B40S-SLIM

B40S ... B500S
B40S ... B500S
“Slim” Profile Surface Mount Si-Bridge-Rectifiers
Si-Brückengleichrichter für die Oberflächenmontage mit „schlanker“ Bauhöhe
Version 2014-01-22
2.7-0.1
7.9
5.1
8.3
±0.4
10.2
-0.1
~
1A
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
0.25
2.5±0.1
Nominal current
Nennstrom
40...500 V
Plastic case SO-DIL “SLIM”
Kunststoffgehäuse SO-DIL „SLIM“
±0.4
8.3 x 6.4 x 2.5
[mm]
Weight approx. – Gewicht ca.
~
0.4 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Type
Typ
+
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
1.3
Dimensions - Maße [mm]
Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067
Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
VVRMS [V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 1)
B40S
40
80
B80S
80
160
B125S
125
250
B250S
250
600
B380S
380
800
B500S
500
1000
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
9A 2)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
45/50 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
Tj
TS
10.1 A2s
-50...+150°C
-50...+150°C
Per Diode – Pro Diode
Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
B40S ... B500S
Characteristics
Kennwerte
1.0 A 1)
0.8 A 1)
Max. average forward rectified current
Dauergrenzstrom
TA = 50°C
R-load
C-load
IFAV
IFAV
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 1 A
VF
< 1.1 V 2)
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
< 5 µA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Rt
Type
Typ
3)
~
_
~
+
CL 4)
< 40 K/W 1)
RthA
Recomm. protective resistance Admiss. load capacitor at Rt
Empf. Schutzwiderstand
Zul. Ladekondensator mit Rt
Rt [Ω] 3)
CL [µF] 4)
B40S
1.7
2900
0.005
B80S
3.5
1400
0.005
B125S
5.5
900
0.005
B250S
13.3
350
0.005
B380S
17.7
280
0.005
B500S
22.2
220
0.005
120
102
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
10
80
Tj = 25°C
1
60
40
10-1
20
IF
IFAV
0
0
TA
50
100
150
[°C]
10-2
0.4
Rated forward current versus ambient temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
1
2
3
4
2
40a-(1a-1.1v)
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Mounted on P.C. Board with 13 x 13 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 13 x 13 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Per Diode – Pro Diode
Rt = VRRM / IFSM
Rt is the equivalent resistance of any protective element which ensures that IFSM is not exceeded
Rt ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von IFSM verhindert
CL = 5 ms / Rt
If the Rt CL time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, CL can be charged completely in a
single half wave of the mains. Hence, IFSM occurs as a single pulse only!
Falls die Rt CL Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann CL innerhalb einer einzigen
Netzhalbwelle komplett geladen werden. IFSM tritt dann nur als Einzelpuls auf!
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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