BYZ35A22

BYZ35A22 ... BYZ35A47, BYZ35K22 ... BYZ35K47
BYZ35A22 ... BYZ35A47, BYZ35K22 ... BYZ35K47
Silicon-Protectifiers® with TVS characteristic – High Temperature Diodes
Silizium-Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaft – Hochtemperatur-Dioden
Version 2015-04-15
Nominal Current
Nennstrom
Ø 12.75
Ø 11±0.5
35 A
22 ... 47 V
28.5 min
Metal press-fit case with plastic cover
Metall-Einpressgehäuse mit Plastik-Abdeckung
Weight approx.
Gewicht ca.
4.2+0.3
9.3±0.2
1.3
Rändel 0.8
knurl 0.8
Nominal breakdown voltage
Nominale Abbruchspannung
10 g
Compound has classification UL94V-0
Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging: bulk
Standard Lieferform: lose im Karton
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type / Typ
Wire to / Draht an
Grenzwerte
Breakdown voltage
Abbruchspannung
IT = 100 mA
Reverse voltage
Sperrspannung
IR = 5 µA
Max. clamping voltage
Max. Begrenzerspanng.
at / bei Ipp, tp = 1 ms
Anode
Cathode
VBRmin [V]
VBRmax [V]
VR [V]
VC [V]
Ipp [A]
BYZ35A22
BYZ35K22
19.8
24.2
> 17.8
31.9
157
BYZ35A27
BYZ35K27
24.3
29.7
> 21.8
39.1
128
BYZ35A33
BYZ35K33
29.7
36.3
> 26.8
47.7
105
BYZ35A39
BYZ35K39
35.1
42.9
> 31.6
56.4
89
BYZ35A47
BYZ35K47
42.3
51.7
> 38.1
67.8
74
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TC = 150°C
IFAV
35 A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
72 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
360/400 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
660 A2s
Tj
TS
-50...+200°C
-50...+200°C
TjM
+215°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Peak junction temperature in case of “Load-Dump“
Spitzensperrschichttemperatur bei “Load-Dump“
1
tp < 400 ms
Max. case temperature TC = 150°C – Max. Gehäusetemperatur TC = 150°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BYZ35A22 ... BYZ35A47, BYZ35K22 ... BYZ35K47
Characteristics
Kennwerte
Forward Voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
VF
< 1.1 V
Thermal Resistance Junction – Case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
RthC
< 0.8 K/W
Maximum pressing force
Maximaler Einpressdruck
Fpmax
4 kN
120
IF = 35 A
3
10
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
102
80
Tj = 25°C
10
60
40
1
20
IF
IFAV
0
10
360a-(35a-1,1v)
-1
0
TC 50
100
150
200
[°C]
Rated forward current versus case temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp.
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
3
10
[A]
102
îF
10
1
© Diotec Semiconductor AG
10
102
[n]
103
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
http://www.diotec.com/
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