DBI2004B

DBI20-04B ... DBI20-16B
DBI20-04B ... DBI20-16B
Three-Phase Si-Bridge-Rectifiers
Dreiphasen-Si-Brückengleichrichter
Version 2015-01-29
35
±0.2
±0.2
5.5
±0.2
4.0
±0.2
25±0.2
16
1.5
2.0
1.0
4x7.5
400...1600 V
Plastic case – Plastikgehäuse
35 x 25 x 4 [mm]
Pinning – Anschlussfolge
-0.3
4
16.5
20 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Type
3.5
Nominal current
Nennstrom
1.3
+ ~~~ –
Weight approx. – Gewicht ca.
4±0.2
0.5
9g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
Dimensions - Maße [mm]
Features
Vorteile
Solderable terminals for (automatic) PCB
assembly
Enlarged creepage and clearance for direct
heatsink assembly
Lötbare Anschlüsse für (automatisierte)
Leiterplattenmontage
Vergrößerte Luft- und Kriechstrecken für
direkte Kühlkörpermontage
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Max. alternating input voltage
Max.
Eingangswechselspannung
VVRMS [V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische
Spitzensperrspannung
VRRM [V] 1)
Surge peak reverse
voltage
Stoßpitzensperrspannung
VRSM [V] 1)
DBI20-04B
280
400
500
DBI20-08B
560
800
900
DBI20-12B
800
1200
1300
DBI20-16B
1000
1600
1700
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
38 A 2)
Peak forward surge current 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
200/210 A
Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
Tj
TS
180 A2s
-50...+150°C
-50...+150°C
Valid per diode – Gültig pro Diode
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlüsse in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
DBI20-04B ... DBI20-16B
Characteristics
Kennwerte
IFAV
3.0 A 1)
R or C load
IFAV
20 A
Tj = 25°C
IF = 20 A
VF
< 1.3 V 2)
Tj = 25°C
Tj = 125°C
VR = VRRM
IR
IR
< 10 µA 2)
< 4 mA 2)
Isolation voltage terminals to case
Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse
VISO
> 2500 V
Thermal resistance junction to ambient (per diode)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Diode)
RthA
< 50 K/W
Thermal resistance junction to case (per diode)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Diode)
RthC
< 5.0 K/W
Thermal resistance junction to case (per device)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Bauteil)
RthC
< 0.8 K/W
Admissible mounting torque
Zulässiges Anzugsdrehmoment
M4
9 ± 10% lb.in.
1 ± 10% Nm
Max. current without cooling
Dauergrenzstrom ohne Kühlung
TA = 50°C
Max. current mounted on heatsink
Dauergrenzstrom bei Kühlkörpermontage
TC = 100°C
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
103
120
[%]
[A]
100
102
80
10
60
Tj = 25°C
Tj = 125°C
40
1
20
IF
IFAV
0
10-1
0
TC
50
100
150
[°C]
Rated forward current vs. temp. of the case
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur
1
2
2
240a-(10a-1,1v)
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlüsse in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Valid per diode – Gültig pro Diode
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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