GBS4A ... GBS4M GBS4A ... GBS4M Silicon-Bridge-Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Version 2014-12-09 Nominal current – Nennstrom 19 10 Type Typ 0.25 0.8 5 5 Plastic case Kunststoffgehäuse 50...1000 V 19 x 10 x 3.5 [mm] Weight approx. – Gewicht ca. 1.2 8.7- 1.0 = = _ ~ ~ + 4A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 1 3.5 5 Dimensions - Maße [mm] 1.3 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) GBS4A 35 50 GBS4B 70 100 GBS4D 140 200 GBS4G 280 400 GBS4J 420 600 GBS4K 560 800 GBS4M 700 1000 Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 16 A 2) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 80/90 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 32 A2s Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Valid per diode – Gültig pro Diode Valid, if leads are kept to ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 GBS4A ... GBS4M Characteristics Kennwerte Max. rectified current without cooling fin Dauergrenzstrom ohne Kühlblech TA = 50°C R-load C-load IFAV IFAV 2.3 A 1) 1.8 A 1) Max. rectified current with cooling fin 300 cm2 Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2 TA = 50°C R-load C-load IFAV IFAV 4A 3.2 A Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 2 A VF < 1.05 V 2) Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 5 µA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 40 K/W Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 12 K/W 120 10 2 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 Tj = 25°C 60 1 40 10-1 20 IF IFAV 0 10 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. 1 2 2 90a-(2a-1.05v) -2 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Valid, if leads are kept to ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden Valid per diode – Gültig pro Diode http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG