BAS31

BAS31, BAS35
BAS31, BAS35
Surface Mount Small Signal Dual Diodes
Kleinsignal-Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2015-05-12
2.9
0.4+0.1
-0.05
+0.1
1.1 -0.2
±0.1
Type
Code
1
1.3±0.1
2.4 ±0.2
3
350 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
120 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
SOT-23
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca.
2
1.9
Power dissipation – Verlustleistung
0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
±0.1
Dimensions - Maße [mm]
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
per diode / pro Diode
BAS31, BAS35
Power dissipation – Verlustleistung 1)
Ptot
350 mW 2)
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
IFAV
200 mA 2)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
IFRM
600 mA 2)
IFSM
IFSM
1A
2A
VRRM
120 V
Tj
TS
-55...+150°C
-55...+150°C
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 µs
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
3
Forward voltage )
Durchlass-Spannung 3)
Leakage current
Sperrstrom
1
2
3
IF
IF
IF
IF
IF
=
=
=
=
=
10 mA
50 mA
100 mA
200 mA
400 mA
VF
VF
VF
VF
VF
< 750 mV
< 840 mV
< 900 mV
< 1.00 V
< 1.25 V
Tj = 25°C
VR = 90 V
IR
< 100 nA
Tj = 150°C
VR = 90 V
IR
< 100 µA
Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BAS31, BAS35
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
CT
35 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
trr
< 50 ns
RthA
< 400 K/W 1)
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Outline – Gehäuse
Pinning – Anschlussbelegung
3
1
Marking – Stempelung
Dual diode, series connection
Doppeldiode, Reihenschaltung
1 = A1
2
2 = K2
BAS31 = L21
3 = K1/A2
3
Dual diode, common anode
Doppeldiode, gemeinsame Anode
1
1 = K1
2
120
2 = K2
BAS35 = L22
3 = A1/A2
10
[%]
[A]
100
1
80
Tj = 125°C
60
-1
10
40
Tj = 25°C
10-2
20
IF
Ptot
0
0
TA
50
100
150
[°C]
10-3
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von der Umgebungstemp.1)
1
1
2
0
VF
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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