR IR < 30 µA < 50 µA Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz CT 2 pF Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA Trr < 6 ns Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 400 K/W 1) 1 2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BAS16 Pinning – Anschlussbelegung 3 1 Marking – Stempelung Fast Switching Single Diode Schnelle Einzeldiode 1=A 2 2 = n.c./frei BAS16 = A6 or/oder 5D 3=C 1 120 [%] [A] 100 10-1 80 Tj = 125°C 10 -2 60 40 Tj = 25°C 10-3 20 IF Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] 10-4 1 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) 2 http://www.diotec.com/ 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) © Diotec Semiconductor AG