BAS19

BAS19 ... BAS21
BAS19 ... BAS21
Fast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes
Schnelle Si-Planar-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2015-05-12
Power dissipation – Verlustleistung
1.1
2.9 ±0.1
Type
Code
1
1.3±0.1
3
2.4 ±0.2
0.4
+0.1
-0.05
250 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
+0.1
-0.2
2
1.9±0.1
Dimensions - Maße [mm]
1=A
2 = n.c./frei
3=C
120...250 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
SOT-23
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C)
Type
Typ
Grenzwerte (TA = 25°C)
Continuous reverse voltage
Dauersperrspannung
VR [V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 1)
BAS19
100
120
BAS20
150
200
BAS21
200
250
Power dissipation − Verlustleistung
Ptot
250 mW 2)
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
IFAV
200 mA 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
IFRM
625 mA 1)
IFSM
IFSM
0.5 A
2.5 A
Tj
TS
- 55...+150°C
- 55…+150°C
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 µs
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Leakage current
Sperrstrom
1
2
IF = 100 mA
IF = 200 mA
VF
VF
< 1.00 V
< 1.25 V
Tj = 25°C
V = VR
IR
< 100 nA
Tj = 150°C
V = VR
IR
< 100 µA
Tested with 100 µA pulses – Gemessen mit 100 µA-Impulsen
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BAS19 ... BAS21
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
CT
< 5 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
trr
< 50 ns
RthA
< 420 K/W 1)
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Pinning – Anschlussbelegung
3
1
Marking – Stempelung
Single Diode
Einzeldiode
1=A
2
120
2 = n.c./frei
HB
or
HC
3=C
10
[%]
[A]
100
1
80
Tj = 125°C
60
-1
10
40
Tj = 25°C
10-2
20
IF
Ptot
0
0
TA
50
100
150
[°C]
10-3
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von der Umgebungstemp.1)
1
1
2
0
VF
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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